セレクションガイド 2015.9 Siフォトダイオード 紫 外 ∼ 近 赤 外 域 、放 射 線 に 対 応した ラ イ ン アップ Si PHOTODIODE S i P h o t o d i o d e Siフォトダイオード 紫 外 ∼ 近 赤 外 域 、放 射 線 に 対 応した ラ イ ン アップ Siフォトダイオードのパッケージ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 5 応用例 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 8 Contents 目次 精密測光用Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 9 ・紫外∼近赤外域用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 9 ・紫外∼近赤外域用 (赤外感度抑制タイプ) · · · · · · · · · · · · · · 11 ・紫外モニタ用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 12 ・可視∼近赤外域用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 13 一般測光／可視域用Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · 15 ・可視域用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 15 ・可視∼近赤外域用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 16 高速応答Si PINフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 17 ・遮断周波数:1GHz∼ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 17 ・遮断周波数:100MHz∼1GHz未満 · · · · · · · · · · · · · · · · 18 ・遮断周波数:10MHz∼100MHz未満 · · · · · · · · · · · · · · · 19 1 イメージセンサ 多素子型Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 21 ・分割型Si PINフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 21 ・1次元フォトダイオードアレイ (紫外∼近赤外域用：紫外域高感度タイプ) · · · · · · · · · · · · · · · · · 22 表面実装型Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 23 ・高速応答Si PINフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 23 ・分割型Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 23 ・小型パッケージ Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · 24 ・小型パッケージ Si PINフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · 24 プリアンプ付Siフォトダイオード、電子冷却型Siフォトダイオード · · · 25 ・計測用プリアンプ付Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · 25 ・電子冷却型Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 26 X線検出用Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 27 ・シンチレータ付Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · 27 ・大面積Si PINフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 29 特殊用途Siフォトダイオード · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 31 ・RGBカラーセンサ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 31 ・紫・青色高感度タイプ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 33 ・真空紫外 (VUV)モニタ用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 34 ・真空紫外高信頼性タイプ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 34 ・単一波長検出用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 35 ・YAGレーザ検出用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 35 ・赤外高感度タイプ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 36 ・電子線検出器用 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 36 ・CSPタイプ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 37 Siフォトダイオード応用製品 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 38 ・RGBカラーセンサモジュール · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 38 ・カラーセンサ評価回路 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 38 ・Siフォトダイオードアレイ用駆動回路 · · · · · · · · · · · · · · · 39 ・フォトダイオードモジュール · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 39 ・フォトダイオードモジュール用信号処理ユニット · · · · · · · 39 ・フォトセンサアンプ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 40 ・チャージアンプ · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 41 用語説明 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 42 動作原理、等価回路 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 43 · · · · · · 44 応用回路例 · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · ·イメージセンサ 2 Siフォトダイオード フォトダイオードは、光半導体のPN接合部に光を照射すると電流や電圧を発生する受光素子です。広い意味では太陽電池も含み ますが、通常は光の強弱の変化を精密に検出するセンサを意味します。Siフォトダイオードには、機能・構造で区別すると以下のも のがあります。 ・ Siフォトダイオード ・ Si PINフォトダイオード ・ Si APD (アバランシェ・フォトダイオード) これらは、いずれも次のような特長を備え、光の有無・強弱・色などの検知に幅広く使用されます。 ・ 入射光に対する出力直線性が優れている ・ ノイズが小さい ・ 感度波長範囲が広い ・ 機械的強度が高い ・ 小型・軽量 ・ 長寿命 当社独自の半導体プロセス技術を生かしたSiフォトダイオードは、近赤外から紫外・高エネルギーまでの波長域にわたり、高速・ 高感度・低ノイズを特長としています。医療・分析・科学計測から光通信・民生機器まで幅広い用途に用いられています。また、メ タル・セラミック・プラスチックから表面実装型まで多様なパッケージをそろえて、幅広くカスタムデザインに対応しています。 浜松ホトニクスのSiフォトダイオード タイプ 特長 製品例 Siフォトダイオード 紫外〜近赤外域用 可視〜近赤外域用 ● 可視域用 高 感 度・低ノイズ を 特 長とした 精 密 測 光 用、一 般 測 光 ／ 可 視 域 用 の ● RGBカラーセンサ ● 単一波長検出用 フォトダイオードです。 ● 真空紫外 (VUV)検出用 ● 電子線検出器用 ● 赤外高感度型 Si PINフォトダイオード 任意の逆電圧を印加することにより、優れた応答特性を実現する高速 フォトダイオードです。光ファイバ通信や光ピックアップなどの用途に 適しています。 多素子型Siフォトダイオード 1パッケージ内に、複 数の受 光 部を配列したフォトダイオードです。光 ● 分割型 ●1次元型 の位置検出や分光光度計などの幅広い用途に応用できます。 プリアンプ付Siフォトダイオード、 電子冷却型Siフォトダイオード プリアンプ付Siフォトダイオードは、1パッケージ内にフォトダイオード とプリアンプが内蔵されているため、外来ノイズに強く、コンパクトな 回路設 計が 可能になります。電子冷却型は、パッケージ内に電子冷却 素子を内蔵しているため、優れたS/Nを実現しています。 X線検出用Siフォトダイオード Siフォトダイオードとシンチレータを組み合わせた製品です。 X線手荷物検査／非破壊検査装置用に適しています。 Si APD* 内部増倍機能をもった高速・高感度のフォトダイオードです。 微弱な信号の測定が可能です。 ● ● 遮断周波数: 1 GHz〜 遮断周波数: 100 MHz〜1 GHz未満 ● 遮断周波数: 10 MHz〜100 MHz未満 ●YAGレーザ検出用 ● ● ● ● ● 分析／計測用 シンチレータ付 大面積型 近赤外タイプ 短波長タイプ ● 多素子タイプ ● ● RGBカラーセンサモジュール カラーセンサ評価回路 ● Siフォトダイオードアレイ用駆動回路 ●フォトダイオードモジュール ●フォトダイオードモジュール用信号処理ユ ニット ●フォトセンサアンプ ● チャージアンプ ● ● フォトダイオード応用製品 フォトダイオード用回路などのモジュールです。 * 本カタログには掲載していません。(Si APDセレクションガイド参照) 注) スポット光の入射位置を検出するPSD (位置検出素子)も用意しています。PSDは、フォトダイオードの表面抵抗を利用した非分割型の受光素子です。 3 Siフォトダイオード 分光感度特性 (Siフォトダイオード) 分光感度特性 (代表例) 200 nm〜1200 nmにおいてさまざまな感度波長範囲をもったラインアップを用意しています。 S1226/S1336-8BQ, S1227/S1337-1010BR (Typ. Ta=25 °C) 0.8 QE=100% S1336-8BQ (紫外∼近赤外域用) 0.7 受光感度 (A/W) 0.6 S1337-1010BR (紫外∼近赤外域用) 0.5 0.4 0.3 0.2 S1226-8BQ (赤外感度抑制タイプ) 0.1 0 トダイオード) 分光感度特性 (Siフォ 200 300 400 S1227-1010BR (赤外感度抑制タイプ) 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 波長 (nm) KSPDB0300JC S3590-19, S11499, S9219 (Typ. Ta=25 °C) 0.8 QE=100% 0.7 受光感度 (A/W) 0.6 0.5 KSPDB0300JC S11499シリーズ (赤外高感度タイプ) S3590-19 (紫色高感度タイプ) 0.4 0.3 S9219 (視感度補正タイプ) 0.2 0.1 0 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 波長 (nm) KSPDB0301JB Siフォトダイオード 4 Siフォトダイオードのパッケージ メタル、セラミック、プラスチックなど幅広いパッケージを用意しています。 精密測光用Siフォトダイオード タイプ 紫外〜近赤外域用 紫外〜近赤外域用 (赤外感度抑制タイプ ) 紫外モニタ用 可視〜近赤外域用 型名 ページ メタル S1336シリーズ 9 ○ S1337シリーズ (S1337-21 除く) 9 セラミック プラスチック ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き 備考 ○ S1337-21 10 ○ S2551 10 ○ S2281シリーズ 10 S1226シリーズ 11 未封止 ○ ○ S1227シリーズ 11 S2281-01 11 ○ S12698シリーズ 12 ○ S2386シリーズ 13 ○ S2387シリーズ 14 ○ ○ 一般測光／可視域用Siフォトダイオード タイプ 視感度補正 可視域用 CIE標準 比視感度近似 可視〜近赤外域用 型名 ページ S1087, S1133 S8265 15 S1787-04 15 S9219 15 S9219-01 15 S7686 15 S1787-12, S4797-01 S4011-06DS S1787-08, S2833-01 16 S1133-14, S1087-01 S1133-01 16 メタル セラミック プラスチック ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き 備考 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 高速応答Si PINフォトダイオード タイプ 遮断周波数: 1 GHz〜 遮断周波数: 100 MHz〜1 GHz未満 遮断周波数: 10 MHz〜100 MHz未満 型名 ページ メタル セラミック プラスチック S5973/S9055シリーズ 17 ○ S5971, S3399 S3883, S5972 18 ○ S10783, S10784 18 ○ S6775/S8385/ S8729/S2506シリーズ S6967, S4707-01 S6801-01 19 ○ S5821/S1223シリーズ S3071, S3072 S12271 20 ○ 型名 ページ メタル S3096-02, S4204 S9345 21 ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き 備考 ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き 備考 多素子型Siフォトダイオード タイプ 分割型Si PINフォトダイオード 1次元フォトダイオードアレイ 5 Siフォトダイオード S4349 21 S4111/S4114シリーズ 22 S11212-021 S11299-021 22 セラミック プラスチック ○ ○ ○ ○ 未封止 Siフォトダイオードのパッケージ 表面実装型Siフォトダイオード メタル セラミック プラスチック ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き タイプ 型名 ページ 備考 高速応答Si PINフォトダイオード S5106, S5107 S7509, S7510 23 ○ 表面実装型 分割型Siフォトダイオード S5980, S5981 S5870, S8558 23 ○ 表面実装型 小型パッケージ Siフォトダイオード S9674 S10625-01CT 24 ○ 表面実装型 小型パッケージ Si PINフォトダイオード S10993-02CT S12158-01CT 24 ○ 表面実装型 プリアンプ付Siフォトダイオード、電子冷却型Siフォトダイオード タイプ 計測用プリアンプ付 Siフォトダイオード 電子冷却型 Siフォトダイオード 型名 ページ メタル S8745-01, S8746-01 S9295シリーズ 25 ○ S9269, S9270 25 S2592/S3477シリーズ 26 ○ 型名 ページ メタル セラミック プラスチック ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き 備考 プラスチック ガラス エポキシ BNCコネクタ 付き 備考 ○ X線検出用Siフォトダイオード タイプ シンチレータ付 Siフォトダイオード 大面積 Si PINフォトダイオード セラミック S8559, S8193 27 S11212/S11299シリーズ 27 ○ S3590シリーズ S8650 29 ○ S2744/S3204/ S3584/S3588シリーズ 30 ○ シンチレータ付き ○ シンチレータ付き 特殊用途Siフォトダイオード タイプ RGBカラーセンサ 紫・青色高感度タイプ 真空紫外 (VUV)モニタ用 真空紫外高信頼性タイプ 型名 ページ S7505-01, S9032-02 S9702 31 S10917-35GT S10942-01CT 31 S6428-01, S6429-01 S6430-01 32 S5973-02, S9195 33 メタル BNCコネクタ 付き 備考 表面実装型 表面実装型 ○ ○ S3994-01 33 ○ S8552, S8553 34 ○ 未封止 ○ 未封止 ○ 未封止 34 35 ○ YAGレーザ検出用 S3759 35 ○ 赤外高感度タイプ S11499シリーズ S12028 36 ○ S11141-10, S11142-10 36 S10356-01 S10355-01 37 CSPタイプ ガラス エポキシ ○ S10043 電子線検出器用 プラスチック ○ S12742-254 単一波長検出用 セラミック ○ 未封止 Siフォトダイオード 6 多様なパッケージ 当社では、さまざまな市場 のニーズに応えるため、多様なパッケージを用意しています。メタルパッケージは、高信 頼性を必要 とされる用途で広く使われています。一般的な用途にはセラミックパッケージ、低コストを要求される用途にはプラスチックパッ ケージが使われています。 また、同軸ケーブルと接続が容易なBNCコネクタ付き、リフローはんだ付けに対応した表面実装型、X線や放射線を可視光に変 換して検出するシンチレータ付きなども取りそろえています。 メタル セラミック プラスチック BNCコネクタ付き 表面実装型 シンチレータ付き ガラスエポキシ 実装技術 浜松ホトニクス 固体事業部は、実装技術を応用し、さまざまな光半導体デバイスを開発・製造しています。 以下にSiフォトダイオードの実装技術を紹介します。 フリップチップボンディング CSP (Chip Size Package) 光半導体素子の実装技術としては、チップのダイボンディン CSP型フォトダイオードは、チップと基板をバンプ電極で接 グ、ワイヤボンディングという2段階の実装方法に加え、図1に 続するため、パッケージ面積に対してデッドエリアが少なく、受 示すようなフリップチップ実装も行っています。 光半導体素子の信号をワイヤから取り出すと、寄生する容 量やインダクタンスが問題となることがあります。これらを 防ぎ、その上で小型化を実現するために、チップを直接パッ フォトダイオードチップ ケージや I Cチップ などに バ ンプ を 用いて 接 合するのが フ 光面 積を有 効に取ることができます。また、複 数のデバイスを タイル状に密接に並べて使 用することも可能です。ワイヤがな いため、シンチレータとのカップリングも容易です。 図2 CSP型フォトダイオードの写真、断面図 Siチップ リップチップボンディングです。 フォトダイオードチップ バンプ アンダーフィル樹脂 バンプ 図1 バンプ フリップチップボンディングの例 基板 (PWB) パッケージの実装面 (a) 基板へ実装 (b) アンプへ実装 パッケージの実装面 フォトダイオードチップ フォトダイオードチップ はんだボール KSPDC0065JA フォトダイオードチップ バンプ バンプ バンプ アンプチップ パッケージの実装面 アンプチップ フォトダイオードチップ (c) フォトダイオードチップへアンプを実装 アンプチップ アンプチップ バンプ バンプ バンプ アンプチップ Siフォトダイオードチップ アンプチップ Siフォトダイオードチップ KSPDC0060JA 7 Siフォトダイオード バンプ KSPDC0065JA 液晶バックライト色調整 光パワーメータ 応用例 当社のSiフォトダイオードの応用例を紹介します。 光パワーメータ 液晶バックライト色調整 RGBカラーセンサ 大面積Si PIN フォトダイオード RGB-LED KSPDC0082JA KSPDC0077JA 光学系配置図 レーザダイオードやLEDなどの 各種 光 源の 光 量を 測 定するた 液晶バックライト導光板のホワイトバランスをRGBカラーセンサが めに、大面積Si PINフォトダイオードが使用されています。 検出し、RGB-LEDの光量を制御して、液晶バックライトの色を 安定化させます。 分光分析器 日射センサ Si PINフォトダイオード フォーカスレンズ 透過グレーティング Siフォトダイオード アレイ KSPDC0082JA コリメートレンズ 入射スリット 放射線検出器 KSPDC0077JA KSPDC0079JA KSPDC0080JA 日射量を検出し、車載オートエアコンの風量を制御するために 分 光 分析器において、グレーティング(回析格 子)を介して波 長 Siフォトダイオードが使用されています。 ごとに分けられた光の検出にSiフォトダイオードアレイが用い られています。 放射線検出器 手荷物検査装置 X 線源 低エネルギー X線 被検査物 高エネルギー X線 コンベア シンチレータ付 Si PINフォトダイオード ドライヤーの撮像例 シンチレータ付 Siフォトダイオード KSPDC0081A KSPDC0078JA γ 線などの放射線 量 測定に用いられる検出器に、シンチレータ 手荷物検査装置で、物質の種類・厚みの情報を取得するための 付Si PINフォトダイオードが使われています。 デュアルエナジーイメージングにおいて、シンチレータ付Siフォ トダイオードが使われています。 Siフォトダイオード 8 精密測光 用Siフォトダイオード 紫外〜近赤外域用 紫外から近赤外域までに感度をもつフォトダイオードです。分析などの微弱光検出に適しています。 型名 感度波長範囲 受光感度 (A/W) (nm) λ=200 nm λ=960 nm S1336-18BQ*1 190 〜 1100 0.12 S1336-18BK 320 〜 1100 - S1336-5BQ*1 190 〜 1100 0.12 S1336-5BK 320 〜 1100 - S1336-44BQ*1 190 〜 1100 0.12 S1336-44BK 320 〜 1100 - S1336-8BQ*1 190 〜 1100 0.12 S1336-8BK 320 〜 1100 - S1337-16BQ*1 190 〜 1100 0.12 0.5 S1337-16BR 340 〜 1100 - 0.62 S1337-33BQ*1 190 〜 1100 0.12 0.5 S1337-33BR 340 〜 1100 - 0.62 S1337-66BQ*1 190 〜 1100 0.12 0.5 S1337-66BR 340 〜 1100 - 0.62 0.12 0.5 - 0.62 1 190 〜 1100 S1337-1010BQ* 分光感度特性 S1337-21 その他 S1337-1010BR 340 〜 1100 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz (pF) 受光面サイズ 20 20 1.1 × 1.1 30 65 2.4 × 2.4 50 150 3.6 × 3.6 100 380 5.8 × 5.8 ( Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 (mm) TO-18 0.5 TO-5 50 TO-8 1.1 × 5.9 65 30 2.4 × 2.4 セラミック 100 380 200 1100 5.8 × 5.8 S1336-BK, S1337-BR 10 × 10 *1: 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 分光感度特性 S1336-BQ, S1337-BQ S1336-BK, S1337-BR (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 0.6 QE=100% 0.5 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.5 0.4 S1336-BQ S1337-BQ 0.3 0.2 0 190 QE=100% 0.4 S1337-BR 0.3 S1336-BK 0.2 0.1 暗電流ー逆電圧 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.1 暗電流 - 逆電圧 400 600 800 0 190 1000 400 600 波長 (nm) 800 1000 波長 (nm) KSPDB0262JF KSPDB0309JA 暗電流−逆電圧 S1336シリーズ S1337シリーズ (Typ. Ta=25 ˚C) 10 nA S1336-8BQ/BK KSPDB0309JA S1337-66BQ/BR KSPDB0262JF 1 nA (Typ. Ta=25 ˚C) 10 nA 1 nA S1337-1010BQ/BR 100 pA 暗電流 暗電流 100 pA 10 pA 10 pA S1336-18BQ/BK 1 pA 100 fA 0.01 S1336-44BQ/BK 1 逆電圧 (V) 9 Siフォトダイオード 1 pA S1336-5BQ/BK 0.1 S1337-16BQ/BR S1337-33BQ/BR 100 fA 0.01 10 KSPDB0100JB 0.1 1 逆電圧 (V) 10 KSPDB0104JB 精密測光用Siフォトダイオード ( Typ. Ta=25 °C) 型名 感度波長範囲 受光感度 (A/W) (nm) λ=200 nm λ=960 nm 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz (pF) 受光面サイズ S1337-21*2 190 〜 1100 0.13 0.52 500 4000 18 × 18 セラミック (未封止) S2551 340 〜 1060 - 0.6 (λ=920 nm) 1000 350 1.2 × 29.1 セラミック 写真 ϕ11.3 S2281*2 *3 190 〜 1100 S1337-21 パッケージ (mm) 0.12 0.5 500 1300 BNCコネクタ付 ϕ7.98 S2281-04*2 *3 分光感度特性 *2: 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 *3: フォトセンサアンプ C9329に接続することによって (BNC-BNC 同軸ケーブル E2573を使用)、微弱な光電流を低ノイズで増幅することができます。 分光感度特性 S1337-21 S2551 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.7 0.6 0.6 0.4 0.3 0.2 0.1 暗電流-逆電圧 S1337-21 0.5 QE=100% 受光感度 (A/W) 0.5 QE=100% (Typ. Ta=25 °C) 0.7 0.6 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.5 S2281, S2281-04 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.4 0.3 QE=100% 0.4 0.3 0.2 0.2 0.1 暗電流−逆電圧 S2281,S2281-04 0.1 暗電流-逆電流 S2551 0 190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) 波長 (nm) 波長 (nm) KSPDB0304JA KSPDB0173JB KSPDB0270JA 暗電流−逆電圧 S1337-21 S2551 (Typ. Ta=25 ˚C) 100 nA S2281, S2281-04 (Typ. Ta=25 ˚C) 100 nA 10 nA (Typ. Ta=25 ˚C) 100 nA KSPDB0304JA KSPDB0270JA 10 nA 10 nA KSPDB0173JB 1 nA 1 nA 100 pA 暗電流 暗電流 暗電流 1 nA 100 pA 10 pA 10 pA 10 pA 1 pA 100 fA 0.01 100 pA 0.1 1 逆電圧 (V) 1 pA 0.01 10 1 pA 0.1 1 10 100 100 fA 0.01 逆電圧 (V) KSPDB0305JA 1 逆電圧 (V) KSPDB0175JB KSPDB0305JA 0.1 KSPDB0175JB 10 KSPDB0271JB KSPDB0271JB Siフォトダイオード 10 紫外〜近赤外域用 (赤外感度抑制タイプ) 赤外域の感度を抑制したタイプのフォトダイオードです。分析などの微弱光検出に適しています。 型名 感度波長範囲 受光感度 (A/W) (nm) λ=200 nm λ=720 nm S1226-18BQ*1 190 〜 1000 0.12 S1226-18BK 320 〜 1000 - S1226-5BQ*1 190 〜 1000 0.12 S1226-5BK 320 〜 1000 - S1226-44BQ*1 190 〜 1000 0.12 S1226-44BK 320 〜 1000 - S1226-8BQ*1 190 〜 1000 0.12 S1226-8BK 320 〜 1000 - S1227-16BQ*1 190 〜 1000 0.12 0.36 S1227-16BR 340 〜 1000 - 0.43 S1227-33BQ*1 190 〜 1000 0.12 0.36 S1227-33BR 340 〜 1000 - 0.43 S1227-66BQ*1 190 〜 1000 0.12 0.36 S1227-66BR 340 〜 1000 - 0.43 S1227-1010BQ*1 190 〜 1000 0.12 0.36 S1227-1010BR 340 〜 1000 - 0.43 0.12 0.36 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz (pF) 受光面サイズ 2 35 1.1 × 1.1 5 160 2.4 × 2.4 10 500 3.6 × 3.6 20 1200 5.8 × 5.8 170 1.1 × 5.9 160 2.4 × 2.4 ( Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 (mm) TO-18 TO-5 0.36 TO-8 5 セラミック 20 950 5.8 × 5.8 50 3000 10 × 10 300 3200 分校感度特性 分校感度特性 190 〜 1000 S2281-01*1 ϕ11.3 BNCコネクタ付 *1: 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 分光感度特性 S1226-BK, S1227-BR S1226-BQ, S1227-BQ (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.7 QE=100% 0.6 S1227-BR 0.3 0.4 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0 190 400 600 800 波長 (nm) 0.5 受光感度 (A/W) S1226-BQ S1227-BQ 0.4 0.3 0.2 0.1 S1226-BK 0 190 1000 QE=100% 0.6 0.5 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.4 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 QE=100% 0.6 0.5 S2281-01 (Typ. Ta=25 °C) 400 600 800 波長 (nm) KSPDB0263JF 0 190 1000 400 600 800 波長 (nm) KSPDB0308JA 1000 KSPDB0320JA 暗電流−逆電圧 S1226シリーズ S1227シリーズ (Typ. Ta=25 ˚C) 1 nA 1 nA S1227-1010BQ/BR KSPDB0263JF 100 pA 100 pA S2281-01 (Typ. Ta=25 ˚C) (Typ. Ta=25 ˚C) 1 nA KSPDB0320JA KSPDB0308JA100 pA S1227-66BQ/BR S1226-8BQ/BK 10 pA 1 pA 1 pA 1 逆電圧 (V) 11 Siフォトダイオード 1 pA S1227-16BQ/BR S1226-18BQ/BK 0.1 10 pA S1227-33BQ/BR S1226-5BQ/BK 100 fA 0.01 暗電流 暗電流 暗電流 S1226-44BQ/BK 10 pA 10 KSPDB0275JC 100 fA 0.01 0.1 1 逆電圧 (V) 10 KSPDB0096JB 100 fA 0.01 0.1 1 逆電圧 (V) 10 KSPDB0321JA 精密測光用Siフォトダイオード 紫外モニタ用 S12698シリーズは、樹脂を使用しない構造を採用することで、紫外線に対して高い信頼性を実現したSiフォトダイオードです。 紫外線照射による感度劣化が少なく、強力な紫外光源のモニタなどの用途に適しています。 受光感度 λ=λp 型名 (A/W) 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 受光面サイズ 10 1.1 × 1.1 TO-18 30 紫外線照射による分光感度の変化 2.4 × 2.4 TO-5 100 5.8 × 5.8 TO-8 S12698*2 分光感度特性 0.38 S12698-01*2 ( Typ. Ta=25 °C) S12698-02*2 パッケージ 写真 (mm) *2: 紫外線照射時の注意 ① (P.48)参照 分光感度特性 紫外線照射による分光感度の劣化 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.4 110 (Typ. Ta=25 ˚C, D2ランプ: 30 W, 照射距離: 約70 mm, 照射時間: 1000 h) 100 90 変化率 (%) 受光感度 (A/W) 0.3 0.2 S12698シリーズ 80 従来品 70 60 50 0.1 40 0 200 400 600 800 1000 30 200 1200 300 400 500 600 波長 (nm) 波長 (nm) KSPDB0350JA KSPDB0350JA KSPDB0355JA KSPDB0355JA Siフォトダイオード 12 可視〜近赤外域用 可視〜赤外域に感度をもち、近赤外域で高感度を実現しています。 ( Typ. Ta=25 °C) 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz (pF) 受光面サイズ 2 140 1.1 × 1.1 5 730 2.4 × 2.4 S2386-44K 20 1600 3.6 × 3.6 S2386-45K 30 2300 3.9 × 4.6 S2386-8K 50 4300 5.8 × 5.8 型名 感度波長範囲 受光感度 λ=960 nm (nm) (A/W) パッケージ 写真 (mm) S2386-18K TO-18 S2386-18L S2386-5K 320 〜 1100 0.6 分光感度特性 TO-8 暗電流−逆電圧 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 TO-5 (Typ. Ta=25 ˚C) 1 nA QE=100% 100 pA S2386-8K 10 pA 0.4 暗電流 受光感度 (A/W) 0.5 0.3 0.2 100 fA 0.1 0 300 400 500 600 700 800 10 fA 0.01 900 1000 1100 波長 (nm) KSPDB0272JE Siフォトダイオード S2386-18K/-18L/-5K/-44K/-45K 0.1 1 10 100 逆電圧 (V) KSPDB0272JE 13 1 pA KSPDB0113JE KSPDB0113JB 精密測光用Siフォトダイオード ( Typ. Ta=25 °C) 型名 感度波長範囲 受光感度 λ=960 nm (nm) (A/W) 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz (pF) 受光面サイズ S2387-16R 写真 1.1 × 5.9 5 730 S2387-33R 2.4 × 2.4 S2387-66R 50 4300 5.8 × 5.8 S2387-1010R 200 12000 10 × 10 S2387-130R 100 5000 1.2 × 29.1 340 〜 1100 0.58 分光感度特性 セラミック 暗電流−逆電圧 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 パッケージ (mm) (Typ. Ta=25 ˚C) 1 nA S2387-1010R QE=100% 100 pA S2387-66R 10 pA 0.4 暗電流 受光感度 (A/W) 0.5 0.3 S2387-130R 1 pA 0.2 100 fA 0.1 0 300 400 500 600 700 800 10 fA 0.01 900 1000 1100 波長 (nm) S2387-16R/-33R 0.1 1 10 100 逆電圧 (V) KSPDB0356JA KSPDB0356JA KSPDB0117JC KSPDB0117JB Siフォトダイオード 14 一 般 測光／可 視 域 用Siフォトダイオード 可視域用 可視域に感度をもつフォトダイオードです。 型名 ( Typ. Ta=25 °C) 感度波長範囲 最大感度波長 受光感度 λ=λp (nm) (nm) (A/W) 暗電流 V R =1 V max. (pA) 受光面サイズ パッケージ 写真 (mm) フィルタタイプ (汎用) 視感度補正フィルタを付けたタイプです。S8265は、S1133の高耐湿性タイプです。 S1087 1.3 × 1.3 320 〜 730 560 10 セラミック S1133 2.4 × 2.8 0.3 S8265 340 〜 720 540 20 2.4 × 2.8 セラミック S1787-04 320 〜 730 560 10 2.4 × 2.8 プラスチック 0.24 500 (VR=10 mV) ϕ11.3 BNC コネクタ付 0.22 50 (VR=10 mV) 3.6 × 3.6 TO-5 0.38 20 2.4 × 2.8 セラミック フィルタタイプ (CIE標準比視感度近似) S9219 380 〜 780 550 S9219-01 S7686 480 〜 660 分光感度特性 S1087, S1133, S1787-04, S8265 S9219シリーズ, S7686 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.4 90 QE=100% 80 0.3 70 S8265 相対感度 (%) 受光感度 (A/W) (Typ. Ta=25 ˚C) 100 0.2 S1087 S1133 S1787-04 0.1 60 50 40 S9219シリーズ (垂直入射) 30 20 CIE標準 比視感度 10 0 200 300 400 500 600 700 800 0 300 900 500 600 700 800 900 波長 (nm) 波長 (nm) KSPDB0277JB 15 400 S7686 (垂直入射) KSPDB0285JD Siフォトダイオード KSPDB0277JB KSPDB0285JD 一般測光／可視域用Siフォトダイオード 可視〜近赤外域用 可視〜近赤外域に感度をもつフォトダイオードです。 型名 ( Typ. Ta=25 °C) 感度波長範囲 最大感度波長 受光感度 λ=λp (nm) (nm) (A/W) 650 0.35 S1787-12 暗電流 V R =1 V max. (pA) 受光面サイズ パッケージ 写真 (mm) 2.4 × 2.8 プラスチック S4797-01 320 〜 1000 20 720 1.3 × 1.3 0.4 S1133-14 2.4 × 2.8 S4011-06DS 1.3 × 1.3 セラミック S1787-08 プラスチック 2.4 × 2.8 S2833-01 320 〜 1100 960 0.58 10 S1087-01 1.3 × 1.3 セラミック S1133-01 2.4 × 2.8 分光感度特性 S1787-12, S4797-01, S1133-14 S4011-06DS, S1787-08, S2833-01, S1087-01, S1133-01 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 0.6 QE=100% QE=100% 0.5 S4797-01 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.5 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.4 0.3 0.2 S1787-12 0.1 0 300 400 600 700 0.3 0.2 0.1 S1133-14 500 0.4 800 0 300 900 1000 1100 波長 (nm) 400 500 600 700 800 波長 (nm) KSPDB0279JF KSPDB0279JF 900 1000 1100 KSPDB0286JD KSPDB0286JD Siフォトダイオード 16 高 速 応 答Si PINフォトダイオード 遮断周波数: 1 GHz〜 低バイアスにて優れた広帯域特性を実現しており、光通信のほか、高速測光などに適しています。 型名 受光感度 (A/W) 端子間容量 f=1 MHz 遮断周波数 受光面サイズ (GHz) (mm) λ=780 nm λ=830 nm (pF) 1 (VR=3.3 V) ϕ0.4 0.51 0.47 1.6 (VR=3.3 V) ( Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 S5973 S5973-01 TO-18 1.5 (VR=2 V) S9055 0.8 (VR=2 V) ϕ0.2 0.35 2 (VR=2 V) S9055-01 0.25 0.5 (VR=2 V) ϕ0.1 分光感度特性 端子間容量−逆電圧 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.6 (Typ. Ta=25 ˚C) 10 pF QE=100% S5973/-01 0.4 端子間容量 受光感度 (A/W) 0.5 0.3 S5973シリーズ 0.2 S9055 1 pF S9055-01 0.1 S9055シリーズ 0 300 400 500 600 700 800 900 100 fF 0.1 1000 1 波長 (nm) 100 10 逆電圧 (V) KPINB0326JB KPINB0332JA 周波数特性 S5973, S5973-01 S9055シリーズ ［ λ=410 nm ］ 5 (Typ. Ta=25 ˚C, λ=830 nm, VR=3.3 V, RL=50 Ω) 5 ［ λ=830 nm ］ (Typ. Ta=25 ˚C, VR=2 V, RL=25 Ω) KPINB0326JB (Typ. Ta=25 ˚C, VR=2 V, RL=25 Ω) KPINB0332JA 5 S9055-01 -5 10 MHz 100 MHz 1 GHz -5 -15 100 kHz 10 GHz 周波数 S9055 -3 -5 KPINB0298JA S9055 -10 1 MHz 10 MHz 100 MHz 1 GHz 10 GHz -15 100 kHz 周波数 KPINB0298JA Siフォトダイオード -3 -10 -10 17 0 相対出力 (dB) -3 -15 1 MHz S9055-01 0 相対出力 (dB) 相対出力 (dB) 0 1 MHz 10 MHz 100 MHz 1 GHz 10 GHz 周波数 KPINB0277JB KPINB0278JB KPINB0277JB KPINB0278JB 高速応答Si PINフォトダイオード 遮断周波数: 100 MHz〜1 GHz未満 広い受光面サイズ (ϕ0.8〜 ϕ3 mm)をもち、優れた周波数特性を実現したSi PINフォトダイオードです。 型名 受光感度 (A/W) 端子間容量 f=1 MHz 遮断周波数 受光面サイズ (MHz) (mm) λ=660 nm λ=780 nm (pF) ϕ1.2 0.44 0.55 3 (VR=10 V) S5971 (Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 TO-18 100 (VR=10 V) 20 (VR=10 V) ϕ3 S3399 0.45 300 (VR=20 V) S3883 0.58 TO-5 6 (VR=20 V) ϕ1.5 ϕ0.8 S10783 0.46 0.52 プラスチック 300 (VR=2.5 V) 4.5 (VR=2.5 V) ϕ3 0.45 0.51 ϕ0.8 0.44 0.55 S10784 500 (VR=10 V) S5972 レンズ付 プラスチック 3 (VR=10 V) TO-18 分光感度特性 S5971, S3399, S3883 S10783, S10784 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 QE=100% 0.6 0.6 S10783 0.5 S5971 0.3 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.4 0.4 S10784 0.3 0.2 0 300 400 500 600 700 800 0.3 0.2 0.1 0.1 0 300 900 1000 1100 400 500 600 700 800 0 300 900 1000 1100 QE=100% 0.4 0.2 S3399, S3883 0.1 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.5 0.5 受光感度 (A/W) (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 QE=100% 0.6 S5972 400 500 波長 (nm) 600 700 800 900 1000 波長 (nm) 波長 (nm) KPINB0316JC KPINB0355JC KPINB0315JD 端子間容量−逆電圧 S5971, S3399, S3883 S10783, S10784 (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 100 pF KPINB0316JC 100 pF S5972 (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) KPINB0355JC (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 100 pF KPINB0315JD S3399 10 pF 端子間容量 端子間容量 端子間容量 S3883 10 pF 10 pF S5971 1 pF 0.1 1 10 1 pF 0.1 100 1 10 100 1 pF 0.1 KPINB0341JC 10 100 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) 1 KPINB0358JC KPINB0338JB Siフォトダイオード KPINB0341JC KPINB0358JC 18 KPINB0338JB 遮断周波数: 10 MHz〜100 MHz未満 低価格を実現したプラスチックパッケージや可視光カットタイプなど、さまざまなタイプを用意しています。 型名 遮断周波数 受光面サイズ (MHz) (mm) S6775 15 (VR=10 V) S6967 50 (VR=10 V) S6775-01 15 (VR=10 V) 受光感度 (A/W) λ=660 nm 端子間容量 f=1 MHz λ=780 nm 0.55 写真 0.54 (λ=830 nm) 0.68 (λ=λp) 0.4 0.48 50 (VR=10 V) 5.5 × 4.8 40 (VR=10 V) 12 (VR=5 V) 2×2 S8385-04 0.44 (λ=830 nm) 0.56 (λ=λp) 0.45 0.55 25 (VR=5 V) S8729 パッケージ (pF) 40 (VR=10 V) 0.45 S8385 ( Typ. Ta=25 °C) プラスチック 0.52 (λ=830 nm) 0.68 (λ=λp) S8729-10 0.45 0.55 S2506-02 0.4 0.48 2 × 3.3 S8729-04 25 (VR=12 V) 16 (VR=5 V) 15 (VR=12 V) 2.77 × 2.77 S2506-04 0.25 (λ=830 nm) 0.56 (λ=λp) S4707-01 20 (VR=10 V) 2.4 × 2.8 0.4 0.48 14 (VR=10 V) S6801-01 15 (VR=10 V) ϕ14 (レンズ径) 0.52 (λ=830 nm) 0.65 (λ=λp) 50 (VR=10 V) ϕ14 mm レンズ付 プラスチック 分光感度特性 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.6 S8729 S8729-10 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.5 0.4 0.3 S8385-04 S8385 0.1 500 600 700 800 0 300 900 1000 1100 波長 (nm) S6967 400 500 600 700 800 0.3 0 300 900 1000 1100 S6801-01 S4707-01 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KPINB0167JF KPINB0167JF Siフォトダイオード 0.4 0.1 KPINB0324JE 19 0.5 0.2 S2506-04 波長 (nm) KPINB0324JE QE=100% 0.6 S2506-02 0.3 0.1 400 0.7 QE=100% 0.4 0.2 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 S6775-01 0.5 0.2 0 300 S6775 0.7 QE=100% S4707-01, S6801-01 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 S8729-04 0.7 0.6 S6775/S6967/S2506シリーズ 受光感度 (A/W) S8385/S8729シリーズ KPINB0354JB KPINB0354JB 高速応答Si PINフォトダイオード ( Typ. Ta=25 °C) 型名 遮断周波数 受光面サイズ (MHz) (mm) 受光感度 (A/W) 端子間容量 f=1 MHz λ=660 nm λ=780 nm (pF) 0.45 0.52 3 (VR=10 V) パッケージ 写真 S5821 ϕ1.2 S5821-02 25 (VR=10 V) TO-18 S5821-01 ϕ4.65 (レンズ径) S5821-03 S1223 30 (VR=20 V) 2.4 × 2.8 S1223-01 20 (VR=20 V) 3.6 × 3.6 20 (VR=20 V) S3072 45 (VR=24 V) ϕ3 7 (VR=24 V) 0.45 0.52 0.47 40 (VR=24 V) S3071 10 (VR=20 V) TO-5 0.54 18 (VR=24 V) ϕ5 TO-8 60 (VR=100 V) S12271* 0.5 (λ=960 nm) ϕ4.1 分光感度特性 (S12271) 10 (VR=100 V) * 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 分光感度特性 S5821シリーズ, S3071, S3072 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 QE=100% 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.4 S3071, S3072 0.3 S5821シリーズ 0.2 0.6 QE=100 % QE=100% 400 500 600 700 800 0.5 0.4 0.3 0.1 0.4 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0 300 900 1000 1100 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.5 0.5 0 300 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 受光感度 (A/W) 0.6 S12271 S1223シリーズ 400 500 600 波長 (nm) 700 800 0 端子間容量―逆電圧 (S12271) 190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 900 1000 1100 波長 (nm) 波長 (nm) KPINB0335JB KPINB0143JC KPINB0386JB 端子間容量ー逆電圧 S5821シリーズ, S3071, S3072 S1223シリーズ (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 1 nF S12271 (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 1 nF KPINB0335JB (Typ. Ta=25 °C) 1 nF KPINB0143JB KPINB0386JB S3071 100 pF S3072 10 pF 100 pF S1223-01 10 pF 10 pF S1223 S5821シリーズ 1 pF 0.1 端子間容量 端子間容量 端子間容量 100 pF 1 10 100 1 pF 0.1 1 10 100 KPINB0344JA 1 10 100 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) 1 pF 0.1 KPINB0146JA KPINB0389JB Siフォトダイオード 20 多素 子 型Siフォトダイオード 分割型Si PINフォトダイオード 1.2 1.2 × 3 ／2分割 1×2 ／2分割 2 1.0 1.0 3.0 0.03 ( Typ. Ta=25 °C) 暗電流 端子間容量 V R =10 V VR =10 V, f=1 MHz max. (nA) (pF) パッケージ 写真 0.39 (λ=650 nm) 25 0.5*1 5 0.45 (λ=650 nm) 30 1*1 3 0.45 (λ=650 nm) 15 5*1 4 10 フォトダイ フォトダイ オードA オードB ( )( ) 0.45 (λ=720 nm) 20 (VR=5 V) 0.2 (VR=5 V) 25 (VR=5 V) 2.0 2.0 S4204 0.02 0.02 1.2 2.0 0.02 1.2 0.02 S3096-02 (A/W) 3.0 0.03 0.03 1.2 受光感度 3.0 (mm) 遮断周波数 V R =10 V R L=50 Ω (MHz) 3.0 受光面サイズ 素子数 2.0 型名 0.03 紫外から近赤外域までに感度をもつ2、4分割Si PINフォトダイオードです。 プラスチック 1.5 A B 1.5 4.1 1.5 4.1 1.5 0.02 0.02 0.02 4.1 1.5 0.02 B 1.5 4.1 1.0 A 1.0 0.1 3.0 0.1 3.0 0.1 *1: 全素子合計 *2: 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 0.13.0 1.5 3.0 0.1 1.5 3.0 0.1 分光感度特性 3.0 S3096-02, S4204 S3096-02 0.7 QE=100% 0.6 受光感度 (A/W) 0.4 0.3 受光感度 (A/W) 0.6 S4204 0.5 0.4 0.3 400 500 600 700 800 0 300 900 1000 1100 0.4 0.3 0.1 暗電流−逆電圧 (S4349) 0.1 0.1 QE=100% 0.5 0.2 0.2 暗電流−逆電圧 (S9345) 0.2 暗電流−逆電圧 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.7 0.5 0 300 S4349 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 QE=100% 0.6 受光感度 (A/W) S9345 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.7 TO-5 3.0 3×3 ／4分割 4 B 3.0 S4349*2 A 0.1 S9345 B A 0.1 1.5 × 1.5 + 1.5 × 4.1 400 500 波長 (nm) 600 700 800 0 190 900 1000 1100 400 波長 (nm) 600 800 1000 波長 (nm) KMPDB0134JE KPINB0336JD KMPDB0126JB 暗電流ー逆電圧 S3096-02, S4204 S9345 (Typ. Ta=25 °C) 1 nA S4204 S4349 (Typ. Ta=25 °C) 100 nA (Typ. Ta=25 °C) 1 nA KMPDB0134JE 10 nA KPINB0336JD 100 pA 1 nA 10 pA KMPDB0126JB S3096-02 暗電流 暗電流 暗電流 100 pA 100 pA 1 pA 10 pA 10 pA 1 pA 0.01 0.1 1 10 100 逆電圧 (V) 0.1 1 10 100 10 fA 0.01 0.1 1 10 100 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) KMPDB0136JD 21 Siフォトダイオード 1 pA 0.01 100 fA KPINB0295JA KMPDB0128JA 多素子型Siフォトダイオード 1次元フォトダイオードアレイ (紫外〜近赤外域用: 紫外域高感度タイプ) 長方形の受光素子を、1 mm前後のピッチで等間隔に配列した1次元フォトダイオードアレイです。 型名 素子数 受光面サイズ 素子間ピッチ 感度波長範囲 ／1素子 (mm) S4111-16Q*2 16 S4111-16R S4111-35Q*2 (mm) 受光感度 λ=960 nm (nm) (A/W) 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz (pF) 5 200 10 550 190 〜1100 1.45 × 0.9 340 〜 1100 35 S4111-46Q* パッケージ 写真 0.58 190 〜1100 46 2 ( Typ. Ta=25 °C) 1.0 セラミック 4.4 × 0.9 S4114-35Q*2 35 190 〜1000 0.50 (λ=800 nm) 60 35 340 〜 1100 0.61 (λ=920 nm) 30 40 46 S4114-46Q*2 S11212-021 16 1.175 × 2.0 1.575 ガラスエポキシ (未封止) S11299-021 *2: 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 分光感度特性 S4111/S4114シリーズ S11212/S11299-021 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 S4111-16Q/35Q/46Q 0.6 0.6 S4111-16R 0.5 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) QE=100% 0.7 0.7 0.4 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 QE=100% 0.3 0.2 0.5 0.4 0.3 0.2 S4114シリーズ 0.1 0.1 0 190 400 600 800 0 300 1000 400 500 波長 (nm) 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KMPDB0112JC KMPDB0357JA 受光部の構造 (単位: mm) S4111/S4114シリーズ S11212/S11299-021 1.175 ch N 型名 B N S4111/S4114-35Q 4.4 34.9 35 S4111/S4114-46Q 4.4 45.9 46 A S4111-16R/-16Q A KMPDB0112JC 1.45 15.9 16 2.0 ch 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 KMPDB0357JA 15 16 B 0.4 KMPDA0227JC KMPDA0228JC 素子拡大図 (S4111/S4114シリーズ) KMPDA0228JC A KMPDA0227JC 型名 S4111-16Q/16R A B C 1.45 0.9 0.1 0.9 0.1 S4111/S4114-35Q/46Q 4.4 C B C KMPDA0112JC Siフォトダイオード KMPDA0112JC 22 表 面実 装 型Siフォトダイオード 高速応答Si PINフォトダイオード 表面実装対応のチップキャリアパッケージに封止したフォトダイオードです。はんだリフローによる実装が可能であり、 自動化が容易になります。 ( Typ. Ta=25 °C) 遮断周波数 V R =10 V 受光面サイズ 感度波長範囲 受光感度 λ=960 nm (MHz) (mm) (nm) (A/W) S5106 20 5×5 S5107 10 10 × 10 型名 端子間容量 V R =10 V f=1 MHz (pF) パッケージ 写真 40 150 320 〜 1100 0.72 セラミック S7509 20 2 × 10 40 S7510 15 6 × 11 80 分割型Siフォトダイオード 0.03 10 × 10 ／4分割 S5981 10.0 0.03 10.0 0.03 10.0 S5870 10 × 10 ／2分割 2 0.03 5.0 5.0 0.03 0.03 0.03 5.0 0.03 0.03 10.0 10.0 0.03 5.0 4 0.03 0.03 (A/W) (nm) 320 〜 1100 20 35 写真 セラミック 10 50 25 5 10.0 10.0 10 0.72 10.0 0.03 25 パッケージ 10.0 5.0 0.03 0.03 5×5 ／4分割 S5980 (MHz) 遮断周波数 受光感度 λ=960 nm V R =10 V 10.0 5.0 0.03 (mm)0.03 10.0 5.0 感度波長 範囲 10.0 受光面サイズ 0.03 10.0 素子数 ( Typ. Ta=25 °C) 端子間容量 V R =10 V f=1 MHz (pF) 10.0 型名 5.0 表面実装対応のチップキャリアパッケージに封止した2、4、16分割Siフォトダイオードです。 ch 1 …ch 16 0.03 10.0 分光感度特性 (S8558) … ch 1 0.1 ch 16 12.7 ch 1 分光感度特性 0.1 … ch 16 12.7 12.7 S5106, S5107, S7509, S7510, S5980, S5981, S5870 S8558 0.1 12.7 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.6 0.5 0.4 0.3 0.4 0.3 0.2 0.1 0.1 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) 0 300 S5107 S7510 100 pF S5106 S7509 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KPINB0165JB Siフォトダイオード 1 nF 0.5 0.2 400 QE=100% 端子間容量 QE=100% 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 10 nF 0.7 0.6 0 300 S5106, S5107, S7509, S7510 (Typ. Ta=25 °C) 0.8 0.7 23 端子間容量−逆電圧 2.0 0.1 … 2.0 2 × 12.7 ／16分割 16 2.0 S8558 2.0 ch 1 0.03 ch 16 10.0 10 pF 0.1 1 10 100 逆電圧 (V) KMPDB0193JB KPINB0128JA 表面実装型Siフォトダイオード 小型パッケージSiフォトダイオード 小型パッケージに搭載した表面実装型 Si フォトダイオードです。テーピング梱包されており、はんだリフローによる実装が可能です。 ( Typ. Ta=25 °C) 型名 受光面サイズ 感度波長範囲 受光感度 λ=960 nm 端子間容量 VR=0 V f=10 kHz (mm) (nm) (A/W) (pF) 0.7 500 S9674 2×2 パッケージ 320 〜 1100 S10625-01CT ガラスエポキシ 0.54 (λ=940 nm) 1.3 × 1.3 写真 200 小型パッケージSi PINフォトダイオード 小型パッケージに搭載した表面実装型 Si PIN フォトダイオードです。テーピング梱包されており、はんだリフローによる実装が可能です。 ( Typ. Ta=25 °C) 型名 S10993-02CT 受光面サイズ 感度波長範囲 (mm) (nm) 受光感度 λ=960 nm (A/W) 1.06 × 1.06 380 〜 1100 0.6 端子間容量 f=1 MHz (pF) 6 (VR=2.5 V) パッケージ 写真 ガラスエポキシ 分光感度特性 (S9674) 分光感度特性 (S9674) S12158-01CT 2.77 × 2.77 320 〜 1100 0.7 15 (VR=12 V) 分光感度特性 S9674, S10625-01CT 0.8 0.7 (Typ. Ta=25 °C) 0.8 S9674 0.6 S12158-01CT 0.7 0.6 QE=100% 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) S10993-02CT, S12158-01CT (Typ. Ta=25 °C) 0.5 0.4 0.3 Dark current vs. reverse 0.2 voltage (S10993-05GT/S12158-01CT/S9674/S10625-01CT) S10625-01CT 0.1 QE=100% 0.5 0.4 S10993-02CT 0.3 0.2 0.1 0 300 400 500 600 700 800 0 300 900 1000 1100 波長 (nm) 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KSPDB0315JB KSPDB0318JC 暗電流−逆電圧 (Typ. Ta=25 °C) 1 nA S12158-01CT 暗電流 100 pA 10 pA S10993-02CT KSPDB0315JB S10625-01CT S9674 1 pA 100 fA 0.01 KSPDB0318JC 0.1 1 10 100 逆電圧 (V) KSPDB0316JD Siフォトダイオード 24 プリアンプ付Siフォトダイオード、電子冷却型Siフォトダイオード 計測用プリアンプ付Siフォトダイオード 大面積Siフォトダイオードとオペアンプ、フィードバック容量を内蔵した低ノイズの光センサです。 冷却温度 ΔT 型名 (°C) S8745-01* 0.12 非冷却 S8746-01* 0.52 5.8 × 5.8 1 15 メタル 190 〜 1100 50 4 10 × 10 S9295-01* 写真 11 2.4 × 2.4 S9295* ( Typ. Ta=25 °C) 内蔵 雑音等価電力 フィードバック 受光面サイズ 感度波長範囲 パッケージ λ=λp, f=10 Hz 抵抗 1/2 λ=200 nm λ=960 nm (GΩ) (mm) (nm) (fW/Hz ) 受光感度 (V/nW) 0.9 5.1 30 10 5 S9269 5.8 × 5.8 非冷却 12 340 〜 1100 S9270 10 × 10 - 0.62 1 セラミック 16 * 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 雑音等価電力−周波数 S8745-01 S8746-01 [Typ. Ta=25 ˚C, Vcc=±15 V, Cf=5 pF (内蔵), RL=1 MΩ, 暗状態, λ=λp] 106 106 105 雑音等価電力 (fW/Hz1/2) 雑音等価電力 (fW/Hz1/2) 105 [Typ. Ta=25 ˚C, Vcc=±15 V, Cf=5 pF (内蔵), RL=1 MΩ, 暗状態, λ=λp] 104 103 +1 MΩ (外付け) +11 MΩ (外付け) 102 +111 MΩ (外付け) 101 0.001 S8745-01 0.01 0.1 1 10 100 +1 MΩ (外付け) 104 +11 MΩ (外付け) +111 MΩ (外付け) 10 3 102 101 0.001 1000 S8746-01 0.01 周波数 (kHz) 0.1 1 10 100 周波数 (kHz) KSPDB0237JA KSPDB0238JA S9295シリーズ 3 S9295-01 (Td=-5 ˚C) 4 10 S9295 (Td=-25 ˚C) 10 1 S9270 KSPDB0238JA 3 10 2 10 S9269 1 10 0 0 1 10 100 1000 10000 周波数 (Hz) 10 0.001 0.01 0.1 1 10 周波数 (kHz) KSPDB0230JC Siフォトダイオード (Typ. Ta=25 ˚C, Vcc=±15 V) 5 10 2 10 25 10 雑音等価電力 (fW/Hz1/2) 雑音等価電力 (fW/Hz1/2) S9269, S9270 (Typ. Vcc=±15 V) 10 1000 100 1000 KSPDB0241JA プリアンプ付Siフォトダイオード、電子冷却型Siフォトダイオード 電子冷却型Siフォトダイオード 紫外〜近赤外域用Siフォトダイオードと電子冷却素子を一体化し、暗電流を低減した受光素子です。 型名 冷却温度 ΔT 受光面サイズ 感度波長範囲 最大感度 波長 暗電流 V R =10 mV 雑音等価電力 (°C) (mm) (nm) (nm) (pA) (W/Hz1/2) S2592-03* 2.4 × 2.4 10 8.1 × 10-15 S2592-04* 5.8 × 5.8 25 1.3 × 10-14 35 190 〜 1100 960 S3477-03* 2.4 × 2.4 10 8.1 × 10-15 S3477-04* 5.8 × 5.8 25 1.3 × 10-14 ( Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 TO-8 TO-66 * 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 分光感度特性 サーミスタの温度特性 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 QE=100% 0.5 105 抵抗値 (Ω) 受光感度 (A/W) (Typ.) 106 0.4 0.3 0.2 104 0.1 190 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) 103 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 素子温度 (˚C) KSPDB0182JB KSPDB0182JB KIRDB0116JA KIRDB0116JA Siフォトダイオード 26 X 線 検出用Siフォトダイオード シンチレータ付Siフォトダイオード Siフォトダイオードとシンチレータを組み合わせた製品です。セラミックシンチレータはCWOに比べ約1.2倍の高感度とともに 高信頼性を、CsIは高感度と低価格を実現しています。 S11212/S11299シリーズは、裏面入射構造を採用したフォトダイオードアレイです。従来品と比較し優れた分光感度特性・ 感度均一性を実現しています。 型名 シンチレータ ( Typ. Ta=25 °C) 受光面サイズ ／ 1 素子 素子数 (mm) S8559 暗電流 max. V R =10 mV (pA) CsI(TI) パッケージ 写真 (nA) 52 5.8 × 5.8 S8193 X線感度* 1 50 セラミック GOSセラミック 30 S11212-121 CsI(TI) 6.0 S11212-321 GOSセラミック 3.5 S11212-421 蛍光紙 3.0 1.175 × 2.0 16 30 ガラスエポキシ S11299-121 CsI(TI) 6.0 S11299-321 GOSセラミック 3.5 S11299-421 蛍光紙 3.0 * 参考値 (X線管電圧: 120 kV, 管電流: 1.0 mA, アルミフィルタ: t=6 mm, 距離: 830 mm)、X線感度の値は装置などの条件によって異なります。 分光感度特性 (S11212/S11299シリーズ) (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.7 105 相対感度 (%) 受光感度 (A/W) (Typ. Ta=25 ˚C) 110 QE=100% 0.6 0.5 0.4 100 95 90 85 0.3 80 0.2 0 300 KMPDB0361JB 400 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) * シンチレータを接着する樹脂の透過率や反射率が 加味された特性です。 KMPDB0360JC Siフォトダイオード 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 素子 0.1 27 感度均一性 (S11212/S11299シリーズ) X線検出用Siフォトダイオード シンチレータ発光特性と分光感度特性 S11212/S11299-121 S11212/S11299-321 (Typ. Ta=25 ˚C) (Typ. Ta=25 ˚C) 100 100 分光感度特性 分光感度特性 40 20 20 0 300 400 500 600 700 800 相対光出力 (%) 40 量子効率 (%) 相対光出力 (%) 60 CsI (TI) 発光特性 80 80 80 80 60 100 60 40 40 20 20 0 300 0 900 1000 1100 セラミック シンチレータ 発光特性 60 400 500 600 700 量子効率 (%) 100 800 0 900 1000 1100 波長 (nm) 波長 (nm) KSPDB0281JD KSPDB0282JD シンチレータの比較表 項目 条件 CsI(TI) GOSセラミック 単位 560 512 nm 10 7 cm-1 1.7 2.2 - 1 3 µs 0.3 0.01 ％ 密度 4.51 7.34 g/cm3 色調 透明 薄黄緑 - 発光強度のバラツキ ±10 ピーク発光波長 X線吸収係数 100 keV 屈折率 λ=λp 減衰定数 残光 100 ms後 KSPDB0282JD ±5 KSPDB0281JD % Siフォトダイオード 28 大面積Si PINフォトダイオード 高エネルギー物理用に開発された白セラミックベースのSi PINフォトダイオードです。主にシンチレータをカップリングして使用 します。耐圧性に優れており、高い逆電圧を印加することにより、大面積ながら高速応答を実現できます。 S3590-18/-19は紫色高感度タイプで、S3590-19は未封止タイプです。またS8650は、シンチレータとのカップリングを 向上させるためにエポキシ樹脂表面を平坦に加工したタイプとなっています。 型名 窓材 S3590-08 エポキシ樹脂 S3590-09 未封止 S3590-18 エポキシ樹脂 S3590-19 S8650 ( Typ. Ta=25 °C) 受光面 サイズ 空乏層厚さ V R =70 V 感度波長 範 囲 受光感度 λ=960 nm (mm) (mm) (nm) (A/W) 暗電流 max. V R =70 V (nA) 0.66 6 10 × 10 0.3 端子間容量 V R =70 V f=1 MHz (pF) パッケージ 40 セラミック 0.65 340 〜 1100 10 未封止 0.58 エポキシ樹脂 0.66 写真 6 分光感度特性 S3590-08, S8650 S3590-09 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.3 0.2 0.1 400 500 600 700 800 0.5 受光感度 (A/W) 0.4 0.4 0.3 0.3 0.2 0.1 0.1 400 500 600 700 800 S3590-19 0.4 0.2 0 300 900 1000 1100 QE=100% 0.6 0.5 0.5 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) QE=100% (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 QE=100% 0.6 0.6 0 300 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.7 S3590-18/-19 S3590-18 0 300 900 1000 1100 400 500 600 波長 (nm) 波長 (nm) KPINB0347JC 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KPINB0263JB 端子間容量−逆電圧 KPINB0322JC シンチレータ発光特性とS3590-08の分光感度特性 S3590シリーズ, S8650 (Typ. Ta=25 ˚C) 100 KPINB0263JB 80 80 相対光出力 (%) 端子間容量 1 nF S3590-18/-19 S3590-08/-09 S8650 100 pF 60 Nal(Tl) BGO Csl(Tl) 60 40 40 分光感度特性 20 20 10 pF 0.1 1 10 0 200 100 逆電圧 (V) 600 800 1000 0 1200 KPINB0017JD KPINB0331JC Siフォトダイオード 400 波長 (nm) KPINB0331JC 29 KPINB0322JC 100 量子効率 (%) (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) KPINB0347JC 10 nF KPINB0017JD X線検出用Siフォトダイオード ( Typ. Ta=25 °C) 型名 暗電流 max. V R =70 V (nA) 端子間容量 V R =70 V f=1 MHz (pF) 10 × 20 10 85 18 × 18 20 130 窓材 S2744-08 エポキシ樹脂 S2744-09 未封止 S3204-08 エポキシ樹脂 S3204-09 未封止 S3584-08 エポキシ樹脂 S3584-09 未封止 S3588-08 エポキシ樹脂 S3588-09 未封止 受光面 サイズ 空乏層厚さ V R =70 V 感度波長 範囲 受光感度 λ=960 nm (mm) (mm) (nm) (A/W) 0.3 340 〜 1100 パッケージ 0.66 写真 セラミック 28 × 28 30 300 3 × 30 10 40 分光感度特性 S2744/S3588シリーズ S3204/S3584シリーズ (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 S2744/S3588-09 0.5 QE=100% 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.5 0.4 S2744/S3588-08 0.3 S3204/S3584-08 0.3 0.2 0.1 0.1 400 500 600 700 800 QE=100% 0.4 0.2 0 300 S3204/S3584-09 0.6 0.6 0 300 900 1000 1100 400 500 600 波長 (nm) 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KPINB0265JE KPINB0277JC 端子間容量−逆電圧 S2744/S3588シリーズ S3204/S3584シリーズ (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 10 nF (Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz) 10 nF S3584-08/-09 KPINB0265JE S3204-08/-09 1 nF 端子間容量 端子間容量 S2744-08/-09 100 pF 100 pF 10 pF 0.1 KPINB0277JC 1 nF S3588-08/-09 1 10 10 pF 0.1 100 1 10 100 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) KPINB0222JA KPINB0230JC KPINB0222JA Siフォトダイオード 30 KPINB0230JC 特 殊用途 Siフォトダイオード RGBカラーセンサ 青・緑・赤にそれぞれ感度をもつフォトダイオードを1パッケージに収めた3色カラーセンサです。 型名 S7505-01 S9032-02*1 S9702* 1 S10917-35GT 感度波長範囲 最大感度 波長 (nm) (nm) 暗電流 V R =1 V 全素子合計 max. (pA) 受光感度 λ=λp (A/W) 青 400 〜 540 460 青 0.18 緑 480 〜 600 540 緑 0.23 赤 590 〜 720 620 赤 0.16 青 400 〜 540 460 青 0.18 緑 480 〜 600 540 緑 0.23 赤 590 〜 720 620 赤 0.16 青 400 〜 540 460 青 0.18 緑 480 〜 600 540 緑 0.23 赤 590 〜 720 620 赤 0.16 青 390 〜 530 460 青 0.2 緑 470 〜 600 540 緑 0.23 赤 590 〜 680 620 赤 0.17 青 0.21*2 緑 0.25*2 S10942-01CT 分光感度特性を参照 200 受光面サイズ パッケージ 写真 (mm) 青 1.5 × 1.5 (× 2) 緑 1.5 × 1.5 赤 1.5 × 1.5 表面実装型 プラスチック 100 ϕ2／3分割 表面実装型 プラスチック 50 1 × 1／3分割 表面実装型・ 小型 プラスチック 50 1 × 1／3分割 表面実装型・ 小型 ガラスエポキシ 50 1 × 1／3分割 表面実装型・ 小型 ガラスエポキシ 分光感度特性 (S10971-35GT) 赤 ( Typ. Ta=25 °C) 0.45*2 *1: ガラスフィルタ部に過大な力、継続的な振動が加わると脱落する危険性があります。ガラスフィルタをホルダなどで固定する必要があります。 *2: 青 : λ=460 nm、緑 : λ=540 nm、赤 : λ=640 nm 分光感度特性 S7505-01, S9032-02, S9702 S10917-35GT 0.3 0.3 0.2 Red 0.1 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.5 Red Blue Blue 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) Green S10942-01CT (Typ. Ta=25 °C) 0.4 Green 0.2 受光感度 (A/W) (Typ. Ta=25 °C) Red 0.1 Green 0.3 Blue 0.2 0.1 0 400 500 600 700 0 400 800 波長 (nm) 500 600 700 0 400 800 600 700 800 900 1000 波長 (nm) 波長 (nm) KMPDB0217JD 500 KSPDB0295JB KSPDB0287JB 赤外域にも感度をもっているため、必要に応じて 赤外線の入射をカットしてください。 KMPDB0217JD KSPDB0295JB 31 Siフォトダイオード KSPDB0287JB 特殊用途Siフォトダイオード S6428-01は青、S6429-01は緑、S6430-01は赤に感度をもった単色カラーセンサです。 感度波長範囲 最大感度 波長 受光感度 λ=λp (nm) (nm) (A/W) S6428-01 400 〜 540 460 0.22 S6429-01 480 〜 600 540 0.27 590 〜 720 660 0.45 型名 暗電流 V R =1 V max. (pA) 受光面サイズ 20 2.4 × 2.8 ( Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 (mm) プラスチック 分光感度特性 S6430-01 分光感度特性 (Typ. Ta=25 °C) 0.5 S6430-01 QE=100% 受光感度 (A/W) 0.4 0.3 S6429-01 0.2 S6428-01 0.1 0 300 400 500 600 700 800 波長 (nm) KSPDB0280JD KSPDB0280JD Siフォトダイオード 32 紫・青色高感度タイプ 紫・青色レーザダイオード検出用のフォトダイオードです。 ( Typ. Ta=25 °C) 端子間容量 f=1 MHz (A/W) 暗電流 max. (nA) 760 0.3 (λ=410 nm) 0.1 (VR=3.3 V) 1.6 (VR=3.3 V) TO-18 5×5 840 0.28 (λ=405 nm) 5 (VR=10 V) 60 (VR=10 V) TO-8 10 × 10 960 0.25 (λ=400 nm) 10 (VR=30 V) 40 (VR=30 V) セラミック 遮断周波数 受光面サイズ 最大感度 波長 受光感度 (MHz) (mm) (nm) S5973-02 1 GHz (VR=3.3 V) ϕ0.4 S9195 50 (VR=10 V) S3994-01 20 (VR=30 V) 型名 パッケージ 写真 (pF) 分光感度特性 S5973-02 S9195 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 0.7 0.7 0.6 QE=100% 0.4 0.3 0.3 0 300 0.4 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 暗電流―逆電圧 0.5 0.4 0.2 QE=100% 0.6 QE=100% 受光感度 (A/W) 0.5 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.5 受光感度 (A/W) 受光感度 (A/W) 0.6 S3994-01 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.1 暗電流―逆電圧 400 500 600 700 800 900 0 暗電流−逆電圧 (S9195)300 1000 400 500 波長 (nm) 600 700 800 900 0 300 1000 400 500 波長 (nm) 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KPINB0337JB KPINB0289JB KPINB0198JB 暗電流−逆電圧 S5973-02 S9195 (Typ. Ta=25 °C) 100 pA S3994-01 (Typ. Ta=25 °C) 10 nA (Typ. Ta=25 °C) 100 nA KPINB0198JB KPINB0289JB KPINB0337JB 1 nA 10 nA 暗電流 暗電流 暗電流 10 pA 100 pA 1 nA 1 pA 10 pA 100 fA 0.1 10 1 1 pA 0.01 100 0.1 1 10 100 pA 0.01 100 KPINB0400JA 1 10 100 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) 逆電圧 (V) 0.1 KPINB0291JA KPINB0199JA KPINB0199JA KPINB0291JA KPINB0400JA 33 Siフォトダイオード 特殊用途Siフォトダイオード 真空紫外 (VUV)モニタ用 真空紫外 (VUV)領域に感度をもち、特にエキシマレーザ (ArF: 193 nm, KrF: 248 nm)のモニタに適しています。 受光感度 λ=193 nm 型名 (A/W) 暗電流 V R =10 mV max. (nA) 受光面サイズ 1.0 10 × 10 S8552* (Typ. Ta=25 °C) パッケージ 写真 (mm) セラミック (未封止) 0.06 S8553* 5.0 18 × 18 * 紫外線照射時の注意 ① (P.48)参照 真空紫外高信頼性タイプ ArFエキシマレーザ照射に対して、感度安定性を大幅に改善しています。 受光面サイズ (A/W) 0.015 1.0 10 × 10 受光感度 λ=193 nm 型名 S10043* ( Typ. Ta=25 °C) 暗電流 V R =10 mV max. (nA) パッケージ 写真 (mm) セラミック (未封止) * 紫外線照射時の注意 ① (P.48)参照 VUV照射による感度変動 分光感度特性 2 120 [Typ. Ta=25 ˚C, ArF エキシマレーザ, 0.1 mJ/cm /パルス, f=100 Hz, λ=193 nm, パルス幅=15 ns (FWHM)] 0.6 S10043 0.5 受光感度 (A/W) S8552, S8553 60 0.4 0.3 0.2 S10043 0.1 40 20 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 S1227/S1337シリーズ (未封止品) 波長 (nm) 0 1 × 106 5 × 106 KSPDB0283JB (Typ. Ta=25 ˚C) 0.20 1 × 107 0.18 ショット数 0.16 KSPDB0264JE 0.14 受光感度 (A/W) 相対感度 (%) 100 80 (Typ. Ta=25 ˚C) S8552, S8553 0.12 0.10 KSPDB0283JB 0.08 S8552, S8553 0.06 S10043 0.04 0.02 0 150 KSPDB0264JE 200 250 300 350 400 波長 (nm) KSPDB0284JC KSPDB0284JC Siフォトダイオード 34 単一波長検出用 窓材に干渉フィルタを採用し、単一波長のみに高い感度をもつ受光素子です。 型名 受光感度特性 S12742-254*1 最大感度波長 感度波長 半値幅 受光感度 λ=254 nm (nm) (nm) (A/W) 暗電流 V R =10 mV max. (pA) 254 10 0.018 25 ( Typ. Ta=25 °C) 受光面サイズ 3.61 × 3.61 パッケージ 写真 (mm) TO-5 *1: 紫外線照射時の注意 (P.48)参照 分光感度特性 (Typ. Ta=25 ˚C) 50 受光感度 (mA/W) 40 30 20 10 0 200 300 400 500 600 700 800 波長 (nm) KSPDB0333JA 注) 中心波長254 nm以外の各種波長タイプにも対応可能です(受注生産品)。 YAGレーザ検出用 YAGレーザ (1.06 μm)用に開発されたSi PINフォトダイオードです。 (mm) (nm) (nm) (A/W) ϕ5 360 〜 1120 980 0.38 10 受光面サイズ 型名 S3759 ( Typ. Ta=25 °C) 暗電流 V R =100 V max. (nA) KSPDB0333JA 受光感度 感度波長範囲 最大感度波長 λ=1060 nm 分光感度特性 上昇時間 λ=1060 nm VR =100 V, R L=50 Ω (ns) パッケージ 12.5 TO-8 写真 応答波形 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.8 100% [Typ. Ta=25 ˚C, λ=1060 nm (YAGレーザ), VR=100 V, RL=50 Ω] 0.7 受光感度 (A/W) 0.6 QE=100% 0.5 50% 0.4 0.3 0.2 0.1 0 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 12.5 ns 波長 (nm) KPINB0279JB 35 Siフォトダイオード KPINB0280JC 特殊用途Siフォトダイオード 赤外高感度タイプ フォトダイオードの裏面にMEMS構造を形成することによって、近赤外域で高感度を実現したSi PINフォトダイオードです。 型名 暗電流 max. 端子間容量 f=1 MHz 受光面サイズ 感度波長範囲 受光感度 λ=1060 nm (mm) (nm) (A/W) (nA) (pF) 0.6 5 (VR=20 V) 13 (VR=20 V) TO-5 0.6 10 (VR=20 V) 33 (VR=20 V) TO-8 S11499 ϕ3 S11499-01 ϕ5 360 〜 1140 ( Typ. Ta=25°C) パッケージ 写真 分光感度特性 (S12028) ϕ1.2 S12028 0.5 2 (VR=10 V) 4 (VR=10 V) TO-18 分光感度特性 S11499シリーズ 0.8 0.7 QE=100% 0.6 受光感度 (A/W) 0.6 (Typ. Ta=25 °C, VR=10 V) 0.8 S11499シリーズ 0.7 受光感度 (A/W) S12028 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.5 0.4 0.3 S2386シリーズ QE=100% 0.5 0.4 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 0 200 600 400 波長 (nm) 800 1000 1200 波長 (nm) KPINB0368JC KPINB0376JC 電子線検出器用 低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出できるフォトダイオードです。不感層の極めて薄い構造となっているため、走 査電子顕微鏡 (SEM)の反射電子検出などに適した検出器となっています。 型名 暗電流 V R =5 V KPINB0368JC max. (nA) 入射電子 エネルギー範囲 出力電流 (keV) (nA) 1 〜 30 30 電子エネルギー 1.5 keV 2 lp* =100 pA S11141-10 増倍率−電子エネルギー ( ) S11142-10 ( Typ. Ta=25 °C) 端子間容量 遮断周波数 V R =5 V V R =5 V 電子増倍率 パッケージ (pF) (MHz) 450 2.5 300 電子エネルギー 1.5 keV ( ) 60 写真 KPINB0376JC 薄型 セラミック (未封止) 200 5 S11142-10) 電子増倍の原理 (S11141-10, *2: プローブ電流 増倍率−電子エネルギー 電子増倍の原理 (Typ. Ta=25 °C, Ip=100 pA) 10000 出力電流 シリコン Siフォトダイオード 増倍率 真空中 1000 電子 不感層 100 0 10 20 30 電子エネルギー (keV) KSPDB0344JA 拡大図 電子−正孔対の生成 (電子増倍) 電子がシリコンを通過するときに、シリコン中でイオン化が起こります。 このイオン化により、多数の電子−正孔対が発生し、電子が増倍されます。 電子増倍により、入射電子エネルギーが1.5 keVのときは、約300倍の出力 電流が得られます (“増倍率−電子エネルギー”参照)。 KSPDC0348JA Siフォトダイオード 36 CSPタイプ CSP (chip size package)構造を採用することで、素子間のデッドスペースが最小になるように設計された裏面入射型 フォトダイオードです。複数をタイル状に並べて使用することが可能です。 パッケージサイズ 感度波長範囲 最大感度波長 型名 (mm) S10356-01 (nm) (nm) 受光感度 λ=960 nm 短絡電流 100 lx, 2856 K (A/W) (µA) (pF) 5 60 3×3 分光感度特性 (S10356-01, S10357-01, S10358-01) 400 〜 1100 S10355-01 960 40 分光感度特性 (Typ. Ta=25 ˚C) 0.7 0.6 受光感度 (A/W) 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 500 600 700 800 900 1000 1100 波長 (nm) KSPDB0288JE KSPDB0288JE 37 Siフォトダイオード パッケージ PWB (未封止) 0.59 7.52 × 7.52 0 400 ( Typ. Ta=25 °C) 端子間容量 V R =0 V f=10 kHz 500 写真 Siフォトダイオード応 用製 品 RGBカラーセンサモジュール 液晶モニタ用 TFT液晶バックライト (RGB-LED型)用光量センサ 特長 ■ ■ ■ ■ ■ 用途 RGBカラーセンサ (S9032-02)を内蔵 TFT液晶バックライト (RGB-LED型)の 波長に合った感度 3 ch電流−電圧アンプを搭載 RGB 3 chの光電流を同時に出力 TFT液晶バックライト側面実装に適したサイズ 低消費電流: 0.4 mA typ. (従来品比1/3) 高ゲインタイプ: C9303-04 ■ TFT液晶バックライト (RGB-LED型)の 光量モニタ ( Typ. Ta=25 °C) 受光感度 (V/mW) 型名 周波数帯域 -3 dB 電源電圧 (V) λp=620 nm λp=540 nm λp=460 nm (kHz) C9303-03 -14 -20 -18 DC 〜 16 C9303-04 -108 -156 -122 DC 〜 2.4 +2.7 〜 +5.5 簡易色測定用 RGB色情報を数値化し、PC用データを出力 特長 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 用途 物体色情報を反射型で測定* 対物ファイバで微小エリアを測定 12ビットデジタル出力 +12 V単一電源 PCとシリアル接続が可能 (RS-232C) ティーチング機能 サンプルソフトウェア付属 型名 C9315 ■ ■ 不透明体 (塗装・印刷・化粧品など)の 色監視／簡易色差検知 簡易色測定の教材 (Typ. Ta=25 °C) 電源電圧 (V) 光源 受光素子 測定および出力周期 (ms) +12 白色LED Siフォトダイオード 200 * CIE (国際照明委員会)非準拠 カラーセンサ評価回路 カラーセンサ評価用基板 用途 特長 ■ ■ カラーセンサ評価用の3 ch電流−電圧 変換アンプを搭載 実装可能なカラーセンサ : S7505-01, S9032-02 (別売) ■ 当社製カラーセンサの評価 (Ta=25 °C, Vcc=9.0 V, RGB各ch共通) 型名 出力オフセット電圧 Zt=5.1 × 10 5 V/A [フォトダイオード未接続] (mV) Typ. C9331 ±40 変換インピーダンス 周波数帯域 [フォトダイオード未接続] -3 dB 電源電圧 (V/A) (kHz) (V) DC 〜 14 +7 〜 +15 Max. ±50 1× 105 〜 5.1 × 105 Siフォトダイオード 38 Siフォトダイオードアレイ用駆動回路 16素子フォトダイオードアレイ用駆動回路 特長 ■ ■ ■ ■ 16 chの各信号を同時に読み取ることによって高精度／高速測定が可能 パルスジェネレータ搭載 (発振周波数は8段階に可変) CLK、START、A/D変換用Trig、EOSパルスを出力 ゲイン (変換インピーダンス)は1 × 10 6 V/A、1 × 107 V/Aの2段階に設定が可能 ACアダプタ (+12 V)単一電源動作 型名 対応センサ C9004 当社製S4111-16シリーズ, S5668シリーズ (基板に直接実装が可能) フォトダイオードモジュール 精密測光用Siフォトダイオードと低ノイズアンプを内蔵 C10439シリーズは、フォトダイオードとI-V変換アンプを一体化した高精度な光検出器です。 特長 ■ ■ ■ 取り扱いが簡単 アナログ電圧出力のため、電圧計などで信号を観測することができます。 受光感度は2レンジ切り替え 検出する光量に応じた適切なレンジ選択を行うことで、高精度な出力が得られます。 小型 名刺の1/2のサイズ。光学マウント用ロッド (M4)に直接固定が可能です。 型名 受光面サイズ (mm) C10439-01 2.4 × 2.4 C10439-02 5.8 × 5.8 C10439-03 10 × 10 C10439-07 Si 変換インピーダンス 周波数帯域 -3 dB Highレンジ (mV/nW) Lowレンジ (mV/nW) Highレンジ (V/A) Lowレンジ (V/A) Highレンジ (Hz) Lowレンジ (Hz) 500 5 109 107 DC 〜 10 DC 〜 1 k 2.4 × 2.4 C10439-08 5.8 × 5.8 C10439-09 10 × 10 C10439-10 ϕ1 C10439-11 受光感度 λ=λp ( Typ. Ta=25 °C) InGaAs 0.5 ϕ3 外形寸法 W×D×H (V) (mm) 外部電源 ±5 〜 ±12 0.005 106 1 電源電圧 104 DC 〜 1 k 19 × 46 × 52 DC 〜 100 k* 19 × 50 × 52 0.01 *出力振幅 2 Vp-p時 フォトダイオードモジュール用信号処理ユニット フォトダイオードモジュール (C10439シリーズ)専用ユニット フォトダイオードモジュールの出力をデジタル信号に変換します。 また、フォトダイオードモジュールへ電源を供給します。 特長 ■ ■ 高分解能デジタル出力 (16-bit) データロガー機能内蔵 RS-232Cケーブルは付属して いません。 (Typ. Ta=25 °C) 型名 C10475 39 Siフォトダイオード デジタル出力 RS-232C準拠 (16-bit) 最小測定時間間隔 電源電圧 (ms) (V) 50 ACアダプタ (+12) または 乾電池 (9 V乾電池) 外形寸法 W×D×H (mm) 110 × 100 × 30 Siフォトダイオード応用製品 フォトセンサアンプ 微弱光用 デジタル出力機能付、低ノイズ電流−電圧変換アンプ 特長 ■ ■ ■ ■ 検出感度は3レンジ切り替え アナログ出力・デジタル出力の動作モードを選択 PCとのシリアル接続が可能 (RS-232C) データロガー機能、ローバッテリー機能 フォトダイオード、BNC-BNC プラグ付同軸ケーブル、 RS-232Cケーブルは別売 ( Typ. Ta=25 °C) 型名 C9329 レンジ 変換インピーダンス (V/A) 周波数帯域 -3 dB (Hz) H 109 DC〜16 M 107 DC〜1600 L 10 DC〜1600 5 外形寸法 W×D×H (mm) 電源電圧 (V) ACアダプタ (+12) または乾電池 (9 V乾電池) 115 × 90 × 40 光ファイバ付 光ファイバ対応光−電圧変換アンプ 特長 ■ ■ ■ 取り扱いが簡単 フォトダイオードを内蔵しており、出力に電圧計などを接続するだけで光検出を行うこと ができます。 受光部に光ファイバを使用 検出点が狭い場所にあっても測定が可能です。検出点とアンプを離すことができるため、 特殊な環境にも対応でき、ノイズ対策にもなります。 検出感度は3レンジ切り替え 型名 C6386-01 レンジ 受光感度 λ=830 nm (mV/µW) 変換インピーダンス (V/A) 周波数帯域 -3 dB (MHz) H 30 105 DC〜1 M 3 104 DC〜3 L 0.3 103 DC〜10 (Typ. Ta=25 °C) 電源電圧 (V) 外部電源 (±15) または乾電池 (9 V乾電池× 2) 外形寸法 W×D×H (mm) 115 × 90 × 40 高速タイプ 電流−電圧変換アンプ 特長 ■ ■ ■ ■ ■ C8366: 高速Si PINフォトダイオード用 C8366-01: 高速InGaAs PINフォトダイオード用 広帯域: DC〜100 MHz typ. (-3 dB、フォトダイオ−ドの性能によって異なる) フォトダイオ−ドのピンを挿入するだけで使用可能。 (TO-8・TO-5・TO-18に対応) 応答性の調整が可能 調整用ボリュームにより、フォトダイオードの応答速度に合わせて調整できます。 小型 型名 C8366 C8366-01 ( Typ. Ta=25 °C) 電源電圧 (V/A) 周波数帯域 -3 dB (MHz) (V) 外形寸法 W×D×H (mm) 103 DC〜100 外部電源 (±15) 19 × 52 × 46 変換インピーダンス Siフォトダイオード 40 小型基板タイプ 微弱光用電流−電圧変換アンプ 特長 ■ ■ ■ 組み込みが容易な小型基板タイプ 端子間容量が大きなフォトダイオードまで接続が可能 変換インピーダンス: 10 8 V/A ( Typ. Ta=25 °C) 電源電圧 (V/A) 周波数帯域 -3 dB (Hz) (V) 外形寸法 W×D×H (mm) 108 DC〜16 ACアダプタ (+12) 50 × 50 × 19 変換インピーダンス 型名 C9051 チャージアンプ 放射線・高エネルギー粒子検出用 チャージアンプ H4083は、軟X線、低〜高エネルギー γ 線分光など幅広い範囲に使用できるハイ ブリッド型の低ノイズアンプです。H4083の初段部は、低ノイズの接合型FETを用いており、接合 容量の大きいフォトダイオードと組み合わせた際に優位性を発揮します。H4083は、当社製Si PlN フォトダイオード (S3590シリーズ・S3204シリーズなど)用に適しています。S3590シリーズにつ いてはH4083の裏側に直接マウントできるため、浮遊容量の増加の心配がありません。 特長 ■ ■ ■ 用途 低ノイズ 小型・軽量 取り扱いが容易 ■ 核物理学などのX線／放射線／高エネルギー検出用 (Typ. Ta=25 °C) 型名 H4083 41 Siフォトダイオード 増幅 方式 入出力 極性 チャージゲイン 電荷 有感型 反転 0.5 V/pC 22 mV/MeV (Si) ノイズ特性 (e-/FWHM) 負帰還定数 電源 (V) 消費 電力 (mW) 550 50 MΩ//2 pF ±12 150 外形寸法 W×D×H (mm) 24 × 19 × 4 用語説 明 分光感度特性 入 射光量と光電流の関係 ( 光電感度 ) は、入射光の波長に よって異 なります。この 波 長と光 電 感 度との関 係を 分 光 感 度特性といい、受光感度または量子効率で表します。 受光感度 : S 光電流をアンペア (A) [ または出力電圧をボルト (V)]、入 射光量をワット (W) で表したときの両者の比率。受光感度 は、絶 対 感 度 ( 単 位 : A/W または V/W) で 示す 場 合と 最 大感度波長での感度を 100 として正規化した相対感度 ( 単 位 : % ) で示す場合があります。当社は、最大感度に対し通 常 5% あるいは 10 % 以 上の 感 度をもつ波 長 の範囲を感 度 波長範囲と規定しています。 量子効率 : QE 光電流として取り出される電子あるいは正孔の数を入射フォ トン数で割った値。通常、パーセントで表されます。量子効 率 QE と受光感度 S ( 単位 : A/W) は、ある波長 λ ( 単位 : nm) において以下の関係にあります。 QE = S × 1240 × 100 [%] λ 短絡電流 : Isc 負荷 抵 抗 が 0 のときフォトダイオード を 流 れる出 力 電 流。 分光感度に対して白色光感度と呼ばれ、光源に分布温度 ( 色 温 度 ) 2856 K の 標 準タングステンランプ を 使 用します。 当社では、照 度 100 lx のときの短 絡電流をカタログの特 性表に示しています。 開放端電圧 : Voc フォトダイオード の 負荷 抵 抗 が 無 限 大 のとき の 光 起 電 圧。 開放 端電 圧は光 量に依 存しますが、かなり弱い光 以 上では ほぼ一定の値となります。 赤外感度比 2856 K の光源を使用して照 度 100 lx の光を入射したと きの短絡電流 (Isc) と同じ光源を R-70 (t=2.5 mm) 赤外 フィルタを通したときの出力電 流 (I R) の比。通常パーセン ト (% ) で表されます。 赤外感度比 = IR × 100 [%] Isc 暗電流 : ID フォトダイオードに暗中で逆電圧を印加すると、わずかな電 流が流れます。これを暗電流といいます。逆電圧を印加して 使う場合 (PIN フォトダイオードなど ) では、暗電流に起因 するノイズが支配的となります。 並列抵抗 : Rsh フォトダイオードにおける 0 V 付近での電 圧−電 流 比。当 社 カ タ ロ グ で は 次 の 式 で 並 列 抵 抗 を 規 定して い ま す。こ の と き の 暗 電 流 (I D) は、 逆 電 圧 が 10 mV の と き の 値 で す。 Rsh [Ω] = 0.01 [V] ID [A] 端子間容量 : Ct フォトダイオードは、PN 接 合により 1 個のコンデンサが形 成されていると考えることが できます。この 容 量を接 合 容 量といい、応 答 速 度を 決 める大 切な値になります。オペア ンプを用いた I/V 変 換回路では、接 合容量はゲインピーキ ング 現 象の 要因になる場合があります。当社では、接 合容 量にパッケージの浮遊容量を含めた端子間容量として規定し ています。 上昇時間 : tr 上 昇時間は、ステップ 関数の 光入 力に対する立ち上がりの 時間で規定し、出力が最高値 ( 定常値 ) の 10%から 90% になるまでの時間です。 遮断周波数 : fc 力に変 化 のない周波 数 領 域から 3 dB 減 衰 する周波 数。 出 遮断周波数 (fc) と上昇時間 (tr) の関係は、おおよそ以下の 式で表されます。 tr [s] = 0.35 fc [Hz] NEP (noise equivalent power: 雑音等価電力 ) 音量に等しい入射光量、つまり信号対雑音比 (S/N) が 1 雑 となる入射光量を示します。当社は最大感度波長 ( λ p) での 値を規 定しています。雑音 量は、周波 数帯域 幅の平方 根に 比例するため、バンド幅を 1 Hz で正規化します。 NEP [W/Hz1/2] = 雑音電流 [A/Hz1/2] 受光感度 [A/W] at λp 最大逆電圧 : VR max フォトダイオードに逆電圧を印加していくと、一定の電圧で ブレークダウンを起こし、素子の特 性が 著しく劣化します。 そのため、この電 圧より低めのところに逆 電 圧の 絶 対最 大 定 格 ( 瞬時でもこの 値を 超 えてはならない 値 ) を定めてい ます。 参考 (光や光半導体素子に関する物理定数) 記号 定数値 電子の電荷 定数 q 1.602 × 10-19 C 真空中の光速 c 2.998 × 108 m/s プランク定数 h 6.626 × 10-34 J·s ボルツマン定数 k 1.381 × 10-23 J/K 室温の熱エネルギー kT 0.0259 (300 K) eV 1 eVのエネルギー eV 1 eVに対応する真空中の波長 1.602 × 10 単位 -19 J - 1240 nm 真空の誘電率 εo 8.854 × 10-12 F/m Siの比誘電率 εsi 約12 - Si酸化膜の比誘電率 εox 約4 - Siのバンドギャップエネルギー Eg 約1.12 (25 °C) eV フォトダイオードに逆電圧を印加しない用途では、並列抵抗 で発生するノイズが支配的となります。 Siフォトダイオード 42 動 作原 理、等 価回路 Siフォトダイオードの等価回路 動作原理 等価回路 図1にSiフォトダイオードの断 面 構 造 の 例を 示します。受 光 面側のP型領域 (P層)と基板側のN型領域 (N層)は、PN接合 を形成し光電 変 換部として働きます。Siフォトダイオードの場 Siフォトダイオードの等価回路を下図に示します。 Siフォトダイオードの等価回路 図3 合、P層は通常ボロンの選択拡散で、1 µm以下の厚さに形成さ VD Cj , Rs Io 負 荷 表面のP層・N層および底面のN 層の厚さや不純物濃度をコン トロールすることで、後述する分光感度特性や周波数特性を制 I ID Vo IL + Rsh れます。P層とN層の接合部の中性領域を空乏 層といいます。 RL 御することができます。 Siフォトダイオードに光が照射され､その光エネルギーがバン ドギャップエネルギーより大きいと、価電子帯の電子は伝導帯 へ励起され、もとの価電子帯に正孔を残します [図2]。この電 子−正孔対は、P層・空乏 層・N層のいたる所で生成し、空乏 層 中では電界のため電子はN層へ、正孔はP層へ加速されます。 N層中で生じた電子−正孔 対のうち、電子はP層から流れてき た電子とともにN層伝導帯に残り、正孔はN層中を空乏 層まで フォトダイオードの断面構造の例 拡 散し、加速されてP層 価電子 帯に集まります。このように入 射光量に比例して発生する電子−正孔対は、それぞれN層・P層 入射光による発生電流 (光量に比例) lLI L :: 入射光による発生電流(光量に比例) ダイオード両端の電圧 VVDD: :ダイ オード両端の電圧 ダイオード電流 IDI D : :ダイ オード電流 Cj : 接合容量 Cj : 接合容量 Rsh: 並列抵抗 , Rsh: I : 並列抵抗 並列抵抗電流 I’ Rs :: 並列抵抗電流 直列抵抗 Rs Vo :: 直列抵抗 出力電圧 Io :: 出力電圧 出力電流 Vo Io : 出力電流 KPDC0004JA 中に蓄 積され、P層は正に、N層は負に帯電します。P層とN層 から電極を取り出し外部回路を接続すれば、N層側からは電子 が、P層側から正孔がそれぞれ反対側の電極へ向かって流れ、 電流が発生します。このような電流のもとになる半導体中の電 子あるいは正孔は、キャリアと呼ばれます。 Siフォトダイオードの断面構造の例 図1 絶縁膜 SiフォトダイオードのPN接合の状態 正電極 (アノード) 入射光 - - - + + Voc = k T ln q - + N N+ P層 L , ) + 1 ............ (2) 短 絡電 流 (Isc)は、R L= 0、Vo= 0のときの出力電 流で、式 N層 - - - - (3)で表されます。 伝導帯 入射光 バンドギャップ エネルギー + + + なります。しかし微弱光を検出する場合は、この関係が崩れて きます。 SiフォトダイオードのPN接合の状態 空乏層 価電子帯 ( Isc = IL - Is exp ) q × Isc × Rs × - 1 - Isc Rs ...... (3) Rsh kT 式(3)の第2項、第3項が、短 絡電流の直線性の限界を決 定 KPDC0003JA KPDC0002JA する原因となります。ただしRsは数Ω程度、Rshは107〜1011 Ωとなり、第2項、第3項は広い 範囲において無 視できること がわかります。 43 ( I Is- I ため、Vocは周囲温 度に逆 比例し、I L の対数に比例することに KPDC0002JA + KPDC0004JA I'が無視できる場合、Isは周囲温度に対し指数的に増加する N層 P層 - フォトダイオードの逆方向飽和電流 1電子当たりの電荷量 ボルツマン定数 素子の絶対温度 表されます。 長波長 図2 , , q VD Io = I L - I D - I = I L - IS (exp - 1) - I ............ (1) kT 開放端電圧 ( Voc)は、Io=0のときの出力電圧で、式(2)で + 短波長 なります。 I S: q: k: T: 負電極 (カソード) 空乏層 この等価回路から出力電流 (Io)を求めると、式(1)のように Siフォトダイオード KPDC0003JA 応 用回路 例 極微弱光センサヘッド 極微弱光検出回路 オードからオペアンプの入力端子までの配線、および帰還抵抗 と帰還容量の入 力側配線は、ガードパターンを使 用するか、テ フロン 端 子を 使 用した 空中配 線を行い、基 板 表 面のリーク電 流対策を行います。 なお当社は、極微弱光 検 知用フォトダイオード用アンプとし てフォトセンサアンプ C6386-01、C9051、C9329を用意 しています。 極微弱光を検出する回路では、周囲からの電磁ノイズ、電源 からの交流ノイズ、オペアンプのもつノイズなどを低減するた めの対策が必要です。 周囲からの電磁ノイズに対しては、図4のような対 策を行い ます。 極微弱光センサヘッ ド 図4 極微弱光センサヘッド 図5 (a) シールドケーブルをフォトダイオードに接続した例 Rf1 Rf2 メタルパッケージ PD SW1 SW2 Cf IC1 + 1 BNC 同軸 ケーブル など 極微弱光センサヘッド 10 µ - IC2 - シールド ケーブル Isc (a) C6386-01 +5 V 0 -5 V + µ 10 + フォトセンサアンプ (b) C9051 Vo + 10ターン ポテンション 金属製シールドボックス (c) C9329 KSPDC0051JC (b) 回路全体を金属製シールドボックスに収納した例 Rf1 Rf2 ISC SW1 SW2 Cf PD IC1 10 µ - IC2 - + +5 V 0 -5 V + µ 10 + フォトダイオード、BNC-BNC プラグ付同軸ケーブルは別売 Vo + 10ターン ポテンション 金属製シールドボックス 光量−対数電圧変換回路 光量−対数電圧変換回路 KSPDC0052JB (c) 光ファイバを使用した例 Rf1 Rf2 光ファイバ ISC PD Cf - IC1 + SW1 SW2 10 µ - IC2 + Vo 10ターン ポテンション 金属製シールドボックス 太線の部分は、ガードパターン内またはテフロン端子上に配線 IC : FET入力オペアンプなど IC : OP07など Cf : 10 pF∼100 pFスチコン Rf : 10 GΩ max. SW : リーク電流の小さいリードリレースイッチ Vo = Isc × Rf [V] PD : S1226/S1336/S2386シリ−ズ, S2281など 太線の部分は、ガードパターン内またはテフロン端子上に配線 IC1 : FET入力オペアンプなど IC2 1 : OP07など Cf : 10 pF∼100 pFスチコン 2 Rf : 10 GΩ Max. SW: リーク電流の小さいリードリレー, スイッチ PD : S1226/S1336/S2386シリ−ズ, S2281など +5 V 0 -5 V + 10µ + 光 量−対 数電 圧 変 換回路 [図6]の出力電 圧は、検出光 量の 対数的変化に比例します。対数変換用のログダイオード Dは、 低暗電流で低直列抵抗のタイプを使用します。小信号トランジ KSPDC0051JCスタのB-E間や接合型FETのG-S間をログダイオードとして利 用することもできます。I B は、Dにバイアス電流を供給して回路 動作点を設 定するための電流源です。I B を供給しないと、フォ トダイオードの短絡電流 Iscがゼロになったとき回路がラッチ アップします。 KSPDC0053JB 図6 光量−対数電圧変換回路 D - R PD KSPDC0052JB Vo = Isc × Rf [V] フォトダイオードからの信号をカソード端子から取り出すこ とも有効な対策です。電源からの交流ノイズに対しては、電源 ラインにRCフィルタやLCフィルタを入れることで対策を行い ます。な お、電 源として 乾 電 池を 使 用することも 有 効 な 対 策 となります。オペアンプのもつノイズに対しては、1/fノイズが 小さく入 力換算雑音電流の低いオペアンプを選択することに よって対策を行います。さらに、信号の周波数帯域に合わせて KSPDC0053JB 回路 の周波 数 帯域を帰 還 容量 (C f )を用いて制 限することに よって、高周波ノイズを低減します。 次に、出力誤差 (オペアンプの入力バイアス電流や入力オフ セット電圧、回路配線の引き回し、回路基板表面のリーク電流 などによる)の低減が必要です。入力バイアス電流が数百fA以 下で、FET入力型オペアンプか低1/fノイズでCMOS入力のオ ペアンプを選 択します。さらに、入 力オフセット電 圧が数mV 以下で、オフセット調整端子があるオペアンプが有効です。回 路基板は、高絶縁抵抗の材質のものを使用します。フォトダイ Io +15 V IB + Isc IC Vo -15 V D : 低暗電流で低直列抵抗のダイオード D : 低暗電流で低直列抵抗のダイオード I B : 回路動作点設定用電流源, I B << Isc I B : 回路動作点設定用電流源, IB<<Isc R : 1 GΩ∼10 GΩ R : 1 G∼10 GΩ -15 -12 -15 Io:10 Dの飽和電流, Io: Dの飽和電流, ∼10 -12 A 10 ∼10 A A : FET入力型オペアンプなど IC: FET入力型オペアンプなど . + IB Isc + IB Isc Vo = -0.06 log Vo ( =. -0.06+ log 1) ([V] IO Io + 1) [V] KPDC0021JA 光量積分回路 フォトダイオードとオペアンプの積分回路を用いた光量積分 回路です。波 高値・周期・パ ルス幅などが 不規 則な光 パ ルス列 の積算光量や平均光量の測定などに使用します。 図7の I C は 積 分 器で、パ ルス 光によって発 生 する短 絡 電 流 Iscを積 分コンデンサ Cに蓄えます。リセット直 前の出力電 圧 Voと積分時間 toおよび既知のCの値から、短絡電流の平均値 が求められます。リセット時の誤差をなくすため、Cは誘電吸収 KPDC0021JA が小さいコンデンサを使用します。なお、SWはCMOS型アナ ログスイッチです。 Siフォトダイオード 44 簡易照度計 (2) 光量積分回路 図7 +15 V 10 k C 2 SW Isc PD 13 14 7 1 1k 1k Isc +15 V 7 IC 6 + 4 3 -15 V 2 リセット入力 - VO t VO 照度計 t リセット 入力 to t リセッ ト入力: TTL lowレベルでリセッ ト リセッ ト入力: TTL lowレベルでリセッ ト IC IC : LF356など : LF356など SW SW : CMOS 4066 : CMOS 4066 : S1226/S1336/S2386シリーズなど PD PD : S1226/S1336/S2386シリーズなど C : ポリカーボネー トコンデンサなど C : ポリカーボネートコンデンサなど 視感度補正されたSiフォトダイオード S7686とオペアンプ の電流−電圧変換回路を用いた簡易照度計回路です。1 Vレン ジの電圧計に接続することによって、最大10000 lx の照度を 測定できます。 オペアンプは、入 力バイアス電 流 が小さい 単電 源の 低 消 費 電流タイプを使 用します。この校 正は100 Wの白色電 球を利 用した簡易的な方法で行うことが可能です。 初めに10 mV/lxレンジを選択し、メータ校正用ボリュームの しゅう動端子とオペアンプの出力端子を短絡します。次に白色 光源を点灯させ、電圧計の表示が0.45 Vとなるように白色光 源とS7686との距離を調整します (このときS7686の表面 の照度は約100 lx になります)。続いて電圧計の指示が1.0 V となるようにメータ校 正 用ボリュームを調整し、校 正を終了し ます。 図9 1 [V] Vo = Isc × to ×C 1 [V] C 簡易照度計 (2) Vo = Isc × to × KPDC0027JB 1M 10 mV/lx 100 k 1 mV/lx 10 k 簡易照度計 (1) 0.1 mV/lx 100 p 視感度補正された当社製Siフォトダイオード S9219とフォ VR 500 1 k 7 トセンサアンプ C9329を用いた簡易照度計回路です。図8の 2 6 ように、C9329の出力に抵抗を用いた分圧回路を外付けして IC 3 8 + PD lx 1 Vレンジの電圧計に接続することによって、最大1000 の 4 1k V 電圧計 Isc 006 p 照度を測定できます。 KPDC0027JB (9 V) この回路 の 校 正には標 準 光 源を 使 用しますが、標 準 光 源 が ない場合は100 Wの白色光源を利用して簡易的な校正を行う VR : メータ校正用可変抵抗 IC : ICL7611, TLC271など ことも可能です。 IC : TLC271など PD: S7686 (0.45 µA/100 lx) PD : S7686 (0.45 µA/100 lx) 校 正 方 法 を 以下 に 示しま す。初 めにC 9 3 2 9 の Lレンジ を * メータ校正用ボリューム KPDC0018JD 選 択し、 可 変 抵 抗 器 V Rを 時 計方 向 へ止まるまで回します。 簡易照度計 (1) この状 態でS9219を遮 光して、電 圧計が0 mVになるように 光量バランス検知回路 C9329のゼロ調整ボリュームを回して調整します。次に白色 図10は、逆 並列 接 続した2つのSiフォトダイオード PD 1・ 光量バランス検知回路 光源を点灯させ、電圧計の表示が0.225 Vとなるように白色 PD 2とオペアンプの電流−電圧 変換回路を用いた光量バラン 光源とS9219との距 離を調整します (このときS9219の表 ス検知回路です。受光感 度は帰還抵抗 Rfの値で決まります。 面の照 度は約100 lx になります)。続いて電圧計の表示が0.1 P D 1・P D 2 に入 射 する光 量 が 等しいとき、出 力 電 圧 Voはゼ VとなるようにVRを反時計方向に回して調整し、校正を終了し ロになります。2つのダイオード Dが逆接続されているため、 ます。 PD1・PD 2 の受 光量がアンバランスの状態ではVo=±0.5 V 校 正後は、C9329のLレンジ で1 mV/ lx 、Mレンジ で100 程 度の範囲に制 限され、バランス状 態 の 近傍だけを高感 度に mV/lx の出力となります。 検 知できます。またフィルタを用いて、特定 波 長 領域の光量バ KPDC0018JD ランス検知に利用することができます。 図8 簡易照度計 (1) 図10 PD フォトセンサ アンプ ISC 同軸ケーブル E2573 C9329 Rf D 1k VR 1k 500 ISC2 CW V PD2 ISC1 D 2 PD1 3 外付け分圧回路 PD: S9219 (4.5 µA/100 lx) PD: S9219 (4.5 µA/100 ) 光量バランス検知回路 KSPDC0054JB +15 V 7 IC 6 4 + - Vo -15 V PD: S1226/S1336/S2386シリーズなど PD: S1226/S1336/S2386シリーズなど IC : LF356など IC : LF356など D : ISS226など D : ISS270Aなど Vo = Rf × (Isc2 - Isc1) [V] Vo = Rf × (Isc2 - Isc1) [V] (ただしVo<±0.5 V) (ただしVo<±0.5 V) KPDC0017JB KSPDC0054JB 45 Siフォトダイオード KPDC0017JB 応用回路例 吸光度計 専用ICと2つのSiフォトダイオードを使 用した、2つの電 流 入力の対数比が得られる吸光度計です [図11]。光源の光の強 度と試料を通過した後の光の強 度を2つのSiフォトダイオード で測定して比較することで、試料の吸光度を測ることができます。 初めに2つのSiフォトダイオードの短絡電流が同じ値になる 吸光度計 ように絞りなどの光学系を調整して、出力電圧 Voが 0 Vとな るようにします。次に、試料を片側の光路に挿入します。このと きの出力電圧の値が、試料の吸光度となります。吸光度 Aと出 力電圧 Voの関係は、A=-Vo [V]で表されます。 必要に応じて、図11のように光源の前にフィルタを設置する ことで、特定波長領域や単色光での分光吸光度を測定すること ができます。 図11 また、オペアンプの入 力部分の基板パターンで生じる浮遊容 量やインダクタンス、フォトダイオードのリードインダクタンス の影 響を低 減するため、フォトダイオードのリード線は極 力短 高速／光検出回路 (1) くし、オペアンプとできる限り短く太いパターンで配線します。 性能向上のためには、基板銅箔面全面を接地電位として使用す るグランドプレーン構造が効果的です。 な お 、オペアン プの 電 源ラインに 接 続 するコンデ ン サ 0.1 µFにはセラミックコンデンサを使 用し、直 近の 接 地電位に最 短距離で接続します。 当社は、周波数帯域100 MHzのPINフォトダイオード用フォ トセンサアンプ C8366を用意しています。 図13 吸光度計 (試料) 10 k +15 V 10 µ PD + Rf ISC 0.1µ 7 2- +15 V Isc1 PD 3 - +15 V 51 Ω Vo 0.1 µ IC + 14 6 0.1µ -15 V Vo A + フィルタ 高速／光検出回路 (1) PD: 高速PINフォ トダイオード (S5971, S5972, S5973など) PD: 高速PINフォ トダイオード (S5971, S5972, S5973など) Rf : 並列容量を避けるため複数個直列 Rf : 並列容量を避けるため複数個直列 IC : AD745,ICLT1360, : AD745,HA2525など LT1360, HA2525など Isc2 100 p Vo = -Isc × Rf [V] -15 V Vo = -Isc × Rf [V] A : Logアンプ A : Logアンプ PD: S5870など PD: S5870など 図14 Vo = log (ISC1 / ISC2) [V] Vo = log (Isc1 / Isc2) [V] KPDC0020JD フォトセンサアンプ C8366 KPDC0025JC LED全放射光量測定 LEDの全放射光量の測定 LEDの発光波長幅は数十nm程度と狭いため、LEDのピーク 発 光波 長におけるSiフォトダイオードの受 光 感 度 からLEDの 放 射光量を知ることができます。図12においてLED側面から の 光放 射成分は、表面を鏡面加工した 反 射ブロック Bで正面 側に反射され、全放射光量がSiフォトダイオードで検知されま す。 図12 LEDの全放射光量の測定 高速／光検出回路 (2) 高速／光検出回路 (2) Isc KPDC0025JC IF Po LED PD KPDC0020JD A B 逆電圧を印加して低容量化したSi PINフォトダイオードの短 絡電流を負荷抵抗 R Lで電圧変換し、高速オペアンプで電圧増 幅する高速／光検出回路です [図15]。この回路ではオペアン プの位相ズレに基づくゲインピーキングの恐れがありません。 オペアンプの選択によって周波数帯域が100 MHz以上の回路 が 可能です。使 用部 品・パターン・構 造についての 注 意 点は前 述の「高速／光検出回路 (1)」と同様です。 A : PD: B : S : 電流計, 1 mA∼10 mA S2387-1010R アルミニウムブロック、内側金メッキ Siフォトダイオードの受光感度 カタログの特性表参照 . . S2387-1010R: 930 nmではS=0.58 A/W Po : 全放射光量 図15 高速／光検出回路 (2) PD . Po =. Isc [W] S 10 k . .µ 0.1 µ + 10 0.1µ 3 +7 6 51 Ω A IC 2 4 0.1 µ Isc RL KPDC0026JA R 高速／光検出回路 (1) 逆電圧を印加して低容量化したSi PINフォトダイオードと、 高速オペアンプの電流−電 圧 変 換回路を使 用した高速 ／光 検 出回路です [図13]。この回路 の周波 数帯域は、オペアンプの 特性で制約され、100 MHz程度以下になります。 周波 数帯域が1 MHzを超える回路では、各 部品のリードイ ンダクタンスや帰還抵抗 Rfの浮遊容量が応答速度に大きな影 響を与えます。そのため、チップ 部 品を使 用して部 品のリード KPDC0026JA インダクタンスを低減したり、複数の抵抗を直列接続して抵抗 の浮遊容量を低減して、その影響を抑えます。 +5 V Vo Rf -5 V PD : 高速PINフォトダイオード PD : 高速PINフォトダイオード (S5971, S5972, S5973, S9055, S9055-01など) (S5971, S5972, S5973, S9055, S9055-01など) R L , R, Rf: R オペアンプの推奨条件に合わせて調整 L, R, Rf: オペアンプの推奨条件に合わせて調整 IC : IC AD8001など : AD8001など Vo = Isc × R L × (1 + Rf ) [V] Vo = Isc × RRL × (1 + Rf ) [V] R KPDC0015JE Siフォトダイオード 46 交流光検出回路 (1) 逆電圧を印加して低容量化したSi PINフォトダイオードの光 電流を負荷抵抗 R Lで電圧変換し、高速オペアンプで電圧増幅 交流光検出回路 (1) する交 流 光 検出回路です [図16]。この回路では、オペアンプ の位相ズレに基づくゲインピーキングの恐れがありません。オ ペアンプの選択によって、周波数帯域が100 MHz以上の回路 が可能です。 使用部品・パターン・構造についての注意点は、前述の「高速 ／光検出回路 (1)」と同様です。 図16 交流光検出回路 (1) PD 0.1 µ + 10 µ Isc 10 k C r RL +5 V 0.1µ 3 +7 6 51 Ω A IC 2 - 4 0.1µ R Vo Rf -5 V PD : 高速PINフォトダイオード PD : 高速PINフォトダイオード (S5971, S5972, S9055,S9055, S9055-01など) (S5971, S5973, S5972, S5973, S9055-01など) R L , R, Rf, r:Rオペアンプの推奨条件に合わせて調整 L, R, Rf, r: オペアンプの推奨条件に合わせて調整 IC : AD8001など IC : AD8001など Vo = Isc × R L × (1 + Rf ) [V] Vo = Isc × R R L × (1 + Rf ) [V] R KPDC0034JA 交流光検出回路 (2) 逆 電 圧 を 印 加して低 容 量 化した P I Nフォトダイオードと、 F E T に よる電 圧 増 幅 回 路 を 用 い た 交 流 光 検 出 回 路 で す [ 図 17]。低ノイズFETを使用することによって、安価で小型な低ノ イズ回路が実現でき、空間光伝送や光リモコンなどの受光部に 使用します。図17ではFETのドレインから信号出力を取ってい ますが、入 力抵抗の小さい次段回路 へのインターフェースには ソース側から信号出力を取り出すか、ボルテージ・フォロアを追 加します。 交流光検出回路 (2) KPDC0034JA 図17 交流光検出回路 (2) +15 V 10 µ 10 k + + 10 1k PD 0.1 µ 1000 p ISC RL 0.1 µ Vo FET 1M RS 0.1µ PD : 高速PINフォトダイオード (S2506-02, S5971, S5972, S5973など) PD R : 高速PINフォトダイオード (S2506-02, S5971, S5972, S5973など) L : 感度とPDのCtとの時定数で決定 : S感度とPDのCtとの時定数で決定 RL R : FETの動作点で決定 R S FET: : FETの動作点で決定 2SK362など FET: 2SK362など KPDC0034JA KPDC0014JE 47 Siフォトダイオード PD : 高速PINフォトダイオード (S5052, S8314, S5971, S5972, S5973など) R L, R, Rf : オペアンプの推奨条件に合わせて調整 A : OPA648, OPA658, AD8001など VO = Isc × R L × (1 +Rf ) [V] R 紫外線照射時の注意 ① 紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあ ります。この現象は、照射量・照射強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によって も違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認をすることを推奨します。 ② 紫外線の照射により、製品の構成材料の接着に使用されている樹脂からガスが発生して特性が劣 化する場合があります。このためアパーチャなどを用いて紫外線を樹脂へ直接照射することを避 け、受光部の内側にだけ紫外線を照射することを推奨します。 Siフォトダイオード関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・製品に関する注意事項とお願い ・メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意 ・未封止製品／使用上の注意 ・表面実装型製品／使用上の注意 ● 技術情報 ・Siフォトダイオード／技術資料 ・Siフォトダイオード／用語の説明 ・Siフォトダイオード／信頼性 ・Siフォトダイオード／応用回路例 ● Siフォトダイオード 48 浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い 弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用される ことを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を 要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機 器および防災・安全装置など)には使用しないでください。 絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。 弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊 社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火 災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設 計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への 危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を 十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に 仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。 最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適 切な警告・表示などを十分に実施してください。 製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理また は代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、 弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したこ となど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ご とに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。 弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出 関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。 なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。 弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定 の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の 実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財 産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期する ため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使 用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。 弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。 ■ 営業品目 光半導体製品ラインアップ 受 光 素 子 光半 導 体 製 品 Siフォトダイオード APD ● MPPC ● フォトIC ● イメージセンサ ● PSD （位置検出素子） ● 赤外線検出素子 ● LED ● 光通信用デバイス ● 車載用デバイス ● X線フラットパネルセンサ ● ミニ分光器 ● 光半導体モジュール ● ● Siフォトダイオード、APD、MPPC フォトIC イメージセンサ PSD（位置検出素子） 赤外線検出素子 X線フラットパネルセンサ 電子 管 製 品 光電子増倍管 光電子増倍管モジュール ● マイクロチャンネルプレート ● イメージインテンシファイア ● キセノンランプ・水銀キセノンランプ ● 重水素ランプ ● 光源応用製品 ● レーザ応用製品 ● マイクロフォーカスX線源 ● X線イメージングデバイス ● ● LED 光通信用デバイス 車載用デバイス ミニ分光器 システム応 用 製 品 カメラ・画像計測装置 X線関連製品 ● ライフサイエンス分野製品 ● 医療分野製品 ● 半導体故障解析装置 ● FPD/LEDの特性評価装置 ● 分光計測・光計測装置 ● ● レー ザ製 品 ● ● 半導体レーザ及び応用製品 固体レーザ 光半導体モジュール ● ● 本資料の記載内容は、平成27年9月現在のものです。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。 Cat. No. KSPD0001J12 Sep. 2015 (1,500) 仙 台 営 業 所 筑 波 営 業 所 東 京 営 業 所 中 部 営 業 所 大 阪 営 業 所 西日本営業所 〒980-0011 〒305-0817 〒105-0001 〒430-8587 〒541-0052 〒812-0013 固体営業推進部 〒435-8558 浜松市東区市野町1126-1 仙台市青葉区上杉1-6-11（日本生命仙台勾当台ビル2階） 茨城県つくば市研究学園5-12-10（研究学園スクウェアビル7階） 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階） 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル4階） 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階） 福岡市博多区博多駅東1-13-6 (竹山博多ビル5階) Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: Tel: 022-267-0121 029-848-5080 03-3436-0491 053-459-1112 06-6271-0441 092-482-0390 Tel: 053-434-3311 Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: Fax: 022-267-0135 029-855-1135 03-3433-6997 053-459-1114 06-6271-0450 092-482-0550 Fax: 053-434-5184