s8543 kpsd1021j

PSD
1次元PSD
S8543
長受光面、表面実装対応 1次元PSD
S8543は表面実装対応セラミックチップキャリアパッケージを使用した長受光面の1次元PSD (位置検出素子)です。
受光面サイズは0.7 × 24 mmで、優れた位置検出特性を実現しています。
なお、組み合わせて使用する赤外LEDとしてL5586を用意しています。
特長
用途
l 長受光面: 0.7 × 24 mm
l 光ディスク装置のヘッド位置検出
l 表面実装対応チップキャリアパッケージ (厚さ t=1.36 mm) l 測距装置
l 優れた位置検出特性、分解能
l 変位計
l 各種位置検出など
■ 絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
VR Max.
Topr
Tstg
定格値
7
-10 ∼ +75
-20 ∼ +80
単位
V
°C
°C
■ 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
暗電流
上昇時間
端子間容量
電極間抵抗
記号
λ
λp
S
ID
tr
Ct
Rie
位置検出誤差
E
位置分解能
飽和光電流 *3
∆R
Ist
条件
λ=λp
VR=5 V
RL=1 kΩ, VR=5 V
λ=780 nm, 10∼90 %
VR=5 V, f=10 kHz
Vb=0.1 V
λ=900 nm, VR=5 V
φ200 µm *1
Io=1 µA, B=1 kHz *2
VR=5 V
単位
960
0.58
1
Max.
15
-
20
50
µs
100
65
140
130
180
pF
kΩ
-
±50
±250
µm
200
0.6
-
-
µm
µA
Min.
-
Typ.
320 ∼ 1100
nm
nm
A/W
nA
*1: 受光部の中心から端までの 75 %の範囲。
*2: 測定可能な光点最小変位。検出限界を受光面上の距離で示します。PSD を用いた位置検出器の分解能の数値は、PSD の長
さと測定系の雑音に比例し (分解能は低下)、PSD の光電流 (入射エネルギー)に逆比例 (分解能は向上)します。
本データシートには以下の条件における分解能の計算値を記載しています。
周波数帯域: 1 kHz
回路系入力換算雑音電圧: 1 µV (1 kHz)
光電流: 1 µA
電極間抵抗: 標準値 (上記特性表参照)
*3: 光電流の直線性の上限。直線性が 10 %ずれた点での光電流値。
1
1次元
次元PSD
■ 分光感度特性
S8543
■ 暗電流−逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C)
0.7
(Typ. Ta=25 ˚C)
10 nA
0.6
1 nA
0.4
暗電流
受光感度 (A/W)
0.5
0.3
100 pA
0.2
10 pA
0.1
0
200
400
600
800
1 pA
0.01
1000
0.1
1
10
100
逆電圧 (V)
波 長 (nm)
KPSDB0019JA
KPSDB0018JA
■ 端子間容量−逆電圧
■ 位置検出誤差
(Typ. Ta=25 ˚C, f=10 kHz)
10 nF
+240
(Typ. Ta=25 ℃, λ=900 nm,スポット光サイズ:
200 µm)
位置検出誤差 (µm)
端子間容量
1 nF
100 pF
0
10 pF
1 pF
0.01
0.1
1
10
-240
-12 -10 -8 -6
100
逆電圧 (V)
-4
-2
0
+2 +4 +6 +8 +10 +12
PSD上の位置 (mm)
KPSDB0020JA
KPSDB0021JA
■ 外形寸法図 (単位: mm)
36.7 ± 0.35
(1.0)
30.5 ± 0.3
+0.2
1.0-0
(2.0)
24.0
2.54
0.7
Y
X
4.0 ± 0.2
(R0.25)
2.4 ± 0.25
28.5 ± 0.3
受光部
インデックスマーク
0.46
受光面
1.36 ± 0.15
+0.3
1.4-0
拡大図
セラミック
(1.0)
+0.30
(0.1)
(0.1)
(1.1)
1.4-0
アノード (X1)
カソード (共通)
アノード (X2)
カソード (共通)
KPSDA0058JA
2
1次元PSD
S8543
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Oct. 2010 DN
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