SBCJ1020 ... SBCJ1045 SBCJ1020 ... SBCJ1045 Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode Version 2014-11-06 Nominal Current Nennstrom ±0.3 4.5 ±0.2 15±0.3 Ø 3.2 ±0.2 2.7 2.6 10.1 ±0.2 Type Typ ±0.2 0.6 ±0.1 13.6 2.6 ITO-220AB Weight approx. Gewicht ca. 1 2 3 1.3 20...45 V Isolated plastic case Isoliertes Kunststoffgehäuse 3.8±0.3 1 2 3 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 8.4 ±0.2 ±0.2 0.7 2.2g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 2.54±0.1 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 2) IF = 5 A IF = 10 A SBCJ1020 20 20 < 0.55 < 0.63 SBCJ1030 30 30 < 0.55 < 0.63 SBCJ1040 40 40 < 0.55 < 0.63 SBCTJ045 45 45 < 0.55 < 0.63 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV IFAV 5 A 1) 10 A 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100/120 A 2) Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 1 1 2 50 A2s 2) -50...+150°C -50...+175°C Tj = 25°C Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SBCJ1020 ... SBCJ1045 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse VR = VRRM IR RthC < 300 µA 1) < 7 mA 1) 5.5 K/W 2) 102 120 [%] [A] 100 SBCJ1020...SBCJ1045 10 80 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 -2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 1 2 2 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode − Pro Diode Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb) http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG