elm323506a

单 P 沟道 MOSFET
ELM323506A-S
■概要
■特点
ELM323506A-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-60V
·Id=-26A
·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=-7V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
漏极电流(定常)
Ta=100℃
漏极电流(脉冲)
崩溃电流
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-60
V
±20
-26
Id
V
A
-16
Idm
Ias
-100
-39
A
崩溃能量
L=0.1mH
Eas
77
mJ
容许功耗
Tc=25℃
Tc=100℃
Pd
42
17
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
结合部温度及保存温度范围
3
5
■热特性
项目
最大结合部 - 封装热阻
记号
Rθjc
Rθja
最大结合部 - 环境热阻
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
3
50
℃/W
备注
■电路图
D
TO-252-3(俯视图)
TAB
1
2
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
DRAIN
SOURCE
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM323506A-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-40V, Vgs=0V, Ta=55℃
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-5V, Vds=-10V
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Vsd
Is
V
Vds=-48V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
-60
-2.0
-100
Vgs=-10V, Id=-25A
Vgs=-7V, Id=-20A
Vds=-5V, Id=-25A
-2.7
29
32
15
If=-25A, Vgs=0V
μA
±100
nA
-4.0
V
A
1
mΩ
1
S
1
V
A
1
35
55
-1.3
-26
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
栅极抵抗
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-30V
Id=-25A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-30V
td(off) Id=-20A, RL=1Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=-25A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%;
2. 独立于工作温度;
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制;
4. 占空比≤1%;
5. Vdd=-30V, 启动时 Tj=25℃
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
2550
241
140
pF
pF
pF
4.85
Ω
39
nC
2
13
8
nC
nC
2
2
30
90
70
ns
ns
ns
2
2
2
15
30
100
ns
ns
nC
2
单 P 沟道 MOSFET
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■标准特性和热特性曲线
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4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
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