单 P 沟道 MOSFET ELM5K8473A-S ■概要 ■特点 ELM5K8473A-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-60V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-4.8A ·Rds(on) = 135mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) = 155mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 Vdss Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） -60 ±20 -4.8 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Tc=25℃ Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A -3.6 -10 Idm 容许功耗 V V A 2.8 W 1.2 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 典型值 ■引脚配置图 最大值 120 ■电路图 D SOT-223(俯视图) 1 2 单位 ℃/W 3 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 DRAIN SOURCE 5-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 P 沟道 MOSFET ELM5K8473A-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-48V, Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is -60 V -1 Ta=85℃ -30 -1.0 -5 Vgs=-10V, Id=-4.8A Vgs=-4.5V, Id=-3.6A Vds=-15V, Id=-2.2A Is=-1.5A, Vgs=0V μA ±100 nA -2.0 V A 125 135 5 135 155 -0.75 -1.30 -1.6 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-30V Id=-2.2A Vgs=-10V, Vds=-30V RL=16.7Ω, Id=-1.8A Rgen=1Ω 5-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 410 45 20 5.0 1.5 pF pF pF 10.0 nC nC 2.5 5 10 nC ns 15 20 10 25 35 20 ns ns ns AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET ELM5K8473A-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Feb. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET Typical Characteristics ELM5K8473A-S ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Feb. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFP8473 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology单 P 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM5K8473A-S Typical Characteristics ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Feb. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。