Siフォトダイオード S8552, S8553 真空紫外 (VUV)モニタ用フォトダイオード S8552・S8553は真空紫外域に感度をもつフォトダイオードです。特にエキシマレーザ (ArF: 193 nm, KrF: 248 nm)のモニタに 適しています。VUV領域での使用に適した設計により、従来品と比較しVUV光照射に対する感度の安定性が向上しています。 特長 用途 エキシマレーザ (ArF: 193 nm, KrF: 248 nm)に対する信頼性が向上 真空紫外モニタ 大受光面サイズ S8552: 10 × 10 mm S8553: 18 × 18 mm エキシマレーザモニタ 窓なしパッケージを採用 S8552: 16.5 × 15.0 mmセラミックパッケージ S8553: 25.5 × 25.5 mmセラミックパッケージ 絶対最大定格 (Ta=25 °C) 項目 記号 VR max Topr Tstg 逆電圧 動作温度* 保存温度* 定格値 5 -20 ～ +60 -55 ～ +80 単位 V °C °C * 結露なきこと 高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C) 項目 記号 受光感度 暗電流 端子間容量 S ID Ct 上昇時間 tr 条件 λ=193 nm VR=10 mV VR=0 V, f=10 kHz VR=0 V, RL=1 kΩ 10～90% Min. 45 - S8552 Typ. 60 0.05 4.0 Max. 1.0 - Min. 45 - S8553 Typ. 60 0.1 8.0 Max. 5.0 - mA/W nA nF - 9 - - 18 - μs 浜松ホトニクス株式会社 単位 1 S8552, S8553 Siフォトダイオード VUV照射による感度変動 分光感度特性 (Typ. Ta=25 ˚C) 120 0.5 100 0.4 80 చۜഽ (%) ۜഽ (A/W) 0.6 0.3 0.2 [Typ. Ta=25 ˚C, ArF ΅ΏζτȜΎ, 0.1 mJ/cm2/ΩσΑ, f=100 Hz, λ=193 nm, ΩσΑ໙=15 ns (FWHM)] S8552, S8553 60 40 S1227/S1337ΏςȜΒ (ྚ໑গ) 20 0.1 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 ෨ಿ (nm) 0 1 × 106 5 × 106 1 × 107 ΏοΛΠତ KSPDB0357JA KSPDB0359JA (Typ. Ta=25 ˚C) 0.20 0.18 0.16 ۜഽ (A/W) 0.14 0.12 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 150 200 250 300 350 400 ෨ಿ (nm) KSPDB0358JA 2 Siフォトダイオード S8552, S8553 外形寸法図 (単位: mm) S8552 S8553 +0 16.5 ± 0.2 25.5 -0.6 ໐ 18 × 18 2.15 ± 0.1 10.5 ϕ0.5 ςȜΡ ฒΓρηΛ· 1.75 15.1 ± 0.3 5.0 12.5 ± 0.2 13.7 ± 0.3 ͺΦȜΡ ঊζȜ· ϕ0.45 ςȜΡ 10 2.54 ࿂ 1.1 0.75 0.3 ࿂ +0 18.0 ໐ 10 × 10 25.5 -0.6 18.0 15.0 ± 0.15 3.4 KSPDA0144JA KSPDA0143JA 3 Siフォトダイオード S8552, S8553 使用上の注意 S8552・S8553は窓のないパッケージを採用しており、フォトダイオードチップを保護するものがありません。 ・クリーンルーム内で取り扱ってください。 ・フォトダイオードチップ表面、ワイヤ部には絶対に触れないでください。 ・防塵手袋・防塵マスクを着用してください。 ・表面異物・付着物の除去はエアブローで吹き飛ばしてください。 ・洗浄はできません。 紫外線照射時の注意 ・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射 強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を することを推奨します。 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 製品に関する注意事項とお願い ・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意 技術情報 ・ Siフォトダイオード／技術資料 ・ Siフォトダイオード／用語の説明 ・ Siフォトダイオード／信頼性 ・ Siフォトダイオード／応用回路例 本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııIJIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊષIJĮķĮIJIJġĩུྵ୵ర࢙൚రΫσijٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KSPD1050J04 Oct. 2015 DN 4