elm5k8473a

单 P 沟道 MOSFET
ELM5K8473A-S
■概要
■特点
ELM5K8473A-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-60V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-4.8A
·Rds(on) = 135mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) = 155mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
Vdss
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
-60
±20
-4.8
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Tc=25℃
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
-3.6
-10
Idm
容许功耗
V
V
A
2.8
W
1.2
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
Rθja
典型值
■引脚配置图
最大值
120
■电路图
D
SOT-223(俯视图)
1
2
单位
℃/W
3
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
5-1
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G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM5K8473A-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-48V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
-60
V
-1
Ta=85℃
-30
-1.0
-5
Vgs=-10V, Id=-4.8A
Vgs=-4.5V, Id=-3.6A
Vds=-15V, Id=-2.2A
Is=-1.5A, Vgs=0V
μA
±100
nA
-2.0
V
A
125
135
5
135
155
-0.75
-1.30
-1.6
mΩ
S
V
A
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss
Crss
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
td(off)
tf
Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-30V
Id=-2.2A
Vgs=-10V, Vds=-30V
RL=16.7Ω, Id=-1.8A
Rgen=1Ω
5-2
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410
45
20
5.0
1.5
pF
pF
pF
10.0
nC
nC
2.5
5
10
nC
ns
15
20
10
25
35
20
ns
ns
ns
AFP8473
Alfa-MOS
60V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
ELM5K8473A-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Feb. 2012
www.alfa-mos.com
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60V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
Typical Characteristics
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60V P-Channel
Technology单 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM5K8473A-S
Typical Characteristics
■测试电路和波形
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