EFM8SB2 Data Sheet (Chinese)

EFM8 Sleepy Bee 产品系列
EFM8SB2 数据表
EFM8SB2 是 Sleepy Bee 系列的 MCU，是全球最节能的小封装且功
能全面的多用途 8 位微控制器。
节能
• 最低 MCU 睡眠电流和电源掉电检测 (50
nA)
这些设备采用小型封装，结合创新的低功耗技术，从节能模式中唤醒时间短，非常适合所
有电池驱动式应用。EFM8SB2 系列采用高效的 8051 内核、6 位电流参考和精密模拟，也
是嵌入式应用的最佳选择。
• 最低 MCU 有效电流和这些功能（24.5 MHz
时钟速率时 170 μA / MHz）
• 使用内部 RTC 和电源掉电检测时的最低
MCU 睡眠电流 (< 300 nA)
EFM8SB2 应用包括以下功能：
• 电池驱动式消费电子设备
• 传感器接口
• 手持设备
• 工业控制
Core / Memory
RAM Memory
(4352 bytes)
(up to 64 KB)
• 集成低压差 (LDO) 稳压器以在所有电压下
保持超低有效电流
Clock Management
CIP-51 8051 Core
(25 MHz)
Flash Program
Memory
• 数字和模拟外围设备的快速唤醒 (< 2 μs)
Debug Interface
with C2
Energy Management
External
Oscillator
Low Power 20
MHz RC
Oscillator
External 32 kHz
RTC Oscillator
High Frequency
24.5 MHz RC
Oscillator
Internal LDO
Regulator
Power-On Reset
Brown-Out Detector
8-bit SFR bus
Serial Interfaces
UART
2 x SPI
I2C / SMBus
I/O Ports
External
Interrupts
General
Purpose I/O
Pin Reset
Pin Wakeup
Timers and Triggers
Timers
0/1/2/3
Watchdog
Timer
PCA/PWM
Real Time
Clock
Analog Interfaces
ADC
Comparator 0
Comparator 1
Internal Voltage
Reference
Security
16/32-bit CRC
Internal Current Reference
Lowest power mode with peripheral operational:
Normal
Idle
Suspend
Sleep
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Rev.
1.1
EFM8SB2 数据表
功能列表
1.
功能列表
EFM8SB2 突出功能如下所列。
• 内核：
• 流水线式 CIP-51 内核
• 与标准 8051 指令集完全兼容
• 70% 指令的执行时间为 1-2 系统时钟周期
• 25 MHz 最高工作频率
• 内存：
• 最高 64 kB 闪存，可在系统内对固件重新编程。
• 最高 4352 字节 RAM（包括 256 字节标准 8051 RAM 和
4096 字节片上 XRAM）
• 电源：
• 用于 CPU 核心电压的内部 LDO 稳压器
• 加电复位电路和掉电检测器
• I/O：最多共 24 组多功能 I/O 引脚：
• 用于外围路由的灵活的外围设备交叉开关
• 5 mA 源电流，12.5 mA 吸收器允许直接驱动 LED
• 时钟源：
• 内部 20 MHz 低功耗振荡器，精度 ±10%
• 内部 24.5 MHz 高精度振荡器，精度 ±2%
• 外部 RTC 32 kHz 晶体
• 外部晶体、RC、C 和 CMOS 时钟选项
• 定时器/计数器和 PWM：
• 32 位实时时钟 (RTC)
• 6 通道可编程计数器阵列 (PCA)，支持 PWM、捕获/比较、带
有看门狗定时器功能的频率输出模式
• 4 个 16 位通用计时器
• 通信和数字外围设备：
• UART
• 2 个 SPI™ 主 / 从
• SMBus™/I2C™ 主 / 从
• 外部存储器接口 (EMIF)
• 16 位/32 位 CRC 单元，支持 1024 字节边界内闪存自动
CRC
• 模拟：
• 可编程参考电流 (IREF0)
• 10 位 AD 转换器 (ADC0)
• 2 个低电流模拟比较器
• 片上非侵入式调试
• 全内存和寄存器检查
• 四个硬件断点、单步执行
• 预装 UART 引导程序
• -40 至 85 ºC 温度范围
• 单电源 1.8 至 3.6 V
• QFP32、QFN32 和 QFN24 封装
借助芯片上加电复位、电源电压监控器、监视程序定时器和时钟振荡器，EFM8SB2 设备成为真正独立的系统单芯片解决方案。闪存是可编
程内部电路，提供非易失性数据存储以及支持固件的现场升级。片上调试接口 (C2) 允许使用安装在最终应用中的生产 MCU 进行非侵入
式（不使用片上资源）、全速、内部电路调试。此调试逻辑支持检查和修改存储器与寄存器、设置断点、单步执行以及运行和停止命令。
进行调试时，所有模拟和数字外围设备的功能都得到充分发挥。各设备的指定操作电压是 1.8 到 3.6 V，适用于 24-针 QFN、32-针 QFN
或 32-针 QFP 封装的元件。所有封装选项均符合无铅和 RoHS 要求。
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1
EFM8SB2 数据表
订购信息
2.
订购信息
EFM8 SB2 0 F 64 G – A – QFN32 R
Tape and Reel (Optional)
Package Type
Revision
Temperature Grade G (-40 to +85)
Flash Memory Size – 64 KB
Memory Type (Flash)
Family Feature Set
Sleepy Bee 2 Family
Silicon Labs EFM8 Product Line
Figure 2.1.
EFM8SB2 部件编号
所有 EFM8SB2 产品系列都具备以下功能：
• 运行频率高达 25 MHz 的 CIP-51 核心
• 三种内部振荡器（24.5 MHz、20 MHz 和 16 kHz）
• SMBus / I2C
• 2 x SPI
• UART
• 6 通道可编程计数器阵列（PWM、时钟生成、捕获/比较）
• 4 个 16 位定时器
• 2 个模拟比较器
• 6 位可编程参考电流
• 10 位 AD 转换器，配有集成多路复用器、电压参考和温度传感器
• 低电流 32 kHz 振荡器和实时时钟
• 16 位 CRC 元件
• 预装 UART 引导程序
除了这些功能外，EFM8SB2 系列的各元件随产品系列不同而具有不同的功能集。产品选择指南列出了各系列元件的可用功能。
(RoHS Compliant)
EFM8SB20F64G-A-QFP32
64
4352
24
23
12
Yes
-40 to +85 C QFP32
EFM8SB20F64G-A-QFN24
64
4352
16
15
8
Yes
-40 to +85 C QFN24
EFM8SB20F32G-A-QFN32
32
4352
24
23
12
Yes
-40 to +85 C QFN32
EFM8SB20F32G-A-QFP32
32
4352
24
23
12
Yes
-40 to +85 C QFP32
EFM8SB20F32G-A-QFN24
32
4352
16
15
8
Yes
-40 to +85 C QFN24
EFM8SB20F16G-A-QFN24
16
4352
16
15
8
Yes
-40 to +85 C QFN24
Package
-40 to +85 C QFN32
Range
Yes
Temperature
Comparator
12
Pb-free
ADC Channels
23
Inputs
Digital Port
24
Memory (kB)
4352
Flash
64
Number
EFM8SB20F64G-A-QFN32
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I/Os (Total)
产品选择指南
RAM (Bytes)
Ordering Part
Table 2.1.
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2
EFM8SB2 数据表
系统概述
系统概述
3.1
简介
CIP-51 8051 Controller
Core
Power On
Reset/PMU
Wake
Reset
C2CK/RSTb
Debug /
Programming
Hardware
Port I/O Configuration
Digital Peripherals
64/32/16 KB ISP Flash
Program Memory
UART
256 Byte SRAM
Timers 0,
1, 2, 3
4096 Byte XRAM
PCA/WDT
C2D
VDD
Priority
Crossbar
Decoder
SMBus
Power Net
Analog
Power
VREG
Digital
Power
Crossbar Control
SFR
Bus
Port 1
Drivers
P1.n
Port 2
Drivers
P2.n
External Memory Interface
Control
Precision
24.5 MHz
Oscillator
Address
Data
Low Power
20 MHz
Oscillator
XTAL1
XTAL2
XTAL4
P0.n
CRC
SYSCLK
System Clock
Configuration
GND
XTAL3
Port 0
Drivers
SPI 0,1
Analog Peripherals
External
Oscillator
Circuit
External
VREF
VREF
10-bit
300ksps
ADC
RTC
Oscillator
Comparators
VDD
VREF
Temp
Sensor
+
-+
6-bit
IREF
IREF0
GND
Figure 3.1.
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Internal
AMUX
3.
EFM8SB2 方框图详情
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3
EFM8SB2 数据表
系统概述
3.2
电源
所有内部电路由 VDD 供电引脚供电。 外部 I/O 引脚由 VIO 电源电压供电（或设备上无独立 VIO 连接的 VDD），大多数内部电路由片
上 LDO 调节器供电。 根据需要启用/禁用各个外围设备可以控制设备功耗。 每个模拟外设在不使用时都可以禁用，从而置于低功耗模
式。 在不使用数字外围设备（如定时器或串行总线）时时钟被关闭且消耗很少的电量。
Table 3.1.
电源模式
Power Mode
Details
Mode Entry
Wake-Up Sources
Normal
Core and all peripherals clocked and fully op‐
erational
—
—
Set IDLE bit in PCON0
Any interrupt
Idle
• Core halted
• All peripherals clocked and fully operational
• Code resumes execution on wake event
Suspend
• Core and digital peripherals halted
• Internal oscillators disabled
• Code resumes execution on wake event
Sleep
•
•
•
•
•
3.3
Most internal power nets shut down
Select circuits remain powered
Pins retain state
All RAM and SFRs retain state
Code resumes execution on wake event
1. Switch SYSCLK to
HFOSC0 or LPOSC0
2. Set SUSPEND bit in
PMU0CF
•
•
•
•
RTC0 Alarm Event
RTC0 Fail Event
Port Match Event
Comparator 0 Rising
Edge
1. Disable unused an‐
alog peripherals
2. Set SLEEP bit in
PMU0CF
•
•
•
•
RTC0 Alarm Event
RTC0 Fail Event
Port Match Event
Comparator 0 Rising
Edge
I/O
数字和模拟资源可以通过设备的多功能 I/O 引脚来实现外部调用。 端口引脚 P0.0-P2.6 可以被定义为通用 I/O (GPIO)，通过交叉开关
或专用信道被分配至其中一个内部数字资源，或者被分配至模拟功能。 端口 引脚 P2.7 可被用作 GPIO。 此外，C2 接口数据信号
(C2D) 可与 P2.7 共享。
•
•
•
•
•
最高 24 个多功能 I/O 引脚，支持数字和模拟功能。
数字外围设备分配的灵活的优先交叉开关译码器。
各引脚配有两个驱动强度设置。
配有专用中断向量（INT0 和 INT1）的两个直接引脚中断源。
配有共用中断向量（端口匹配）的最多 16 个直接引脚中断源。
3.4
时钟
CPU 核心和外围设备子系统可以按照内部和外部振荡器资源来设定时钟。 默认情况下，系统时钟运行的情况为：20 MHz 低功耗振荡器 8
分频。
•
•
•
•
•
•
为核心和外围设备提供时钟。
20 MHz 低功耗振荡器 (LPOSC0)，随电源和温度变化，精度为 +/- 10%。
24.5 MHz 内部振荡器 (HFOSC0)，随电源和温度变化，精度为 +/-2%。
外部 RTC 32 kHz 晶体。
外部 RC、C、CMOS 和高频晶体时钟选项 (EXTCLK)。
时钟分频器具有八个设置，可实现灵活的时钟调整：将所选的时钟源分频为：1、2、4、8、16、32、64 或 128。
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4
EFM8SB2 数据表
系统概述
3.5
定时器/计数器和 PWM
实时时钟 (RTC0)
RTC 是超低功耗、36 小时 32 位独立计时且带有警报的实时时钟。RTC 具有专用 32 kHz 振荡器。无需外部电阻或负载电容，如果外部
晶振故障，缺失时钟检测器功能将使系统发出警报。片上负载电容可编程为 16 种离散电平，兼容各种晶体。
RTC 模块包括以下功能：
• 长达 36 小时（32 位）独立计时。
• 支持外部 32 kHz 晶体或内部自振荡模式。
• 16 级内部晶体负载电容。
• 运行于最低电源模式下并覆盖所支持的全部电压范围。
• 从最低电源模式下唤醒或复位设备的警报和振荡器故障事件。
可编程计数器阵列 (PCA0)
可编程计数器阵列 (PCA) 提供增强的定时器和 PWM 功能的多个信道，与标准计数器/定时器相比，它需要较少的 CPU 干预。 PCA 的各
信道由一个专用的 16 位计数器/定时器和一个 16 位捕获/比较模块组成。 计数器/定时器由具有灵活的外部和内部时钟选项的可编程时
基驱动。 每个捕获/比较模块可配置为在五种模式中的一种模式下独立运行： 边沿触发捕获、软件定时器、高速输出、频率输出、或脉
宽调制 (PWM) 输出。 每个捕获/比较模块有其自己的关联 I/O 线 (CEXn)，这些线在启用时通过交叉开关连接到端口 I/O。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
16 位时基。
可编程时钟分频器和时钟源选择。
最多 六个 个独立配置的信道
8、9、10、11 和 16 位 PWM 模式（沿对准操作）。
输出频率模式。
捕获上升沿、下降沿或任何沿。
比较任意波形生成函数。
软件定时器（内部比较）模式。
集成监视程序定时器。
定时器（定时器 0、定时器 1、定时器 2 和定时器 3）
设备中包含几个计数器/定时器：两个是 16 位计数器/定时器与标准 8051 中的计数器/定时器兼容，另外两个是 16 位自动重新加载定
时器，可用于定时外围设备或作为通用定时器使用。 这些定时器可以用于测量时间间隔、对外部事件计数或生成周期性中断请求。 定时
器 0 和定时器 1 几乎完全相同，有四种主要工作模式。 其他定时器都提供带有自动重新加载和捕获功能的 16 位和分割 8 位定时器功
能。
定时器 0 和定时器 1 包括以下功能：
• 标准 8051 定时器，支持向后兼容固件和硬件。
• 时钟源包括 SYSCLK，SYSCLK 12、4 或 48 分频或外部时钟 8 分频或外部引脚分频。
• 8 位自动重新加载计数器/定时器模式
• 13 位计数器/定时器模式
• 16 位计数器/定时器模式
• 双 8 位计数器/定时器模式（定时器 0）
定时器 2 和定时器 3 是包括以下功能的 16 位定时器：
• 时钟源包括 SYSCLK，SYSCLK 12 分频或外部时钟 8 分频。
• 16 位自动重新加载定时器模式
• 双 8 位自动重新加载定时器模式
• 比较器 0 或 RTC0 捕获（定时器 2）
• 比较器 1 或 EXTCLK/8 捕获（定时器 3）
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EFM8SB2 数据表
系统概述
监视程序定时器 (WDT0)
设备包括 PCA0 外围设备中集成的可编程监视程序定时器 (WDT)。WDT 溢出将使 MCU 复位。为了避免复位，WDT 必须在溢出之前由应用
软件重启。如果系统遇到软件或硬件故障阻止软件重启 WDT，则 WDT 溢出并复位。复位之后，WDT 自动开启并以默认最大时间间隔来运
行。WDT 可以按需由系统软件禁用。RSTb 引脚的状态不受此复位的影响。
PCA0 外围设备中集成的监视程序定时器具有如下功能：
• 可编程超时间隔
• 从所选 PCA 时钟源运行
• 任何系统复位之后自动启动
3.6
通信和其他数字外围设备
通用异步接收器/发射器 (UART0)
UART0 是一个异步、全双工串口，它提供标准 8051 UART 的模式 1 和 3。 增强的波特率支持允许各种时钟源来生成标准波特率。 接收
数据缓冲机制允许 UART0 在软件尚未读取前一个数据字节的情况下开始接收第二个输入数据字节。
UART 模块提供以下功能：
• 异步发射和接收
• 波特率高达 SYSCLK/2（发射）或 SYSCLK/8（接收）
• 8- 或 9 位数据
• 自动启动和停止发生
串行外围设备接口（SPI0 和 SPI1）
串行外围设备接口 (SPI) 模块可以访问灵活的全双工同步串行总线。 SPI 可作为主设备或从属设备在 3-线或 4-线模式下运行，支持单
个 SPI 总线上的多个主设备或从属设备。 从选择 (NSS) 信号可被配置为输入，以在从模式中选择 SPI，或在多主环境中禁用主模式操
作，以避免多个主设备试图同时进行数据传输时发生 SPI 总线冲突。 NSS 可以被配置为固件控制的片选输出（在主模式），或被禁用以
减少所需引脚的数量。 在主模式中，可以用其它通用端口 I/O 引脚选择多个从设备。
SPI 模块包括以下功能：
• 支持 3 线或 4 线主或从模式运行。
• 所支持的外部时钟频率在主模式下高达 SYSCLK / 2 和在从模式下为 SYSCLK / 10。
• 支持四种时钟相位和极性选项。
• 8 位专用时钟的时钟频率发生器。
• 支持同一数据线上的多主模式。
系统管理总线 / I2C (SMB0)
SMBus I/O 接口是一个二线的双向串行总线。 SMBus 完全符合系统管理总线规范 1.1 版，并与 I2C 串行总线兼容。
SMBus 模块包括以下功能：
• 标准（最高 100 kbps）和快速 (400 kbps) 传输速度。
• 支持主、从和多主模式。
• 多主模式的硬件同步和仲裁。
• 时钟低延长（时钟拉伸）以连接到较快的主模式。
• 硬件支持 7 位从模式和一般调用地址识别。
• 固件支持 10 位从地址解码。
• 能够阻止所有从状态。
• 可编程数据建立/保持时间。
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6
EFM8SB2 数据表
系统概述
外部存储器接口 (EMIF0)
外部存储器接口 (EMIF) 允许访问连接到 GPIO 端口的片外存储器和存储器映射的设备。使用带有 8 位或 16 位目标地址的外部传送指
令 (MOVX) 来访问外部存储器空间。
• 支持访问多路复用器内存。
• 四种外部存储器模式：
• 仅内部。
• 不带存储体选择的分割模式。
• 带存储体选择的分割模式。
• 仅外部
• 可配置 ALE（地址锁存允许）定时。
• 可配置地址建立和保持时间。
• 可配置读写脉宽
16/32 位 CRC (CRC0)
循环冗余校验 (CRC) 模块使用 16 位或 32 位多项式执行 CRC。CRC0 接受 8 位数据流并将结果存入内部寄存器中。除了使用 CRC 模块
对数据进行操作外，硬件也可以对设备的闪存内容自动执行 CRC。
CRC 模块可以为闪存验证和通信协议进行硬件计算。CRC 模块包括以下功能：
• 支持 CCITT-16 多项式 (0x1021)。
• 支持 CRC-32 多项式 (0x04C11DB7)。
• 字节级位序颠倒。
• 对一个或多个 1024 字节块上的闪存内容自动执行 CRC。
• 初始种子选择为 0x0000/0x00000000 或 0xFFFF/0xFFFFFFFF。
3.7
模拟
可编程参考电流 (IREF0)
可编程电流参考 (IREF0) 模块可以开启电流输出或输入，配有两种输出电流设置：低功耗模式和高电流模式。低功耗模式下最大电流输
出是 63 µA（1 µA 级），高电流模式下最大电流输出是 504 µA（8 µA 级）。
IREF 模块包括以下功能：
• 可以编程来实现输出或输入电流。
• 两种运行模式：低功耗模式和高电流模式。
10 位 AD 转换器 (ADC0)
ADC 是一款逐次逼近寄存器 (SAR) ADC，具有 10 和 8 位模式，集成了跟踪保持电路和可编程窗口检测器。 该 ADC 可完全在软件控制
下通过几个寄存器来配置。 ADC 可通过使用模拟多路复用器配置，以测量各种不同信号。 ADC 的电压参考可在内部和外部参考源之间选
择。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
高达 22 的外部输入。
单端 10 位模式。
所支持的输出更新速率为每秒 300 ksps 样本。
在低功耗模式下运行时具有较低的转换速度。
异步硬件转换触发器，可以在软件、外部 I/O 和内部定时器来源之间选择。
输出数据窗口比较器允许自动范围检查。
支持突发模式，各转换启动触发器生成一组累计数据并具有可编程的加电稳定和跟踪时间。
支持转换完成和窗口比较中断。
灵活的输出数据格式。
包括内部 1.65 V 快速稳定参考并支持外部参考。
集成温度传感器。
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7
EFM8SB2 数据表
系统概述
低电流比较器（CMP0、CMP1）
模拟比较器用于比较两种模拟输入的电压，其中数字输出显示两者之中较高的输入电压。 至设备 I/O 引脚的外部输入连接以及内部连接
可通过正负输入端上彼此独立的多路复用器来启用。 滞后、响应时间和电流消耗可以根据应用的具体需要进行编程。
比较器模块包括下列功能：
• 高达 12 外部正输入。
• 高达 11 外部负输入。
• 其他输入选项：
• 电容感测比较器输出。
• VDD。
• VDD 除以 2。
• 内部连接到 LDO 输出。
• 直接连接到 GND。
• 同步和异步输出可以通过交叉开关被路由至引脚。
• 可编程滞后位于 0 和 +/-20 mV 之间。
• 可编程响应时间。
• 在上升沿、下降沿或这两者中都可以生成中断。
3.8
复位源
复位电路允许很容易地将控制器置于一个预定义的缺省状态。 在进入此复位状态时，将发生以下过程：
• 执行核心停止程序。
• 如果位复位不是仅使用加电复位，模块寄存器被初始化为指定的复位值。
• 外部端口引脚被置于已知状态。
• 中断和定时器被禁用。
如果位复位不是仅使用加电复位，则所有寄存器都被复位为寄存器说明中备注的预定义值。 在复位期间 RAM 的内容不受影响；之前存储
的数据在断电之前保持不变。 端口 I/O 锁存器在开路漏极模式下复位为 1。 在复位期间和复位之后弱上拉启用。 对于电源监视器和加
电复位，RSTb 引脚被驱动为低电平，直到设备退出复位状态。 在退出复位状态时，程序计数器 (PC) 被复位，并且系统时钟默认为内部
振荡器。 监视程序定时器被启用，从位置 0x0000 开始程序执行。
设备上的复位源包括以下功能：
• 加电复位
• 外部复位引脚
• 比较器复位
• 软件触发复位
• 电源监控器复位（监控器 VDD 电源）
• 监视程序定时器复位
• 时钟丢失检测器复位
• 闪存错误复位
• RTC0 警报或振荡器故障
3.9
调试
EFM8SB2 设备包括一个片上 Silicon Labs 2 线 (C2) 调试接口，支持闪存编程和使用安装在终端应用中的生产件进行系统内调试。 C2
接口使用一个时钟信号 (C2CK) 和一个双向 C2 数据信号 (C2D) 在设备和主机系统之间传输信息。 有关 C2 协议的详细信息，请参见
C2 接口规范。
3.10
引导装载程序
所有设备都配备预编程的 UART 引导装载程序。此引导程序驻留在闪存中，不需要时可以擦除。
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8
EFM8SB2 数据表
电气规格
4.
电气规格
4.1
电气特性
各表中的所有电气参数都适用于 中所列的条件，Table 4.1 建议的工作条件 on page 9 除非另有说明。
Table 4.1.
Parameter
Symbol
建议的工作条件
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
1.8
2.4
3.6
V
Not in Sleep Mode
—
1.4
—
V
Sleep Mode
—
0.3
0.5
V
0
—
25
MHz
–40
—
85
°C
Operating Supply Voltage on VDD VDD
Minimum RAM Data Retention
Voltage on VDD1
VRAM
System Clock Frequency
fSYSCLK
Operating Ambient Temperature
TA
Note:
1. All voltages with respect to GND.
Table 4.2.
Parameter
功耗
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
IDD
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK
= 24.5 MHz
—
4.1
5.0
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK = 20
MHz
—
3.5
—
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK =
32.768 kHz
—
90
—
µA
VDD = 1.8–3.6 V, T = 25 °C,
fSYSCLK < 14 MHz
—
226
—
µA/MHz
VDD = 1.8–3.6 V, T = 25 °C,
fSYSCLK > 14 MHz
—
120
—
µA/MHz
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK = 24.5
MHz
—
2.5
3.0
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK = 20
MHz
—
1.8
—
mA
VDD = 1.8–3.6 V, fSYSCLK =
32.768 kHz
—
84
—
µA
Digital Supply Current
Normal Mode supply current Full speed with code executing
from flash 3 , 4 , 5
Normal Mode supply current
frequency sensitivity1, 3, 5
IDDFREQ
Idle Mode supply current - Core IDD
halted with peripherals run‐
ning4 , 6
Idle Mode Supply Current Fre‐
quency Sensitivity1 ,6
IDDFREQ
VDD = 1.8–3.6 V, T = 25 °C
—
95
—
µA/MHz
Suspend Mode Supply Current
IDD
VDD = 1.8–3.6 V
—
77
—
µA
Sleep Mode Supply Current with
RTC running from 32.768 kHz
crystal
IDD
1.8 V, T = 25 °C
—
0.60
—
µA
3.6 V, T = 25 °C
—
0.85
—
µA
1.8 V, T = 85 °C
—
1.30
—
µA
3.6 V, T = 85 °C
—
1.90
—
µA
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
9
EFM8SB2 数据表
电气规格
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Sleep Mode Supply Current (RTC
off)
IDD
1.8 V, T = 25 °C
—
0.05
—
µA
3.6 V, T = 25 °C
—
0.12
—
µA
1.8 V, T = 85 °C
—
0.75
—
µA
3.6 V, T = 85 °C
—
1.20
—
µA
—
7
—
µA
VDD Monitor Supply Current
IVMON
Oscillator Supply Current
IHFOSC0
25 °C
—
300
—
µA
ADC0 Always-on Power Supply
Current7
IADC
300 ksps
—
800
—
µA
—
680
—
µA
CPMD = 11
—
0.4
—
µA
CPMD = 10
—
2.6
—
µA
CPMD = 01
—
8.8
—
µA
CPMD = 00
—
23
—
µA
VDD = 3.0 V
Tracking
VDD = 3.0 V
Comparator 0 (CMP0) Supply
Current
ICMP
Internal Fast-settling 1.65V
ADC0 Reference, Always-on8
IVREFFS
—
200
—
µA
On-chip Precision Reference
IVREFP
—
15
—
µA
Temp sensor Supply Current
ITSENSE
—
35
—
µA
Programmable Current Reference
(IREF0) Supply Current9
IIREF
Current Source, Either Power
Mode, Any Output Code
—
10
—
µA
Low Power Mode, Current Sink
—
1
—
µA
—
11
—
µA
—
12
—
µA
—
81
—
µA
IREF0DAT = 000001
Low Power Mode, Current Sink
IREF0DAT = 111111
High Current Mode, Current Sink
IREF0DAT = 000001
High Current Mode, Current Sink
IREF0DAT = 111111
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
10
EFM8SB2 数据表
电气规格
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Note:
1. Based on device characterization data; Not production tested.
2. SYSCLK must be at least 32 kHz to enable debugging.
3. Digital Supply Current depends upon the particular code being executed. The values in this table are obtained with
the CPU executing an “sjmp $” loop, which is the compiled form of a while(1) loop in C. One iteration requires 3
CPU clock cycles, and the flash memory is read on each cycle. The supply current will vary slightly based on the
physical location of the sjmp instruction and the number of flash address lines that toggle as a result. In the
worst case, current can increase by up to 30% if the sjmp loop straddles a 128-byte flash address boundary (e.g.,
0x007F to 0x0080). Real-world code with larger loops and longer linear sequences will have few transitions across
the 128-byte address boundaries.
4. Includes supply current from regulator and oscillator source (24.5 MHz high-frequency oscillator, 20 MHz low-power
oscillator, or 32.768 kHz RTC oscillator).
5. IDD can be estimated for frequencies < 10 MHz by simply multiplying the frequency of interest by the frequency
sensitivity number for that range, then adding an offset of 90 µA. When using these numbers to estimate IDD for >
10 MHz, the estimate should be the current at 25 MHz minus the difference in current indicated by the frequency
sensitivity number. For example: VDD = 3.0 V; F = 20 MHz, IDD = 4.1 mA – (25 MHz – 20 MHz) x 0.120 mA/MHz = 3.5
mA assuming the same oscillator setting.
6. Idle IDD can be estimated by taking the current at 25 MHz minus the difference in current indicated by the fre‐
quency sensitivity number. For example: VDD = 3.0 V; F = 5 MHz, Idle IDD = 2.5 mA – (25 MHz – 5 MHz) x 0.095
mA/MHz = 0.6 mA.
7. ADC0 always-on power excludes internal reference supply current.
8. The internal reference is enabled as-needed when operating the ADC in burst mode to save power.
9. IREF0 supply current only. Does not include current sourced or sunk from IREF0 output pin.
Table 4.3.
复位和电源监控器
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VDD Supply Monitor Threshold
VVDDM
Reset Trigger
1.7
1.75
1.8
V
VWARN
Early Warning
1.8
1.85
1.9
V
—
300
—
ns
Initial Power-On (Rising Volt‐
age on VDD)
—
0.75
—
V
Falling Voltage on VDD
0.7
0.8
0.9
V
Brownout Recovery (Rising
Voltage on VDD)
—
0.95
—
V
VDD Supply Monitor Turn-On Time tMON
Power-On Reset (POR) Monitor
Threshold
VPOR
VDD Ramp Time
tRMP
Time to VDD ≥ 1.8 V
—
—
3
ms
Reset Delay
tRST
Time between release of reset
source and code execution
—
10
—
µs
RST Low Time to Generate Reset
tRSTL
15
—
—
µs
100
650
1000
µs
—
7
10
kHz
Missing Clock Detector Response tMCD
Time (final rising edge to re‐
set)
Missing Clock Detector Trigger
Frequency
FMCD
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
FSYSCLK > 1 MHz
Rev. 1.1
|
11
EFM8SB2 数据表
电气规格
Table 4.4.
闪存
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
Write Time1
tWRITE
One Byte
57
64
71
µs
Erase Time1
tERASE
One Page
28
32
36
ms
Endurance (Write/Erase Cycles)
NWE
1 k
30 k
—
Cycles
Note:
1. Does not include sequencing time before and after the write/erase operation, which may be multiple SYSCLK cycles.
2. Data Retention Information is published in the Quarterly Quality and Reliability Report.
Table 4.5.
Parameter
Symbol
Idle Mode Wake-up Time
tIDLEWK
Suspend Mode Wake-up Time
tSUSPENDWK
电源管理定时
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
2
—
3
SYSCLKs
—
400
—
ns
—
1.3
—
µs
—
2
—
µs
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
fHFOSC0
Full Temperature and Supply
Range
24
24.5
25
MHz
fLPOSC
Full Temperature and Supply
Range
18
20
22
MHz
fLFOSC
Bias Off
—
12 ± 5
—
kHz
Bias On
—
25 ± 10
—
kHz
Min
Typ
Max
Unit
0.02
-
25
MHz
CLKDIV = 0x00
Precision Osc.
CLKDIV = 0x00
Low Power Osc.
Sleep Mode Wake-up Time
tSLEEPWK
Table 4.6.
Parameter
Symbol
内部振荡器
High Frequency Oscillator 0 (24.5 MHz)
Oscillator Frequency
Low Power Oscillator (20 MHz)
Oscillator Frequency
RTC in Self-Oscillate Mode
Oscillator Frequency
Table 4.7.
Parameter
Symbol
Crystal Frequency
fXTAL
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Test Condition
晶体振荡器
Rev. 1.1
|
12
EFM8SB2 数据表
电气规格
Table 4.8.
Parameter
Symbol
External Input CMOS Clock
外部时钟输入
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
fCMOS
0
—
25
MHz
External Input CMOS Clock High
Time
tCMOSH
18
—
—
ns
External Input CMOS Clock Low
Time
tCMOSL
18
—
—
ns
Min
Typ
Max
Unit
Frequency (at EXTCLK pin)
Table 4.9.
ADC
Parameter
Symbol
Test Condition
Resolution
Nbits
Throughput Rate
fS
—
—
300
ksps
Tracking Time
tTRK
1.5
—
—
µs
Power-On Time
tPWR
1.5
—
—
µs
SAR Clock Frequency
fSAR
—
—
8.33
MHz
Conversion Time
TCNV
13
—
—
Clocks
Sample/Hold Capacitor
CSAR
Gain = 1
—
30
—
pF
Gain = 0.5
—
28
—
pF
10
High Speed Mode,
Bits
Input Pin Capacitance
CIN
—
20
—
pF
Input Mux Impedance
RMUX
—
5
—
kΩ
Voltage Reference Range
VREF
1
—
VDD
V
Input Voltage Range1
VIN
Gain = 1
0
—
VREF
V
Gain = 0.5
0
—
2 x VREF
V
Internal High Speed VREF
—
67
—
dB
External VREF
—
74
—
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRRADC
DC Performance
Integral Nonlinearity
INL
—
±0.5
±1
LSB
Differential Nonlinearity
(Guaranteed Monotonic)
DNL
—
±0.5
±1
LSB
Offset Error
EOFF
–2
0
2
LSB
Offset Temperature Coefficient
TCOFF
—
0.004
—
LSB/°C
Slope Error
EM
—
±0.06
±0.24
%
54
58
—
dB
Signal-to-Noise Plus Distortion SNDR
54
58
—
dB
Total Harmonic Distortion (Up
to 5th Harmonic)
—
-73
—
dB
VREF = 1.65 V
Dynamic Performance 10 kHz Sine Wave Input 1dB below full scale, Max throughput
Signal-to-Noise
SNR
THD
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
13
EFM8SB2 数据表
电气规格
Parameter
Symbol
Spurious-Free Dynamic Range
SFDR
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
—
75
—
dB
Min
Typ
Max
Unit
Note:
1. Absolute input pin voltage is limited by the VDD supply.
Table 4.10.
Parameter
Symbol
参考电压
Test Condition
Internal Fast Settling Reference
Output Voltage
VREFFS
1.60
1.65
1.70
V
Temperature Coefficient
TCREFFS
—
50
—
ppm/°C
Turn-on Time
tVREFFS
—
—
1.5
µs
Power Supply Rejection
PSRRREFFS
—
400
—
ppm/V
1.645
1.68
1.715
V
4.7 µF tantalum + 0.1 µF ce‐
ramic bypass on VREF pin
—
15
—
ms
0.1 µF ceramic bypass on VREF
pin
—
300
—
µs
No bypass on VREF pin
—
25
—
µs
Load = 0 to 200 µA to GND
—
400
—
µV / µA
On-chip Precision Reference
Output Voltage
VREFP
Turn-on Time, settling to 0.5
LSB
tVREFP
Load Regulation
LRVREFP
Short-circuit current
ISCVREFP
—
3.5
—
mA
Power Supply Rejection
PSRRVREFP
—
140
—
ppm/V
Input Voltage
VEXTREF
1
—
VDD
V
Input Current
IEXTREF
—
5.25
—
µA
External Reference
Sample Rate = 300 ksps; VREF =
3.0 V
Table 4.11.
温度传感器
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Offset
VOFF
TA = 0 °C
—
940
—
mV
Offset Error1
EOFF
TA = 0 °C
—
18
—
mV
Slope
M
—
3.40
—
mV/°C
Slope Error1
EM
—
40
—
µV/°C
—
±1
—
°C
—
1.8
—
µs
Linearity
Turn-on Time
tPWR
Note:
1. Represents one standard deviation from the mean.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
14
EFM8SB2 数据表
电气规格
Table 4.12.
比较器
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Response Time, CPMD = 00
(Highest Speed)
tRESP0
+100 mV Differential
—
130
—
ns
–100 mV Differential
—
200
—
ns
+100 mV Differential
—
1.75
—
µs
–100 mV Differential
—
6.2
—
µs
CPHYP = 00
—
0.4
—
mV
CPHYP = 01
—
8
—
mV
CPHYP = 10
—
16
—
mV
CPHYP = 11
—
32
—
mV
CPHYN = 00
—
-0.4
—
mV
CPHYN = 01
—
–8
—
mV
CPHYN = 10
—
–16
—
mV
CPHYN = 11
—
–32
—
mV
CPHYP = 00
—
0.5
—
mV
CPHYP = 01
—
6
—
mV
CPHYP = 10
—
12
—
mV
CPHYP = 11
—
24
—
mV
CPHYN = 00
—
-0.5
—
mV
CPHYN = 01
—
–6
—
mV
CPHYN = 10
—
–12
—
mV
CPHYN = 11
—
–24
—
mV
CPHYP = 00
—
0.7
—
mV
CPHYP = 01
—
4.5
—
mV
CPHYP = 10
—
9
—
mV
CPHYP = 11
—
18
—
mV
CPHYN = 00
—
-0.6
—
mV
CPHYN = 01
—
–4.5
—
mV
CPHYN = 10
—
–9
—
mV
CPHYN = 11
—
–18
—
mV
CPHYP = 00
—
1.5
—
mV
CPHYP = 01
—
4
—
mV
CPHYP = 10
—
8
—
mV
CPHYP = 11
—
16
—
mV
Response Time, CPMD = 11 (Low‐ tRESP3
est Power)
Positive Hysterisis
HYSCP+
Mode 0 (CPMD = 00)
Negative Hysterisis
HYSCP-
Mode 0 (CPMD = 00)
Positive Hysterisis
HYSCP+
Mode 1 (CPMD = 01)
Negative Hysterisis
HYSCP-
Mode 1 (CPMD = 01)
Positive Hysterisis
HYSCP+
Mode 2 (CPMD = 10)
Negative Hysterisis
HYSCP-
Mode 2 (CPMD = 10)
Positive Hysteresis
HYSCP+
Mode 3 (CPMD = 11)
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Rev. 1.1
|
15
EFM8SB2 数据表
电气规格
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Negative Hysteresis
HYSCP-
CPHYN = 00
—
-1.5
—
mV
CPHYN = 01
—
–4
—
mV
CPHYN = 10
—
–8
—
mV
CPHYN = 11
—
–16
—
mV
Mode 3 (CPMD = 11)
Input Range (CP+ or CP–)
VIN
-0.25
—
VDD+0.25
V
Input Pin Capacitance
CCP
—
12
—
pF
Common-Mode Rejection Ratio
CMRRCP
—
70
—
dB
Power Supply Rejection Ratio
PSRRCP
—
72
—
dB
Input Offset Voltage
VOFF
-10
0
10
mV
Input Offset Tempco
TCOFF
—
3.5
—
µV/°C
Min
Typ
Max
Units
TA = 25 °C
Table 4.13.
Parameter
Symbol
可编程参考电流 (IREF0)
Conditions
Static Performance
Resolution
Nbits
Output Compliance Range
VIOUT
6
bits
Low Power Mode, Source
0
—
VDD –
0.4
V
High Current Mode, Source
0
—
VDD –
0.8
V
Low Power Mode, Sink
0.3
—
VDD
V
High Current Mode, Sink
0.8
—
VDD
V
Integral Nonlinearity
INL
—
<±0.2
±1.0
LSB
Differential Nonlinearity
DNL
—
<±0.2
±1.0
LSB
Offset Error
EOFF
—
<±0.1
±0.5
LSB
Full Scale Error
EFS
Low Power Mode, Source
—
—
±5
%
High Current Mode, Source
—
—
±6
%
Low Power Mode, Sink
—
—
±8
%
High Current Mode, Sink
—
—
±8
%
Low Power Mode Sourcing 20 µA
—
<±1
±3
%
Output Settling Time to 1/2 LSB tSETTLE
—
300
—
ns
Startup Time
—
1
—
µs
Absolute Current Error
EABS
Dynamic Performance
tPWR
Note:
1. The PCA block may be used to improve IREF0 resolution by PWMing the two LSBs.
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Rev. 1.1
|
16
EFM8SB2 数据表
电气规格
Table 4.14.
Parameter
Symbol
Test Condition
Output High Voltage (High
Drive)
VOH
端口 I/O
Min
Typ
Max
Unit
IOH = –3 mA
VDD – 0.7
—
—
V
Output Low Voltage (High Drive) VOL
IOL = 8.5 mA
—
—
0.6
V
Output High Voltage (Low Drive) VOH
IOH = –1 mA
VDD – 0.7
—
—
V
Output Low Voltage (Low Drive)
VOL
IOL = 1.4 mA
—
—
0.6
V
Input High Voltage
VIH
VDD = 2.0 to 3.6 V
VDD – 0.6
—
—
V
VDD = 1.8 to 2.0 V
0.7 x VDD
—
—
V
VDD = 2.0 to 3.6 V
—
—
0.6
V
VDD = 1.8 to 2.0 V
—
—
0.3 x VDD
V
VDD = 1.8 V
—
–4
—
µA
–35
–20
—
µA
–1
—
1
µA
Input Low Voltage
Weak Pull-Up Current
VIL
IPU
VIN = 0 V
VDD = 3.6 V
VIN = 0 V
Input Leakage
4.2
ILK
Weak pullup disabled or pin in
analog mode
热状态
Table 4.15.
热状态
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Thermal Resistance1
θJA
QFN-24 Packages
—
35
—
°C/W
QFN-32 Packages
—
28
—
°C/W
QFP-32 Packages
—
80
—
°C/W
Note:
1. Thermal resistance assumes a multi-layer PCB with any exposed pad soldered to a PCB pad.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
17
EFM8SB2 数据表
电气规格
4.3
绝对最大额定值
超过 中所列的应力值 Table 4.16 绝对最大额定值 on page 18 可能会永久损坏设备。这仅为应力额定值，不表示在此值之下或在此
规范的操作列表中标明的额定值之上的任何其他条件下可以对设备进行功能性操作。长期在最大额定值条件下工作可影响设备的可靠性。
有关质量参数和可靠性数据的更多信息，请参阅以下网址上的《质量和可靠性监视报告》： http://www.silabs.com/support/quality/
pages/default.aspx.
Table 4.16.
Parameter
Symbol
Ambient Temperature Under Bias
绝对最大额定值
Test Condition
Min
Max
Unit
TBIAS
–55
125
°C
Storage Temperature
TSTG
–65
150
°C
Voltage on VDD
VDD
GND–0.3
4.0
V
Voltage on I/O pins or RSTb
VIN
VDD > 2.2 V
GND–0.3
5.8
V
VDD <= 2.2 V
GND–0.3
VDD + 3.6
V
Total Current Sunk into Supply Pin IVDD
—
400
mA
Total Current Sourced out of
Ground Pin
IGND
400
—
mA
Current Sourced or Sunk by Any I/O
Pin or RSTb
IIO
-100
100
mA
Maximum Total Current through all
Port Pins
IIOTOT
—
200
mA
Operating Junction Temperature
TJ
–40
105
°C
Exposure to maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
18
EFM8SB2 数据表
电气规格
4.4
典型性能曲线
Figure 4.1.
常见工作电流（全电源电压范围）
Figure 4.2.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
常见 VOH 曲线
Rev. 1.1
|
19
EFM8SB2 数据表
电气规格
Figure 4.3.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
常见 VOL 曲线
Rev. 1.1
|
20
EFM8SB2 数据表
典型连接图
5.
典型连接图
5.1
电源
Figure 5.1 电源连接图 on page 21 是 EFM8SB2 设备电源引脚的典型连接图。
1.8-3.6 V (in)
1 µF and 0.1 µF bypass
capacitors required for
the power pins placed
as close to the pins as
possible.
VDD
EFM8SB2
Device
GND
Figure 5.1.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
电源连接图
Rev. 1.1
|
21
EFM8SB2 数据表
P0.2
P0.3
P0.4
P0.5
P0.6
P0.7
30
29
28
27
26
25
EFM8SB2x-QFN32 引脚定义
P0.1
6.1
31
引脚定义
P0.0
6.
32
引脚定义
N/C
1
24
P1.0
GND
2
23
P1.1
VDD
3
22
P1.2
N/C
4
21
P1.3
N/C
5
20
P1.4
RSTb / C2CK
6
19
P1.5
P2.7 / C2D
7
18
P1.6
17
P1.7
32 pin QFN
(Top View)
GND
Pin
Pin Name
Description
1
N/C
No Connection
2
GND
Ground
3
VDD
Supply Power Input
4
N/C
No Connection
Number
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
16
14
P2.2
P2.0
13
P2.3
Table 6.1.
15
12
P2.4
Figure 6.1.
P2.1
11
10
XTAL3
P2.5
9
8
XTAL4
P2.6
EFM8SB2x-QFN32 插脚
EFM8SB2x-QFN32 的引脚定义
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
Rev. 1.1
|
22
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
5
N/C
No Connection
6
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
P2.6
Multifunction I/O
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
Yes
EMIF_WRb
ADC0.22
Number
7
8
CMP0P.11
CMP1P.11
9
XTAL4
RTC Crystal
XTAL4
10
XTAL3
RTC Crystal
XTAL3
11
P2.5
Multifunction I/O
Yes
EMIF_RDb
ADC0.21
CMP0N.10
CMP1N.10
12
P2.4
Multifunction I/O
Yes
EMIF_ALE
ADC0.20
CMP0P.10
CMP1P.10
13
P2.3
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A11
ADC0.19
CMP0N.9
CMP1N.9
14
P2.2
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A10
ADC0.18
CMP0P.9
CMP1P.9
15
P2.1
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A9
ADC0.17
CMP0N.8
CMP1N.8
16
P2.0
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A8
ADC0.16
CMP0P.8
CMP1P.8
17
P1.7
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.7
ADC0.15
EMIF_AD7
CMP0N.7
CMP1N.7
18
P1.6
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.6
ADC0.14
EMIF_AD6
CMP0P.7
CMP1P.7
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
23
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P1.5
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.5
ADC0.13
EMIF_AD5
CMP0N.6
Number
19
CMP1N.6
20
P1.4
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.4
ADC0.12
EMIF_AD4
CMP0P.6
CMP1P.6
21
22
23
24
25
P1.3
P1.2
P1.1
P1.0
P0.7
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
Yes
Yes
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
SPI1_NSS
CMP0N.5
EMIF_AD3
CMP1N.5
P1MAT.2
ADC0.10
SPI1_MOSI
CMP0P.5
EMIF_AD2
CMP1P.5
P1MAT.1
ADC0.9
SPI1_MISO
CMP0N.4
EMIF_AD1
CMP1N.4
P1MAT.0
ADC0.8
SPI1_SCK
CMP0P.4
EMIF_AD0
CMP1P.4
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
IREF0
INT1.7
CMP0N.3
CMP1N.3
26
P0.6
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CMP0P.3
INT0.6
CMP1P.3
INT1.6
27
28
29
P0.5
P0.4
P0.3
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Yes
Yes
Yes
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CMP0N.2
INT1.5
CMP1N.2
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CMP0P.2
INT1.4
CMP1P.2
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
XTAL2
INT0.3
CMP0N.1
INT1.3
CMP1N.1
Rev. 1.1
|
24
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.2
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.2
ADC0.2
INT0.2
CMP0P.1
INT1.2
CMP1P.1
Number
30
XTAL1
31
P0.1
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
AGND
INT1.1
CMP0N.0
CMP1N.0
32
P0.0
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.0
ADC0.0
INT0.0
CMP0P.0
INT1.0
CMP1P.0
VREF
Center
GND
Ground
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
25
EFM8SB2 数据表
引脚定义
P0.0
P0.1
P0.2
P0.3
P0.4
P0.5
23
22
21
20
19
EFM8SB2x-QFN24 引脚定义
24
6.2
N/C
1
18
P0.6
GND
2
17
P0.7
VDD
3
16
P1.0
N/C
4
15
P1.1
N/C
5
14
P1.2
13
P1.3
24 pin QFN
(Top View)
GND
Table 6.2.
Pin
Pin Name
Description
1
N/C
No Connection
2
GND
Ground
3
VDD
Supply Power Input
4
N/C
No Connection
5
N/C
No Connection
Number
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
12
11
P1.5
P1.4
10
9
XTAL3
Figure 6.2.
P1.6
8
P2.7 / C2D
XTAL4
6
7
RSTb / C2CK
EFM8SB2x-QFN24 插脚
EFM8SB2x-QFN24 的引脚定义
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
Rev. 1.1
|
26
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
8
XTAL4
RTC Crystal
XTAL4
9
XTAL3
RTC Crystal
XTAL3
10
P1.6
Multifunction I/O
Number
6
7
Additional Digital
Functions
Yes
Analog Functions
ADC0.14
CMP0P.7
CMP1P.7
11
P1.5
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.5
ADC0.13
CMP0N.6
CMP1N.6
12
P1.4
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.4
ADC0.12
CMP0P.6
CMP1P.6
13
P1.3
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
SPI1_NSS
CMP0N.5
CMP1N.5
14
P1.2
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.2
ADC0.10
SPI1_MOSI
CMP0P.5
CMP1P.5
15
P1.1
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.1
ADC0.9
SPI1_MISO
CMP0N.4
CMP1N.4
16
P1.0
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.0
ADC0.8
SPI1_SCK
CMP0P.4
CMP1P.4
17
P0.7
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
IREF0
INT1.7
CMP0N.3
CMP1N.3
18
P0.6
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CMP0P.3
INT0.6
CMP1P.3
INT1.6
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
27
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.5
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CMP0N.2
INT1.5
CMP1N.2
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CMP0P.2
INT1.4
CMP1P.2
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
XTAL2
INT0.3
CMP0N.1
INT1.3
CMP1N.1
P0MAT.2
ADC0.2
INT0.2
CMP0P.1
INT1.2
CMP1P.1
Number
19
20
21
22
P0.4
P0.3
P0.2
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
Yes
XTAL1
23
P0.1
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
AGND
INT1.1
CMP0N.0
CMP1N.0
24
P0.0
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.0
ADC0.0
INT0.0
CMP0P.0
INT1.0
CMP1P.0
VREF
Center
GND
Ground
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
28
EFM8SB2 数据表
引脚定义
P0.4
P0.5
P0.6
P0.7
28
27
1
24
2
23
P1.0
P1.1
VDD
3
22
P1.2
N/C
4
21
P1.3
N/C
5
20
P1.4
RSTb / C2CK
6
19
P1.5
P2.7 / C2D
7
18
P1.6
P2.6
8
17
P1.7
Pin Name
Description
1
N/C
No Connection
2
GND
Ground
3
VDD
Supply Power Input
4
N/C
No Connection
5
N/C
No Connection
6
RSTb /
Active-low Reset /
C2CK
C2 Debug Clock
P2.7 /
Multifunction I/O /
C2D
C2 Debug Data
Number
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
13
14
P2.3
P2.2
P2.1
P2.0
16
12
P2.4
15
11
P2.5
XTAL4
XTAL3
10
32 Pin QFP
Table 6.3.
7
25
P0.3
29
N/C
GND
Figure 6.3.
Pin
26
P0.2
30
31
P0.0
P0.1
32
EFM8SB2x-QFP32 引脚定义
9
6.3
EFM8SB2x-QFP32 插脚
EFM8SB2x-QFP32 的引脚定义
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
Rev. 1.1
|
29
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P2.6
Multifunction I/O
Yes
EMIF_WRb
ADC0.22
Number
8
CMP0P.11
CMP1P.11
9
XTAL4
RTC Crystal
XTAL4
10
XTAL3
RTC Crystal
XTAL3
11
P2.5
Multifunction I/O
Yes
EMIF_RDb
ADC0.21
CMP0N.10
CMP1N.10
12
P2.4
Multifunction I/O
Yes
EMIF_ALE
ADC0.20
CMP0P.10
CMP1P.10
13
P2.3
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A11
ADC0.19
CMP0N.9
CMP1N.9
14
P2.2
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A10
ADC0.18
CMP0P.9
CMP1P.9
15
P2.1
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A9
ADC0.17
CMP0N.8
CMP1N.8
16
P2.0
Multifunction I/O
Yes
EMIF_A8
ADC0.16
CMP0P.8
CMP1P.8
17
P1.7
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.7
ADC0.15
EMIF_AD7
CMP0N.7
CMP1N.7
18
P1.6
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.6
ADC0.14
EMIF_AD6
CMP0P.7
CMP1P.7
19
P1.5
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.5
ADC0.13
EMIF_AD5
CMP0N.6
CMP1N.6
20
P1.4
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.4
ADC0.12
EMIF_AD4
CMP0P.6
CMP1P.6
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
30
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P1.3
Multifunction I/O
Yes
P1MAT.3
ADC0.11
SPI1_NSS
CMP0N.5
EMIF_AD3
CMP1N.5
P1MAT.2
ADC0.10
SPI1_MOSI
CMP0P.5
EMIF_AD2
CMP1P.5
P1MAT.1
ADC0.9
SPI1_MISO
CMP0N.4
EMIF_AD1
CMP1N.4
P1MAT.0
ADC0.8
SPI1_SCK
CMP0P.4
EMIF_AD0
CMP1P.4
P0MAT.7
ADC0.7
INT0.7
IREF0
INT1.7
CMP0N.3
Number
21
22
23
24
25
P1.2
P1.1
P1.0
P0.7
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
Yes
Yes
CMP1N.3
26
P0.6
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.6
ADC0.6
CNVSTR
CMP0P.3
INT0.6
CMP1P.3
INT1.6
27
28
29
30
P0.5
P0.4
P0.3
P0.2
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Multifunction I/O
Yes
Yes
Yes
Yes
P0MAT.5
ADC0.5
INT0.5
CMP0N.2
INT1.5
CMP1N.2
P0MAT.4
ADC0.4
INT0.4
CMP0P.2
INT1.4
CMP1P.2
P0MAT.3
ADC0.3
EXTCLK
XTAL2
INT0.3
CMP0N.1
INT1.3
CMP1N.1
P0MAT.2
ADC0.2
INT0.2
CMP0P.1
INT1.2
CMP1P.1
XTAL1
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
31
EFM8SB2 数据表
引脚定义
Pin
Pin Name
Description
Crossbar Capability
Additional Digital
Functions
Analog Functions
P0.1
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.1
ADC0.1
INT0.1
AGND
INT1.1
CMP0N.0
Number
31
CMP1N.0
32
P0.0
Multifunction I/O
Yes
P0MAT.0
ADC0.0
INT0.0
CMP0P.0
INT1.0
CMP1P.0
VREF
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
32
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
7.
QFP32 封装规格
7.1
QFN32 封装尺寸
Figure 7.1.
Table 7.1.
QFN32 封装图
QFN32 封装尺寸
Dimension
Min
Typ
Max
A
0.80
0.90
1.00
A1
0.00
0.02
0.05
b
0.18
0.25
0.30
D
D2
5.00 BSC
3.20
3.30
e
0.50 BSC
E
5.00 BSC
3.40
E2
3.20
3.30
3.40
L
0.30
0.40
0.50
L1
0.00
—
0.15
aaa
—
—
0.15
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
33
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
Dimension
Min
Typ
Max
bbb
—
—
0.10
ddd
—
—
0.05
eee
—
—
0.08
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to JEDEC Solid State Outline MO-220, variation VHHD except for custom features D2, E2, and L
which are toleranced per supplier designation.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
34
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
7.2
QFN32 PCB 焊盘布局
Figure 7.2.
Table 7.2.
QFN32 PCB 焊盘布局图
QFN32 PCB 焊盘布局尺寸
Dimension
Min
Max
C1
4.80
4.90
C2
4.80
4.90
E
0.50 BSC
X1
0.20
0.30
X2
3.20
3.40
Y1
0.75
0.85
Y2
3.20
3.40
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask and the metal pad is to
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
4. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be used to assure good
solder paste release.
5. The stencil thickness should be 0.125 mm (5 mils).
6. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for all perimeter pads.
7. A 3 x 3 array of 1.0 mm x 1.0 mm openings on a 1.2 mm pitch should be used for the center pad.
8. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
9. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
35
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
7.3
QFN32 封装标识
EFM8
PPPPPPPP
TTTTTT
YYWW #
Figure 7.3.
QFN32 封装标识
封装标识的组成为：
• PPPPPPPP – 指定的部件编号。
• TTTTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW –设备生产时的 2 位工作周。
• # – 设备版本（A、B 等）。
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
36
EFM8SB2 数据表
QFN24 封装规格
8.
QFN24 封装规格
8.1
QFN24 封装尺寸
Figure 8.1.
Table 8.1.
QFN24 封装图
QFN24 封装尺寸
Dimension
Min
Typ
Max
A
0.70
0.75
0.80
A1
0.00
0.02
0.05
b
0.18
0.25
0.30
D
D2
4.00 BSC
2.55
2.70
e
0.50 BSC
E
4.00 BSC
2.80
E2
2.55
2.70
2.80
L
0.30
0.40
0.50
L1
0.00
—
0.15
aaa
—
—
0.15
bbb
—
—
0.10
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
37
EFM8SB2 数据表
QFN24 封装规格
Dimension
Min
Typ
Max
ddd
—
—
0.05
eee
—
—
0.08
Z
—
0.24
—
Y
—
0.18
—
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to JEDEC Solid State Outline MO-220, variation WGGD except for custom features D2, E2, Z, Y,
and L which are toleranced per supplier designation.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
38
EFM8SB2 数据表
QFN24 封装规格
8.2
QFN24 PCB 焊盘布局
Figure 8.2.
Table 8.2.
QFN24 PCB 焊盘布局图
QFN24 PCB 焊盘布局尺寸
Dimension
Min
Max
C1
3.90
4.00
C2
3.90
4.00
E
0.50 BSC
X1
0.20
0.30
X2
2.70
2.80
Y1
0.65
0.75
Y2
2.70
2.80
silabs.com | Smart. Connected. Energy-friendly.
Rev. 1.1
|
39
EFM8SB2 数据表
QFN24 封装规格
Dimension
Min
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
4. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be
solder paste release.
5. The stencil thickness should be 0.125 mm (5 mils).
6. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for all perimeter pads.
7. A 2 x 2 array of 1.10 mm x 1.10 mm openings on 1.30 mm pitch should be used for the center
8. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
9. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020 specification for Small
8.3
Max
and the metal pad is to
used to assure good
ground pad.
Body Components.
QFN24 封装标识
PPPPPPPP
TTTTTT
YYWW #
Figure 8.3.
QFN24 封装标识
封装标识的组成为：
• PPPPPPPP – 指定的部件编号。
• TTTTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW –设备生产时的 2 位工作周。
• # – 设备版本（A、B 等）。
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40
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
9.
QFP32 封装规格
9.1
QFP32 封装尺寸
Figure 9.1.
Table 9.1.
QFP32 封装图
QFP32 封装尺寸
Dimension
Min
Typ
Max
A
—
—
1.60
A1
0.05
—
0.15
A2
1.35
1.40
1.45
b
0.30
0.37
0.45
D
9.00 BSC
D1
7.00 BSC
e
0.80 BSC
E
9.00 BSC
E1
7.00 BSC
L
aaa
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0.45
0.60
0.75
0.20
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EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
Dimension
Min
Typ
bbb
0.20
ccc
0.10
ddd
0.20
theta
0°
3.5°
Max
7°
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. Dimensioning and Tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
3. This drawing conforms to JEDEC outline MS-026, variation BBA.
4. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
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42
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
9.2
QFP32 PCB 焊盘布局
Figure 9.2.
Table 9.2.
QFP32 PCB 焊盘布局图
QFP32 PCB 焊盘布局尺寸
Dimension
Min
Max
C1
8.40
8.50
C2
8.40
8.50
E
0.80 BSC
X1
0.40
0.50
Y1
1.25
1.35
Note:
1. All dimensions shown are in millimeters (mm) unless otherwise noted.
2. This Land Pattern Design is based on the IPC-7351 guidelines.
3. All metal pads are to be non-solder mask defined (NSMD). Clearance between the solder mask and the metal pad is to
be 60 µm minimum, all the way around the pad.
4. A stainless steel, laser-cut and electro-polished stencil with trapezoidal walls should be used to assure good
solder paste release.
5. The stencil thickness should be 0.125 mm (5 mils).
6. The ratio of stencil aperture to land pad size should be 1:1 for all perimeter pads.
7. A No-Clean, Type-3 solder paste is recommended.
8. The recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020C specification for Small Body Components.
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43
EFM8SB2 数据表
QFP32 封装规格
9.3
QFP32 封装标识
EFM8
PPPPPPPP
TTTTTT
YYWW #
Figure 9.3.
QFP32 封装标识
封装标识的组成为：
• PPPPPPPP – 指定的部件编号。
• TTTTTT – 跟踪或生产代码。
• YY – 生产年份的最后 2 位数字。
• WW –设备生产时的 2 位工作周。
• # – 设备版本（A、B 等）。
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44
目录
1.
功能列表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
2.
订购信息 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
3.
系统概述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4.
5.
6.
7.
8.
9.
3.1
简介 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3.2
电源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.3
I/O . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.4
时钟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.5
定时器/计数器和 PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
3.6
通信和其他数字外围设备 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
3.7
模拟 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3.8
复位源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.9
调试 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
3.10
引导装载程序 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
电气规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.1
电气特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.2
热状态 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
4.3
绝对最大额定值 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18
4.4
典型性能曲线. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19
典型连接图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
5.1
电源 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
22
6.1
EFM8SB2x-QFN32 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
22
6.2
EFM8SB2x-QFN24 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
26
6.3
EFM8SB2x-QFP32 引脚定义 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
QFP32 封装规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
7.1
QFN32 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
7.2
QFN32 PCB 焊盘布局 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
7.3
QFN32 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
36
QFN24 封装规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
8.1
QFN24 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
37
8.2
QFN24 PCB 焊盘布局 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
39
8.3
QFN24 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
QFP32 封装规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
9.1
QFP32 封装尺寸 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
41
9.2
QFP32 PCB 焊盘布局 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
43
目录
45
9.3
QFP32 封装标识 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
目录 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45
目录
46
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