s11519 series kapd1028j

赤外高感度 Si APD
S11519シリーズ
近赤外高感度、
MEMS構造を応用
当社は、フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi検出器を開発しまし
た。S11519シリーズは、近赤外域の感度を向上させたSi APDです。
本シリーズは、YAGレーザ (1.06 μm)に対して、従来品S8890シリーズに比べ大幅な高感度化を実現しています。
また、近赤外域での高感度化に加えて、低バイアス動作を実現しました。従来品S8890シリーズに対して、降伏電圧・暗電
流・遮断周波数などの特性を改善しました。
特長
用途
近赤外域で高感度
YAGレーザモニタ
長波長光の検出
高ゲイン
低バイアスで安定動作が可能
一般定格／絶対最大定格
窓材*1
型名
パッケージ
受光面
サイズ*2
TO-5
TO-8
(mm)
φ1.0
φ3.0
S11519-10
K
S11519-30
K
*1: K=硼珪酸ガラス
*2: 増倍作用が得られる範囲
絶対最大定格
動作温度
保存温度
Topr
Tstg
(°C)
(°C)
-20 ～ +85
-55 ～ +125
電気的および光学的特性 (指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)
型名
感度波長
範囲
最大感度
波長*3
λ
λp
(nm)
(nm)
S11519-10
600 ～ 1150
960
S11519-30
*3: 特性表に記載された増倍率での値
降伏電圧
VBR
ID=100 μA
Typ.
Max.
(V)
(V)
350
500
降伏電圧の
温度係数
ID=100 μA
(V/°C)
1.7
暗電流*3
ID
Typ. Max.
(nA) (nA)
3
30
9
90
端子間
容量*3
Ct
遮断
周波数*3
fc
RL=50 Ω
(pF)
(MHz)
2.0
12.0
400
230
過剰雑音
指数*3
x
λ=890 nm
0.3
増倍率
M
λ=890 nm
100
1
S11519シリーズ
Si APD
分光感度特性
(Typ. Ta=25 °C, M=100)
80
70
਋࢕ۜഽ (A/W)
60
50
S11519ΏςȜΒ
40
30
ਲြ຦
S8890ΏςȜΒ
20
10
0
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
KAPDB0182JA
分光感度特性 (量子効率)
(Typ. Ta=25 °C, M=1)
100
ၾঊ࢘ၚ (%)
80
60
S11519ΏςȜΒ
40
ਲြ຦
S8890ΏςȜΒ
20
0
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
KAPDB0189JA
2
S11519シリーズ
Si APD
増倍率－逆電圧
暗電流－逆電圧
(Typ.)
4
10
0 °C
3
10
(Typ. Ta=25 °C)
1 µA
20 °C
100 nA
S11519-30
ճഩၠ
௩෼ၚ
-20 °C
2
10
40 °C
10 nA
1 nA
60 °C
101
100 pA
S11519-10
0
10
100
200
300
400
‫ݙ‬ഩգ (V)
10 pA
100
200
300
400
‫ݙ‬ഩգ (V)
KAPDB0185JA
KAPDB0190JA
端子間容量―逆電圧
(Typ. Ta=25 °C, f=100 kHz)
1 nF
౤ঊ‫ۼ‬ယၾ
100 pF
S11519-30
10 pF
S11519-10
1 pF
100 fF
0
100
200
300
400
‫ݙ‬ഩգ (V)
KAPDB0191JA
3
S11519シリーズ
Si APD
外形寸法図 (単位: mm)
S11519-10
S11519-30
9.1 ± 0.2
13.9 ± 0.2
8.1 ± 0.1
12.35 ± 0.1
5.9 ± 0.1
10.5 ± 0.1
Y
Y
X
X
਋࢕໐
1.0
4.2 ± 0.2
਋࢕໐
3.0
0.45
ςȜΡ஌
5.08 ± 0.2
4.9 ± 0.2
(15)
(2.5)
0.5 max.
0.45
ςȜΡ஌
਋࢕࿂
(20)
0.4 max. (2.5)
਋࢕࿂
7.5 ± 0.2
ΙΛίպ౾ୈഽ
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X, YɅ±0.3
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1.4
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1.5 max.
1.0 max.
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ΙΛίպ౾ୈഽ
΅λΛί͈ಎ૤ͬ‫ܖ‬੔̱͂̀
X, YɅ±0.4
ΉȜΑ
KPINA0024JA
΄ρΑௗ͉Ȃ΅λΛίષ࿂ͤ͢
डఱ0.2 mmେͤષ̦ͥાࣣ̦
̜̳ͤ͘ȃ
KPINA0025JA
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Cat. No.KAPD1028J01 Oct. 2010 DN
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