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BAS16W
BAS16W
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-11
2±0.1
0.3
1±0.1
1
2.1
Type
Code
1.25±0.1
±0.1
3
2
1.3
Dimensions - Maße [mm]
1=A
2 = n.c. /frei 3 = C
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
85 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAS16W
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
200 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
150 mA 1)
IFSM
IFSM
0.5 A
2A
VRRM
85 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage 2)
Durchlass-Spannung 2)
Leakage current
Sperrstrom
IF
IF
IF
IF
= 1 mA
= 10 mA
= 50 mA
= 150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
VR = 75 V
IR
< 1 µA
Tj = 150°C
Tj = 150°C
VR = 25 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
RthA
< 620 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS16W
Pinning – Anschlussbelegung
3
1
Marking – Stempelung
Fast Switching Single Diode
Schnelle Einzeldiode
1=A
2
2 = n.c./frei
BAS16W = A2
3=C
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
http://www.diotec.com/
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG
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