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BAV70W
BAV70W
Surface Mount Small Signal Dual Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2009-09-28
2
±0.1
0.3
Power dissipation
Verlustleistung
1±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
1
2.1
1.25±0.1
±0.1
3
Type
Code
200 mW
75 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
2
1.3
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1
2 = A2
3 = C1/C2
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
1
BAV70W
Power dissipation − Verlustleistung )
Ptot
200 mW 1)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV
IFAV
175 mA 2)
100mA 1) 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 2)
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1A
2A
VRRM
75 V
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Tj
150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
- 55…+ 150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current 3)
Sperrstrom
1
2
3
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
VR = 75 V
Tj = 25°C
IR
< 5 µA
VR = 25 V
VR = 75 V
Tj = 150°C
IR
IR
< 60 µA
< 100 µA
Both diodes loaded − Beide Dioden belastet
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAV70W
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
RthA
< 625 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Outline – Gehäuse
Marking – Stempelung
Double diode, common cathode
Doppeldiode, gemeins. Kathode
3
1
Pinning – Anschlussbelegung
1 = A1
2
2 = A2
BAV70W = A4
or /oder = KJA
or /oder = PH
3 = C1/C2
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
10-1
40
Tj = 25°C
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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