BAV99W BAV99W Surface Mount Small Signal Double-Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-07-11 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 1 2.1 Type Code 1.25±0.1 ±0.1 3 2 Power dissipation – Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 70 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-323 Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAV99W Power dissipation − Verlustleistung 1) Ptot 200 mW 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM IFSM IFSM 0.5 A 1A 2A VRRM 85 V Reverse voltage – Sperrspannung (dc) VR 70 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current 3) Sperrstrom 1 2 3 IF IF IF IF = 1 mA = 10 mA = 50 mA = 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V Tj = 25°C Tj = 25°C VR = 25 V VR = 70 V IR IR < 30 nA < 2.5 µA Tj = 150°C Tj = 150°C VR = 25 V VR = 70 V IR IR < 30 µA < 50 µA Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAV99W Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 1.5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns RthA < 620 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Marking – Stempelung Double diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 1 = A1 2 2 = C2 BAV99W = A7 3 = C1/A2 Other available configurations – Andere lieferbare Konfigurationen Single diode – einzelne Diode BAL99 Double diode, common cathode – Doppeldiode, gemeinsame Kathode BAV70 Double diode, common anode – Doppeldiode, gemeinsame Anode BAW56 1 120 [%] [A] 100 -1 10 80 Tj = 125°C 10-2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG