TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 特色 全集成锁相环稳定的压控振荡器 微控制器的时钟输出 频率范围 380MHz 到 450MHz 单端射频输出 低电压探测器 高精度的总体频率 FSK 晶振拉动调制数据率从直流到 40 kbit/s 高 FSK 偏移容許宽带数据傳输 功放由开关键控可调制 ASK 数据到 40 kbit/s 较宽电源电压范围 1.95 伏 到 5.5 伏 10 引脚扁平无引脚封装(QFN) FSK 偏移及中心频率均可独立调較 可调输出功率从 -12dBm 到 +10dBm 可调电流功耗 从 3.8 毫安 到 11 毫安 符合 EN300 220 或有关标准 很低的待机电流 订货信息 器件号码 TH72016 温度编码 封装编码 K (-40 °C to 125 °C) 121 pc/tube 5000 pc/T&R LD (10L QFN 3x3 Dual) 应用实例 交货形式 引脚描述 数据傳输 胎压监测系统(TPMS) 遥控无键输入(RKE) top FSKDTA FSKSW ROI EN CKOUT 无线进入控制 警报安全系统 车库大门开启 射频 遥控 TH72016 bottom VCC VEE OUT CKDIV PSEL 10 1 9 8 2 3 7 6 4 5 家庭自动控制 低功耗遥测系统 概述 The TH72016 FSK/ASK 发射机是为欧洲 433MHz 工业,科技和医疗行业使用的(ISM)频带应用而设计的。根据 EN 300 220 的无线通讯标准，但是也可以在有类似标准的国家使用, 例如 FCC 15.231。 发射机的载波频率 fc 是由参考晶振频率确定 fref。通过集成锁相环合成器， 射频频率可以在 380MHz 到 450MHz 之间取值。公式如下 fref = fc/N，其中 N 等于 32，是锁相环的反馈分频比。 提供可选频率的时钟信号。它可以用于驱动微控制器。 39010 72016 Rev. 007 Page 1 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 资料内容 1 工作原理 ................................................................ ................................................................ 3 1.1 概述 ........................................................................ 3 1.2 示意图 ...................................................................... 3 2.1 晶体振荡器 .................................................................. 3 2.2 FSK 调制 .................................................................... 3 2.3 晶振频率拉动 ................................................................ 4 2.4 ASK 调制..................................................................... 5 2.5 输出功率选择 ................................................................ 5 2.6 锁定检测 .................................................................... 5 2.7 低电压检测 .................................................................. 5 2.8 模式控制逻辑电路 ............................................................ 6 2.9 时钟输出 .................................................................... 6 2.10 时序图 ...................................................................... 6 4.1 最大设定值 .................................................................. 8 4.2 正常工作条件 ................................................................ 8 4.3 晶体参数 .................................................................... 8 4.4 直流特性 .................................................................... 9 4.5 交流特性 ................................................................... 10 4.6 输出功率步幅– FSK 模式 ..................................................... 11 4.7 输出功率步幅– ASK 模式 .................................................... 11 5.1 图. 6 测试电路器件列表 ..................................................... 12 6.1 焊接信息 ................................................................... 13 6.2 建议电路板引脚试样 ......................................................... 13 2 功能描述 ................................................................ ................................................................ 3 3 引脚定义以及描述 ........................................................ ........................................................ 7 4 电特性 ................................................................ .................................................................. .................................. 8 5 测试电路 ............................................................... ............................................................... 12 6 封装信息 ............................................................... ............................................................... 13 7 可靠性信息 ............................................................. ............................................................. 14 8 静电放电预防 ................................ ........................................................... ........................... 14 9 声明 ................................................................ ................................................................... ................................... 16 39010 72016 Rev. 007 Page 2 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 工作原理 1.1 概述 如图 1 所示，TH72016 发射机 包含一个集成压控振荡器(VCO), 一个除 32 的除法器(div32)，一个鉴相器 (PFD),和一个电荷泵(CP)。一个内置环路滤波器来确定锁相环的动态行为同时压制参考雜散信号。一个考毕 兹晶振(XOSC) 用作锁相环(PLL)合成器的参考频率。压控振荡器的输出信号输到功率放大器(PA)。射频信号 的功率 Pout 可以分四步从-12dBm 调到+10dBm，通过改变 RPS 电阻阻值，或 改变 PSEL 引脚的 Vps 电压 50 欧 的 载。带 偏置可以 器件在 1.95 伏 值。集电 开路输出(OUT)可以直 驱动环形 线或 到 5.5 伏的电源电压之间稳定工作。 接 极 天 者匹配至 姆 负 者 隙 让 1.2 示意图 RPS CKDIV VCC 7 R1 ASKDTA PSEL 10 6 PLL CKOUT 5 div 4 div 16 32 ROI 8 PA OUT antenna matching network PFD 3 XOSC XTAL XBUF CP VCO mode control 4 EN FSKSW CX2 CX1 2 1 9 FSKDTA VEE 图1 2 : 外 元件的示意图 带 置 功能描述 2.1 晶体振荡器 产生 考毕兹晶体振荡器和一个集成电容用来作为锁相环合成器的参考振荡器。由晶体振荡器输入引脚 ROI 的 等 输入电容 CRO 大 18pF。 为 在 定的电源电压和温度范围内晶体振荡器有一个稳定的频率输出，以 及较 的启动时间，其内 使用 一个 度控制环路。 效 短 约 部 了 特 了 幅 2.2 FSK 调制 39010 72016 Rev. 007 Page 3 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 实 兼 字化地 FSK 调制可以通过拉动晶体振荡器的频率来 。一个 在 FSKDTA 引脚的 CMOS 容的数 据流可以通过一个集成 NMOS 开关来数 的调制晶振。 个 拉电容 CX1 和 CX2 可 以独立调 FSK 的偏移频率∆f 和中心频率 fc。 FSKDTA 等于 0 的时 ，CX2 和 CX1 ， FSK 频 是低偏移频率 fmin。 FSKDTA 等于 1 时，CX2 入，晶振(XOSC)设置在高偏移频 fmax。 参考信号也可以直 交流 合到 率 参考振荡器的输入引脚 ROI 。 发射器可以 用晶振。 在 参考信号确定载波频率也可 包含 FSK(或 FM)调制。 现 加 两 外部上 节 当 候 谱 当 不接 外部 接 上 这样 不 现 外部 能 图2 : 晶体拉动电路 VCC ROI 并联 XTAL FSKSW 耦 CX2 CX1 VEE FSKDTA 描述 闭 + ∆f (FSK 开关打开) 0 fmin= fc - ∆f (FSK 开关关 ) 1 fmax= fc 2.3 晶振频率拉动 厂商 特给 负 指 要 校正 许量 需要 唯 方 看 性 效负 图 3 说明了 晶体的振荡频率 跟 有 效负 载电容的 函数关系。电容大小根据 FSKDTA 的逻辑电平 来改变。图说明了外拉电容与频率偏移之间的关 系。拉动灵敏度随着 CL 的减小而增大。因此当 需要高频偏移的时候需要一个小负载电容。对于 窄带 FSK 的应用，可以用一个高负载电容来降 低芯片和外拉电容公差引起的频率漂移。 晶振可由 调到 定的 载电容 CL 和 定 的 容 内振荡在 的振荡频率 fo。 拉 动振荡频率 一的 法是改变晶振 到的容 有 载 CLeff。 在 ASK 应用可以 频率。 忽略 CX2。可以 CX1 调较中心 f XTAL L1 f max C1 CL eff R1 fc f min CX1 CRO CX1+CRO 图3 39010 72016 Rev. 007 C0 : Page 4 of 16 CL 晶振拉动 (CX1+CX2) CRO CX1+CX2+CRO CL eff 特性 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 2.4 ASK 调制 将 接调制在 TH72016 引脚 PSEL。这打开和关闭功率放大器(PA)而达至输出一个 ASK 信 ASK 调制是 数据直 号。 2.5 输出功率选择 这款 特色就 择 功率 虑 性 水 择 不 谱 决 图 4 说明了 输出功率控制的 逻辑 电路。有 两个 大约 8 微安的匹配电流源。一个电流源直接接在 PSEL 引脚。另外一个利用电阻梯形电路来产生 参考电压。这些电压用来确定不同功率步幅之间 的阈值。四个比较器根据引脚 PSEL 上的电压来 产生溫度計編碼控制信号。在噪音环境里为了可 以容 忍 电压波动，比较器有 20 毫伏的 滞后 电 压。功放的加权电流源在控制信号控制下打开或 者关闭来设置理想的输出功率水平(数字控制电 流源)。这些电流是以 LOCK 和低电压探测器的 输出來控制。 预先订好的四步幅 输出选 择或通过功率选择 引脚 了 字化功率调节。输出步幅数量，步幅的大小，以及 发射机的一个 是可以选 输出功率。发射机有 PSEL 控制输出 。考 高精度和稳定 ，器件选用 数 相应的功率 平的选 由 同的应用及频 来 定。 RPS PSEL & & & & & OUT 图 4: 输出功率的控制电路图 两 方 择理想的输出功率步幅。首先通过加在 PSEL 上的直流电压，然后这个电压直接选择需要的输 幅 这种方法在工作过程中改变输出功率。应用在固定的输出功率时，PSEL 可以通过电阻接地。 降 择需要的输出功率水平。应用在固定的最高输出功率步幅时，电阻可以省略。发射器在待机 模 时 处於高阻状态。 有 个 式来选 出步 。可以用 用电阻的压 来选 式 ，PSEL 是 2.6 锁定检测 检 只有在 PLL 锁定之后才让功放工作。这样可以避免发射机在 PLL 没有锁定的时候工作。 锁定 测电路 2.7 低电压检测 检 候 起 不必要 电源电压由一个低电压 测电路来监控。如 很低的时 引 的 的发射。 39010 72016 Rev. 007 果电源电压低于 1.85 伏，功放被关掉。这样可以避免在电源电压 Page 5 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 2.8 模式控制逻辑电路 模 逻辑 模 样 保这 两种不同工作模式如下表 的内部会被下拉。这 悬空 整个电路被关掉 式控制 可以控制 所示。 式控制引脚 ENTX 可以确 个引脚 时 模式 TX 待命 TX 激活 CKOUT 激活 EN 0 1 2.9 时钟输出 兼 时钟输出 CKOUT 是 CMOS 容和可用于驱动微控制器。根据下图，时钟的 改变。引脚 CKOUT 电容可以用来控制时钟电压 和 散发射。 摆幅 杂 描述 闭 TX 关 TX / CKOUT 使 能 頻率可以分频器控制信号 CKDIV 頻率 / fc=433.92MHz CKDIV 时钟分频比例 时钟分频比例 0 4 3.39MHz 1 16 848kHz 2.10 时序图 后 仍然处 不 时钟 状 在 ENTX 信号启动发射机 ，功放在 ton 时间内 在 工作 态，ton 是发射机的启动时间。在 ton 启动时间 以 FSK 内，晶振开 振，同时锁相环锁定 的输出频率。锁相环锁定成功 ，LOCK 信号开启功放， 或 ASK 调制射频载波. 始起 者 需要 high high EN EN low low high high LOCK LOCK low low high high FSKDTA PSEL low low RF carrier t t t on t on 图 5: 39010 72016 Rev. 007 然后 后 FSK 和 ASK 调制时序图 Page 6 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 3 引脚定义以及描述 引脚 1 名稱 FSKDTA 输入/ 输入 / 出 型 類 原理图 功能 描述 输入 0: ENTX=1 1: ENTX=0 FSKDTA FSKSW 上 兼 发射机待机: 没有上拉 发射机工作: 上拉 得 1.5kΩ 1 2 FSK 数据输入 在工作 式下的 拉电路使 可以 CMOS 容 模拟 I/O 模 晶体振荡器 FSK 信号输入引 脚，MOS 开关 FSKSW 2 3 ROI 模拟 I/O 晶振 振 25k ROI 接到 XTAL,考毕兹型晶 36p 3 36p 4 EN 模 式控 制 输 入 ,CMOS- 兼 容 以及内部下拉电路 输入 EN 1.5kΩ 4 5 CKOUT 时钟输出，CMOS 输出 CKOUT 兼容 400Ω 5 6 PSEL 模拟 I/O 8 PSEL 1.5kΩ 礎 择 功率选 输入 高阻比较器 逻辑 发射机待机: I 发射机工作: I PSEL 6 PSEL 7 CKDIV 1.5kΩ 7 0: ENTX=0 1: ENTX=1 8 OUT 输出 OUT VCC 8 9 VEE 接地 10 VCC 电源 39010 72016 Rev. 007 VEE µ 时钟分频器控制输入， CMOS 容 内 下拉电路 输入 CKDIV =0 = 8 A VEE 兼 及 部 TX 待机：没有下拉 TX 激活：下拉 功放输出 集电极开路 负极 电源电压正极 电源电压 Page 7 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 4 电特性 4.1 最大设定值 参数 符号 条件 最小值 最大值 单位 电源电压 VCC 0 7.0 V 输入电压 VIN -0.3 VCC+0.3 V TSTG -65 150 °C 存储温度 节点温度 热阻抗 TJ 150 °C RthJA 49 K/W 功耗 Pdiss 0.12 W 静电释放 VESD 人体模型(HBM) 根据 CDF- ±2.0 条件 最小值 最大值 单位 kV AEC-Q100-002 4.2 正常工作条件 参数 符号 电源电压 VCC 1.95 5.5 V 工作温度 TA -40 125 °C 0.3*VCC V 最低输入电压 CMOS 最高输入电压 CMOS VIL EN, FSKDTA VIH EN, FSKDTA 晶振频率 fref 由晶体设定 11.9 14 MHz 压控振荡器频率 fc fc = 32 • fref 380 450 MHz CKDIV=0, fCLK = fref / 4 3 3.5 MHz 750 875 kHz 取 于 CX1 ，CX2 及晶体 参数 ±2.5 ±40 kHz 40 kbit/s 40 kbit/s 最小值 最大值 单位 11.9 14 MHz 10 15 pF C0 7 pF R1 70 Ω -10 dB fCLK FSK 偏移 ∆f 速率 ASK 数据速率 V CKDIV=1, fCLK = fref / 16 时钟频率 FSK 数据 0.7*VCC R R 决 不归零 不归零 4.3 晶体参数 参数 晶体频率 负载电容 静态电容 串联电阻 杂散响应 39010 72016 Rev. 007 符号 f0 条件 基本模式, AT CL aspur 只有 FSK 需要 Page 8 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 4.4 直流特性 所有参数 都是在正常工作条件下除非另外表明; 典型值在 T A 工作电流 = 23 °C 和 VCC = 3 V 参数 待机电流 幅 0 时电源电流 功率输出步幅 1 时电源电流 功率输出步幅 2 时电源电流 功率输出步幅 3 时电源电流 功率输出步幅 4 时电源电流 数字引脚特性 最低输入电压 CMOS 最高输入电压 CMOS 功率输出步 下拉电流, EN 符号 ISBY 条件 最小值 典型值 最大值 单位 0.2 200 nA 4 µA EN=0, TA=85°C EN=0, TA=125°C ICC0 EN=1 1.5 2.9 5.0 mA ICC1 EN=1 2.1 3.8 6.0 mA ICC2 EN=1 3.0 5.0 7.5 mA ICC3 EN=1 4.5 6.9 9.5 mA ICC4 EN=1 7.3 11.0 14.5 mA VIL EN, FSKDTA -0.3 0.3*Vcc V VIH EN, FSKDTA 0.7*VCC VCC+0.3 V 40 µA IPDEN EN=1 IINLEN EN=0 0.02 µA IINHDTA FSKDTA=1 0.02 µA IPUDTAa FSKDTA=0, EN=1 12 µA IPUDTAs FSKDTA=0, EN=0 0.02 µA 低输入电流 CKDIV IINLCKDIV CKDIV=0 0.02 µA 下拉电流 CKDIV,使用 式 IPDCKDIVa CKDIV=1, EN=1 12 µA 0.02 µA 70 Ω 最低输入电流, EN 最高输入电流, FSKDTA 上拉电流 FSKDTA,使用模式 上拉电流 FSK, 待机模式 模 下拉电流 CKDIV, 待机模式 FSK 开关阻抗 MOS 开关导通电阻 MOS 开关关闭电阻 功率选择电流 功率选择电流 功率选择电流 功率选择步幅 0 电压 功率选择步幅 1 电压 功率选择步幅 2 电压 功率选择步幅 3 电压 功率选择步幅 4 电压 低电压检测特性 低电压检测阈值 39010 72016 Rev. 007 0.2 0.1 0.1 4.0 1.5 1.5 IPDCKDIVs CKDIV=1, EN=0 RON FSKDTA=0, EN=1 ROFF FSKDTA=1, EN=1 IPSEL EN=1 VPS0 EN=1 VPS1 EN=1 VPS2 20 1 9.9 µA 0.035 V 0.14 0.24 V EN=1 0.37 0.60 V VPS3 EN=1 0.78 1.29 V VPS4 EN=1 1.55 VLVD EN=1 1.75 Page 9 of 16 7.0 MΩ 8.6 V 1.85 1.95 V Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 4.5 交流特性 都是在正常工作条件下除非另外表明; 通常值 在 T = 23 °C 和 V = 3 V; 测试电路 图 6 , f = 433.92 MHz 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 CW 频谱特性 P EN=1 -70 步 幅 0 输 出 功 率 (关闭状态 隔离) P EN=1 -13 -12 -10 步幅 1 输出功率 P EN=1 -3.5 -3 -1.5 步幅 2 输出功率 P EN=1 2 3 4.5 步幅 3 输出功率 P EN=1 4.5 8 10 步幅 4 输出功率 @ 200kHz offset -88 -83 L(f ) 相位噪声 -54 杂 散发 射根 据 EN 300 220-1 P 47MHz< f <74MHz 87.5MHz< f <118MHz (2000.09) 174MHz< f <230MHz 表 13 470MHz< f <862MHz 所有参数 A CC c off 单位 dBm 1) dBm 1) dBm 1) dBm 1) 4 dBm m dBc/Hz spur dBm 1 2 3 B=100kHz 时钟输出特性 输出低电压 CMOS VOL 输出高电压 CMOS VOH 启动特性 启动时间 性 频率稳定性相对电源电压 频率稳定性相对温度 频率稳定性相对 C 变化范围 1) 以 5V 电源调整输出匹配网络 ton f < 1GHz, B=100kHz -36 dBm f > 1GHz, B=1MHz -30 dBm 0.3*VCC V 根 据 电 容 CCK 及 CKDIV 0.7*VCC 从待机到发射 V 0.8 1.2 ms ±3 ppm ±10 ppm ±20 ppm 频率稳定 RO 39010 72016 Rev. 007 dfVCC dfTA 恒温情況 晶体在 dfCRO Page 10 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 4.6 输出功率步幅– 输出功率步幅– FSK 模式 幅 RPS / k 功率步 0 1 2 3 <3 22 56 120 4 没有连接 4.7 输出功率步幅– 输出功率步幅– ASK 模式 常 通 值 在 TA = 23 °C 和 VCC = 3 V Power step R1 / k RPS / k V V PSlow PShigh ; 测试电路 图 6 1 2 3 2.4 2.8 3.5 没有连接 36 14 7 0 V PSlow 当 ASK_DTA = 0V = RPS 电压当 ASK_DTA = Vcc RPS = RPS 电压 R1 V PShigh 果 操 任何电源电压 V cc 时，R1 R1 = 39010 72016 Rev. 007 RPS R1 Vcc PSEL 6 如 发射器 作在 4 PSEL 6 算: 和 RPS 的值可以以下公式计 VCC ⋅ VPSlow I PSEL ⋅ VPShigh RPS = R1 Page 11 of 16 VPShigh VCC − VPShigh Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 5 测试电路 CM1 CM2 LM OUT RPS CM3 LT CB1 CKDIV PSEL EN CKOUT 3 4 5 CX1 CCK 2 XTAL VEE 6 OUT 7 FSKSW 8 ROI VCC 1 9 CX2 FSKDTA 10 R1 图. 6: 50Ω GND ASK_DTA CKOUT GND VCC 1 2 1 2 CKDIV 1 2 VCC 1 2 3 EN GND 1 2 FSK_DTA VCC GND 1 2 GND CB0 匹配网络 FSK 及 ASK 信号检测电路 5.1 图. 6 测试电路器件列表 测试电路器件列表 部件 尺寸 Value @ 433.92 MHz 容限 CM1 0805 5.6pF ±5% CM2 0805 10 pF ±5% CM3 0805 82 pF ±5% LM 0805 33 nH ±5% LT 0805 33 nH ±5% 抗匹配电容 阻抗匹配电容 阻抗匹配电容 阻抗匹配电感, 注释 2 输出储能电感, 注释 2 描述 阻 注释 1 注释 1 晶振电容, (∆f = ±20 kHz), 注释 1 只适用于 FSK 信号 时钟杂散抑制电容, CKDIV 0 / 1 FSK 或 CW 模式电源选择电阻 ASK 或 CW 模式电源选择电阻, FSK 不适用 去耦电容 去耦电容 基波晶体, CX1_FSK 0805 10 pF ±5% 晶振 FSK 电容, (∆f = ±20 kHz), CX1_ASK 0805 18 pF ±5% 晶振 ASK 电容,微调至 fC, CX2 0805 27 pF ±5% CCK 0805 18 pF / 180 pF ±5% RPS 0805 见 4.6 ±5% R1 0805 见 4.7 ±5% CB0 1206 220 nF ±20% CB1 0805 330 pF ±10% XTAL SMD 6x3.5 13.56000MHz ±30ppm 校准 ±30ppm 温度. 注释 1: 注释 2: 决 值取 于晶体参数 在高功率时 应 用高 39010 72016 Rev. 007 该 CL = 10 pF, C0, max = 5 pF, R1 = 50 Ω Q 线圈电感 Page 12 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 6 封装信息 TH72016 符合 RoHS 标准。 D D2 10 6 L 0.23 exposed pad E2 E 0.36 0.225x45 5 1 b e A3 A The 揺xposed pad?is not connected to internal ground, it should not be connected to the PCB. A1 图. 7 : 10 L QFN 3x3 Dual 尺寸以 mm 为单位 所有 min max D E D2 E2 A A1 2.85 3.15 2.85 3.15 2.23 2.48 1.49 1.74 0.80 1.00 0 0.05 尺寸以 inch 为单位 A3 L 0.20 0.3 0.5 e b 0.50 0.18 0.30 所有 min 0.112 0.112 0.0878 0.051 0.0315 0 0.0118 0.0071 0.0079 0.0197 max 0.124 0.124 0.0976 0.055 0.0393 0.002 0.0197 0.0118 6.1 焊接信息 • 根据 JEDEC J-STD-20 TH72016 符合 MSL1，焊接温度可以高达 260 度。 6.2 建议电路板引脚 建议电路板引脚试样 引脚试样 e C PL X Y 10 6 Z G E2 th 1 5 39010 72016 Rev. 007 min max 所有 尺寸以 mm 为单位 Z G D2th E2th X Y CPL e 3.55 3.90 1.9 2.3 3.2 3.6 1.3 1.7 0.25 0.30 0.7 1.0 0.3 0.5 0.5 尺寸以 inch 为单位 min 0.1398 0.0748 0.1260 0.0512 0.0098 0.0276 0.0591 0.0197 max 0.1535 0.0906 0.1417 0.0669 0.0118 0.0394 0.0197 D2 th solder pad 所有 solder stop : 图. 8 PCB 焊盘试样 Page 13 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 7 可靠性信息 迈来芯器件根据在说明书中定义的根据下面的测试方法中的焊接技术，可焊接性以及湿度感应水平来评定: 回流焊接 SMD 表面固定器件 IPC/JEDEC J-STD-020 “Moisture/Reflow Sensitivity Classification for Nonhermetic Solid (classification reflow profiles according to table 5-2)” 波峰焊接 SMD 表面固定器件 EN60749-20 Resista ce of “ n u un State S rface Mo t Devices plastic- encapsulated SMD’s to combined effect of moisture and soldering heat” 可焊接性 SMD 表面固定器件 EIA/JEDEC JESD22-B102 “Solderability” 从上述标准条件有偏离的焊接技术（关于峰值温度，温度梯度，温度分布等）额外分类和资格测试，须得到 迈来芯公司的同意。 在应用波峰焊贴片前，须与迈来芯公司协商以保证有关器件和电路板之间的粘接强度。 8 静电放电预防 半导体电子产品对静电放电(ESD)很敏感。 在操作半导体产品的时候一定要仔细观察静电放电的控制步骤。 39010 72016 Rev. 007 Page 14 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 您的笔记 39010 72016 Rev. 007 Page 15 of 16 Data Sheet March/08 TH72016 433MHz FSK/ASK 发射机 9 声明 1) 2) 3) 4) 5) 6) 7) 8) 文档 息隶属于迈来芯知识产权。信息不可以被复制, 除非在信息不被改变并且符合相关条 限 知 情况下。 除了条款 1 外，在没有迈来芯书面允许情况下，任何别的使用本文档信息的行为都是不公平及有欺诈 性的商业行为。迈来芯概不负责或承担任何责任。 在本文档迈来芯提供的信息按原样提供。除非明确适用于任何其他必要的许可协议，迈来芯公司不作 任何保证，暗示，法定或以其他方式包括但不限于适销性，适用于某一特殊用意，标题和非侵权的内 容。 尽管事实上迈来芯的努力小心文档的概念和内容，它可能存在技术或事实错误或印刷错误。迈来芯公 司不承担任何有关的责任。 迈来芯保留任何时间改变资料说明书以及价格的权利，而毋须提前通知客户。因此在把产品设计进系 统前，最好咨询迈来芯当前的信息。 迈来芯不对买方以及第三方负责产品的损害，包括但不限于个人伤害，财产伤害，利润损失，使用损 失，商务中断或者间接的附带以及后果行伤害。任何与本资料中的设备，性能以及信息的使用相关的 伤害。 资料中的产品是针对正常的商业性应用。那些需要在超出本资料提到的范围的应用，不平常的环境， 高可靠性，例如军事，医学上生命支持设备，没有迈来芯的额外工序不推荐使用。 任何产品的供应规范于迈来芯的销售条款详见 www.melexis.com. 中包含的信 件， 制和通 的 © Melexis NV. 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