s9295 series kspd1064j

プリアンプ付Si フォトダイオード
S9295シリーズ
大面積フォトダイオードとオペアンプ、
電子冷却素子を1パッケージに内蔵
S9295シリーズは、微弱光検出用として開発された電子冷却型プリアンプ内蔵Siフォトダイオードです。大面積Siフォトダイオー
ドとオペアンプ、電子冷却素子、フィードバック抵抗 (10 GΩ)を1パッケージに内蔵しĂサーミスタによる温度コントロールによって
フォトダイオード、I-V変換回路を冷却し、安定化できます。低雑音、低NEPを特長としており、特にNOx検出用に適しています。ま
た、フォトダイオード受光面をGND端子に接続することで、EMCノイズに強い構造となっています。
特長
用途
大受光面サイズ: 10 × 10 mm
NOx検出センサ
微弱光測光など
紫外～近赤外精密測光用Siフォトダイオードを使用
小型ハーメチックシールパッケージ、サファイア窓
高性能FET入力オペアンプを使用
高ゲイン：Rf=10 GΩ
低ノイズ、低NEP
高い冷却効率
S9295 : ΔT=50 °C
S9295-01: ΔT=30 °C
サーミスタ内蔵のため高安定
EMCノイズ対策
S9295シリーズは、静電気によって破壊または劣化する危険性があります。使用上の注意をご覧ください。
絶対最大定格
項目
電源電圧 (プリアンプ部)
動作温度
保存温度
電子冷却素子許容電圧*1
電子冷却素子許容電流
サーミスタ許容損失
推奨動作条件
記号
Vcc
Topr
Tstg
Vte
Ite
Pth
定格値
±20 V
-30～+60 °C
-40～+80 °C
5 V*2
1A
0.2 mW
項目
電源電圧 (プリアンプ部)
電子冷却素子電流
サーミスタ許容損失
負荷抵抗
記号
Vcc
Ite
Pth
RL
仕様
±5～±15 V
0.8 A max.
0.03 mW max.
100 kΩ min.
*1: 最大リップル: 10 %
*2: S9295-01: 3.7 V
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れが
あります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
浜松ホトニクス株式会社
1
S9295シリーズ
プリアンプ付Si フォトダイオード
電気的および光学的特性 (Typ. Vcc=±15 V, RL=1 MΩ)
項目
記号
感度波長範囲
最大感度波長
フィードバック抵抗 (内蔵)*3
λ
λp
Rf
受光感度
S
S9295-01
Td=-5 °C
190 ～ 1100
960
10
0.9
5.1
λ=200 nm
λ=λp
暗状態, f=10 Hz
λ=λp, f=10 Hz
暗状態
-3 dB
Vn
NEP
Vos
fc
Vo
Icc
Rth
出力雑音電圧
雑音等価電力
出力オフセット電圧
遮断周波数
出力電圧振幅
電源電流
サーミスタ抵抗
S9295
Td=-25 °C
条件
nm
nm
GΩ
V/nW
20
4
μV rms/Hz1/2
fW/Hz1/2
mV
Hz
V
mA
kΩ
25
5
±2
190
180
13
0.3
暗状態
単位
86
30
*3: Rfの変更およびCfの内蔵などのカスタム対応も可能です。
分光感度特性
周波数特性
(Typ. Vcc=±15 V)
6
(Typ. Vcc=±15 V)
10
S9295
(Td=-25 °C)
5
௖చ੄ႁ (dB)
਋࢕ۜഽ (V/nW)
0
4
3
S9295 (Td=-25 °C)
S9295-01 (Td=-5 °C)
2
-10
-20
S9295-01
(Td=-5 °C)
1
0
200
400
600
800
1000
-30
10
100
1000
10000
ਔ෨ତ (Hz)
෨ಿ (nm)
KSPDB0228JA
KSPDB0229JA
2
S9295シリーズ
プリアンプ付Si フォトダイオード
雑音等価電力－周波数
出力雑音電圧－周波数
(Typ. Vcc=±15 V)
S9295-01
(Td=-5 °C)
102
S9295
(Td=-25 °C)
10
1
0
10
1
10
100
1000
(Typ. Vcc=±15 V)
10-3
੄ႁॠ‫إ‬ഩգ (V rms/Hz1/2)
ॠ‫إ‬൝‫ث‬ഩႁ (fW/Hz1/2)
103
S9295
(Td=-25 °C)
10
-5
10-6
10-7
10000
S9295-01
(Td=-5 °C)
10-4
1
10
ਔ෨ତ (Hz)
100
1000
10000
ਔ෨ତ (Hz)
KSPDB0230JB
KSPDB0231JA
素子温度－電子冷却素子電流
S9295
S9295-01
5
20
ளঊ‫أ‬ഽ Td (°C)
Vte vs. Ite
10
4
Td vs. Ite
0
3
3
-10
2
1
1
-20
0
1.0
-30
0.4
0.6
0.8
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊഩၠ Ite (A)
4
Vte vs. Ite
0
-20
0.2
5
10
2
0
6
Td vs. Ite
-10
-30
(Typ. Ta=25 °C)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊഩգ Vte (V)
30
ளঊ‫أ‬ഽ Td (°C)
20
6
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊഩգ Vte (V)
(Typ. Ta=25 °C)
30
0
1.0
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊഩၠ Ite (A)
KSPDB0151JB
KSPDB0172JB
3
S9295シリーズ
プリアンプ付Si フォトダイオード
回路図
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
+
Vcc+
ΩΛΉȜΐ
Rf=10 GΩ
΍ȜηΑΗ
-
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
S9295: 2౲
S9295-01: 1౲
έ΁Π
Θͼ΂ȜΡ
OUT
+
GND
ΉȜΑ
Vcc-
NC
KSPDC0047JA
サーミスタ抵抗の温度特性
(Typ.)
120
΍ȜηΑΗ೷ࢯ (kΩ)
100
80
60
40
20
0
-30
-20
-10
0
10
20
30
‫أ‬ഽ (°C)
KSPDB0152JA
4
プリアンプ付Si フォトダイオード
S9295シリーズ
外形寸法図 (単位: mm)
S9295
42.0 ± 0.4
42.0 ± 0.4
34.0 ± 0.2
34.0 ± 0.2
ϕ24.3 ± 0.2
ϕ24.3 ± 0.2
වৣௗ
ϕ16.0 ± 0.2
਋࢕໐
(2 ×) ϕ4
7.0 ± 0.3
(4.7)
17.8 ± 0.3
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
7.6 ± 0.3
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
17.8 ± 0.3
਋࢕࿂
ϕ1.0
ςȜΡ
0.9 ± 0.2
΍έ͹ͼͺௗ (t=0.5)
19 ± 1
6.0
0.9 ± 0.2
΍έ͹ͼͺௗ (t=0.5)
19 ± 1
13.5 ± 0.3
ϕ27.4 ± 0.3
ϕ27.4 ± 0.3
(2 ×) ϕ4
਋࢕࿂
ϕ1.0
ςȜΡ
වৣௗ
ϕ16.0 ± 0.2
7.6 ± 0.3
਋࢕໐
S9295-01
KSPDA0079JB
KSPDA0071JC
電源電圧端子 (④⑩)にはバイパスコンデンサとして0.1～10 μFのタンタルあるいはセラミックコンデンサを必ず接続してください。
5
プリアンプ付Si フォトダイオード
S9295シリーズ
使用上の注意
静電破壊
S9295シリーズは人体に帯電する静電気、測定装置からのサージ電圧、はんだごての漏洩電圧、梱包材などにより破壊または劣化を起こす可
能性があります。
静電気対策には、素子、作業者、作業場所、治具など全て同電位とすることが必要です。使用に際して以下の事項にご注意ください。
・作業者および衣服に帯電した静電気による破壊を防止するため、リストストラップなどで人体を高抵抗 (1 MΩ)を介してアースしてください。
・作業場所は作業台と床に半導電シート (1 MΩ～10 MΩ)を敷いてアースしてください。
・はんだごては絶縁抵抗が10 MΩ以上のものを使用し、アースしてください。
・運搬、梱包の容器は、導電性材料やアルミ箔などを使用するのが有効です。帯電防止材料では、0.1 MΩ/cm2 ～1 GΩ/cm2のものをご使用ください。
強度
・電子冷却素子は落下などによる衝撃により破損する恐れがありますので、取り扱いは十分注意してください。
リード曲げ
・リードを加工する際、リード固定ガラスに過度の力をかけないよう注意してください。ハーメチック・シールが破壊され、冷却能力が低下す
る場合があります。必要ならばリード根元をペンチなどで押さえて加工するようにしてください。
放熱器
・放熱器は熱抵抗1.3 ° C/W以下のものを使用してください。素子はサーマルグリスを使ってネジで固定してください。放熱器への固定時は、
素子に歪みや必要以上の力がかからないように十分注意してください。
配線
・電子冷却素子、プリアンプなどの極性を間違えて電圧・電流を印加すると素子が破損しますので注意してください。
・S9295シリーズは高いフィードバック抵抗を内蔵しているため、非常に外来ノイズの影響を受けやすい構造となっています。ご使用の際は、
ケース端子は必ずGNDに終端してご使用ください。
紫外線照射時
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射強度・使用時
間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認をすることを推奨します。
・紫外線の照射により、製品の構成材料の接着に使用されている樹脂からガスが発生して特性が劣化する場合があります。このためアパーチャ
などを用いて紫外線を樹脂へ直接照射することを避け、受光部の内側にだけ紫外線を照射することを推奨します。
6
プリアンプ付Si フォトダイオード
S9295シリーズ
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意
技術情報
・ Siフォトダイオード／技術資料
・ Siフォトダイオード／用語の説明
・ Siフォトダイオード／信頼性
・ Siフォトダイオード／応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
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Cat. No. KMPD1064J04 Oct. 2015 DN
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