J12608

超低歪み SPDT スイッチ
CXM3630UR
概要・用途
CXM3630UR はハイパワーで超低歪みのワイヤレスコミュニケーションシステム用 SPDT スイッチです。
CXM3630UR は SVLTE や超低歪みが要求されるキャリアアグリゲーション用として使用できます。
本デバイスは+1.8 V CMOS コンパチブルデコーダを内蔵しています。
ソニーGaAs ジャンクションゲート pHEMT (JPHEMT) MMIC プロセスにより、低挿入損失と超低歪みを実現しています。
(用途: LTE/CDMA/GSM/UMTS ハンドセットやミニ基地局)
特徴・機能
◆ 超低挿入損失：
◆ 超低歪み：
0.18 dB (Typ.) (Cellular Band )
0.28 dB (Typ.) (IMT2000 )
IMD3 = –104 dBm (Max.), IIP3 = 82 dBm (Min.)
at LTE Band 13, PTx = +23 dBm, PBlocker = +14 dBm
◆ 高アイソレーション： 35 dB (Min.) (Cellular Band )
23 dB (Min.) (IMT2000 )
◆ 低電源対応：
VDD = 2.5 V
◆ RF ポートの DC ブロッキングコンデンサ不要
◆ 1 入力制御
◆ 小型パッケージサイズ： UQFN-12 pin (2.0 mm × 2.0 mm)
◆ 鉛フリー, RoHS 対応
構造
GaAs JPHEMT MMIC スイッチ, CMOS デコーダ
耐湿レベル
本デバイスの耐湿レベルは MSL = 2 です。
絶対最大定格
♦ 電源電圧
VDD
4
V
(Ta = 25 ˚C)
♦ 制御電圧
Vctl
4
V
(Ta = 25 ˚C)
36
dBm
♦ 最大入力電力
♦ 動作温度
Topr
–35 to +90
˚C
♦ 保存温度
Tstg
–65 to +150
˚C
(Duty cycle = 12.5 to 50 %, Ta = 25 ˚C)
この IC は静電気の影響を受けやすいデバイスです。取扱いには注意が必要です。
1
ブロック図
SPDT アンテナスイッチ
RF2
RF1
RF3
MMIC
スイッチ
CTL
CMOS デコーダ
VDD
MMIC スイッチ
F1
RF2
RF1
F3
F2
RF3
F4
真理値表
CTL
Active path
F1
F2
F3
F4
L
RF1-RF2
ON
OFF
OFF
ON
H
RF1-RF3
OFF
ON
ON
OFF
2
端子配列図
GND
7
RF2
8
GND
9
GND
RF1
GND
(Top View)
6
5
4
3
GND
2
RF3
1
GND
UQFN-12P PKG
11
12
CTL
VDD
10
GND
2.0 mm x 2.0 mm
DC バイアス条件
パラメータ
最小値
標準値
最大値
VDD
2.5
2.7
3.3
Vctl (H)
1.35
1.8
3.3
Vctl (L)
0
—
0.45
単位
V
3
電気的特性
(Ta = 25 °C, VDD = 2.5 V, Vctl = 0/1.8 V)
項目
記号
経路
RF1-RF2
挿入損失
Insertion loss
IL
RF1-RF3
アイソレーショ
ン
Isolation
VSWR
ISO.
VSWR
RF2-RF3
(RF2 or RF3
Active)
All ports in
active paths
2fo
条件
最小値
標準値
最大値
*1, *2, *6, *8
―
0.18
0.28
*3, *4, *7, *9
―
0.28
0.43
*5
―
0.33
0.48
*1, *2, *6, *8
―
0.18
0.28
*3, *4, *7, *9
―
0.28
0.43
*5
―
0.33
0.48
*1, *2, *6, *8
35
40
―
*7
25
28
―
*3,*4,*9
23
26
―
*5
19
22
―
700 to 2700 MHz
―
―
1.3
―
-60
-45
―
-68
-45
―
-66
-55
―
-72
-55
―
-80
-65
―
-90
-65
*6
3fo
2fo
高調波
Harmonics
3fo
RF1-RF2, RF3
*7
2fo
*2, *3, *5
3fo
単位
dB
dB
―
dBm
2fo
*1
―
-82
-78
IMD2
*10, *11, *12, *15, *16, *19, *20,
*23, *24
―
―
-110
*10, *13, *14, *17, *18, *21, *22,
*25, *26
―
―
-110
*10, *27
―
―
-104
dBm
*10, *28
―
―
-110
dBm
-104
dBm
相互変調歪み
(Rx 帯域)
RF1-RF2, RF3
IMD3
dBm
*10, *29
スイッチング時
間
Ts
50 % Ctl to 90 % RF
―
12
17
µs
ウェイクアップ
タイム
Twu
VDD = 2.5 V to 90 % RF, Pin = 0
dBm
―
12
20
µs
制御電流
Ictl
Vctl = 1.8 V
―
1
5
µA
電源電流
Idd
VDD = 2.7 V
―
0.14
0.35
mA
電気的特性は, 全ての RF ポートを 50 Ω終端して測定しています。
*1
*2
*3
*4
*5
*6
*7
*8
Pin = 25 dBm, 704 to 787 MHz
Pin = 26 dBm, 824 to 960 MHz
Pin = 26 dBm, 1710 to 1990 MHz
Pin = 10 dBm, 2110 to 2170 MHz
Pin = 26 dBm, 2500 to 2690 MHz
Pin = 35 dBm, 824 to 915 MHz
Pin = 32 dBm, 1710 to 1910 MHz
Pin = 10 dBm, 869 to 960 MHz
(Band 13, Band 17)
(Band 5, Band 8)
(Band 1 Tx, Band 2 Tx, Band 3 Tx, Band 4 Tx)
(Band 1 Rx, Band 4 Rx)
(Band 7)
(GSM850/900 Tx)
(GSM1800/1900 Tx)
(GSM850/900 Rx)
4
*9 Pin = 10 dBm, 1805 to 1990 MHz (GSM1800/1900 Rx)
*10 推奨回路にて測定
IMD 条件 (1)
Band
Band 1
Band 2
Band 5
Band 7
fRx on RF
[MHz]
2140
1960
880
2655
fTx
+20 dBm on RF
[MHz]
fBlocker
–15 dBm on RF1
[MHz]
1950
1880
835
2535
IMD 条件
IMD2 (fRx – fTx)
190
*11
IMD2 (fRx + fTx)
4090
*12
IMD3 (2fTx – fRx)
1760
*13
IMD3 (2fTx + fRx)
6040
*14
IMD2 (fRx – fTx)
80
*15
IMD2 (fRx + fTx)
3840
*16
IMD3 (2fTx – fRx)
1800
*17
IMD3 (2fTx + fRx)
5720
*18
IMD2 (fRx – fTx)
45
*19
IMD2 (fRx + fTx)
1715
*20
IMD3 (2fTx – fRx)
790
*21
IMD3 (2fTx + fRx)
2550
*22
IMD2 (fRx – fTx)
120
*23
IMD2 (fRx + fTx)
5190
*24
IMD3 (2fTx – fRx)
2415
*25
IMD3 (2fTx + fRx)
7725
*26
IMD 条件 (2)
Band
fRx on RF
[MHz]
fTx
PTx = +23 dBm
on RF
[MHz]
Band 13
747
786
IMD3 (2fTx – fRx)
825
*27
872
782
IMD3 (fTx + fRx)/2
827
*28
872
827
IMD3 (2fTx – fRx)
782
*29
BC0
fBlocker
PBlocker = +14 dBm on RF1
[MHz]
5
IMD 条件
トリプルビート比
(VDD = 2.5 V, Ta = 25 °C)
条件
項目
トリプ
ルビー
ト比
記号
TBR
経路
RF1 - RF2,
RF3
Input
power
at RF
[dBm]
Tx1 at
RF*
[MHz]
Tx2 at
RF*
[MHz]
Jammer
at RF1
–30 dBm
[MHz]
Triple beat
product
at RF*
[MHz]
最小
値
標準
値
最大
値
21.5
835.5
836.5
881.5
881.5 ± 1
88
―
―
21.5
1880
1881
1960
1960 ± 1
88
―
―
13.5
1732
1733
2132
2132 ± 1
88
―
―
単
位
dBc
* 電気的特性は, 全ての RF ポートを 50 Ωで終端して測定しています。
推奨回路にて測定
入力 IP2
(VDD = 2.5 V, Ta = 25 °C)
条件
項目
入力
IP2
記号
IIP2
経路
RF1 - RF2,
RF3
最小
値
標準
値
最大
値
881.61
113.5
―
―
45
881.61
95.5
―
―
1885
3850
1965
95.5
―
―
1885
80
1965
95.5
―
―
1732.5
3865
2132.5
95.5
―
―
1732.5
400
2132.5
95.5
―
―
Tx at RF*
24 dBm [MHz]
Jammer at
RF1 –20 dBm
[MHz]
IM2 product at
RF* [MHz]
836.61
1718.61
836.61
* 電気的特性は, 全ての RF ポートを 50 Ωで終端して測定しています。
推奨回路にて測定
6
単位
dBm
推奨回路
RF1
C1
L1
6
RF2
5
4
7
3
8
2
9
1
10
11
12
C2
CTL
VDD
*1 全 RF ポートの DC ブロッキングコンデンサは不要です。(DC バイアスソースは除く)
*2 全ての RF ポートの DC レベルは GND です。
*3 静電気対策の為、Ant ポートに L1 (27 nH)と C1(12 pF)を使用する事を推奨します。
*4 VDD 端子のデカップリング用コンデンサとして、C2(100 pF)の使用を推奨します。
7
RF3
推奨ランドパターン
8
外形寸法図
製品コード ： 875342170
(単位: mm)
9
外形寸法図
製品コード ： 875342701
(単位: mm)
10
マーク標示
製品コード ： 875342170
GT
11
マーク標示
製品コード ： 875342701
GT
12
テープとリールサイズ
CXM3630UR-T9
製品コード：875342170
13
テープとリールサイズ
CXM3630UR-T9
製品コード：875342701
14
本資料ご使用にあたってのお願いと注意事項
本資料に記載されております規格等は, 改良のため予告なく変更することがありますので, ご了承ください。
また本資料によって, 記載内容に関する工業所有権の実施許諾やその他の権利に対する保証を認めたものではありません。
なお資料中に, 回路例が記載されている場合, これらの回路は使用上の参考として, 代表的な応用例を示したものですので,
これら回路の使用に起因する損害について, 当社は一切責任を負いません。
15