高パワー SPDTスイッチ CXG1189AXR 概要・用途 CXG1189AXRは，高パワー SPDT (Single Pole Doble Throw) スイッチMMICで，GSMハンドセット, GSM／ UMTSデュアルモードハンドセット等のワイヤレス通信システムで使用できます。 ソニー JPHEMTプロセスにより，低挿入損失を実現しています。 (用途：セルラハンドセット用アンテナスイッチ，GSM, GSM／UMTSデュアルモード) 特長・機能 低挿入損失：0.25dB@900MHz，[email protected]，[email protected] 高調波レベルの低減：–35dBm (最大値) パッケージ 小型パッケージ：12-pin XQFN 構造 GaAs JPHEMT MMIC 取り扱い時注意事項 本ICは静電気の影響を受けやすいデバイスなので，取り扱いに特に注意が必要です。 本資料に記載されております規格等は, 改良のため予告なく変更することがありますので, ご了承ください。 また本資料によって, 記載内容に関する工業所有権の実施許諾や, その他の権利に対する保証を認めたものではありません。 なお資料中に, 回路例が記載されている場合, これらは使用上の参考として, 代表的な応用例を示したものですので, これら回路 の使用に起因する損害について, 当社は一切責任を負いません。 -1- J06144 CXG1189AXR 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 5 V 入力電力最大値 [824～915MHz] 36 dBm [デューティサイクル = 12.5～50％] 入力電力最大値 [1710～1910MHz] 34 dBm [デューティサイクル = 12.5～50％] 入力電力最大値 [1920～1980MHz] 32 dBm コントロール電圧 Vctl 動作温度 Topr –35～+85 °C 保存温度 Tstg –65～+150 °C 最大許容損失 PD 400 mW ・銅張積層ガラス基板（4層）:□30mm, t = 0.8mm, FR-4 注) 本仕様書に記載されているPD値を超えないように本製品を使用して下さい。瞬時でも越えた場合，動 作によって生じた熱により，製品を劣化または破壊する可能性があります。 -2- CXG1189AXR ブロック図／推奨回路 RF1 GND GND CRF 6 5 4 7 GND 3 F1 F2 8 RF2 GND 2 RF3 CRF CRF F3 F4 9 GND 1 10 Rctl (1kΩ) 11 GND 12 Cbypass (100pF) Cbypass (100pF) Rctl (1kΩ) GND CTLA CTLB 本ICの使用時には，以下の外付け部品が必要です。 Rctl：この抵抗は静電強度改善用です。推奨値は1kΩです。 CRF：この容量はRFデカップリング用であり，全てのアプリケーションに使用して下さい。 Cbypass：この容量はDCラインのフィルタリング用です。推奨値は100pFです。 真理値表 CTLA CTLB ON状態 F1 F2 F3 F4 L H RF1 – RF2 ON OFF OFF ON H L RF1 – RF3 OFF ON ON OFF DCバイアス条件 (Ta = 25°C) 項目 最小値 標準値 最大値 単位 Vctl (H) 2.6 2.8 3.6 V Vctl (L) 0 — 0.4 V -3- CXG1189AXR 電気的特性 (Ta = 25°C) 項目 記号 パス RF1 – RF2 挿入損失 IL RF1 – RF3 高調波*1 2fo 3fo 2fo 3fo P0.2dB圧縮入力電力 コントロール電流 P1dB Ictl 単位 824～960MHz 0.25 0.40 dB 1710～1990MHz 0.30 0.45 dB 1920～2170MHz 0.35 0.50 dB 824～960MHz 0.25 0.40 dB 1710～1990MHz 0.30 0.45 dB 1920～2170MHz 0.35 0.50 dB dB 1710～1990MHz 25 31 dB 1920～2170MHz 25 30 dB 824～960MHz 25 32 dB 1710～2170MHz 25 31 dB 1920～2170MHz 25 30 dB 824～960MHz 1.2 — 1710～2170MHz 1.2 — 1920～2170MHz 1.2 — RF1 – RF2 RF1 – RF3 824～915MHz Vctl = 2.8／0V –45 –35 dBm –42 –35 dBm RF1 – RF2 RF1 – RF3 1710～1910MHz Vctl = 2.8／0V –42 –35 dBm –40 –35 dBm RF1 – RF2 RF1 – RF3 1920～1980MHz Vctl = 2.8／0V –46 –35 dBm –46 –35 dBm RF1 – RF2 RF1 – RF3 824～915MHz Vctl = 2.8／0V 34.5 dBm RF1 – RF2 RF1 – RF3 1710～1910MHz Vctl = 2.8／0V 32.5 dBm RF1 – RF2 RF1 – RF3 1920～1980MHz Vctl = 2.8／0V 31 dBm VSWR 3fo 最大値 32 ISO. 2fo 標準値 25 RF1 – RF3 VSWR 最小値 824～960MHz RF1 – RF2 アイソレーション 条件 Vctl = 2.8V 2 6 μA 電気的特性は，全てのRFポートを50Ωで終端して測定されています。 *1 高調波は，最適化された2次高調波入力インピーダンスTxで測定されています。性能を最大限に引き出 せるように，高調波マッチングの使用を推奨します。 1. Tx入力電力，Pin = 34dBm，824～915MHz，Vctl (H) = 2.8V，Vctl (L) = 0V 2. Tx入力電力，Pin = 32dBm，1710～1910MHz，Vctl (H) = 2.8V，Vctl (L) = 0V 3. Tx入力電力，Pin = 29dBm，1920～1980MHz，Vctl (H) = 2.8V，Vctl (L) = 0V -4- CXG1189AXR 外形寸法図 (単位：mm) LEAD PLATING SPECIFICATIONS ITEM -5- SPEC. LEAD MATERIAL COPPER ALLOY SOLDER COMPOSITION Sn-Bi Bi:1-4wt% PLATING THICKNESS 5-18µm Sony Corporation