テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1700 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 1200 1700 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 2400 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot 6,60 kW ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues min. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,00 2,40 2,45 V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG 14,0 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,6 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,74 0,80 µs µs ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,20 0,25 µs µs ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 1,45 1,80 µs µs ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,18 0,30 µs µs ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 240 350 mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH VGE = ±15 V RGoff = 1,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 305 445 mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 23,0 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 4800 A 19,0 K/kW K/kW 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 1700 V IF 1200 A IFRM 2400 A I²t 240 kA²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,80 1,90 2,20 順電圧 Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 1150 1250 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 305 510 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 190 340 mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 52,0 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 2 V V 42,0 K/kW K/kW 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate AlSiC 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AlN 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 15,0 15,0 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 10,0 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 250 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature VISOL min. typ. RthCH 8,00 LsCE 20 nH RCC'+EE' 0,37 mΩ Tstg -40 125 °C 4,25 - 5,75 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1050 g 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジM8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 質量 Weight G preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 3 kV 4,0 max. K/kW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 2400 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2200 1800 1800 1600 1600 1400 1400 IC [A] 2000 IC [A] 2000 1200 1200 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 2200 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=900V 2400 1000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2200 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 900 2000 800 1800 700 1600 600 IC [A] E [mJ] 1400 1200 1000 500 400 800 300 600 200 400 100 200 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 4 0 400 800 1200 IC [A] 1600 2000 2400 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1200A,VCE=900V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 2000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 1800 ZthJC : IGBT 1600 1400 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 1200 1000 800 1 600 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,8 3,8 7,6 3,8 τi[s]: 0,01 0,04 0,09 0,2 200 0 0 1 2 3 4 5 6 7 RG [Ω] 8 9 0,1 0,001 10 11 12 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=125°C 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 2600 2400 IC, Modul IC, Chip 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2200 2200 2000 2000 1800 1800 1600 1600 1400 IF [A] IC [A] 1400 1200 1200 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,01 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 5 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.2Ω,VCE=900V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=900V 500 400 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 375 450 350 400 325 350 300 275 E [mJ] E [mJ] 300 250 250 225 200 200 150 175 100 150 50 0 125 0 400 800 1200 IF [A] 1600 2000 100 2400 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 100 ZthJC [K/kW] ZthJC : Diode 10 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 8,4 8,4 16,8 8,4 τi[s]: 0,01 0,04 0,09 0,2 1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 6 0 1 2 3 4 5 6 7 RG [Ω] 8 9 10 11 12 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 7 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF1200R17KE3_B2 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:2.1 8