elm5e401pa

单 P 沟道 MOSFET
ELM5E401PA-S
■概要
■特点
ELM5E401PA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-0.7A
·Rds(on) = 620mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) = 860mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) = 1450mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
-20
V
±12
V
-0.7
A
-0.4
-1.0
A
Pd
0.27
0.16
W
Tj, Tstg
- 55 to 150
℃
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-523(俯视图)
3
1
2
引脚编号
引脚名称
1
GATE
2
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5-1
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单 P 沟道 MOSFET
ELM5E401PA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-20V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-20
-1
Ta=85℃
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=-4.5V, Id=-0.6A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.5A
Vgs=-1.8V, Id=-0.4A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Gfs
Vsd
V
Vds=-10V, Id=-0.4A
Is=-0.15A, Vgs=0V
-5
-0.4
-0.7
500
700
1000
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
td(on)
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
±100
nA
-1.0
V
A
620
860
1450
S
V
-0.3
A
100
pF
pF
70
20
10
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-0.25A
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
RL=30Ω, Id=-0.2A
Rgen=10Ω
5-2
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mΩ
1
-0.65 -1.20
Is
Ciss
Coss
μA
1.0
pF
1.3
0.1
0.3
nC
nC
nC
10
10
40
15
15
60
ns
ns
ns
30
50
ns
AFP1013
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
单 P 沟道 MOSFET
ELM5E401PA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Jan. 2011
www.alfa-mos.com
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Enhancement Mode MOSFET
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单 P 沟道 MOSFET
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Enhancement Mode MOSFET
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■测试电路和波形
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