SLD335YT 4W 高均一レーザダイオード 概 要 SLD335YTは，ペルチェクーラーを搭載したパッ ケージを採用しており，熱設計と電気設計を独立に 行う事が可能です。 新規チップ構造により均一な発光領域を実現して います。 特 長 • 高光出力 推奨光出力 Po＝4.0W • 高光出力密度 4W／200μm（発光線幅） M-288 等価回路図 TE Cooler 用 途 • 固体レーザ励起 • 加工 • 計測 • 印刷 Case LD PD TH 構 造 AlGaAs量子井戸構造レーザダイオード 1 3 4 5 6 7 8 9 10 動作寿命 MTTF 10,000H（実力値）at Po＝4W, Tth＝25℃ 絶対最大定格（Tth＝25℃） • 光出力 Pomax • 逆方向電圧 VR LD PD • 動作温度（Tth） Topr • 保存温度 Tstg 4.4 2 15 −10∼＋30 −40∼＋85 W V V ℃ ℃ 端子配置図（Top View） No. Function No. Function 1 TE cooler (negative) 6 Thermistor 2 − 7 Laser diode (cathode) 3 Case 8 Photo diode (anode) 4 Laser diode (anode) 9 Photo diode (cathode) 5 Thermistor 10 TE cooler (positive) 本資料に記載されております規格等は，改良のため予告なく変更することがありますので，ご了承ください。 また本資料によって，記載内容に関する工業所有権の実施許諾や，その他の権利に対する保証を認めたものではありません。 なお資料中に，回路例が記載されている場合，これらは使用上の参考として，代表的な応用例を示したものですので，これら 回路の使用に起因する損害について，当社は一切責任を負いません。 −1− J03840B1Y SLD335YT 電気的および光学的特性 （Tth＝サーミスタ温度，Tth＝25℃） 項 目 記号 発振開始電流 Ith 動作電流 Iop 動作電圧 発振波長 放射角 発光点精度 単位 0.8 1.5 A Po＝4.0W − 4.3 5.5 A Vop Po＝4.0W − 2.1 3.0 V λp Po＝4.0W 790 − 840 nm 4 10 17 degree 15 23 33 degree − − ±3 degree − − ±4 degree − − ±100 μm θ// 接合に垂直 θ⊥ 位置精度 最小値 標準値 最大値 − 接合に平行 角度精度 条 件 Δφ// Δφ⊥ Po＝4.0W Po＝4.0W ΔX, ΔY 微分効率 ηD Po＝4.0W 0.65 1.1 − W／A モニタ電流 Imon Po＝4.0W, VR＝10V 0.15 0.9 3.0 mA サーミスタ抵抗 Rth Tth＝25℃ − 10 − kΩ −2− SLD335YT 使用上の注意 本製品は下記の点に注意して使用して下さい。 （1）本製品はIEC60825-1，およびJIS規格C6802「レーザ製品の放射安全基準」のクラス4製品に相当します。 LASER DIODE LASER DIODE This product complies with 21 CFR Part 1040.10 and 1040.11 LASER RADIATION AVOID EYE OR SKIN EXPOSURE TO DIRECT OR SCATTERED RADIATION MAXIMUM OUTPUT WAVELENGTH OVER 1 W 600 - 950 nm CLASS IV LASER PRODUCT Sony Corporation AVOID EXPOSURE Laser radiation is emitted from this aperture. 1-7-1 Konan, Minato-ku,Tokyo 108-0075 Japan （ 2）レーザ光に対する目の保護 いかなる状態でもレーザ光が目に入らないよう注意して下さい。 レーザ光を観察する場合は，レーザ光を遮断する保護メガネの使用をお勧めします。また，赤外線スコー プ，赤外線カメラ，蛍光板の使用も，レーザ光を安全に観察する簡単な方法です。 （3）ガリウム砒素について 本製品にはGaAs（ガリウム砒素）が使われています。通常での使用には問題ありませんが，蒸気は人体に 害を及ぼし危険です。粉砕したり，保存温度以上に加熱したり，口に入れたりすることは絶対に行わない で下さい。 また，この製品を廃棄処理する場合は，下記の処理方法を推奨いたします。 1．砒素含有物等の収集，運搬，中間処理の資格を有する業者に依頼する。 2．一般産業廃棄物および家庭用廃棄物とは別に特別管理産業廃棄物として，最終処分までの管理を 行う。 （4）サージ電流，静電気の防止 レーザダイオードは半導体の中で最も静電気に弱く，レーザダイオードに大電流を流すと，きわめて短時 間であっても自身の発する強い光によって劣化が促進され，あるいは破壊することがあります。そのため， レーザダイオード駆動回路には，スイッチ，その他によるサージ電流が流れないようにご注意下さい。 また，不注意に扱うと人体からの静電気が加わって瞬時に破壊されてしまうことがあります。過電流，静 電気には十分注意が必要です。 また，絶対最大定格に定めた光出力を超えない措置が取られた電源をご使用下さい。 （5）特殊用途への使用について 本製品は，生命，身体に危害を及ぼす恐れがある，あるいは多大な物的損害を発生させる恐れがあるよう な状況下で使用される機器に用いられることを目的として設計，製造しておりません。 本製品を医療用，車両用，原子力制御用など特殊用途へのご利用を検討の際には弊社販売窓口へ ご照会下さい。 （ 6）環境管理物質について ソ ニ ー 技 術 標 準 SS-00259「部 品・ 材 料 に お け る 環 境 管 理 物 質 管 理 規 定 」 *1で 規 定 さ れ た レ ベ ル 1 ( 即時，使用禁止) 物質は使用しておりません。 *1 ソニー技術標準SS-00259「部品・材料における環境管理物質管理規定」につきましては下記URLをご参 照下さい。 http://www.sony.co.jp/SonyInfo/procurementinfo/ss00259/index.html −3− SLD335YT 外形寸法図 単位：mm M-288 + 0.08 4 – φ4.04 – 0.03 31.75 ± 0.50 R1 1.0 .0 .0 R1 4 – – 4 Window Glass φ5.0 12.8 19.05 ± 0.15 38.60 ± 0.15 9 – φ1.0 2.54 44.45 ± 0.50 0.9 MAX LD Chip 3.0 Reference Plane 17.8 ± 0.3 17.0 26.4 14.9 ± 0.3 3.6 31.75 ± 0.50 19.30 ± 0.15 SONY CODE M-288 EIAJ CODE JEDEC CODE PACKAGE MASS −4− 100g Sony Corporation