EN/JA

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode
62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
暫定データ
PreliminaryData
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
300
404
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
600
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
1450
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 12,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
3,50
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
2,5
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
27,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,90
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
3,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,28
0,30
µs
µs
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,08
0,10
µs
µs
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,80
1,00
µs
µs
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,12
0,20
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 3600 A/µs
RGon = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
71,0
105
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs
RGoff = 4,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
64,0
94,0
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,033
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
1200
A
0,085 K/W
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1700
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I²t
14500
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
順電圧
Forwardvoltage
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 300 A, - diF/dt = 3600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
350
380
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 300 A, - diF/dt = 3600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
78,0
130
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 300 A, - diF/dt = 3600 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
40,0
72,0
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,051
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
2
V
V
0,13 K/W
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 3,4
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
20,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,01
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,60
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
質量
Weight
G
340
g
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
600
600
500
500
400
400
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
300
300
200
200
100
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=900V
600
350
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
300
500
250
400
E [mJ]
IC [A]
200
300
150
200
100
100
0
50
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
4
0
100
200
300
IC [A]
400
500
600
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
600
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
550
ZthJC : IGBT
500
450
400
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
350
300
250
200
0,01
150
100
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0085 0,0255 0,034 0,017
τi[s]:
0,01
0,04
0,06 0,3
50
0
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
0,001
0,001
50
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=125°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
700
600
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
600
500
500
400
IF [A]
IC [A]
400
300
300
200
200
100
100
0
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=4.7Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=300A,VCE=900V
100
100
Erec, Tvj = 125°C
90
90
80
80
70
70
60
60
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0
100
200
300
IF [A]
400
500
0
600
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,013 0,039 0,052 0,026
τi[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
6
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
j
j
n
n
i
i
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R17KE3
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
8
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