elm51401fa

单 P 沟道 MOSFET
ELM51401FA-S
■概要
■特点
ELM51401FA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-1.0A
·Rds(on) = 600mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) = 800mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) = 1300mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vdss
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
-20
V
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
±12
-1.0
-0.6
V
-6
0.35
A
A
W
0.22
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
Rθja
■引脚配置图
最大值
单位
120
℃/W
■电路图
D
SC-70(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
5-1
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单 P 沟道 MOSFET
ELM51401FA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-20V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=-4.5V, Id=-0.45A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.35A
Vgs=-1.8V, Id=-0.25A
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Gfs
Vsd
-20
V
-1
Ta=85℃
-5
-0.4
-0.7
Vds=-10V, Id=-0.4A
Is=-0.15A, Vgs=0V
500
700
1000
1
-0.65
Is
Ciss
Coss
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
td(on)
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
70
20
±100
nA
-1.0
V
A
600
800
1300
Id=-0.25A
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
RL=30Ω, Id=-0.2A
Rgen=10Ω
5-2
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1.0
mΩ
-1.20
S
V
-1.0
A
100
pF
pF
10
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
μA
pF
1.3
0.1
0.3
nC
nC
nC
10
10
40
15
15
60
ns
ns
ns
30
50
ns
AFP1303
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology单 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM51401FA-S
Typical
Characteristics
■标准特性和热特性曲线
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Jan. 2011
www.alfa-mos.com
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20V P-Channel
Technology单 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
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Typical Characteristics
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Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology
单 P 沟道 MOSFET
Enhancement Mode MOSFET
ELM51401FA-S
■测试电路和波形
Typical
Characteristics
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