EN/JA

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
1200
1700
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
2400
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
6,60
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1200 A, VGE = 15 V
IC = 1200 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
14,0
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,6
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
110
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
3,50
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,74
0,80
µs
µs
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,20
0,25
µs
µs
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,45
1,80
µs
µs
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,18
0,30
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 1,2 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
240
350
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
305
445
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
23,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
4800
A
19,0 K/kW
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1700
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
240
kA²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
順電圧
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
1150
1250
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
305
510
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
190
340
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
52,0
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
2
V
V
42,0 K/kW
K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
15,0
15,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
10,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 250
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
VISOL min.
typ.
RthCH
8,00
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,37
mΩ
Tstg
-40
125
°C
4,25
-
5,75
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
1050
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
3
kV
4,0
max.
K/kW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2200
1800
1800
1600
1600
1400
1400
IC [A]
2000
IC [A]
2000
1200
1200
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
2200
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=900V
2400
1000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2200
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
900
2000
800
1800
700
1600
600
IC [A]
E [mJ]
1400
1200
1000
500
400
800
300
600
200
400
100
200
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
4
0
400
800
1200
IC [A]
1600
2000
2400
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1200A,VCE=900V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
2000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
1800
ZthJC : IGBT
1600
1400
10
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
1200
1000
800
1
600
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,8 3,8 7,6 3,8
τi[s]:
0,01 0,04 0,09 0,2
200
0
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]
8
9
0,1
0,001
10 11 12
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=125°C
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2600
2400
IC, Modul
IC, Chip
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
2200
2200
2000
2000
1800
1800
1600
1600
1400
IF [A]
IC [A]
1400
1200
1200
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
0,01
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
5
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.2Ω,VCE=900V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=900V
500
400
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
375
450
350
400
325
350
300
275
E [mJ]
E [mJ]
300
250
250
225
200
200
150
175
100
150
50
0
125
0
400
800
1200
IF [A]
1600
2000
100
2400
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC [K/kW]
ZthJC : Diode
10
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 8,4 8,4 16,8 8,4
τi[s]:
0,01 0,04 0,09 0,2
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
6
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]
8
9
10 11 12
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF1200R17KE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー 品質契約
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:WB
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:PL
revision:2.1
8
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