s12571-010 etc kapd1044j

MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
®
S12571-010, -015C/P
低アフターパルス、広ダイナミックレンジ、高速計測用
受光面サイズ: 1 × 1 mm
高密度に配列した微小なピクセルを採用して短い回復時間を達成し、広ダイナミックレンジを実現したMPPCです。最大
10000ピクセル/mm2 (ピクセルピッチ: 10 μm)を製品化しています。高検出効率化技術の採用によって、ピクセルピッチ縮小
による検出効率の低下を最小限に抑えています。
特長
用途
低アフターパルス
シンチレーション計測
高開口率
微弱光検出
高検出効率
散乱光計測
広い動作電圧範囲
関連製品 (別売)
短い回復時間
高カウントレート
MPPCモジュール　C11209-110
低アフターパルス化を実現
MPPCによるフォトン検出時に、光の入射タイミングより遅れて偽の信号が出力されることがあります。これをアフターパルスと呼んで
います。S12571シリーズは、材料やウエハプロセス技術を改善することによって、従来品に比べてアフターパルスの大幅な低減を実現し
ました。アフターパルスの低減はS/N向上だけでなく、動作電圧範囲の拡大、高電圧領域での時間分解能特性や検出効率の向上など、さま
ざまなメリットをもたらします。
パルス波形の比較
S12571シリーズ
従来品
(M=1.25 × 106)
50 mV
50 mV
(M=1.25 × 106)
10 ns
10 ns
浜松ホトニクス株式会社
1
S12571-010, -015C/P
MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
構成
項目
有効受光面サイズ
ピクセルピッチ
ピクセル数
有感部の開口率
パッケージ
窓材
窓材屈折率
記号
-
S12571
-010C
-010P
-015C
1×1
10
10000
33
-015P
1×1
15
4489
53
セラミック
シリコーン樹脂
1.41
表面実装型
エポキシ樹脂
1.55
-010C
-010P
セラミック
シリコーン樹脂
1.41
表面実装型
エポキシ樹脂
1.55
単位
mm
μm
%
-
絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
記号
動作温度*1
保存温度*1
Topr
Tstg
リフローはんだ条件*2
Tsol
はんだ付け条件
-
S12571
-015C
-20 ～ +60
-20 ～ +80
ピーク温度: 240 °C
2回 (P.5参照)
°
以下
回
350 C
,1
3秒以内*3
-015P
-20 ～ +60
-20 ～ +80
ピーク温度: 240 °C
2回 (P.5参照)
°
以下
回
350 C
,1
3秒以内*3
単位
°C
°C
-
*1: 結露なきこと
高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。
*2: JEDEC level 5a
*3: リード根元より1 mm以上離す
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (指定のない場合はTa=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
検出効率 (λ=λp)*4
Typ.
Max.
時間分解能 (FWHM)*6
端子間容量
増倍率
増倍率の温度係数
降伏電圧
推奨動作電圧
推奨動作電圧の温度係数
ダークカウント*5
記号
λ
λp
PDE
Ct
M
ΔTＭ
VBR
Vop
ΔTVop
S12571
-010C
-010P
320 ～ 900
470
10
100
200
300
35
1.35 × 105
1.6 × 103
65 ± 10
VBR + 4.5
60
-015C
-015P
320 ～ 900
460
25
100
200
250
35
2.3 × 105
3.5 × 103
65 ± 10
VBR + 4.0
60
単位
nm
nm
%
kcps
ps
pF
/°C
V
V
mV/°C
*4: 検出効率は、クロストークとアフターパルスを含んでいません。
*5: 閾値=0.5 p.e.
*6: シングルフォトンレベル
注) 各値は、本カタログ記載の増倍率が得られる動作電圧における値です (製品に添付されるデータを参照してください)。
型名の最後の記号は、パッケージを表します (C: セラミック, P: 表面実装型)。
2
S12571-010, -015C/P
MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
検出効率－波長
S12571-010C/P
S12571-015C/P
(Typ.=25 °C, Vop=VBR + 4.5 V)
50
(Typ.=25 °C, Vop=VBR + 4.0 V)
50
40
40
࠿੄࢘ၚ (%)
࠿੄࢘ၚ (%)
S12571-015P
30
20
S12571-010P
30
20
10
S12571-015C
10
S12571-010C
0
300
400
500
600
700
800
0
300
900
400
500
෨ಿ (nm)
600
700
800
900
෨ಿ (nm)
KAPDB0216JA
KAPDB0215JA
検出効率は、クロストークとアフターパルスを含んでいません。
増倍率－オーバー電圧
検出効率－オーバー電圧
(Typ. Ta=25 °C)
5 × 105
S12571-015C
࠿੄࢘ၚ (%)
௩෼ၚ
50
S12571-015C
4 × 105
(Typ. Ta=25 °C, λ=408 nm)
60
3 × 105
2 × 105
1 × 105
40
30
20
10
S12571-010C
S12571-010C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
΂ȜΨȜഩգ (V)
΂ȜΨȜഩգġĩŗĪ
KAPDB0244JA
KAPDB0245JB
3
MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
S12571-010, -015C/P
クロストーク確率－オーバー電圧
(Typ. Ta=25 °C)
50
·υΑΠȜ·‫ږ‬ၚ (%)
40
S12571-015C
30
20
S12571-010C
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
΂ȜΨȜഩգ (V)
KAPDB0246JB
高速計測・広ダイナミックレンジタイプは、ピクセル容量が小さいため増倍率が一般計測用に比べて低くなります。動作電圧を上げる
ことにより、増倍率や検出効率を増加させることができますが、同時にクロストークも増加するため、用途に応じて適切な動作電圧で
使用する必要があります。
外形寸法図 (単位: mm)
S12571-010/-015C
S12571-010/-015P
+0
6.0 -0.25
0.45 ± 0.15
2.425
΃ΕȜΡ౤ঊ
ນাࠪ
0.975 ± 0.15
਋࢕࿂
1.0 × 1.0
0.85 ± 0.15
0.3
਋࢕࿂
1.9
5.0
਋࢕࿂
1.0 × 1.0
΀ε΅Ώਏড
0.45
ςȜΡ
1.1
2.325
0.55
12 ± 1.0
1.0
1.5
0.55
Ώς΋Ȝϋਏড
਋࢕࿂
ঐা̧̈́࢖ओ: ±0.1
KAPDA0142JA
3.0
ঐা̧̈́࢖ओ: ±0.2
KAPDA0141JA
4
S12571-010, -015C/P
MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
接続例
+V
1 kΩ
0.1 μF
MPPC
૞࣢
ͺϋί
KAPDC0024JB
当社の実験用熱風リフロー炉を用いた温度プロファイルの実測値例
300 °C
240 °C max.
220 °C
‫أ‬ഽ
190 °C
170 °C
ထ๵‫ح‬෎
70ȡ90 s
ུ‫ح‬෎
40 s max.
শ‫ۼ‬
KPICB0171JA
・表面実装型製品は、鉛フリーはんだ付けに対応しています。梱包開封後は、温度 25 °C以下、湿度 60％以下の環境で保管して、24時
間以内にはんだ付けをして下さい。
・使用する基板・リフロー炉によって、リフローはんだ付け時に製品が受ける影響が異なります。リフローはんだ条件の設定時には、
あらかじめ実験を行って、製品に問題が発生しないことを確認してください。
使用上の注意
・ 電源・装置・測定器などには、過電圧や過電流の防止のため、必要に応じて適切な保護回路を組み込んでください。
5
MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)
S12571-010, -015C/P
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・製品に関する注意事項とお願い
・メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意
・表面実装型製品／使用上の注意
MPPCは、浜松ホトニクス株式会社の登録商標です。
本資料の記載内容は、平成27年12月現在のものです。
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Cat. No.KAPD1044J04 Dec. 2015 DN
6