中文数据手册

18 V、精密、725 μA、4 MHZ、
CMOS轨到轨输入输出运算放大器
ADA4661-2
产品特性
OUT A 1
低失调电压
150 µV(最大值,VSY/2时)
8
V+
–IN A 2
ADA4661-2
7
OUT B
+IN A 3
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
–IN B
5
+IN B
V– 4
300 µV(最大值,整个共模输入范围内)
11366-001
引脚接线图
高电压(18V)下低功耗:725 μA(最大值)
图1. 8引脚MSOP封装
OUT A 1
增益带宽积:4 MHz(典型值,AV = 100)
–IN A 2
单位增益交越:4 MHz(典型值):
+IN A 3
−3 dB闭环带宽:2.1 MHz(典型值):
8 V+
ADA4661-2
TOP VIEW
(Not to Scale)
V– 4
单电源供电:3 V至18 V
7 OUT B
6 –IN B
5 +IN B
NOTES
1. CONNECT THE EXPOSED PAD TO V– OR
LEAVE IT UNCONNECTED.
双电源供电:±1.5 V至±9 V
11366-002
低输入偏置电流:15 pA(最大值)
图2. 8引脚LFCSP封装
单位增益稳定
250
VSY = 18V
应用
200
分流监控器电流检测
150
有源滤波器
100
VOS (µV)
便携式医疗设备
缓冲/电平转换
高阻抗传感器接口
50
0
–50
电池供电仪器仪表
–100
–150
ADA4661-2是一款双通道、精密、轨到轨输入/输出放大
–200
–250
0
器,针对低功耗、高带宽和宽工作电源电压范围应用进行
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0 10.5 12.0 13.5 15.0 16.5 18.0
VCM (V)
了优化。
图3. 输入失调电压与共模电压的关系
ADA4661-2在电源电压为3.0 V、10 V和18 V时保证具有额定
性能。该器件是3.3 V、5 V、10 V、12 V和15 V单电源以及
±2.5 V、±3.3 V和±5 V双电源应用的理想选择。它采用ADI公
表1. 精密低功耗运算放大器(<1 mA)
电源电压
单通道
司的DigiTrim®调整专利技术,失调电压非常低。此外,
ADA4661-2的独特设计架构使器件工作在−VSY + 1.5 V至+VSY −
双通道
1.5 V共模电压范围时具有出色的电源抑制、共模抑制和失
5V
ADA4505-1
AD8500
ADA4505-2
AD8502
AD8506
调电压性能。
ADA4661-2的额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度
范围,提供8引脚MSOP封装和8引脚LFCSP (3 mm x 3 mm)
封装。
Rev. 0
11366-011
概述
四通道
ADA4505-4
AD8504
AD8508
12 V至16 V
OP196
30 V
OP777
AD8657
OP296
ADA4661-2
ADA4666-2
AD8659
OP496
ADA4096-2
OP727
AD8682
AD8622
ADA4096-4
OP747
AD8684
AD8624
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供的最新英文版数据手册。
ADA4661-2
目录
产品特性 ......................................................................................... 1
输入级 ...................................................................................... 22
应用.................................................................................................. 1
增益级 ...................................................................................... 23
概述.................................................................................................. 1
输出级 ...................................................................................... 23
引脚接线图..................................................................................... 1
最大功耗.................................................................................. 23
修订历史 ......................................................................................... 2
轨到轨输入和输出 ................................................................ 23
技术规格 ......................................................................................... 3
比较器操作 ............................................................................. 24
电气特性——18 V电源........................................................... 3
EMI抑制比 .............................................................................. 25
电气特性——10 V电源........................................................... 5
分流监控器电流检测............................................................ 25
电气特性——3.0 V电源.......................................................... 7
有源滤波器 ............................................................................. 25
绝对最大额定值............................................................................ 9
容性负载驱动 ......................................................................... 26
热阻 ............................................................................................ 9
高阻抗源下的噪声考虑 ....................................................... 28
ESD警告..................................................................................... 9
外形尺寸 ....................................................................................... 29
引脚配置和功能描述 ................................................................. 10
订购指南.................................................................................. 29
典型性能参数 .............................................................................. 11
应用信息 ....................................................................................... 22
修订历史
2013年7月—修订版0:初始版
Rev. 0 | Page 2 of 32
ADA4661-2
技术规格
电气特性——18 V电源
除非另有说明,VSY = 18 V,VCM = VSY/2 V,TA = 25°C。
表2.
参数
输入特性
失调电压
失调电压漂移
输入偏置电流
符号
测试条件/注释
最小值 典型值 最大值 单位
VOS
∆VOS/∆T
IB
30
VCM = 1.5 V至16.5 V
VCM = 1.5 V至16.5 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V至18 V
VCM = 0 V至18 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.6
0.5
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
输入失调电流
IOS
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
输入电阻
差分模式
共模
输入电容
差分模式
共模
输出特性
高输出电压
低输出电压
连续输出电流
短路电流
闭环输出阻抗
电源
电源抑制比
电源电流(每个放大器)
CMRR
AVO
VCM = 1.5 V至16.5 V
VCM = 1.5 V至16.5 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V至18 V
VCM = 0 V至18 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ,VOUT = 0.5 V至17.5 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
115
110
100
91
120
120
150
150
500
300
600
3.1
15
100
900
11
30
300
18
135
118
147
µV
µV
µV
µV
µV
V/°C
pA
pA
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
RINDM
RINCM
>10
>10
GΩ
GΩ
CINDM
CINCM
8.5
3
pF
pF
17.97
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
Ω
VOH
VOL
IOUT
ISC
ZOUT
PSRR
ISY
RL = 10 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 1 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 10 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 1 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
压差 = 1 V
脉宽 = 10 ms;参见“最大功耗”部分
f = 100 kHz, AV = 1
17.95
17.94
17.6
17.58
VSY = 3.0 V至18 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
IOUT = 0 mA
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
120
120
Rev. 0 | Page 3 of 32
17.79
14
120
25
40
200
300
40
±220
0.2
145
630
725
975
dB
dB
µA
µA
ADA4661-2
参数
动态性能
压摆率
增益带宽积
单位增益交越带宽
−3 dB闭环带宽
相位裕量
0.1%建立时间
通道隔离
+INx的EMI抑制比
f = 400 MHz
f = 900 MHz
f = 1800 MHz
f = 2400 MHz
噪声性能
总谐波失真加噪声
带宽 = 80 kHz
带宽 = 500 kHz
峰峰值噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
测试条件/注释
SR
GBP
UGC
f−3 dB
ΦM
tS
CS
EMIRR
RS = 1 kΩ, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 100
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1
VIN= 1 V步进,RL= 10 kΩ,CL= 10 pF
VIN = 17.9 V p-p, f = 10 kHz, RL = 10 kΩ
VIN = 100 mV峰值(200 mV p-p)
THD + N
en p-p
en
in
AV= 1,VIN= 5.4 V rms(1 kHz时)
f = 0.1 Hz至10 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
f = 1 kHz
Rev. 0 | Page 4 of 32
最小值 典型值 最大值 单位
2
4
4
2.1
60
1.3
80
V/µs
MHz
MHz
MHz
度
µs
dB
34
42
50
60
dB
dB
dB
dB
0.0004
0.0008
3
18
14
360
%
%
µV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
fA/√Hz
ADA4661-2
电气特性——10 V电源
除非另有说明,VSY = 10 V,VCM = VSY/2 V,TA = 25°C。
表3.
参数
输入特性
失调电压
失调电压漂移
输入偏置电流
符号
测试条件/注释
最小值 典型值 最大值 单位
VOS
∆VOS/∆T
IB
30
VCM = 1.5 V至8.5 V
VCM = 1.5 V至8.5 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V至10 V
VCM = 0 V至10 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.6
0.25
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
输入失调电流
IOS
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
输入电压范围
共模抑制比
大信号电压增益
输入电阻
差分模式
共模
输入电容
差分模式
共模
输出特性
高输出电压
低输出电压
连续输出电流
短路电流
闭环输出阻抗
电源
电源抑制比
电源电流(每个放大器)
CMRR
AVO
VCM = 1.5 V至8.5 V
VCM = 1.5 V至8.5 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V至10 V
VCM = 0 V至10 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ,VOUT = 0.5 V至9.5 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
115
115
95
86
120
120
150
150
450
300
600
3.1
15
80
750
11
30
270
10
140
114
145
µV
µV
µV
µV
µV
V/°C
pA
pA
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
RINDM
RINCM
>10
>10
GΩ
GΩ
CINDM
CINCM
8.5
3
pF
pF
9.98
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
Ω
VOH
VOL
IOUT
ISC
ZOUT
PSRR
ISY
RL = 10 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 1 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 10 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 1 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
压差 = 1 V
脉宽 = 10 ms;参见“最大功耗”部分
f = 100 kHz, AV = 1
9.96
9.96
9.7
9.7
VSY = 3.0 V至18 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
IOUT = 0 mA
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
120
120
Rev. 0 | Page 5 of 32
9.88
10
77
15
30
110
200
40
±220
0.2
145
620
725
975
dB
dB
µA
µA
ADA4661-2
参数
动态性能
压摆率
增益带宽积
单位增益交越带宽
−3 dB闭环带宽
相位裕量
0.1%建立时间
通道隔离
+INx的EMI抑制比
f = 400
f = 900 MHz
f = 1800 MHz
f = 2400 MHz
噪声性能
总谐波失真加噪声
带宽 = 80 kHz
带宽 = 500 kHz
峰峰值噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
符号
测试条件/注释
SR
GBP
UGC
f−3 dB
ΦM
tS
CS
EMIRR
RS = 1 kΩ, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 100
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1
VIN = 1 V step, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF
VIN = 9.9 V p-p, f = 10 kHz, RL = 10 kΩ
VIN = 100 mV峰值(200 mV p-p)
THD + N
en p-p
en
in
最小值 典型值 最大值 单位
1.8
4
4
2.1
60
1.3
85
V/µs
MHz
MHz
MHz
度
µs
dB
34
42
50
60
dB
dB
dB
dB
0.0004
0.0008
3
18
14
360
%
%
µV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
fA/√Hz
AV= 1,VIN= 2.2 V rms(1 kHz时)
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
f = 1 kHz
Rev. 0 | Page 6 of 32
ADA4661-2
电气特性——3.0 V电源
除非另有说明,VSY = 3.0 V,VCM = VSY/2 V,TA = 25°C。
表4.
参数
输入特性
失调电压
失调电压漂移
输入偏置电流
符号
测试条件/注释
最小值 典型值 最大值 单位
VOS
∆VOS/∆T
IB
30
VCM = VSY/2; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V至3.0 V
VCM = 0 V至3.0 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.6
0.15
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
输入失调电流
IOS
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
输入电压范围
共模抑制比
CMRR
大信号电压增益
AVO
输入电阻
差分模式
共模
输入电容
差分模式
共模
输出特性
高输出电压
低输出电压
连续输出电流
短路电流
闭环输出阻抗
电源
电源抑制比
电源电流(每个放大器)
动态性能
压摆率
增益带宽积
单位增益交越带宽
−3 dB闭环带宽
相位裕量
0.1%建立时间
通道隔离
VCM = 0 V至3.0 V
VCM = 0 V至3.0 V;−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ,VOUT = 0.5 V至2.5 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
85
75
105
105
150
450
300
600
3.1
8
45
650
11
30
270
3
100
130
µV
µV
µV
µV
V/°C
pA
pA
pA
pA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
RINDM
RINCM
>10
>10
GΩ
GΩ
CINDM
CINCM
8.5
3
pF
pF
2.99
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mA
mA
Ω
VOH
VOL
IOUT
ISC
ZOUT
PSRR
ISY
SR
GBP
UGC
f−3 dB
ΦM
tS
CS
RL = 10 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 1 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 10 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 1 kΩ至VCM
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
压差 = 1 V
脉宽 = 10 ms;参见“最大功耗”部分
f = 100 kHz, AV = 1
2.98
2.98
2.9
2.9
VSY = 3.0 V至18 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
IOUT = 0 mA
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
120
120
RS = 1 kΩ, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 100
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 10 mV p-p, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF, AVO = 1
VIN = 1 V step, RL = 10 kΩ, CL = 10 pF
VIN = 2.9 V p-p, f = 10 kHz, RL = 10 kΩ
Rev. 0 | Page 7 of 32
2.96
4
25
8
15
40
65
30
±220
0.2
145
615
1.7
4
4
1.7
60
1.3
90
725
975
dB
dB
µA
µA
V/µs
MHz
MHz
MHz
度
µs
dB
ADA4661-2
参数
+INx的EMI抑制比
f = 400 MHz
f = 900 MHz
f = 1800 MHz
f = 2400 MHz
噪声性能
总谐波失真加噪声
带宽 = 80 kHz
带宽 = 500 kHz
峰峰值噪声
电压噪声密度
电压噪声密度
符号
EMIRR
THD + N
en p-p
en
in
测试条件/注释
VIN = 100 mV峰值(200 mV p-p)
AV= 1,VIN= 0.44 V rms(1 kHz时)
f = 0.1 Hz至10 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
f = 1 kHz
Rev. 0 | Page 8 of 32
最小值 典型值 最大值 单位
34
42
50
60
dB
dB
dB
dB
0.002
0.003
3
18
14
360
%
%
µV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
fA/√Hz
ADA4661-2
绝对最大额定值
热阻
表5.
参数
电源电压
输入电压
输入电流1
差分输入电压
对地输出短路持续时间
温度范围
存储
工作温度
结温
引脚温度(焊接,60秒)
ESD
人体模型2
机器模型3
场感应充电器件模型
(FICDM)4
1
2
3
4
额定值
20.5 V
(V−) − 300 mV至(V+) + 300 mV
±10 mA
受最大输入电流限制
参见“最大功耗”部分
−65°C至+150°C
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
300°C
θJA针对最差条件,即利用标准4层JEDEC板,将器件焊接
在电路板上以实现表贴封装。LFCSP封装的裸露焊盘焊接
到电路板。
表6. 热阻
θJA
142
83.5
封装类型
8引脚 MSOP
8引脚 LFCSP
1
θJC
45
48.51
单位
°C/W
°C/W
θJC是在封装的上表面测量。
ESD警告
ESD(静电放电)敏感器件。
4 kV
400 V
1.25 kV
输入引脚彼此之间以及与电源引脚之间有箝位二极管。当输入信号超过
供电轨0.3 V时,输入电流应以10 mA为限。
适用标准:MIL-STD-883方法3015.7。
适用标准:JESD22-A115-A(JEDEC的ESD机器模型标准)。
适用标准:JESD22-C101C(JEDEC的ESD FICDM标准)。
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
坏。这只是额定最值,不表示在这些条件下或者在任何其
它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,器件能
够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器
件的可靠性。
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带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放
电。尽管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇
到高能量ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采
取适当的ESD防范措施,以避免器件性能下降或功
能丧失。
ADA4661-2
引脚配置和功能描述
OUT A 1
+IN A 3
8
V+
–IN A 2
ADA4661-2
7
OUT B
+IN A 3
TOP VIEW
(Not to Scale)
6
–IN B
5
+IN B
V– 4
V– 4
ADA4661-2
TOP VIEW
(Not to Scale)
7 OUT B
6 –IN B
5 +IN B
NOTES
1. CONNECT THE EXPOSED PAD TO V– OR
LEAVE IT UNCONNECTED.
11366-004
OUT A 1
8 V+
图4. 引脚配置(8引脚MSOP)
图5. 引脚配置(8引脚LFCSP)
表7. 引脚功能描述
引脚编号1
8引脚 MSOP
8引脚 LFCSP
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6
7
7
8
8
N/A
92
1
2
引脚名称
OUT A
−IN A
+IN A
V−
+IN B
−IN B
OUT B
V+
EPAD
描述
通道A输出。
通道A负输入。
通道A正输入。
负电源电压。
通道B正输入。
通道B负输入。
通道B输出。
正电源电压。
裸露焊盘。对于8引脚LFCSP,应将裸露焊盘连接到V−或保持不连接。
N/A表示不适用。
引脚配置图(图5)中未显示裸露焊盘。
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11366-005
–IN A 2
ADA4661-2
典型性能参数
除非另有说明,TA = 25°C。
80
90
VSY = 18V
VCM = VSY/2
600 CHANNELS
80
30
140
11366-009
120
80
100
18
VSY = 3V
VCM = VSY/2
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
100 CHANNELS
14
VSY = 18V
VCM = VSY/2
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
100 CHANNELS
16
NUMBER OF AMPLIFIERS
16
12
10
8
6
4
14
12
10
8
6
4
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
TCVOS (µV/°C)
2.4
0
11366-007
0
0
0.2
250
VSY = 3V
20 CHANNELS
100
100
50
50
VOS (µV)
150
0
–50
–150
–200
–200
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
VCM (V)
2.7
3.0
11366-008
–150
0.9
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
–50
–100
0.6
1.2
0
–100
0.3
1.0
VSY = 18V
20 CHANNELS
200
150
0
0.8
图10. 输入失调电压漂移分布图
250
–250
0.6
TCVOS (µV/°C)
图7. 输入失调电压漂移分布图
200
0.4
11366-010
2
2
图8. 输入失调电压与共模电压的关系
–250
0
1.5
3.0
4.5
6.0
7.5
9.0 10.5 12.0 13.5 15.0 16.5 18.0
VCM (V)
图11. 输入失调电压与共模电压的关系
Rev. 0 | Page 11 of 32
11366-011
NUMBER OF AMPLIFIERS
60
图9. 输入失调电压分布图
18
VOS (µV)
40
VOS (µV)
图6. 输入失调电压分布图
0
0
–140
140
VOS (µV)
11366-006
120
80
100
60
40
0
20
–20
–40
–60
0
–80
0
–100
10
–120
10
20
20
–20
20
40
–40
30
50
–60
40
60
–80
50
70
–100
NUMBER OF AMPLIFIERS
60
–140
NUMBER OF AMPLIFIERS
70
–120
VSY = 3V
VCM = VSY/2
600 CHANNELS
ADA4661-2
350
350
VSY = 3V
20 CHANNELS AT –40°C AND +85°C
250
150
VOS (µV)
50
–50
50
–50
–150
–150
–250
–250
11366-015
18.0
VOS (µV)
50
–50
50
–50
–150
–250
–250
VCM (V)
11366-016
VCM (V)
15.0
3.0
13.5
2.7
12.0
2.4
10.5
2.1
9.0
1.8
7.5
1.5
6.0
1.2
4.5
0.9
3.0
0.6
11366-013
0.3
0
–350
0
1.5
图16. 输入失调电压与共模电压的关系
图13. 输入失调电压与共模电压的关系
0
0
VSY = 10V
ΔVCM = 400mV
VSY = 10V
ΔVSY = 400mV
–20
SMALL SIGNAL PSRR (dB)
–20
–40
–60
–80
–100
–120
–40
PSRR–
PSRR+
–60
–80
–100
–120
–140
–140
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VCM (V)
9
10
11366-216
–160
图14. 小信号CMRR与共模电压的关系
–180
0
1
2
3
4
5
6
VCM (V)
7
8
图17. 小信号PSRR与共模电压的关系
Rev. 0 | Page 12 of 32
11366-168
VOS (µV)
16.5
150
–150
SMALL SIGNAL CMRR (dB)
10
VSY = 18V
20 CHANNELS AT –40°C AND +125°C
250
150
–350
18.0
350
VSY = 3V
20 CHANNELS AT –40°C AND +125°C
250
9
VCM (V)
图15. 输入失调电压与共模电压的关系
图12. 输入失调电压与共模电压的关系
350
16.5
VCM (V)
15.0
3.0
13.5
2.7
12.0
2.4
10.5
2.1
9.0
1.8
7.5
1.5
6.0
1.2
4.5
0.9
3.0
0.6
11366-012
0.3
0
–350
0
1.5
VOS (µV)
150
–350
VSY = 18V
20 CHANNELS AT –40°C AND +85°C
250
ADA4661-2
1000
1000
VSY = 3V
VCM = VSY/2
VSY = 18V
VCM = VSY/2
100
IB (pA)
IB (pA)
100
10
10
|IB–|
|IB–|
|IB+|
|IB+|
1
50
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
0.1
25
11366-014
0.1
25
50
图18. 输入偏置电流与温度的关系
1
1
0
0
–1
25°C
85°C
125°C
–2
VSY = 18V
VCM = VSY/2
2
IB (nA)
–1
25°C
85°C
125°C
–2
0.5
1.0
1.5
VCM (V)
2.0
2.5
3.0
–4
11366-018
0
0
2
图19. 输入偏置电流与共模电压的关系
OUTPUT VOLTAGE (VOH) TO SUPPLY RAIL (mV)
VSY = 3V
1000
100
0.01
0.1
1
10
LOAD CURRENT (mA)
100
11366-019
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
1
0.001
6
8
10
VCM (V)
12
14
16
18
图22. 输入偏置电流与共模电压的关系
10000
10
4
11366-021
–3
–3
图20. 输出电压(VOH )至供电轨与负载电流的关系
10000
VSY = 18V
1000
100
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
LOAD CURRENT (mA)
图23. 输出电压(VOH )至供电轨与负载电流的关系
Rev. 0 | Page 13 of 32
100
11366-022
IB (nA)
125
3
VSY = 3V
VCM = VSY/2
2
OUTPUT VOLTAGE (VOH) TO SUPPLY RAIL (mV)
100
图21. 输入偏置电流与温度的关系
3
–4
75
TEMPERATURE (°C)
11366-017
1
VSY = 3V
1000
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
100
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
LOAD CURRENT (mA)
10000
VSY = 18V
1000
100
10
1
0.1
0.001
10
100
OUTPUT VO LTAGE (V OH ) (V)
2.98
2.97
2.96
R L = 10kΩ
17.95
R L = 10kΩ
R L = 1kΩ
2.95
17.90
17.85
R L = 1kΩ
17.80
17.75
V SY = 3V
50
75
100
125
–25
图25. 输出电压(VOH )与温度的关系
200
V SY = 3V
180
OUTPUT VO LTAGE (V OL ) (mV)
40
R L = 1kΩ
30
20
10
R L = 10kΩ
25
50
75
100
TEMPER ATURE (°C)
75
100
125
V SY = 18V
160
140
R L = 1kΩ
120
100
80
60
40
R L = 10kΩ
20
125
11366-025
0
25
50
TEMPER ATURE (°C)
图28. 输出电压(VOH )与温度的关系
50
–25
0
11366-027
25
图26. 输出电压(VOL )与温度的关系
0
–50
–25
0
25
50
75
TEMPER ATURE (°C)
图29. 输出电压(VOL )与温度的关系
Rev. 0 | Page 14 of 32
100
125
11366-028
0
17.70
–50
11366-024
–25
V SY = 18V
TEMPER ATURE (°C)
OUTPUT VO LTAGE (V OL ) (mV)
1
18.00
2.99
0
–50
0.1
图27. 输出电压(VOL )至供电轨与负载电流的关系
3.00
OUTPUT VO LTAGE (V OH ) (V)
0.01
LOAD CURRENT (mA)
图24. 输出电压(VOL )至供电轨与负载电流的关系
2.94
–50
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
11366-023
OUTPUT VOLTAGE (VOL) TO SUPPLY RAIL (mV)
10000
11366-020
OUTPUT VOLTAGE (VOL) TO SUPPLY RAIL (mV)
ADA4661-2
ADA4661-2
1000
1000
VSY = 3V
900
800
ISY PER AMPLIFIER (µA)
700
600
500
400
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
300
200
700
600
500
400
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
300
200
100
100
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VCM (V)
0
11366-026
0
0
6
9
12
15
18
VCM (V)
图30. 电源电流与共模电压的关系
图33. 电源电流与共模电压的关系
1000
1000
VCM = VSY/2
VCM = VSY/2
900
800
ISY PER AMPLIFIER (µA)
800
ISY PER AMPLIFIER (µA)
3
11366-029
ISY PER AMPLIFIER (µA)
800
0
VSY = 18V
900
600
400
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
200
700
600
500
400
VSY = 3V
VSY = 10V
VSY = 18V
300
200
4
6
8
10
12
14
16
18
VSY (V)
0
–50
–25
90
60
45
GAIN
20
0
–20
10k
0
OPEN-LOOP GAIN (dB)
80
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
75
100
125
–90
10M
VSY = 18V
RL = 10kΩ
PHASE
135
90
45
40
GAIN
0
20
0
–45
CL = 0pF
CL = 10pF
CL = 0pF
CL = 10pF
11366-033
OPEN-LOOP GAIN (dB)
40
135
PHASE (Degrees)
PHASE
50
图34. 电源电流与温度的关系
VSY = 3V
RL = 10kΩ
60
25
TEMPERATURE (°C)
图31. 电源电流与电源电压的关系
80
0
–20
10k
–45
CL = 0pF
CL = 10pF
CL = 0pF
CL = 10pF
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
图35. 开环增益和相位与频率的关系
图32. 开环增益和相位与频率的关系
Rev. 0 | Page 15 of 32
PHASE (Degrees)
2
–90
10M
11366-036
0
11366-030
0
11366-133
100
ADA4661-2
60
AV = 100
40
AV = 10
20
AV = 1
0
VSY = 18V
CL = 5pF
AV = 100
40
GAIN (dB)
AV = 1
0
–20
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
–40
1k
10k
图36. 闭环增益与频率的关系
10k
10k
100
100
Z OUT (Ω)
1k
AV = 100
A V = 10
0.01
100
1k
10k
100k
AV = 100
10
AV = 1
0.1
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
0.01
100
1k
10k
100k
1M
10M
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
图37. 输出阻抗与频率的关系
图40. 输出阻抗与频率的关系
120
100
100
80
80
CMRR (dB)
120
60
60
40
40
20
20
VSY = 3V
VCM = VSY/2
0
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
11366-039
CMRR (dB)
VSY = 18V
VCM = VSY/2
AV = 10
AV = 1
0.1
10M
1
11366-038
Z OUT (Ω)
1k
1
1M
图39. 闭环增益与频率的关系
VSY = 3V
VCM = VSY/2
10
100k
FREQUENCY (Hz)
11366-041
10k
11366-232
–40
1k
11366-235
–20
AV = 10
20
11366-042
GAIN (dB)
60
VSY = 3V
CL = 5pF
图38. CMRR与频率的关系
VSY = 18V
VCM = VSY/2
0
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
图41. CMRR与频率的关系
Rev. 0 | Page 16 of 32
ADA4661-2
VSY = 3V
100
PSRR+
PSRR–
80
80
60
60
PSRR (dB)
40
VSY = 18V
PSRR+
PSRR–
40
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
0
1k
11366-040
0
1k
10k
图42. PSRR与频率的关系
60
60
OS–
40
OVERSHOOT (%)
OS+
20
OS+
20
10
0
10
20
30
40
50
CA PACI TANCE (pF)
0
11366-044
10
0
OS–
30
0
10
20
30
40
50
CA PACI TANCE (pF)
图43. 小信号过冲与负载电容的关系
图46. 小信号过冲与负载电容的关系
V SY = ±9V
V IN = 17V p-p
AV = 1
R L = 10kΩ
C L = 10pF
R S = 1kΩ
TIME (5µs/DIV)
11366-045
VOLTAGE (2V/DIV)
VOLTAGE (0.5V/DIV)
V SY = ±1.5V
V IN = 2.5V p-p
AV = 1
R L = 10kΩ
C L = 10pF
R S = 1kΩ
TIME (5µs/DIV)
图44. 大信号瞬态响应
图47. 大信号瞬态响应
Rev. 0 | Page 17 of 32
11366-047
OVERSHOOT (%)
30
10M
V SY = 18V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
R L = 10kΩ
50
40
1M
图45. PSRR与频率的关系
V SY = 3V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
R L = 10kΩ
50
100k
FREQUENCY (Hz)
11366-043
20
20
11366-048
PSRR (dB)
100
VOLTAGE (20mV/DIV)
VOLTAGE (20mV/DIV)
ADA4661-2
TIME (2µs/DIV)
TIME (2µs/DIV)
图51. 小信号瞬态响应
0
15
1.5
1.0
0.5
V SY = ±1.5V
A V = –10
R L = 10kΩ
C L = 10pF
V IN = 225mV
INPUT VO LTAGE (V)
V OUT
–1
–2
–0.5
TIME (2µs/DIV)
–4
–6
3
V SY = ±9V
A V = –10
R L = 10kΩ
C L = 10pF
V IN = 1.35V
1.5
1
6
0
3
–1
0
–2
–3
0.5
–0.4
0
–0.6
–0.5
TIME (2µs/DIV)
–1.0
–2.0
–3
–4
–1.5
11366-051
–1.2
V SY = ±1.5V
A V = –10
R L = 10kΩ
C L = 10pF
V IN = 225mV
9
V IN
–5
–6
V SY = ±9V
A V = –10
R L = 10kΩ
C L = 10pF
V IN = 1.35V
V OUT
TIME (2µs/DIV)
图53. 负过载恢复时间
图50. 负过载恢复时间
Rev. 0 | Page 18 of 32
–9
–12
11366-054
–0.2
INPUT VO LTAGE (V)
2
1.0
V OUT
–3
TIME (2µs/DIV)
2.0
OUTPUT VO LTAGE (V)
INPUT VO LTAGE (V)
V IN
0
–1.0
0
图52. 正过载恢复时间
0.4
–0.8
9
6
图49. 正过载恢复时间
0.2
12
–3
–5
0
V IN
V OUT
OUTPUT VO LTAGE (V)
–1.4
0
11366-050
–1.2
3.0
2.0
–0.8
–1
18
2.5
–0.4
–0.6
1
OUTPUT VO LTAGE (V)
INPUT VO LTAGE (V)
V IN
3.5
11366-053
0.2
OUTPUT VO LTAGE (V)
图48. 小信号瞬态响应
–0.2
11366-049
V SY = ±9V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
R L = 10kΩ
C L = 10pF
11366-046
V SY = ±1.5V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
R L = 10kΩ
C L = 10pF
ADA4661-2
V SY = ±1.5V
V IN = 1V p-p
R L = 10kΩ
C L = 10pF
A V = –1
ERROR BAND
TIME (400ns/DIV)
TIME (400ns/DIV)
VOLTAGE (500mV/DIV)
VOLTAGE (1mV/DIV)
TIME (400ns/DIV)
TIME (400ns/DIV)
图58. 0.1%负建立时间
图55. 0.1%负建立时间
1k
1k
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)
VSY = 3V
VCM = VSY/2
AV = 1
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
11366-057
10
100
11366-059
V SY = ±9V
V IN = 1V p-p
R L = 10kΩ
C L = 10pF
A V = –1
11366-056
V SY = ±1.5V
V IN = 1V p-p
R L = 10kΩ
C L = 10pF
A V = –1
OUTPUT
ERROR BAND
VSY = 18V
VCM = VSY/2
AV = 1
100
10
1
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
图59. 电压噪声密度与频率的关系
图56. 电压噪声密度与频率的关系
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1M
10M
11366-060
VOLTAGE (500mV/DIV)
OUTPUT
ERROR BAND
VOLTAGE (1mV/DIV)
INPUT
INPUT
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)
V SY = ±9V
V IN = 1V p-p
R L = 10kΩ
C L = 10pF
A V = –1
图57. 0.1%正建立时间
图54. 0.1%正建立时间
1
10
VOLTAGE (1mV/DIV)
OUTPUT
11366-055
VOLTAGE (500mV/DIV)
ERROR BAND
VOLTAGE (1mV/DIV)
OUTPUT
INPUT
11366-052
VOLTAGE (500mV/DIV)
INPUT
ADA4661-2
VSY = 3V
VCM = VSY/2
AV = 1
TIME (2s/DIV)
11366-061
11366-058
VOLTAGE (1µV/DIV)
VOLTAGE (1µV/DIV)
VSY = 18V
VCM = VSY/2
AV = 1
TIME (2s/DIV)
图60. 0.1 Hz至10 Hz噪声
图63. 0.1 Hz至10 Hz噪声
20
3.5
18
3.0
16
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
V SY = 3V
V IN = 2.9V
R L = 10kΩ
C L = 10pF
AV = 1
12
10
8
6
4
2
100
1k
10k
100k
1M
FREQUENC Y (Hz)
0
10
1k
10k
100k
1M
图64. 输出摆幅与频率的关系
1
80kHz LO W-PASS FI LTER
500kHz LO W-PASS FI LTER
V SY = 3V
AV = 1
R L = 10kΩ
V IN = 440mV rms
100
FREQUENC Y (Hz)
图61. 输出摆幅与频率的关系
1
V SY = 18V
V IN = 17.9V
R L = 10kΩ
C L = 10pF
AV = 1
11366-065
OUTPUT SWING (V)
14
11366-062
OUTPUT SWING (V)
2.5
80kHz LO W-PASS FI LTER
500kHz LO W-PASS FI LTER
V SY = 18V
AV = 1
R L = 10kΩ
V IN = 5.4V rms
0.1
THD + N (%)
THD + N (%)
0.1
0.01
0.01
10
100
1k
10k
FREQUENC Y (Hz)
100k
0.0001
10
100
1k
10k
FREQUENC Y (Hz)
图65. THD + N与频率的关系
图62. THD + N与频率的关系
Rev. 0 | Page 20 of 32
100k
11366-066
0.001
11366-063
0.001
ADA4661-2
100
10
100
V SY = 3V
AV = 1
R L = 10kΩ
f = 1kHz
10
V SY = 18V
AV = 1
R L = 10kΩ
f = 1kHz
THD + N (%)
THD + N (%)
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
1
10
0
V IN = 0.5V p-p
V IN = 1.5V p-p
V IN = 2.9V p-p
CHANNE L SE PAR ATION (dB)
–20
–40
–60
–80
–100
–120
V SY = 3V
A V = 100
R L = 10kΩ
500kHz LO W-PASS FI LTER
–140
–160
10
100
1k
10k
FREQUENC Y (Hz)
0.1
1
10
图68. THD + N与幅度的关系
100k
V IN = 0.5V p-p
V IN = 9V p-p
V IN = 17.9V p-p
–40
–60
–80
–100
–120
V SY = 18V
A V = 100
R L = 10kΩ
500kHz LO W-PASS FI LTER
–140
11366-068
CHANNE L SE PAR ATION (dB)
–20
0.01
AMPLITUDE (V rms)
图66. THD + N与幅度的关系
0
80kHz LO W-PASS FI LTER
500kHz LO W-PASS FI LTER
11366-067
0.1
AMPLITUDE (V rms)
0.0001
0.001
–160
10
100
1k
10k
FREQUENC Y (Hz)
图69. 通道隔离与频率的关系
图67. 通道隔离与频率的关系
Rev. 0 | Page 21 of 32
100k
11366-069
0.01
11366-064
0.001
0.001
0.001
80kHz LO W-PASS FI LTER
500kHz LO W-PASS FI LTER
ADA4661-2
应用信息
V+
HIGH VOLTAGE PROTECTION
I2
M11
M12
M9
M10
M19
M20
M17
M18
M22
+IN x
R1
M3
D1
M4
C2
C1
Q1
Q2
OUT x
D2
V1
–IN x
C3
R2
M1
M2
M7
M8
I1
M5
M6
HIGH VOLTAGE PROTECTION
I3
M16
M13
M14
V–
11366-169
M21
M15
图70. 原理示意图
ADA4661-2是 一 款 低 功 耗 、 轨 到 轨 输 入 和 输 出 、 精 密
对于绝大部分的输入共模电压范围,PMOS差分对工作。
CMOS放大器,工作在3 V至18 V的宽电源电压范围。这款放
当输入共模电压在电源的几伏范围内时,输入晶体管就会
大器采用ADI公司的DigiTrim技术,能够实现比其它CMOS
经受这些电压变化。当共模电压接近正电源电压时,工作
放大器更高的精度。DigiTrim技术是一种在封装后调整放
的差分对从PMOS对变为NMOS对。差分对常常表现出不
大器失调电压的方法。封装后调整的优势是它能校正封装
同的失调电压。控制从一个差分对切换到另一差分对时,
时机械应力所引起的失调电压。ADA4661-2采用独特的输
会产生阶跃状特性,这可以从VOS与VCM的关系图看出(参
入和输出级,以非常低的电源电流实现轨到轨输入和输出。
见图8、图11、图12、图13、图15和图16)。这是所有采用
双差分对拓扑结构的轨到轨输入放大器的固有特性。
输入级
图70显示了ADA4661-2的原理示意图。该放大器采用三级
当共模电压接近负电源电压时,可以在VOS与VCM关系曲线
架构,通过全差分输入级实现出色的直流性能。
中看到额外的阶跃。这些变化是负载晶体管(M5、M6)余
输入级包括两个差分晶体管对:一个NMOS对(M1、M2)和
一个PMOS对(M3、M4),以及折叠式共源共栅晶体管(M5
至M12)。输入共模电压决定哪一个差分对工作。对于绝大
部分的输入共模范围,PMOS差分对工作。对于接近高供
量不够用的结果。当负载晶体管被迫进入三极工作区时,
其漏极阻抗的不匹配会成为放大器失调电压的很大一部
分。这种效应也可以从VOS与VCM的关系图看出(参见图8、
图11、图12、图13、图15和图16)。
电轨的输入电压,则需要NMOS对。这种拓扑结构允许放
电流源I2驱动PMOS晶体管对。当输入共模电压接近高电
大器保持宽动态输入电压范围,并使信号摆幅最大达到两
源电压时,此电流降至0。与此同时,一个复制电流源I1从
个供电轨。
0增大以使能NMOS晶体管对。
对于绝大部分的输入共模范围,ADA4661-2中的专有高压
ADA4661-2利用低压MOS器件构成差分输入端,从而实现
保护电路将放大器输入级看到的共模电压变化降至最低。
高性能。这些低压MOS器件提供出色的单位电流噪声和带
因此,在这一较佳的共模范围内工作时,放大器具有出色
宽性能。输入级通过专有保护电路与高系统电压隔离。该调
的抗干扰性能。在这一较佳范围内工作的性能优势如下述
节电路保护输入器件免受放大器工作的高电源电压的影响。
关系图所示:PSRR与VCM的关系(图17)、CMRR与VCM的关
系(图14)、V 与V 的关系(图8、图11、图12、图13、图15OS
CM
和图16)。缩减共模范围的CMRR性能优势在最终测试中予
以保证,如电气特性所示(见表2至表4)。
Rev. 0 | Page 22 of 32
ADA4661-2
电压影响。这些二极管通过两个120 Ω电阻(R1和R2)实现输
入缓冲。只要差分电压超过大约600 mV,二极管就会传导相
遵守最大功率减额曲线。图71显示标准4层JEDEC板上封装
最大安全功耗与环境温度之间的关系。LFCSP封装的裸露
焊盘焊接到电路板。
1.6
保护二极管允许相当大的电流通过其中。用户必须确保流
1.4
入输入引脚的电流以10 mA绝对最大值为限。
增益级
放大器的第二级包括一个NPN差分对(Q1、Q2)和折叠式共
源共栅晶体管(M13至M20)。放大器提供嵌套密勒补偿(C1
至C3)。
输出级
MAXIMUM POWER DISSIPATION (W)
当大的电流;在此情况下,差分输入电阻降至240 Ω。这些
ADA4661-2具有一个由M21和M22晶体管组成的互补输出
1.2
8-LEAD LFCSP
θJA = 83.5°C/W
1.0
0.8
8-LEAD MSOP
θJA = 142°C/W
0.6
0.4
0.2
0
级。这些晶体管配置为AB类拓扑结构,由电压源V1偏
TJ MAX = 150°C
0
导通电阻MOS器件)的输出阻抗限制。输出电压摆幅是负
载电流的函数,可以利用输出电压至供电轨与负载电流的
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
置。这种拓扑结构允许输出级达到供电轨的数毫伏范围
内,从而实现轨到轨输出摆幅。输出电压受这些晶体管(低
25
11366-371
此外,箝位二极管(D1和D2)保护输入器件免受大差分输入
图71. 最大功耗与环境温度的关系
更多信息请参阅技术文章MS-2251:“数据手册的奥妙——
绝对最大额定值和热阻”。
关系图进行估算(参见图20、图23、图24和图27)。ADA4661-2
轨到轨输入和输出
输出级的高电压和高电流能力要求用户确保它在热安全区
ADA4661-2具有轨到轨输入和输出,电源电压范围为3 V至
18 V。图72显示ADA4661-2配置为单位增益缓冲器时的输入和
输出波形,电源电压为±9 V。当输入电压为±9 V时,ADA4661
-2的输出摆幅可以非常接近两个供电轨,而且它不会发生
相位反转。
内工作(参见“最大功耗”部分)。
最大功耗
ADA4661-2能够驱动高达220 mA的输出电流。然而,可用输
出负载电流受器件封装允许的最大功耗的限制。ADA4661-2
10
的绝对最大结温为150°C(参见表5)。结温可以通过下式
VIN
VOUT
8
估算:
TJ = PD × θJA + TA
6
可以通过下式计算:
PD = (VSY × ISY) + (VSY − VOUT) × ILOAD
4
VOLTAGE (V)
封装的功耗(PD)为静态功耗与输出级晶体管的功耗之和,
2
0
–2
–6
VSY为供电轨电压。
ISY为静态电流。
VOUT为放大器的输出。
ILOAD为输出负载。
–8
–10
V SY = ±9V
V IN = ±9V
AV = 1
R L = 10k Ω
CL = 10pF
TIME (200µs/DIV)
图72. 轨到轨输入和输出
切勿超过器件的最大结温150°C。超过结温限值可能导致
参数性能下降,甚至损坏器件。为了确保正常工作,必须
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11366-072
–4
其中:
ADA4661-2
比较器操作
运算放大器设计采用闭环配置工作,来自输出端的反馈进
入反相输入端。图73显示ADA4661-2配置为一个电压跟随
器,输入电压始终保持为中间电源电压。不用的通道使用
相同配置。A1和A2表示安培计,用于测量电源电流。ISY+
指从高供电轨流到运算放大器的电流,ISY−指从运算放大
器流到低供电轨的电流。如图74所示,在正常工作条件
下,流入运算放大器的总电流等于流出运算放大器的总电
流。VSY = 18 V时,每个放大器的ISY+ = ISY− = 630 μA。
图75和图76显示ADA4661-2配置为比较器,100 kΩ电阻与输
入引脚串联。不用的通道配置为缓冲器,输入电压保持在
中间电源电压。
+VS Y
ISY +
A1
100kΩ
ADA4661-2
V OUT
1/2
+VS Y
100kΩ
ISY +
11366-268
A1
ISY –
A2
–V S Y
图75. 比较器A
100kΩ
ADA4661-2
ISY –
A1
11366-266
A2
100kΩ
+VS Y
V OUT
1/2
–V S Y
ISY +
100kΩ
ADA4661-2
V OUT
1/2
图73. 电压跟随器
700
100kΩ
A2
ISY –
500
11366-269
ISY PER AMPLIFIER (µA)
600
–V S Y
图76. 比较器B
400
图77所示为两种比较器配置的电源电流。在比较器模式
下,ADA4661-2不会完全上电。有关配置运算放大器用作
比较器的更多信息,请参阅应用笔记AN-849:“运算放大
器用作比较器”。
300
200
100
4
6
8
10
VSY (V)
12
14
16
18
图74. 电源电流与电源电压的关系(电压跟随器)
与运算放大器不同,比较器设计采用开环配置工作,用于
驱动逻辑电路。虽然运算放大器不同于比较器,但有时也
将双通道运放的不用通道用作比较器,以节省电路板空间
和成本,但对于ADA4661-2,不推荐这样做。
600
500
COMPARATOR A
COMPARATOR B
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
VSY (V)
12
14
16
18
图77. 电源电流与电源电压的关系(ADA4661-2作为比较器)
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11366-074
2
ISY PER AMPLIFIER (µA)
0
11366-071
700
0
ADA4661-2
EMI抑制比
图79所示为低端电流检测电路,图80所示为高端电流检测电
高频电磁干扰(EMI)常常会对电路性能造成不利影响。当
路。流经分流电阻的电流产生一个压降。ADA4661-2配置为
信号强度较低且传输线路较长时,运算放大器必须能够精
差动放大器,将该压降放大R2/R1倍。注意,对于真正差动
确放大输入信号。然而,所有运算放大器引脚,包括同相
放大,电阻匹配非常重要,其中R2/R1 = R4/R3。ADA4661-2
输入、反相输入、正电源、负电源和输出引脚,均易受
的轨到轨输出特性允许运放输出几乎达到正电源电压。这
EMI信号影响。这些高频信号可通过多种途径耦合到运放
样,分流监控器就可以检测最高大约为VSY/(R2/R1 × RS) 安
中,如传导、近场辐射或远场辐射等。例如,导线和PCB
培的电流。例如,VSY = 18 V、R2/R1 = 100、RS = 100 mΩ时,
走线可以充当天线,拾取高频EMI信号。
此电流约为1.8 A。
I
由于带宽相对较低,放大器不会放大EMI或RF信号。但
SUPPLY
会整流这些带外信号。这些高频信号经过整流后,会在输
RS
I
是,由于输入器件具有非线性特性,因此运算放大器可能
R1
VOUT*
RL
R2
VSY
出端表现为直流失调。
1/2
ADA4661-2
扰抑制比(EMIRR),它描述ADA4661-2在有电磁干扰的情
R3
况下,能够在多大程度上发挥预期性能。测量EMIRR的数
R4
*VOUT = AMPLIFIER GAIN × VOLTAGE ACROSS RS = R2/R1 × RS × I
学方法定义如下:
11366-079
技术规格部分的表2、表3和表4给出了同相引脚的电磁干
图79. 低端电流检测电路
EMIRR = 20 log (VIN_PEAK/ΔVOS)
RS
I
140
SUPPLY
RL
I
VSY = 3V TO 18V
R3
120
R4
VSY
VOUT*
1/2
ADA4661-2
R1
80
*VOUT = AMPLIFIER GAIN × VOLTAGE ACROSS RS = R2/R1 × RS × I
60
图80. 高端电流检测电路
VIN = 100mV PEAK
VIN = 50mV PEAK
有源滤波器
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
10G
11366-075
40
20
10M
R2
11366-080
EMIRR (dB)
100
图78. EMIRR与频率的关系
电流检测
许多应用都需要在正电轨或负电轨附近进行信号检测。电
流检测便是这类应用中的一种,并且常用于反馈控制系
统。这类传感器还可在其它多种应用中使用,包括功率计
量、电池电量计和电动助力转向中的反馈控制。这类应用
中需要使用电阻极低的分流器,以最大程度减少串联压
降。这样不仅可以充分减少功率浪费,还能允许测量高电
流并实现省电效果。ADA4661-2的低输入偏置电流、低失
有源滤波器用于分离信号,让目标信号通过,而衰减非所需
频率的信号。例如,低通滤波器经常用作数据采集系统中的
抗混叠滤波器,或者用作噪声滤波器以限制高频噪声。
ADA4661-2具有高输入阻抗、高带宽、低输入偏置电流和
高 直 流 精 度 , 非 常 适 合 有 源 滤 波 应 用 。 图 81显 示
ADA4661-2的四极点Sallen-Key巴特沃兹低通滤波器配置。
该四极点低通滤波器具有2个复数共轭极点对,由2个双极
点低通滤波器级联而成。A部分和B部分配置为双极点单位
增益低通滤波器。表8显示巴特沃兹滤波器各级的Q要求和
极点位置。有关s平面上的极点位置和不同阶滤波器的Q要
求,请参考线性电路设计手册(www.analog.com/Analog
Dialogue)第8章“模拟滤波器”
调电压和轨到轨特性使它成为精密电流监控的出色选择。
Rev. 0 | Page 25 of 32
ADA4661-2
C2
6.8nF
R1
R2
2.55kΩ 2.55kΩ
C1
5.6nF
+VS Y
R3
6.19kΩ
1/2
V OUT1
ADA4661-2
–V S Y
R4
6.19kΩ
C3
1nF
SECTION A
+VS Y
V OUT2
1/2
ADA4661-2
–V S Y
11366-081
V IN
C4
6.8nF
SECTION B
图81. 四极点低通滤波器
容性负载驱动
表8. Q要求和极点位置
部分
A
B
ADA4661-2能在任何配置中安全地驱动最高50 pF的容性负
Q
0.5412
1.3065
极点
−0.9239 ± j0.3827
−0.3827 ± j0.9239
载。与多数放大器一样,驱动大于额定值的容性负载可能
引起过大的过冲和振铃,甚至振荡。大容性负载会降低相
Sallen-Key拓扑结构设计简单,只需很少的电路元件,因此
位裕量,引起放大器频率响应峰化。峰化对应于时域中的
应用广泛。只需互换电阻和电容,用户就能灵活地实现低
过冲或振铃。因此,如果ADA4661-2必须驱动50 pF以上的
通或高通滤波器。ADA4661-2配置为单位增益,转折频率
负载,建议使用外部补偿。在稳定性最差的单位增益配置
为10 kHz。有源滤波器要求运放的单位增益带宽至少是转折
中,这种补偿尤其重要。
频率fC与品质因素Q乘积的100倍。电阻和电容对于确定性
能随工艺容差、时间和温度的变化也非常重要。建议使用
1%或更佳容差的电阻以及5%或更佳容差的电容。
为使驱动容性负载的运算放大器保持稳定,一种快速简便
的方法是在放大器输出端与负载电容之间增加一个串联电
阻RISO(如图83所示)。RISO将放大器输出端和反馈网络与容
图82显示该低通Sallen-Key滤波器的频率响应,其中:
性负载隔离开来。然而,采用这种补偿方案时,负载看到
VOUT1为第一级的输出。
的输出阻抗会提高,导致增益精度降低。
+VSY
VOUT1显示出每10倍频程40 dB的滚降;VOUT2显示出每10倍频
VIN
ADA4661-2
–VSY
程80 dB的滚降。随着滤波器阶数提高,过渡带将变得更陡。
20
VOUT
CL
图83. 采用隔离电阻RISO 的稳定性补偿
图84显示该补偿方案对驱动250 pF负载的单位增益配置放大
0
器的频率响应的影响。
–20
VOUT1
GAIN (dB)
RISO
1/2
11366-083
VOUT2为第二级的输出。
–40
VOUT2
–60
–80
VSY = ±9V
VIN = 50mV p-p
–120
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
11366-082
–100
图82. 低通滤波器:增益与频率的关系
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ADA4661-2
10
–20
–30
–40
–50
10k
R ISO
R ISO
R ISO
R ISO
V SY = ±9V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
C L = 250pF
R ISO = 301Ω
= 0Ω
= 210Ω
= 301Ω
= 499Ω
100k
1M
10M
FREQUENC Y (Hz)
TIME (10µs/DIV)
11366-087
VOLTAGE (20mV/DIV)
–10
11366-084
CLOSED-LOO P GAIN (dB)
0
图87. 输出响应(RISO = 301 Ω)
V SY = ±9V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
C L = 250pF
R ISO = 750Ω
VOLTAGE (50mV/DIV)
TIME (10µs/DIV)
V SY = ±9V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
C L = 250pF
R ISO = 0Ω
TIME (10µs/DIV)
11366-085
图88. 输出响应(RISO = 750 Ω)
V SY = ±9V
V IN = 100mV p-p
AV = 1
C L = 250pF
R ISO = 210Ω
TIME (10µs/DIV)
11366-086
VOLTAGE (20mV/DIV)
图85. 无补偿的输出响应(RISO = 0 Ω)
图86. 输出响应(RISO = 210 Ω)
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11366-088
图85所示为驱动250 pF容性负载的单位增益放大器的输出响
应。无补偿时,放大器不稳定。图86至图88显示采用210 Ω、
301 Ω和750 Ω的RISO补偿的放大器输出响应。注意,RISO值较
低时,振铃仍可观察到,但RISO值较高时,高频信号会被
滤除。
VOLTAGE (20mV/DIV)
图84. 补偿方案的频率响应
ADA4661-2
10
能成为总电路噪声的主要贡献因素。与双极性放大器不
同,ADA4661-2等CMOS放大器的输入端本身没有散粒噪
声源。存在的少量散粒噪声是由ESD保护二极管中的反向饱
和电流产生的。此电流噪声通常约为1 fA/√Hz至10 fA/√Hz。
因此,为测量该范围内的电流噪声,需要一个10 GΩ以上的大
源阻抗。
VOLTAGE NOISE DENSIT
当一个放大器使用高阻抗源驱动时,输入端的电流噪声可
Y (µV/√Hz)
高阻抗源下的噪声考虑
1
R S = 10MΩ
R S = 1MΩ
噪声”效应。回爆效应源于放大器电流源中的噪声,它通
0.1
0.01
过输入晶体管的栅极至源极电容(CGS)容性耦合到放大器输
图89显示了ADA4661-2在源阻抗为1 MΩ和10 MΩ下的电压噪
声密度。在低频时(<1 Hz至10 Hz),频谱以放大器1/f电压噪
声为主。在中频时,由于源电阻的热噪声,频谱平坦化。
100
1k
10k
100k
图89. 电压噪声密度与频率的关系(带输入串联电阻RS )
C URR E NT NO IS E DE NS ITY (pA/√Hz)
起的内部极点和PCB寄生电容引起的外部极点。
10
1
入端。源阻抗提高10倍,回爆引起的电压噪声也会提高10
由于CGS耦合,回爆噪声频谱在低频时具有高通响应。在高
A
频时,该频谱一般以两个极点滚降:电流源的寄生电容引
1
FREQUENC Y (Hz)
入端。该回爆噪声乘以源阻抗后,作为电压噪声出现在输
倍。
0.1
11366-300
对于ADA4661-2,更有讨论意义的是所谓“回爆(blowback)
NOISE BANDWIDTH
LIMITATION
R S = 1MΩ
R S = 10MΩ
0.1
NOISE MEASUREMENT
LIMITATION
0.01
0.01
提高。该噪声频谱一直提高到内部或外部极点频率。达到
0.1
1
10
100
1k
10k
FREQUENC Y (Hz)
这些极点后,频谱开始降低。
100k
11366-301
随着频率提高,回爆噪声占主导地位,导致电压噪声频谱
图90. 电流噪声密度与频率的关系
图90显示了ADA4661-2在源阻抗为1 MΩ和10 MΩ下的电流噪
声密度。此电流噪声仅从回爆噪声占主导地位的频段中的
电压噪声密度曲线导出。在低频时,噪声测量以电阻热噪
声和放大器1/f噪声为主。在高频时,源阻抗以寄生电容为
主。比例系数的不确定性使得我们无法准确测量整个频率
范围内的电流噪声。
所有放大器都存在回爆噪声。该效应的幅度取决于输入电
阻的大小和偏置电路的结构。由于MOS晶体管偏置噪声更
大,CMOS放大器的回爆噪声一般大于JFET放大器。另一
方面,双极性放大器通常不会表现出回爆噪声,因为大基
极电流散粒噪声会屏蔽任何存在的回爆噪声。
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ADA4661-2
外形尺寸
3.20
3.00
2.80
8
3.20
3.00
2.80
5.15
4.90
4.65
5
1
4
PIN 1
IDENTIFIER
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
15° MAX
1.10 MAX
0.40
0.25
0.80
0.55
0.40
0.23
0.09
6°
0°
10-07-2009-B
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
图91. 8引脚超小型MSOP封装
(RM-8)
图示尺寸单位:mm
2.44
2.34
2.24
3.10
3.00 SQ
2.90
0.50 BSC
8
5
0.50
0.40
0.30
0.80
0.75
0.70
0.30
0.25
0.20
1
4
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
SEATING
PLANE
1.70
1.60
1.50
EXPOSED
PAD
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.203 REF
0.20 MIN
PIN 1
INDICATOR
(R 0.15)
FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONS
SECTION OF THIS DATA SHEET.
11-28-2012-C
PIN 1 INDEX
AREA
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-229-WEED
图92. 8引脚引脚架构芯片级封装 [LFCSP_WD]
3 mm x 3 mm,超薄体,双排引脚
(CP-8-11)
图示尺寸单位:mm
订购指南
型号1
ADA4661-2ACPZ-R7
ADA4661-2ACPZ-RL
ADA4661-2ARMZ
ADA4661-2ARMZ-RL
ADA4661-2ARMZ-R7
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
8引脚 LFCSP_WD
8引脚 LFCSP_WD
8引脚 MSOP
8引脚 MSOP
8引脚 MSOP
Z = 符合RoHS标准的器件。
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封装选项
CP-8-11
CP-8-11
RM-8
RM-8
RM-8
标识
A33
A33
A33
A33
A33
ADA4661-2
注释
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ADA4661-2
注释
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ADA4661-2
注释
©2013 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D11366sc-0-7/13(0)
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