中文数据手册

±1℃精度、12位数字
温度传感器
ADT75
产品特性
产品特色
12位温度-数字转换器
B级精度：±1.0°C(0°C至70°C)
A级精度：±2.0°C(−25℃至+100°C)
SMBus/I2C兼容接口
工作电压范围：−55℃至+125℃
工作电压范围：2.7 V至5.5 V
过温指示器
低功耗关断模式
功耗：79 μW(典型值，3.3 V)
小型低成本8引脚MSOP锡铅和无铅封装
标准8引脚SOIC无铅封装
1. 片内温度传感器，可以精确测量环境温度。测量温度范
围为−55℃至+125℃。
2. 电源电压为2.7 V至5.5 V。
3. 采用节省空间的8引脚MSOP和8引脚SOIC封装。
4. 温度精度：±1°C(最大值)。
5. 温度分辨率：0.0625°C。
6. 关断模式下，功耗降至3 μA(典型值)。
7. 一条SMBus/I2C总线最多支持8个ADT75。
应用
隔离传感器
环境控制系统
计算机热温监控
热保护
工业过程控制
电源系统监控器
手持式应用
功能框图
VDD
8
DIGITAL
COMPARATOR
12-BIT
3
OS/ALERT
1
SDA
2
SCL
DECIMATOR
LPF
TEMPERATURE
SENSOR
1-BIT
TEMPERATURE
SENSOR
REGISTER
+
–
REFERENCE
CONFIGURATION
REGISTER
Σ-Δ
1-BIT
DAC
CLK AND
TIMING
GENERATION
THYST SETPOINT
REGISTER
TOS SETPOINT
REGISTER
POINTER
REGISTER
A0 7
SMBus/I2C INTERFACE
A2 5
4
GND
05326-001
A1 6
图1.
Rev. B
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的最新英文版数据手册。
ADT75
目录
特性......................................................................................................1
功能描述......................................................................................10
应用......................................................................................................1
温度数据格式 .............................................................................11
产品特色 .............................................................................................1
单次采样模式 .............................................................................12
功能框图 .............................................................................................1
故障队列......................................................................................12
修订历史 .............................................................................................2
寄存器 ..........................................................................................13
概述......................................................................................................3
串行接口......................................................................................16
技术规格 .............................................................................................4
写入数据......................................................................................17
A级..................................................................................................4
读取数据......................................................................................18
B级 ..................................................................................................5
OS/ALERT输出过温模式.........................................................19
时序规格和时序图 ......................................................................6
SMBus报警 ..................................................................................20
绝对最大额定值................................................................................7
应用信息 ...........................................................................................21
ESD警告.........................................................................................7
热响应时间 .................................................................................21
引脚配置和功能描述 .......................................................................8
自热效应......................................................................................21
典型性能参数 ....................................................................................9
电源去耦......................................................................................21
工作原理 ...........................................................................................10
温度监控......................................................................................22
电路信息......................................................................................10
外形尺寸 ...........................................................................................23
转换器详解 .................................................................................10
订购指南......................................................................................24
修订历史
2012年8月—修订版A至修订版B
2010年9月—修订版0至修订版A
产品特性部分3 V更改为2.7 V，产品特色部分3 V更改为
更改图1 ...............................................................................................1
2.7 V .....................................................................................................1
更新“外形尺寸”...............................................................................23
概述部分3 V更改为2.7 V ................................................................3
更改“订购指南”...............................................................................23
A级部分3 V更改为2.7 V，表1中的3 V更改为2.7 V .................4
B级部分3 V更改为2.7 V，表2中的3 V更改为2.7 V..................5
2005年10月—修订版0：初始版
表5中的3 V改为2.7 V .......................................................................8
更改图7和图8 ....................................................................................9
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ADT75
概述
ADT75是一款完整的温度检测系统，采用8引脚MSOP和
SOIC封装。该器件内置一个带隙温度传感器和一个12位模
数转换器(ADC)，用于监控温度并进行数字转换，分辨率
为0.0625°C。ADT75与LM75和AD7416引脚兼容且寄存器
兼容。
ADT75提供关断模式来实现器件断电，关断电流典型值为
3 μA。ADT75的额定工作温度范围为−55°C至+125°C。
有三个引脚(A0、A1和A2)可用于地址选择。OS/ALERT引
脚属于开漏输出，当温度超过限值(可编程)时，该引脚变为
有效。OS/ALERT引脚能够以比较器模式或中断模式工作。
ADT75可以保证工作的电压范围为2.7 V至5.5 V。工作电压
为3.3 V时，平均电源电流的典型值为200 μA。
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ADT75
技术规格
A级
TA = TMIN至TMAX，VDD = 2.7 V至5.5 V。除非另有说明，所有规格的温度范围均为−55°C至+125°C。
表1.
参数
温度传感器和ADC
VDD= 2.7 V至5.5 V时的精度
VDD= 2.7 V至3.6 V时的精度
VDD= 4.5 V至5.5 V时的精度
ADC分辨率
温度分辨率
温度转换时间
更新速率
长期漂移
温度迟滞
OS/ALERT输出(开漏)
输出低电压VOL
引脚电容
高输出漏电流IOH
RON电阻(低输出)
数字输入
输入电流
输入低电压VIL
输入高电压VIH
SCL、SDA毛刺抑制
引脚电容
数字输出(开漏)
输出高电流IOH
输出低电压VOL
输出高电压VOH
输出电容COUT
电源要求
电源电压
3.3 V时的电源电流
5.0 V时的电源电流
3.3 V时的平均电流
5.0 V时的平均电流
3.3 V时的关断模式
5.0 V时的关断模式
平均功耗
1 SPS
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件/注释
±2
±3
±3
°C
°C
°C
°C
位
°C
ms
ms
°C
°C
TA = −25°C至+100°C
TA = −55°C至+100°C
TA = 100°C至 125°C
TA = 100°C至 125°C
V
pF
µA
Ω
IOL = 3 mA
µA
V
V
ns
pF
VIN = 0 V至VDD
mA
V
V
pF
VOH = 5 V
IOL = 3 mA
±2
12
0.0625
60
100
0.08
0.03
0.4
10
0.1
15
5
±1
0.3 × VDD
0.7 × VDD
50
10
3
1
0.4
0.7 × VDD
3
10
2.7
350
380
200
225
3
5.5
798.6
78.6
140
5.5
500
525
8
12
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µW
µW
µW
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每隔100 ms开始转换
温度55°C下工作10年的漂移量
温度循环：25°C至125°C再返回至25°C
OS/ALERT引脚上拉至5.5 V
与电源和温度相关
输入滤波可抑制小于50 ns的噪声尖峰
转换时的峰值电流，I2C接口无效
转换时的峰值电流，I2C接口无效
器件转换，I2C接口无效
器件转换，I2C接口无效
关断模式下的电源电流
关断模式下的电源电流
VDD = 3.3 V，25°C下正常模式
VDD = 3.3 V、关断模式、25°C下的平均功耗
VDD = 5.0 V、关断模式、25°C下的平均功耗
ADT75
B级
TA = TMIN至TMAX，VDD = 2.7 V至5.5 V。除非另有说明，所有规格的温度范围均为−55°C至+125°C。
表2.
参数
温度传感器和ADC
VDD= 2.7 V至5.5 V时的精度
VDD= 2.7 V至3.6 V时的精度
VDD= 4.5 V至5.5 V时的精度
ADC分辨率
温度分辨率
温度转换时间
更新速率
长期漂移
温度迟滞
OS/ALERT输出(开漏)
输出低电压VOL
引脚电容
高输出漏电流IOH
RON电阻(低输出)
数字输入
输入电流
输入低电压VIL
输入高电压VIH
SCL、SDA毛刺抑制
引脚电容
数字输出(开漏)
输出高电流IOH
输出低电压VOL
输出高电压VOH
输出电容COUT
电源要求
电源电压
3.3 V时的电源电流
5.0 V时的电源电流
3.3 V时的平均电流
5.0 V时的平均电流
3.3 V时的关断模式
5.0 V时的关断模式
平均功耗
1 SPS
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件/注释
±1
±2
±3
±3
°C
°C
°C
°C
°C
位
°C
ms
ms
°C
°C
TA = 0°C至+70°C
TA = −25°C至+100°C
TA = −55°C至+100°C
TA = 100°C至 125°C
TA = 100°C至 125°C
V
pF
µA
Ω
IOL = 3 mA
µA
V
V
ns
pF
VIN = 0 V至VDD
mA
V
V
pF
VOH = 5 V
IOL = 3 mA
±2
12
0.0625
60
100
0.08
0.03
0.4
10
0.1
15
5
±1
0.3 × VDD
0.7 × VDD
50
10
3
1
0.4
0.7 × VDD
3
10
2.7
350
380
200
225
3
5.5
798.6
78.6
140
5.5
500
525
8
12
每隔100 ms开始转换
温度55°C下工作10年的漂移量
温度循环：25°C至125°C再返回至25°C
OS/ALERT引脚上拉至5.5 V
与电源和温度相关
输入滤波可抑制小于50 ns的噪声尖峰
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µW
µW
转换时的峰值电流，I2C接口无效
转换时的峰值电流，I2C接口无效
器件转换，I2C接口无效
器件转换，I2C接口无效
关断模式下的电源电流
关断模式下的电源电流
VDD = 3.3 V，25°C下正常模式
VDD = 3.3 V、关断模式、25°C下的平均功耗
µW
VDD = 5.0 V、关断模式、25°C下的平均功耗
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ADT75
时序规格和时序图
测量SDA和SCL时序，输入滤波器开启以满足快速模式I2C规范。关闭输入滤波器可提高传输速率，但对器件的EMC特性
有不利影响。
除非另有说明，TA = TMIN至TMAX，VDD = 2.7 V至5.5 V。
表3.
参数1
串行时钟周期，t1
SCL高电平前的数据输入建立时间，t2
SCL低电平后的数据输出稳定时间，t3
SCL低电平后的数据输出稳定时间，t3
SCL低电平前的SDA低电平建立时间(起始条件)，t4
SCL高电平后的SDA高电平保持时间(停止条件)，t5
SDA和SCL上升时间，t6
SDA和SCL上升时间，t6
SDA和SCL下降时间，t7
各条总线的容性负载，CB
2
典型值 最大值
单位
µs
ns
ns
µs
ns
ns
ns
ns
ns
pF
0.9 2
3.452
300
1000
300
400
测试条件/注释
快速模式I2C。参见图2
参见图2
快速模式I2C。参见图2
标准模式I2C。参见图2
参见图2
参见图2
快速模式I2C。参见图2
标准模式I2C。参见图2
参见图2
通过设计和特性保证，但未经生产测试。
仅当主器件的SCL信号低电平周期没有延长时，才必须满足该时间要求。
t1
SCL
t4
t5
t2
SDA
DATA IN
t3
SDA
DATA OUT
t7
图2. SMBus/I 2C时序图
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t6
05326-002
1
最小值
2.5
50
0
0
50
50
ADT75
绝对最大额定值
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
表4.
坏。这只是额定最值，不表示在这些条件下或者在任何其
额定值
–0.3 V至+7 V
–0.3 V至V DD + 0.3 V
–0.3 V至V DD + 0.3 V
–0.3 V至V DD + 0.3 V
–0.3 V至V DD + 0.3 V
–55°C至+150°C
–65°C至+160°C
150.7°C
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，器件能
够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器
件的可靠性。
1.2
205.9°C/W
43.74°C/W
WMAX = (TJMAX − TA)/θJA
0.8
0.6
0.4
0.2
MAX PD = 3.4mW AT 150°C
0
–55
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
157°C/W
56°C/W
220°C (0°C/5°C)
10秒至20秒
3°C/秒(最大值)
–6°C/秒(最大值)
6分钟(最大值)
1.0
05326-003
WMAX = (TJMAX − TA)/θJA
MAXIMUM POWER DISSIPATION (Watts)
参数
VDD to GND
SDA输入电压至GND
SDA输出电压至GND
SCL输入电压至GND
OS/ALERT输出电压至GND
工作温度范围
存储温度范围
最高结温TJMAX
8引脚MSOP (RM-8)
功耗1, 2
热阻3
θJA(结至环境，静止空气)
θJC(结至外壳)
8引脚SOIC-N (R-8)
功耗1, 2
热阻3
θJA(结至环境，静止空气)
θJC(结至外壳)
IR回流焊
峰值温度
峰值温度时间
上斜坡速率
下斜坡速率
从25°C至峰值温度的时间
IR回流焊(无铅封装)
峰值温度
峰值温度时间
上斜坡速率
下斜坡速率
从25°C至峰值温度的时间
TEMPERATURE (°C)
图3. MSOP最大功耗与环境温度的关系
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放
电。尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇
到高能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采
取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功
能丧失。
260°C (+0°C)
20秒至40秒
3°C/秒(最大值)
–6°C/秒(最大值)
8分钟(最大值)
1
值与标准2层PCB上使用的封装相关。由此可得出最差条件θJA和θJC。
最大功耗与环境温度(TA)的关系曲线见图3。
2
TA = 环境温度。
3
结至外壳热阻适用于具有优先流向特性的元件，例如安装在散热器
上的元件。结至环境热阻更适用于PCB式安装的气冷元件。
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ADT75
SDA 1
SCL 2
OS/ALERT 3
ADT75
TOP VIEW
(Not to Scale)
GND 4
8
VDD
7
A0
6
A1
5
A2
05326-004
引脚配置和功能描述
图4. 引脚配置
表5. 引脚功能描述
引脚编号 引脚名称
1
SDA
2
SCL
3
4
5
6
7
8
OS/ALERT
GND
A2
A1
A0
VDD
描述
SMBus/I2C串行数据输入/输出。此引脚提供要载入和读取自ADT75寄存器的串行数据。
开漏配置，需要上拉电阻。
串行时钟输入。这是串行端口的时钟输入。串行时钟用于向ADT75的任一寄存器逐个输入数据或
从其逐个输出数据。开漏配置，需要上拉电阻。
过温和欠温指示器。上电时默认用作OS引脚。开漏配置，需要上拉电阻。
模拟地和数字地。
SMBus/I2C串行总线地址选择引脚。逻辑输入。可以设置为GND或VDD。
SMBus/I2C串行总线地址选择引脚。逻辑输入。可以设置为GND或VDD。
SMBus/I2C串行总线地址选择引脚。逻辑输入。可以设置为GND或VDD。
正电源电压，2.7 V至5.5 V。将此电源去耦至地。
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ADT75
典型性能参数
7
1.0
TA = 30°C
6
0.2
0
–0.2
VDD = 5V
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–55
–35
–15
5
25
45
65
85
105
5
4
3
2
1
0
2.6
125
3.1
3.6
图5. 3.3 V和5 V时的温度精度
0.05
CONVERTING @ 5.5V
TEMPERATURE ERROR (°C)
350
300
250
AVERAGE @ 5.5V
AVERAGE @ 3.3V
05326-024
100
50
–35
–15
5
25
45
65
85
105
0
–0.01
–0.02
–0.03
VDD = 3.3V ± 10%
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
TEMPERATURE (°C)
SUPPLY RIPPLE FREQUENCY (MHz)
图6. 工作电流与温度的关系
图9. 温度精度与电源纹波频率的关系
5.0
0.025
TA = 30°C
0.020
TEMPERATURE ERROR (°C)
225
220
215
210
205
200
0.015
0.010
MSOP PACKAGE
0.005
0
–0.005
SOIC PACKAGE
–0.010
–0.015
–0.020
3.1
3.6
4.1
4.6
5.1
5.6
SUPPLY VOLTAGE (V)
05326-025
AVERAGE SUPPLY CURRENT (µA)
0.01
–0.05
125
230
195
2.6
VDD = 5V ± 10%
0.02
–0.04
240
235
0.03
05326-028
SUPPLY CURRENT (µA)
400
0
–55
TA = 25°C
A 0.1µF CAPACITOR IS CONNECTED AT THE VDD PIN.
0.04
CONVERTING @ 3.3V
150
5.6
5.1
图8. 30°C时关断电流与电源电压的关系
500
200
4.6
SUPPLY VOLTAGE (V)
TEMPERATURE (°C)
450
4.1
05326-026
VDD = 3.3V
05326-027
0.4
SHUTDOWN CURRENT (µA)
0.6
05326-023
TEMPERATURE ERROR (°C)
0.8
图7. 30°C时平均工作电源电流与电源电压的关系
–0.025
0
2
4
6
8
图10. 热冲击响应
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10
RECOVERY TIME AT 25°C (Hours)
12
14
ADT75
工作原理
电路信息
功能描述
ADT75是一款12位数字温度传感器，第12位用作符号位。
器件的转换时钟内部产生。只有在从串行端口读取或写入
片上温度传感器产生与绝对温度成精确比例的电压，该电
串行端口时才需要外部时钟。正常模式下，内部时钟振荡
压与内部基准电压相比较并输入至精密数字调制器。
器执行一个自动转换序列。在该自动转换序列期间，每隔
ADT75 A级的整体精度为±2°C(−25°C至+100°C范围)，ADT75
100 ms启动一次转换。此时，器件的模拟电路上电并执行
B级为±1°C(0°C至+70°C范围)。两种等级均具有出色的传
感器线性度。串行接口为SMBus /I2C兼容型，ADT75的开漏
输出能够吸收3 mA电流。
温度转换。
温度转换通常需要60 ms，转换完成后，器件的模拟电路自
动关断。40 ms后，100 ms定时器超时，模拟电路再次上电，
片上温度传感器在整个额定温度范围内都具有出色的精度
开始执行下一次转换。温度值寄存器始终提供最近一次温
和线性度，用户无需进行校正或校定。
度转换的结果，因为SMBus/I2C电路永远不会关断。
传感器输出通过一个一阶Σ-Δ调制器(亦称电荷平衡型ADC)
通过配置寄存器可以将ADT75置于关断模式，在这种情况
进行数字化。这种转换器利用时域过采样和一个高精度比
下，片内振荡器关断，在ADT75退出关断模式之前，不会
较器在一个极紧凑的电路中实现12位有效精度。
继续启动任何转换。通过将0写入配置寄存器中的位D0，
转换器详解
可以使ADT75退出关断模式。ADT75退出关断模式的典型
Σ-Δ调制器包括一个输入采样器、一个求和网络、一个积
分器、一个比较器和一个1位DAC。与电压频率转换器相
时间为1.7 ms。即使ADT75处于关断模式，仍然可以从ADT75
读取关断前最后一次转换的结果。
似，此架构通过响应输入电压变化而改变比较器输出的占
正常转换模式下，内部时钟振荡器在每次读或写操作后都
空比，从而产生一个负反馈环路，将积分器输出降至最
会复位，致使器件开始温度转换，转换结果通常在60 ms后
小。比较器以比输入采样频率高得多的速率来对积分器的
可用。同样，当器件退出关断模式时，内部时钟振荡器启
输出进行采样，这就是所谓“过采样”。过采样在比输入信
动，并启动一次转换。
号宽得多的频带内扩展量化噪声，从而改善总体噪声性能
转换结果通常在60 ms后可用。转换完成前读取器件会导致
并提高精度。
ADT75停止转换；当串行通信结束时，器件再次开始转
换。该读操作读取的是上一次转换的结果。
Σ-∆ MODULATOR
INTEGRATOR
VOLTAGE REF
AND VPTAT
COMPARATOR
+
所测得的温度值与16位TOS读写寄存器中存储的高温限值，以
及16位THYST读写寄存器中存储的迟滞温度限值相比较，如果
–
测量值超过这些限值，则激活OS/ALERT引脚。该OS/ALERT
1-BIT
DAC
引脚可经由配置寄存器针对模式和极性进行编程。
LPF DIGITAL
FILTER
TEMPERATURE
VALUE
12-BIT REGISTER
05326-011
1-BIT
CLOCK
GENERATOR
图11. 一阶Σ-Δ型调制器
比较器的已调输出通过电路进行编码产生SMBus/I2C温度
数据。
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ADT75
表6. 12位温度数据格式
配置寄存器功能包括
• 在正常工作模式和完全关断模式之间切换
• 在比较器模式和中断事件模式之间切换
• 设置OS/ALERT引脚的有效极性
• 设置激活OS/ALERT引脚的故障数量
• 使能单次采样模式
• 使能OS/ALERT引脚的SMBus报警功能模式
温度数据格式
ADC的一个LSB对应0.0625°C。ADC理论上可以测量255°C
(−128°C至+127°C)的温度范围，但ADT75可以保证正常工
作 的 测 量 范 围 是 低 值 温 度 限 值 −55°C至 高 值 温 度 限 值
+125°C。温度测量结果存储在16位温度值寄存器中，并与
存储在TOS设定点寄存器中的高温限值和存储在THYST设定
温度
−55°C
−50°C
−25°C
−0.0625°C
0°C
+0.0625°C
+10°C
+25°C
+50°C
+75°C
+100°C
+125°C
数字输出(二进制)
DB15至DB4
1100 1001 0000
1100 1110 0000
1110 0111 0000
1111 1111 1111
0000 0000 0000
0000 0000 0001
0000 1010 0000
0001 1001 0000
0011 0010 0000
0100 1011 0000
0110 0100 0000
0111 1101 0000
数字输出(十六进制)
0xC90
0xCE0
0xE70
0xFFF
0x000
0x001
0x0A0
0x190
0x320
0x4B0
0x640
0x7D0
温度转换公式
点寄存器中的迟滞限值相比较。
12位温度数据格式
温度值寄存器、TOS设定点寄存器和THYST设定点寄存器中
• 负温度 = (ADC码(十进制)1− 4096)/16，或者负温度 =
的温度数据由12位二进制补码字表示。MSB是温度符号
位。四个LSB(位DB0至DB3)不是温度转换结果的一部分，
始终为0。表6所示为不带位DB0至DB3的温度数据格式。
从温度值寄存器回读温度需要一个双字节读操作，但如果
只需要1°C(8位)分辨率，则可以使用单字节读操作。使用9
位温度数据格式的设计人员仍可使用ADT75，只需忽略12
位温度值的后三个LSB。这三个LSB是表6中的位D4至D6。
• 正温度 = ADC码(十进制)/16
(ADC码(十进制)2 – 2048)/16
9位温度数据格式
• 正温度 = ADC码(十进制)/2
• 负温度 = (ADC码(十进制)3− 512)/2，或者负温度 = (ADC
码(十进制)4 – 256)/2
8位温度数据格式
• 正温度 = ADC码(十进制)
• 负温度 = ADC码(十进制)5− 256，或者负温度 = ADC码
(十进制)6 – 128 ADC码去除位DB7(符号位)
ADC码使用所有12位数据字节，包括符号位。
ADC码去除位DB11(符号位)。
3
ADC码使用所有9位数据字节，包括符号位。
4
ADC码去除位DB8(符号位)。
5
ADC码使用所有8位数据字节，包括符号位。
6
ADC码去除位DB7(符号位)。
1
2
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ADT75
TEMPERATURE
单次采样模式
82°C
将配置寄存器的位D5设为1可使能单次采样模式。使能此
81°C
模式时，ADT75立即进入关断模式，功耗降至典型值3 μA
80°C
(VDD为3.3 V)或5.5 μA(VDD为5 V)。将地址0x04写入地址指
79°C
TOS
78°C
针寄存器时，就会写入单次采样寄存器，从而启动单次采
77°C
样温度测量：ADT75上电，执行一次温度转换，然后再次
76°C
关断。
75°C
写入单次采样寄存器后，回读温度之前至少应等待60 ms。
73°C
THYST
74°C
此等待时间确保ADT75有时间上电和完成一次转换。回读
单次采样寄存器(地址0x04)可获得温度转换结果。回读温
度值寄存器也能获得同样的温度值。
选择任一过温检测模式时，如果温度超过过温限值，则写
入单次采样寄存器(地址0x04)将激活OS/ALERT引脚。有关
单次采样OS/ALERT引脚操作的更多信息，请参见图12。
注意：在中断模式下，如果OS/ALERT引脚因为写入单次
OS/ALERT PIN
(COMPARATOR MODE)
POLARITY = ACTIVE LOW
OS/ALERT PIN
(INTERRUPT MODE)
POLARITY = ACTIVE LOW
OS/ALERT PIN
(COMPARATOR MODE)
POLARITY = ACTIVE HIGH
OS/ALERT PIN
(INTERRUPT MODE)
POLARITY = ACTIVE HIGH
采样寄存器而激活，则读取任意寄存器都会复位该引脚。
TIME
READ1
写入单次采样寄存器就会复位OS/ALERT引脚。
WRITE TO
0x04 REG.2
电路设计优先考虑降低功耗时，单次采样模式非常有用。
READ1
WRITE TO
0x04 REG.2
READ1
WRITE TO
0x04 REG.2
1READ FROM ANY
2THERE IS A 60ms
REGISTER.
DELAY BETWEEN WRITING TO THE
ONE-SHOT REGISTER AND THE OS/ALERT PIN GOING
ACTIVE. THIS IS DUE TO THE CONVERSION TIME.
05326-022
在比较器模式下，一旦温度降至THYST寄存器的值以下，则
图12. 单次采样OS/ALERT引脚操作
故障队列
配置寄存器的位D3和位D4用于设置故障队列。在高温度
噪声环境下使用ADT75时，队列可提供最多6个故障以防
误触发OS/ALERT引脚。队列中所设故障的数目必须连续
发生才能设置OS/ALERT输出。
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ADT75
寄存器
地址指针寄存器
ADT75内置6个寄存器：4个数据寄存器、1个地址指针寄
此8位只写寄存器存储一个指向四个数据寄存器之一或选
存器和1个单次采样寄存器。其中只有配置寄存器是8位宽
择单次转换模式的地址。P0和P1选择后续数据字节要写入
数据寄存器，其余都是16位宽。温度值寄存器是唯一的只
或读出的数据寄存器。P0、P1和P2用于选择单次采样模
读数据寄存器，其余数据寄存器和单次采样寄存器都是可
式，方法是将04h写入此寄存器。其余位应写入0。
读可写的。上电时，地址指针寄存器装载0x00并指向温度
值寄存器。
P7
0
上电默认设置
表7. ADT75寄存器
指针地址
0x00
0x01
0x02
0x03
0x04
表8. 地址指针寄存器
名称
温度值
配置
THYST 设定点
TOS 设定点
单次采样
上电默认值
0x00
0x00
0x4B00 (75°C)
0x5000 (80°C)
0xXX
P6
0
P5
0
P4
0
表9. 寄存器地址
P2
0
0
0
0
1
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P1
0
0
1
1
0
P0
0
1
0
1
0
所选寄存器
温度值
配置
THYST 设定点
TOS 设定点
单次采样模式
P3
0
P2
0
P1
0
P0
0
ADT75
温度值寄存器
配置寄存器
此16位只读寄存器存储内部温度传感器测量的温度，温度
此8位读写寄存器存储ADT75的各种配置模式。这些模式
以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄
包括：关断、过温中断、单次采样、SMBus报警功能使
存器时，首先读取8个MSB(位D15至D8)，然后读取8个LSB
能、OS/ALERT引脚极性和过温故障队列。参见表10。
(位D7至D0)。控制寄存器设置是上电时的默认设置。
MSB
D15
0
1
D14
0
D13
0
D12
0
D11
0
D10
0
D9
0
D8
0
D7
0
D6
0
N/A表示不适用。
表10.
位
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
配置模式
OS/SMBus报警
保留
单次采样
故障队列
故障队列
OS/ALERT引脚极性
比较器/中断
关断
上电默认设置
0
0
0
0
0
0
0
0
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D5
0
D4
0
D3
N/A1
D2
N/A1
D1
N/A1
LSB
D0
N/A1
ADT75
表11.
位
D0
关断
D1
Cmp/Int
D2
OS/ALERT
D4:D3
故障
队列
D5
单次采样
D6
保留
D7
OS/SMBus
报警
模式
功能
关断位。此位设为1时，ADT75进入关断模式，SMBus/I2C接口以外的所有电路都关断。
要使器件重新上电，应将0写入此位。
此位在比较器模式与中断模式之间进行选择。
D1
0
过温中断模式
比较器模式
1
中断模式
此位选择OS/ALERT引脚的输出极性。
D2
OS/ALERT引脚极性
0
低电平有效
1
高电平有效
这两个位选择在设置OS/ALERT引脚之前会发生的过温故障的数目。
这有助于避免温度噪声所引起的误触发。
D [4:3]
过温故障队列
00
1个故障(默认)
01
2个故障
10
4个故障
11
6个故障
单次采样模式。此位设为1时，器件进入单次采样模式。在这种模式下，器件通常都处于关断状态，
直到将0x04写入地址指针寄存器，然后执行转换，转换完成后，器件再次关断。
D5 单次采样模式
0
正常模式；上电后每隔100 ms转换一次
1
单次采样模式
保留。将0写入此位。
仅中断模式。使能SMBus报警功能模式。选择中断模式时(D1 = 1)，此位可以使ADT75支持SMBus报警功能。
D7
0
OS/SMBus报警模式
禁用SMBus报警功能。选择该位状态时，OS/ALERT引脚用作OS引脚。
1
使能SMBus报警功能。
THYST设定点寄存器
此16位读写寄存器存储两种中断模式的温度迟滞限值，温度限值以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄存
器时，首先读取8个MSB，然后读取8个LSB。THYST限值的默认设置是75°C。控制寄存器设置是上电时的默认设置。
MSB
D15
0
1
D14
1
D13
0
D12
0
D11
1
D10
0
D9
1
D8
1
D7
0
D6
0
D5
0
D4
0
D3
N/A1
D2
N/A1
D1
N/A1
LSB
D0
N/A1
N/A表示不适用。
TOS设定点寄存器
此16位读写寄存器存储两种中断模式的过温限值，温度限值以二进制补码格式存储，MSB作为温度符号位。读取此寄存器
时，首先读取8个MSB，然后读取8个LSB。TOS限值的默认设置是80°C。控制寄存器设置是上电时的默认设置。
MSB
D15
0
1
D14
1
D13
0
D12
1
D11
0
D10
0
D9
0
D8
0
D7
0
N/A表示不适用。
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D6
0
D5
0
D4
0
D3
N/A1
D2
N/A1
D1
N/A1
LSB
D0
N/A1
ADT75
串行接口
串行总线协议按如下方式工作：
ADT75的控制经由SMBus/I2C兼容串行接口实现。ADT75
作为从器件连接至此总线，受主器件控制。
义为在串行时钟线(SCL)保持高电平时，串行数据线
图13所示为一个典型SMBus/I2C接口连接。
PULL-UP
VDD
(SDA)发生高低转换。这表示随后将产生地址/数据流。
PULL-UP
VDD
VDD
1. 主器件通过建立起始条件而启动数据传输；起始条件定
所有连接至串行总线的从外设器件都对起始条件做出响
应，并读取接下来的8个位，包括一个7位地址(MSB优
10kΩ
ADT75
OS/ALERT
A0
A1
A2
先)加一个读写(R/W)位。R/W位决定数据是写入从器件
0.1µF
或由从器件读出。
SCL
SDA
GND
2. 地址与所发送地址相对应的外设通过在第9个时钟脉冲
SMBus/I2C ADDRESS = 1001 000
(亦称应答位)之前的低电平周期期间将数据线拉至低电
05326-012
10kΩ
10kΩ
平来做出响应。在选定器件等待读写数据期间，总线上
图13. 典型SMBus/I 2C接口连接
的所有其它器件保持空闲状态。如果R/W位为0，则主
串行总线地址
器件向从器件写入数据。如果R/W位为1，则主器件由
与其它SMBus/I 2C兼容器件一样，ADT75具有7位串行地
从器件读取数据。
址。此地址的4个MSB设置为1001。引脚A2、A1和A0设置
3. 数据按9个时钟脉冲(8个数据位后跟1个来自数据接收器
三个LSB。这些引脚可以配置成低和高两种电平，以提供8
的应答位)的顺序通过串行总线发送。数据线上的转换
种不同的地址选项。表12显示可用的不同总线地址选项。
必须发生在时钟信号的低电平周期期间，并且当时钟处
SDA线和SCL线的推荐上拉电阻值为10 kΩ。
于高电平时保持稳定，因为在时钟线高电平周期期间的
表12. SMBus/I2C总线地址选项
数据线低电平至高电平转换，将被视为一个停止信号。
A6
1
1
1
1
1
1
1
1
A5
0
0
0
0
0
0
0
0
二进制
A4
A3
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
4. 读取或写入所有数据字节之后，停止条件随即建立。在
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
写入模式下，主机在第10个时钟脉冲期间拉高数据线，
十六进制
0x48
0x49
0x4A
0x4B
0x4C
0x4D
0x4E
0x4F
以置位停止条件。在读取模式下，主器件在第9个时钟
脉冲之前的低电平周期期间将数据线拉至高电平。这称
为不应答。主器件在第10个时钟脉冲之前的低电平周期
期间将数据线置于低电平，然后在第10个时钟脉冲期间
将数据线拉至高电平，以置位停止条件。
一次操作中，通过串行总线可以传输任一数量的数据字
ADT75具有SMBus/I2C超时功能。SDA线无活动持续75 ms至
325 ms后，SMBus/I2C接口超时。经过超时时间后，ADT75
将SDA线复位到空闲状态(SDA设置为高阻抗)，等待下一
个起始条件。
节。然而，因为操作类型在开始时已确定，且随后如果不
开始一个新操作便无法更改，因此不能在一个操作中混合
读取和写入。
器件不会锁存三个地址引脚所设置的I2C地址，除非两次发
送该地址。在第二次有效通信的第8个SCL周期，串行总线
地址被锁存；该周期是器件看见自己的I2C串行总线地址之
后紧接着的SCL周期。随后对此引脚的任何更改都不会影
响I2C串行总线地址。
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ADT75
写入数据
写入数据到寄存器
ADT75有两种不同的写操作方式，具体取决于所写入的寄
配置寄存器为8位宽，因此只能将一个字节的数据写入此
存器。
寄存器。对配置寄存器写入的单字节数据包括串行总线地
址、写入地址指针寄存器的数据寄存器地址，后跟写入所
为随后的读操作写入地址指针寄存器
选数据寄存器的数据字节，如图15所示。THYST寄存器和TOS
为了从特定寄存器读取数据，地址指针寄存器必须包含该
寄存器均为16位宽，因此可以写入两个数据字节。将双字
寄存器的地址。如果不包含，则必须执行单字节写操作，
节数据写入这些寄存器包括串行总线地址、写入地址指针
将正确的地址写入地址指针寄存器，如图14所示。该写操
寄存器的数据寄存器地址，后跟写入所选数据寄存器的两
作包括串行总线地址和地址指针字节。无数据写入任何数
个数据字节，如图16所示。如果将超过要求数目的数据字
据寄存器。然后，执行读操作以读取寄存器。
节写入一个寄存器，该寄存器会忽略这些额外的数据字
节。若要写入一个不同的寄存器，则需要另一个起始或重
复起始条件。
1
9
1
9
SCL
0
0
1
A1
A2
A0
R/W
START BY
MASTER
P7
P6
P5
P4
P3
P2
P1
P0
ACK. BY
ADT75
ACK. BY
ADT75
FRAME 1
SERIAL BUS ADDRESS
BYTE
STOP BY
MASTER
FRAME 2
ADDRESS POINTER REGISTER BYTE
图14. 写入地址指针寄存器以选择用于随后读操作的寄存器
1
9
1
9
SCL
1
0
0
1
A2
A1
A0
START BY
MASTER
P7
R/W
P6
P5
P4
P3
P2
P1
P0
ACK. BY
ADT75
ACK. BY
ADT75
FRAME 1
SERIAL BUS ADDRESS BYTE
FRAME 2
ADDRESS POINTER REGISTER BYTE
1
9
SCL (CONTINUED)
SDA (CONTINUED)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
ACK. BY
ADT75
FRAME 3
DATA BYTE
图15. 写入地址指针寄存器，然后将单字节数据写入配置寄存器
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STOP BY
MASTER
05326-014
SDA
05326-013
1
SDA
ADT75
1
9
1
9
SCL
1
SDA
0
0
1
A2
A1
A0
P7
R/W
START BY
MASTER
P6
P5
P4
P3
P2
P1
P0
ACK. BY
ADT75
ACK. BY
ADT75
FRAME 1
SERIAL BUS ADDRESS BYTE
FRAME 2
ADDRESS POINTER REGISTER BYTE
1
1
9
9
SCL (CONTINUED)
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
ACK. BY
ADT75
ACK. BY
ADT75
FRAME 3
DATA BYTE
STOP BY
MASTER
FRAME 4
DATA BYTE
05326-015
SDA (CONTINUED)
图16. 写入地址指针寄存器，然后将双字节数据写入THYST 或TOS 寄存器
1
1
9
9
SCL
0
0
1
A1
A2
A0
R/W
START BY
MASTER
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
ACK. BY
ADT75
NO ACK. BY STOP BY
MASTER
MASTER
FRAME 1
SERIAL BUS ADDRESS
BYTE
FRAME 2
DATA BYTE FROM CONFIGURATION
REGISTER
05326-016
1
SDA
图17. 从配置寄存器读回数据
1
9
1
9
SCL
SDA
1
0
0
1
A2
A1
A0
START BY
MASTER
D15
R/W
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
ACK. BY
ADT75
ACK. BY
MASTER
FRAME 1
SERIAL BUS ADDRESS BYTE
FRAME 2
MSB DATA BYTE FROM TEMPERATURE
VALUE REGISTER
9
1
SCL (CONTINUED)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
NO ACK. BY
MASTER
FRAME 3
LSB DATA BYTE FROM TEMPERATURE
VALUE REGISTER
STOP BY
MASTER
05326-017
SDA (CONTINUED)
图18. 从温度值寄存器读回数据
读取数据
设置相关寄存器地址。因此，无法执行块读取，即I2C没有
从ADT75读取数据，对于配置寄存器，通过单数据字节操
自动递增功能。如果之前已使用要接收读取命令的寄存器
作完成；对于温度值寄存器、THYST寄存器和TOS设定点寄
的地址来设置地址指针寄存器，则无需重复写入操作来再
存器，则通过双数据字节操作来完成。回读配置寄存器的
次设置寄存器地址。
内容如图17所示。回读温度值寄存器的内容如图18所示。
从任何寄存器回读数据时，首先需要对地址指针寄存器进
行单字节写操作，以设置要读取的寄存器的地址。要从另
一寄存器读取，需要对地址指针寄存器执行另一写操作来
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ADT75
OS/ALERT输出过温模式
中断模式
ADT75有 两 种 过 温 模 式 ： 比 较 器 模 式 和 中 断 模 式 。
在中断模式下，读取ADT75的任何寄存器时，OS/ALERT
OS/ALERT引脚的上电默认设置是OS引脚，比较器模式是
引脚都会进入无效状态。只有当测得的温度低于THYST设定
上电默认的过温模式。当测得的温度超过TOS设定点寄存器
点寄存器中存储的限值时，OS/ALERT引脚才能返回有效
中存储的温度限值时，OS/ALERT输出引脚激活。此引脚
状态。一旦OS/ALERT引脚复位，则只有当温度高于TOS限
在此事件后的反应方式取决于所选的过温模式。
值时，OS/ALERT引脚才会再次有效。当OS/ALERT引脚用
作SMBus报警引脚时，SMBus报警响应地址(ARA)也能复
比较器模式
位OS/ALERT引脚。更多信息请参阅“SMBUS报警”部分。
在比较器模式下，当测得的温度降至THYST设定点寄存器中
图19所示为两种引脚极性设置情况下的比较器模式和中断
存储的限值以下时，OS/ALERT引脚返回无效状态。该模
模 式 。 在 中 断 模 式 下 ， 将 ADT75置 于 关 断 模 式 可 复 位
式下，使ADT75处于关断模式不会复位OS/ALERT状态。
OS/ALERT引脚。
TEMPERATURE
82°C
81°C
TOS
80°C
79°C
78°C
77°C
76°C
THYST
75°C
74°C
73°C
OS/ALERT PIN
(COMPARATOR MODE)
POLARITY = ACTIVE LOW
OS/ALERT PIN
(INTERRUPT MODE)
POLARITY = ACTIVE LOW
OS/ALERT PIN
(COMPARATOR MODE)
POLARITY = ACTIVE HIGH
TIME
READ
READ
图19. OS/ALERT输出温度响应图
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READ
05326-018
OS/ALERT PIN
(INTERRUPT MODE)
POLARITY = ACTIVE HIGH
ADT75
1. SMBALERT 被拉低。
SMBus报警
将 配 置 寄 存 器 的 位 D7置 1以 使 能 SMBus报 警 功 能 时 ，
OS/ALERT引脚可以用作SMBus报警引脚。同时还必须选
择中断模式(配置寄存器的位D1)。OS/ALERT引脚为开漏
输出，需要上拉至VDD。多个SMBus报警输出可以通过“线
2. 主器件启动一个读操作，并发送SMBus报警响应地址
(ARA = 0001 100)。这一保留的SMBus/I2C地址不得用作特
定器件地址。
3. SMBus报警输出为低电平的器件响应SMBus报警响应地
与”方式连在一起，如果其中一个或多个SMBus报警输出变
址，主器件读取其器件地址。由于器件地址只有7位，
为低电平，则公共输出线路变为低电平。为将多个输出通
因此ADT75的LSB可以用来指示是哪个温度限值被超
过“线与”方式连在一起，必须将OS/ALERT引脚的极性设
过。如果温度大于或等于TOS，则LSB为1；如果温度小
置为低电平有效。
于THYST，则LSB为0。此时，器件的地址是已知的了，可
器件一般无法向主器件发出信号要求通信，但利用
SMBALERT功能却可以这样做。SMBALERT与SMBus广播
地址一同使用。
可以将一个或多个SMBus报警输出连接到一条与主器件相
连的公共SMBALERT线。当任一器件将SMBALERT线拉低
时，将发生下列操作，如图20所示。
MASTER
RECEIVES
SMBALERT
4. 如果有多个器件的SMBus报警输出为低电平，根据一般
的SMBus规范，器件地址最低的器件将优先响应。
ADT75响应SMBus报警响应地址后，就会复位SMBus报警
输出。如果SMBALERT线仍为低电平，主器件将再次发送
ARA。主器件将重复这一操作，直到所有SMBALERT输出
为低电平的器件都已做出响应。
MASTER
RECEIVES
SMBALERT
ALERT RESPONSE
ADDRESS
MASTER SENDS
ARA AND READ
COMMAND
NO
RD ACK DEVICE ADDRESS ACK STOP
DEVICE SENDS
ITS ADDRESS
图20. ADT75响应SMBALERT ARA
RESPONSE
START ALERT
ADDRESS
05326-019
START
以通过一般方式查询。
MASTER SENDS
ARA AND READ
COMMAND
DEVICE ACK
MASTER
ACK
DEVICE
RD ACK ADDRESS
ACK
MASTER
NACK
PEC
NO
ACK
STOP
DEVICE SENDS DEVICE SENDS
ITS ADDRESS ITS PEC DATA
图21. ADT75响应SMBALERT ARA，带有分组差错校验(PEC)
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05326-020
OS/ALERT输出可以充当SMBALERT功能。SMBus上的从
ADT75
应用信息
热响应时间
电源去耦
温度传感器建立到额定精度所需的时间是传感器的热质量
应在VDD与GND之间连接一个0.1 μF陶瓷电容来去耦。如果
和传感器与检测对象之间的导热率的函数。一般认为热质
ADT75安装于离电源较远处，这点尤其重要。ADT75等精
量等效于电容。导热率常用符号Q表示，可以看作热阻，
密模拟产品都需要充分滤波的电源。ADT75采用单电源供
通 常 以 通 过 热 接 点 传 输 的 功 率 (°C/W) 为 单 位 。 因 此 ，
电，因此利用数字逻辑电源看起来较为方便。但是，逻辑
ADT75建立至所需精度要求的时间取决于所选的封装、特
电源通常采用开关模式设计，会产生20 kHz至1 MHz范围内
定应用中确立的热接触和热源的等效功率。在大部分应用
的噪声。此外，由于线路电阻和电感，高速逻辑门会产生
中，最好是凭经验确定建立时间。
幅度达到数百毫伏的毛刺。
自热效应
如果可能，应直接从系统电源为ADT75供电。图22所示的
在某些应用中，由于自热效应，ADT75的温度测量精度可
配置可以隔离模拟部分和逻辑开关瞬变。即使不能使用独
能会降低。静态功耗和转换时的功耗可能会引入误差。这
立的电源走线，大量的电源旁路仍能降低电源线路引起的
些温度误差的幅度取决于ADT75封装的导热率、安装技术
误差。包括0.1 μF陶瓷电容的本地电源旁路对要实现的温度
和气流效应。在25°C、3.3 V工作电压时，ADT75的静态功耗
精度规格来说至关重要。此去耦电容必须尽可能靠近
典型值为798.6 μW。对于安装于自由空气中的8引脚MSOP封
ADT75的VDD引脚放置。
装，自热效应引起的温度升幅为：
TTL/CMOS
LOGIC
CIRCUITS
T = PDISS × θJA = 798.6 µW × 205.9°C/W = 0.16°C
0.1µF
ADT75
建议尽可能降低器件消耗的电流，因为电流越大，温度误
使用关断模式可以降低ADT75消耗的电流，从而降低自热
效应。当ADT75处于关断模式、工作温度为25°C、VDD = 3.3 V
且上电/转换速率为1 SPS(每秒样本数)时，ADT75的静态功
耗典型值为78.6 μW。对于安装于自由空气中的8引脚MSOP
封装，自热效应引起的温度升幅为：
T = PDISS × θJA = 78.6 µW × 205.9°C/W = 0.016°C
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POWER
SUPPLY
图22. 使用独立走线降低电源噪声
05326-021
差也越大。
ADT75
温度监控
如果热阻确定，则可从ADT75的输出推导出热源的温度。
ADT75非常适合于监控电子设备内的热环境。例如，表贴
从热源传输到ADT75芯片上热传感器的热量有60%之多经
封装可精确反映影响附近集成电路的确切热条件。
由铜走线、封装引脚和焊盘散发掉。在ADT75的引脚中，
ADT75测量并转换其本身半导体芯片表面的温度。使用
GND引脚传输的热量最多。因此，要测量一个热源的温
ADT75测量附近热源的温度时，必须考虑热源和ADT75之
度，建议尽可能降低ADT75 GND引脚与热源的GND之间
间的热阻。常常使用热电偶或其它温度传感器测量热源的
的热阻。
温度，同时回读ADT75温度值寄存器以监控温度。
例如，使用ADT75的独特特性来监控高功耗微处理器的温
度。ADT75器件采用表贴封装，直接安装在微处理器的引
脚栅阵列(PGA)封装之下。ADT75产生线性温度输出，只
需两个I/O引脚，无需进行外部特性测试。
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ADT75
外形尺寸
3.20
3.00
2.80
8
3.20
3.00
2.80
5.15
4.90
4.65
5
1
4
PIN 1
IDENTIFIER
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
15° MAX
1.10 MAX
6°
0°
0.40
0.25
0.80
0.55
0.40
0.23
0.09
10-07-2009-B
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
图23. 8引脚超小型封装[MSOP]
(RM-8)
图示尺寸单位：mm
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
8
1
5
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
图24. 8引脚标准小型封装[SOIC_N]
窄体
(R-8)
图示尺寸单位：mm和(inch)
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012407-A
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
ADT75
订购指南
型号1
ADT75ARMZ
ADT75ARMZ-REEL7
ADT75ARMZ-REEL
ADT75ARZ
ADT75ARZ-REEL7
ADT75ARZ-REEL
ADT75BRMZ
ADT75BRMZ-REEL7
ADT75BRMZ-REEL
EVAL-ADT75EBZ
温度范围
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
–55°C至+125°C
温度精度2,3
±2°C
±2°C
±2°C
±2°C
±2°C
±2°C
±1°C
±1°C
±1°C
封装描述
8引脚 MSOP
8引脚 MSOP
8引脚 MSOP
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 SOIC_N
8引脚 MSOP
8引脚 MSOP
8引脚 MSOP
评估板
1
Z = 符合RoHS标准的器件。
A级温度精度相对于−25°C至+100°C的温度范围。
3
B级温度精度相对于0°C至70°C的温度范围。
2
I2C指最初由Philips Semiconductors(现为NXP Semiconductors)开发的一种通信协议。
©2005–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D05326sc-0-8/12(B)
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封装选项
RM-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
RM-8
标识
T5B
T5B
T5B
T5C
T5C
T5C