s11865-64 etc kmpd1134j

アンプ付フォトダイオードアレイ
S11865-64/-128/-256
S11866-64-02/-128-02
フォトダイオードアレイと信号処理ICの組み合わせ
S11865/S11866シリーズは、Siフォトダイオードアレイと信号処理ICを組み合わせたラインセンサです。従来品 (S8865/S8866
シリーズ)に比べX線耐性を向上させています。信号処理ICチップはCMOSプロセスで形成され、タイミング発生回路、シフトレジ
スタ、チャージアンプアレイ、クランプ回路、ホールド回路が内蔵されているため、外付け回路の構成を簡略化できます。また本
製品を複数配列することにより、長尺イメージセンサを構成することができます。なお、X 線検出用に受光部上に蛍光紙を貼った
タイプも用意しています。
専用の駆動回路としてC9118シリーズ (別売)を用意しています (S11865-256には対応していません)。
特長
用途
データレート: 1 MHz max.
長尺ラインセンサ
素子間ピッチ: 5タイプを用意
S11865-64: 0.8 mmピッチ × 64 ch
S11865-128: 0.4 mmピッチ × 128 ch
S11865-256: 0.2 mmピッチ × 256 ch
S11866-64-02: 1.6 mmピッチ × 64 ch
S11866-128-02: 0.8 mmピッチ × 128 ch
X線検出用ラインセンサ
5 V電圧駆動
積分アンプアレイによる同時蓄積方式
シフトレジスタによる時系列信号読み出し
低暗電流 (フォトダイオードをゼロバイアス駆動)
クランプ回路内蔵により低ノイズ、広ダイナミックレンジ
タイミング発生回路を内蔵し、2種類のパルスで動作
受光部上に蛍光紙を貼ったタイプ (X線検出用)も用意
(S11865-64G/-128G/-256G, S11866-64G-02/-128G-02)
構成
項目
素子間ピッチ
素子幅
素子高さ
素子数
有効エリア長
基板材料
記号*1
P
W
H
-
S11865-64
0.8
0.7
0.8
64
51.2
S11865-128
0.4
0.3
0.6
128
51.2
S11865-256 S11866-64-02 S11866-128-02
0.2
1.6
0.8
0.1
1.5
0.7
0.3
1.6
0.8
256
64
128
51.2
102.4
102.4
ガラスエポキシ
単位
mm
mm
mm
mm
-
*1: 下図参照
ʼn
受光部拡大図
Ř
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡ
ő
KMPDC0072JA
浜松ホトニクス株式会社
1
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
絶対最大定格 (指定のない場合はTa=25 °C)
項目
電源電圧
基準電圧
フォトダイオード電圧
ゲイン選択端子電圧
マスター/スレイブ選択電圧
クロックパルス電圧
リセットパルス電圧
外部スタートパルス電圧
動作温度*2
保存温度*2
記号
Vdd
Vref
Vpd
Vgain
Vms
V(CLK)
V(RESET)
V(EXTSP)
Topr
Tstg
定格値
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-0.3 ~ +6
-5 ~ +60
-10 ~ +70
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
*2: 結露なきこと
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
推奨端子電圧 (Ta=25 °C)
項目
電源電圧
基準電圧
フォトダイオード電圧
Highゲイン
Lowゲイン
Highレベル*3
マスター/スレイブ選択電圧
Lowレベル*4
Highレベル
クロックパルス電圧
Lowレベル
Highレベル
リセットパルス電圧
Lowレベル
Highレベル
外部スタートパルス電圧
Lowレベル
ゲイン選択端子電圧
記号
Vdd
Vref
Vpd
Vgain
Vms
V(CLK)
V(RESET)
V(EXTSP)
Min.
4.75
4
Vdd - 0.25
0
Vdd - 0.25
0
3.3
0
3.3
0
Vdd - 0.25
0
Typ.
5
4.5
Vref
Vdd
Vdd
Vdd
Vdd
Vdd
-
Max.
5.25
4.6
Vdd + 0.25
0.4
Vdd + 0.25
0.4
Vdd + 0.25
0.4
Vdd + 0.25
0.4
Vdd + 0.25
0.4
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
Typ.
3
16
30
60
0.5
1
Max.
4000
14678
7568
3844
-
単位
kHz
*3: パラレル
*4: シリアル2段目以降
電気的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, V(CLK)=V(RESET)=5 V]
項目
クロックパルス周波数*5
S11865-64, S11866-64-02
ラインレート*6
S11865-128, S11866-128-02
S11865-256
出力インピーダンス
S11865-64, S11866-64-02
消費電流
S11865-128, S11866-128-02
S11865-256
Highゲイン
チャージアンプ帰還容量
Lowゲイン
記号
f(CLK)
LR
Zo
I
Cf
Min.
40
-
ライン/s
kΩ
mA
pF
*5: ビデオデータレートはf(CLK)の1/4です。
*6: クロックパルス周波数により変わります。
2
アンプ付フォトダイオードアレイ
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
電気的特性および光学的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, V(CLK)=V(RESET)=5 V, Vgain=5 V (High ゲイン ), 0 V (Low ゲイン )]
S11865-64/-128/-256
項目
λ
λp
感度波長範囲
最大感度波長
暗出力電圧*7
Highゲイン
Lowゲイン
飽和出力電圧
飽和露光量*8
受光感度
記号
Vd
Vsat
Highゲイン
Lowゲイン
Highゲイン
Lowゲイン
感度不均一性*9
Esat
S
PRNU
Highゲイン
ノイズ*10
Lowゲイン
出力オフセット電圧*11
N
Vo
S11865-64
Min.
Typ.
Max.
200 ~ 1000
720
0.01
0.2
0.005
0.1
3.0
3.5
0.8
1.0
1.6
2.0
3520 4400
1760 2200
±10
1.3
2.0
0.7
1.1
Vref
-
S11865-128
Min.
Typ.
Max.
200 ~ 1000
720
0.01
0.2
0.005
0.1
3.0
3.5
2.4
3.0
4.8
6.0
1200 1500
600
750
±10
1.0
1.5
0.6
0.9
Vref
-
S11865-256
Min.
Typ.
Max.
200 ~ 1000
720
0.01
0.2
0.005
0.1
3.0
3.5
15
19
30
37.5
200
250
100
125
±10
0.8
1.2
0.5
0.75
Vref
-
単位
nm
nm
mV
V
mlx・s
V/lx・s
%
mV rms
V
S11866-64-02/-128-02
項目
λ
λp
感度波長範囲
最大感度波長
暗出力電圧*7
Highゲイン
Lowゲイン
飽和出力電圧
飽和露光量*8
受光感度
記号
Vd
Vsat
Highゲイン
Lowゲイン
Highゲイン
Lowゲイン
感度不均一性*9
Highゲイン
ノイズ*10
Lowゲイン
出力オフセット電圧*11
Esat
S
PRNU
N
Vo
S11866-64-02
Typ.
200 ~ 1000
720
0.01
0.005
3
3.5
0.2
0.4
14400
18000
7200
9000
2.0
1.1
Vref
Min.
Max.
0.2
0.1
0.25
0.5
±10
3.0
1.7
-
S11866-128-02
Typ.
Max.
200 ~ 1000
720
0.01
0.2
0.005
0.1
3
3.5
0.8
1.0
1.6
2.0
3520
4400
1760
2200
±10
1.3
2.0
0.7
1.1
Vref
Min.
単位
nm
nm
mV
V
mlx・s
V/lx・s
%
mV rms
V
*7: 蓄積時間 Ts=1 ms
*8: 2856 Kタングステンランプで測定
*9: 感度不均一性は、飽和の50%の露光量の均一光を受光部全体に入射した場合の出力不均一性で、次のように定義します。
PRNU = ∆X/X × 100 (%)
X: 全画素の出力の平均、∆X: 最大または最小出力とXとの差の大きい方の値
*10: ビデオデータレート50 kHz、暗状態、Ts=1 msで測定
*11: ビデオ出力は、出力オフセット電圧から負極性に出力されます。
3
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
1画素の出力波形
ճેఠ
཈გ੄ႁഩգ
Vsat=3.5 V typ.
੄ႁ΂έΓΛΠ
ഩգ
Vref=4.5 V typ.
1 V typ.
1 V/div.
཈გેఠ
GND
Trigger
10 V/div.
GND
CLK
GND
100 ns/div.
分光感度特性 (代表例)
シリコーン樹脂塗布
(Ta=25 °C)
0.5
0.4
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.4
਋࢕ۜഽ (A/W)
(Ta=25 °C)
0.5
0.3
0.2
0.1
0.3
0.2
0.1
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KMPDB0220JB
KMPDB0421JA
蛍光板を接着する場合は、接着樹脂の影響によって分光感度特性
はなめらかになります。
4
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
出力オフセット電圧-周囲温度 (測定例)
暗出力電圧-周囲温度 (測定例)
(Ts=1 ms)
1
4.505
4.504
4.502
ճ੄ႁഩգ (mV)
੄ႁ΂έΓΛΠഩգ (V)
4.503
4.501
4.500
4.499
0.1
0.01
4.498
4.497
4.496
0.001
4.495
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
ਔս‫أ‬ഽ (°C)
ਔս‫أ‬ഽ (°C)
KMPDB0288JA
KMPDB0289JB
5
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
ブロック図
S11865-64/-128, S11866-64-02/-128-02
RESET
1
CLK
2
EXTSP
Vms
Vdd
GND
4
5
6
7
3
Trig
ΏέΠτΐΑΗ
8
EOS
9
Video
ΗͼηϋΈอ୆ٝႹ
Vref
10
γȜσΡٝႹ
Vgain
11
ΙλȜΐͺϋίͺτͼ
Vpd
12
1
2
3
4
5
N-1
N
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡͺτͼ
KMPDC0153JA
S11865-256
RESET 2, 15
EXTSP
Vms
Vdd
GND
5, 18
6, 19
7, 20
8, 21
4, 17 Trig
ΗͼηϋΈอ୆ٝႹ
CLK 3, 16
9, 22 EOS
ΏέΠτΐΑΗ
ΙλȜΐͺϋίͺτͼ
Vgain 12, 25
Vpd
1, 13
14, 26
10, 23 Video
γȜσΡٝႹ
Vref 11, 24
1
2
3
4
5
255
256
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡͺτͼ
KMPDC0506JA
6
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
タイミングチャート
1 2 3
16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
1 2 3
CLK
tpw(RESET1)
RESET
8·υΛ·
tpw(RESET2)
8·υΛ·
ಇୟশ‫ۼ‬
ΫΟ΂੄ႁ‫ۼܢ‬
1
Video
2
3
n-1
n
Trig
EOS
tf(CLK)
tr(CLK)
t2
tpw(CLK)
t1
tpw(RESET1)
tpw(RESET2)
KMPD
tf(RESET)
tr(RESET)
KMPDC0289JC
項目
クロックパルス幅
クロックパルス上昇/下降時間
リセットパルス幅 1
リセットパルス幅 2
リセットパルス上昇/下降時間
クロックパルス-リセットパルスタイミング 1
クロックパルス-リセットパルスタイミング 2
記号
tpw(CLK)
tr(CLK), tf(CLK)
tpw(RESET1)
tpw(RESET2)
tr(RESET), tf(RESET)
t1
t2
Min.
250
0
21
20
0
-20
-20
Typ.
20
20
0
0
Max.
25000
30
30
20
20
単位
ns
ns
CLK
CLK
ns
ns
ns
1. RESETがLowになった直後のCLK の立ち下がりで内蔵タイミング回路が動作を開始します。
2. このCLKの立ち下がりを “1クロック” とすると、1 ch目のビデオ信号は “18.5クロック~ 20.5クロック” に現れます。その後、4ク
ロックおきにビデオ信号は現れます。
3. 1 chのトリガパルスは “19.5クロック” で立ち上がり、その後、4クロックおきに立ち上がります。このトリガパルスの立ち上がり
が推奨データ取り込みタイミングです。
4. 信号電荷蓄積時間はRESETのHigh期間に相当します。ただし蓄積時刻は異なり、RESETの立ち上がり8クロック目から蓄積が開
始し、RESETの立ち下がりから8クロック目に蓄積が終了します。この期間に蓄積された信号は、次にRESETがHighからLowにな
った後、シフトレジスト動作によって順次時系列信号として読み出されます。RESETの立ち上がり・立ち下がりはCLKの立ち上
がりに同期させてください。ただし、RESETの立ち上がりはビデオ出力期間を避けて設定してください。RESETの1周期は、“16.5
+ 4 × N (画素数)” クロックより短く設定することはできません。
5. EOS信号が出力された後のビデオ信号は、Highインピーダンス状態になりビデオ出力は不定となります。
7
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±0.2)
S11865-64/-128
+0.2
51.2 -0
1.27
(× 12) ɸ0.76
12
਋࢕໐
12.0
2.54
3.0
8.0*
40.0
5.6
1.6
(× 4) ɸ2.2
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡ 1 ch
௢औ༷࢜
* ‫ܖ‬โ‫ئ‬౤ͤ͢਋࢕໐ಎ૤͈́͘଱༹
‫ܖ‬ȁȁโ: G10 ΄ρΑ΀ε΅Ώ
΋Υ·Η: PRECI-DIP DURTAL 800-10-012-20-001101
KMPDA0164JE
S11865-256
+0.2
51.2-0
(× 26) 0.64 × 0.64
34.02
1
25
2
26
CMOS2
਋࢕໐
6.6
40.0
3.0
8.0*
CMOS1
(× 4) ϕ2.2
2.28
6.9 6.0
2.54
17.0
2.54
10.0
P2.54 × 12 = 30.48
40.0 ± 0.15
25.0 ± 0.1
1
5.0
૞࣢ੜၑICΙΛί
5.0
1.6
2.95
P2.54 × 11 = 27.94
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡ 1 ch
1.6
૞࣢ੜၑICΙΛί
௢औ༷࢜
* ‫ܖ‬โ‫ئ‬౤ͤ͢਋࢕໐ಎ૤͈́͘଱༹
‫ܖ‬ȁȁโ: G10 ΄ρΑ΀ε΅Ώ
΋Υ·Η: ඾ུ࣎ߗഩঊPS-26PE-D4LT1-PN1
KMPDA0191JD
8
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
S11866-64-02/-128-02
+0.3
-0
1.27
P2.54 × 11 = 27.94
1.6
1
5.0
૞࣢ੜၑICΙΛί
5.0
(× 12) ɸ0.76
2.95
102.4
12
3.0
A*
12.0
25.0 ± 0.1
2.54
80.0
11.2
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡ 1 ch
਋࢕໐
1.6
(4 ×) ɸ2.2
௢औ༷࢜
߿ྴ
A
S11866-64-02 8.2
S11866-128-02 8.0
* ‫ܖ‬โ‫ئ‬౤ͤ͢਋࢕໐ಎ૤͈́͘଱༹
‫ܖ‬ȁȁโ: G10 ΄ρΑ΀ε΅Ώ
΋Υ·Η: PRECI-DIP DURTAL 800-10-012-20-001101
KMPDA0291JA
ピン接続
S11865-64/-128, S11866-64-02/-128-02
ピンNo.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
記号
RESET
CLK
Trig
EXTSP
Vms
Vdd
GND
EOS
Video
Vref
Vgain
Vpd
名称
リセットパルス
クロックパルス
トリガパルス
外部スタートパルス
マスター/スレイブ選択電圧
電源電圧
グランド
エンドオブスキャン
ビデオ出力
基準電圧
ゲイン選択端子電圧
フォトダイオード電圧
備考
パルス入力
パルス入力
正極性パルス出力
パルス入力
電圧入力
電圧入力
負極性パルス出力
Vrefからの負極性出力
電圧入力
電圧入力
電圧入力
S11865-256
ピンNo.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
CMOS1
Vpd
RESET
CLK
Trig
EXTSP
Vms
Vdd
GND
EOS
Video
Vref
Vgain
Vpd
ピンNo.
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
CMOS2
Vpd
RESET
CLK
Trig
EXTSP
Vms
Vdd
GND
EOS
Video
Vref
Vgain
Vpd
名称
フォトダイオード電圧
リセットパルス
クロックパルス
トリガパルス
外部スタートパルス
マスター/スレイブ選択電圧
電源電圧
グランド
エンドオブスキャン
ビデオ出力
リファレンス電圧
ゲイン選択電圧
フォトダイオード電圧
備考
電圧入力
パルス入力
パルス入力
正極性パルス出力
パルス入力
電圧入力
電圧入力
負極性パルス出力
Vrefからの負極性出力
電圧入力
電圧入力
電圧入力
9
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
ゲイン選択端子電圧の設定方法
Vdd: Highゲイン (Cf=0.5 pF) GND: Lowゲイン (Cf=1 pF)
読み出し方式ごとの設定方法
S11865-64/-128, S11866-64-02/-128-02
通常は、下表のAの設定をしてください。
複数個のセンサをシリアルに読み出す場合は、1段目はA、2段目以降はBの設定をしてください。
各センサのCLKとRESETは共通とし、各センサのビデオ出力端子は1本に接続してください。
接続例 (パラレル読み出し)
12
Vpd
11
Vgain
10
Vref
9
Video
8
EOS
7
GND
6
Vdd
5
Vms
4
EXTSP
Trig
3
Trig
CLK
2
CLK
RESET
1
RESET
Vgain
+4.5 V
EOS
10 µF
0.1 µF
+5 V
+
Video
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KMPDC0288JB
設定
読み出し方式
A パラレル読み出しの全段、シリアル読み出しの1段目
B シリアル読み出しの2段目以降
Vms
Vdd
GND
EXTSP
Vdd
前段のEOSを入力
10
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
S11865-256
CMOS1からは1~128 chの信号が出力され、CMOS2からは129~256 chの信号が出力されます。読み出し方式には以下の2つがあります。
(1) シリアル読み出し方式
CMOS1・CMOS2をシリアルに接続し、1本の出力線から1~256 chの信号を順次読み出す方法です。CMOS1は下表のA、CMOS2はBの設
定をしてください。CMOS1・CMOS2のCLKとRESETは共通とし、ビデオ出力端子は1本に接続してください。
(2) パラレル読み出し方式
CMOS1・CMOS2のそれぞれの出力線から128 chずつパラレルに信号を読み出す方式です。CMOS1・CMOS2とも下表のAの設定をしてく
ださい。
接続例
・シリアル読み出し方式
・パラレル読み出し方式
CMOS1
1 Vpd
CMOS1
1 Vpd
RESET
2 RESET (1)
RESET
2 RESET (1)
CLK
3 CLK (1)
CLK
3 CLK (1)
4 Trig (1)
Trig (1)
4 Trig (1)
5 EXTSP (1)
5 EXTSP (1)
6 Vms (1)
6 Vms (1)
Vdd
7 Vdd
Vdd
7 Vdd
GND
8 GND
GND
8 GND
9 EOS (1)
EOS (1)
10 Video (1)
Video (1)
10 Video (1)
Vref
11 Vref
Vref
11 Vref
Vgain
12 Vgain
Vgain
12 Vgain
9 EOS (1)
13 Vpd
13 Vpd
CMOS2
14 Vpd
Trig
OR Logic IC
74HC32
CMOS2
15 RESET (2)
14 Vpd
16 CLK (2)
15 RESET (2)
17 Trig (2)
18 EXTSP (2)
16 CLK (2)
17 Trig (2)
Trig (2)
19 Vms (2)
18 EXTSP (2)
20 Vdd
19 Vms (2)
21 GND
20 Vdd
EOS
22 EOS (2)
Video
23 Video (2)
EOS (2)
22 EOS (2)
24 Vref
Video (2)
23 Video (2)
21 GND
25 Vgain
24 Vref
26 Vpd
25 Vgain
26 Vpd
KMPDC0222JA
KMPDC0223JB
設定
A
B
Vms
Vdd
GND
EXTSP
Vdd
前段のEOSを入力
11
アンプ付フォトダイオードアレイ
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
読み出し回路
パルス信号を、入力端子にてパルス条件を満たした上で入力してください。
ビデオ出力はセンサに近い箇所でオペアンプにて増幅してください。
使用上の注意
(1) 信号処理ICチップには静電気に対する保護がなされていますが、静電気による破壊を未然に防ぐために作業者、作業台、作業工具
の接地などの静電気対策を実施してください。
また周辺装置からのサージ電圧の印加を防いでください。
(2) ワイヤボンディングに用いられる金ワイヤは非常に細く、機械的なストレスで容易に断線に至ります。信号処理ICチップとワイヤ
ボンディング部は樹脂によって保護されていますが、この部分に余分な力がかかると断線などの故障の原因となるため、絶対に触
れないようにしてください。
保護樹脂上に汚れや異物が付着した場合は、エアブローで取り除いてください。溶剤による洗浄は絶対に行わないでください。保
護樹脂上に汚れや傷がついたり、信号処理ICチップやフォトダイオードアレイチップにかけが生じると信号が得られなくなる場合
があります。
(3) 高湿動作時には諸特性が劣化する恐れがありますので、筺体側で気密封止を行ってください。
また基板取り付け時には、基板に反りが生じないように注意してください。
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ イメージセンサ/使用上の注意
12
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
アンプ付フォトダイオードアレイ
アンプ付フォトダイオードアレイ用駆動回路 C9118シリーズ (別売)
C9118シ リ ー ズ は、 ア ン プ 付 フ ォ ト ダ イ オ ー ド ア レ イ S11865/S11866シ リ ー ズ 用 に 設 計 さ れ たCMOS駆 動 回 路 で す。M-CLK、
M-RESETの2信号の入力と単一+5 V電源で動作します。シングルおよびパラレル接続用にはC9118、シリアル接続用にはC9118-01を
ご利用ください。
特長
+5 V単一電源動作
M-CLK, M-RESETの2信号入力で動作
小型・薄型: 46 × 56 × 5.2 t mm
ブロック図
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
+Vcc
+Vcc
SW1
CN1
CLK
RESET
Trig
EOS
EXTSP
Vms
Vg
Vdd
GND
Video
Vref
Vp
1: TOP
2: END
1
+Vcc
CN2
M-CLK
M-RESET
TRIGGER
L-EOS
IN-START
GAIN
+5 V
GND
VIDEO
GND
2
΋ϋΠυȜρ
+Vcc
+Vp
VR1
SW2
CN3
+Vcc
+
+Vp
+
+
+
+Vcc
REF
M-CLK
M-RESET
TRIGGER
L-EOS
EXTSP2
GAIN
+5 V
GND
VIDEO
GND
C9118-01͈͙
KACCC0643JA
13
アンプ付フォトダイオードアレイ
S11865-64/-128/-256, S11866-64-02/-128-02
接続例
シングル・パラレル読み出し例 (C9118)
シリアル読み出し例 (C9118-01)
同時蓄積/出力 (高速処理に有効)
同時蓄積/シリアル出力
(外部処理部の簡素化に有効)
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
C9118
CN2
C9118-01
CN2
‫ٸ‬໐΋ϋΠυȜρ
‫ٸ‬໐΋ϋΠυȜρ
CN3
Α΅λϋ
༷࢜
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
C9118
CN2
‫ٸ‬໐΋ϋΠυȜρ
ັ௺ΉȜήσ
C9118-01
CN2
Α΅λϋ
༷࢜
CN3
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
S11865/
S11866
ΏςȜΒ
C9118
CN2
‫ٸ‬໐΋ϋΠυȜρ
Α΅λϋ
༷࢜
Α΅λϋ
༷࢜
KACCC0644JA
C9118-01
CN2
CN3
KACCC0645JA
本資料の記載内容は、平成26年11月現在のものです。
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Cat. No. KMPD1134J04 Nov. 2014 DN
14