ローコスト、270MHz 差動レシーバ・アンプ AD8129/AD8130 特長 接続図（上面図） 高速 AD8130：270MHz、1090V/μs@G＝1 AD8129：200MHz、1060V/μs@G＝10 高CMRR 94dB Min、DC∼100kHz 80dB Min@2MHz 70dB@0 MHz 高入力抵抗：1MΩ差動 入力コモンモード範囲±10.5V 低ノイズ AD8130：12.5nV/√Hz AD8129：4.5nV/√Hz 低歪み、1Vp-p@5MHz AD8130最悪時高調波−79dBc@5MHz AD8129最悪時高調波−74dBc@5MHz ユーザー調整ゲイン G＝1において外部部品不要 電源電圧範囲＋4.5V∼±12.6V パワーダウン 8ピンSOIC (R) および8ピンμSOIC (RM) +IN 1 –VS 2 AD8129/ AD8130 7 +VS + PD 3 6 OUT 5 FB REF 4 アプリケーション 高速差動ライン・レシーバ 差動／シングルエンド・コンバータ 高速計装用アンプ レベル・シフト 概要 AD8129/AD8130は、AD8131またはAD8132ドライバにより動作す るツイスト・ペア・ケーブルで送信される高速信号のレシーバとして設 120 110 100 計されています。両製品とも、アナログ／デジタルのビデオ信号およ び高速のデータ伝送に使用できます。AD8129/AD8130は、高周 波において非常に高いCMRRを持った差動／シングルエンドのアン プです。したがって、高速の計装用アンプ、または差動信号からシ ングルエンド信号への変換にも使用できます。 AD8129は、信号の減衰が大きくなる、非常に長いケーブルを使う アプリケーション向けの、低ノイズで高ゲイン （10以上） の製品です。 AD8130はゲイン＝1の時に安定し、低ゲインが必要とされるアプリ ケーションで使用できます。両製品とも、ゲインがユーザー調整可能 で、通信回線における損失を補償できます。ゲインは2つの抵抗値 の比により設定できます。AD8129/AD8130は、ゲインの設定にかか わらず非常に大きな入力インピーダンスを持っています。 AD8129/AD8130は、優れたコモン・モード除去比 （70dB@10MHz） を持ち、外部ノイズ・ソースやクロストークによる信号の劣化を心配 することなく、ローコストなシールドされていないツイストペア・ケーブル を使用できます。 AD8129/AD8130は、5V単電源から±12V両電源という広い電源 電圧範囲を持ち、信号の品質を維持しながら、広いコモンモードお よび差動電圧範囲を提供します。この広いコモンモード電圧範囲 により、 ドライバとレシーバの位置におけるグラウンド電圧の差が大き くなるような各種のシステムにおいても、絶縁トランスを使用せずにド ライバとレ シ ーバ の ペ アを 動 作 さ せることが できます。 AD8129/AD8130は、オペアンプおよび他のマルチアンプの受信ソ リューションに比べ、コストと性能の面で大幅な改善が可能です。 90 CMRR – dB 8 –IN PD 80 70 +VS VIN VOUT 60 50 40 RG RF 30 10k 100k 図1 1M 周波数−Hz 10M 100M AD8129のCMRR 対 周波数 –VS V OUT = VIN [1+(R F /R G )] 図2 代表的な接続例 アナログ・デバイセズ社が提供する情報は正確で信頼できるものを期していますが、そ の情報の利用または利用したことにより引き起こされる第3者の特許または権利の侵害 に関して、当社はいっさいの責任を負いません。さらに、アナログ・デバイセズ社の特 許または特許の権利の使用を許諾するものでもありません。 REV.0 アナログ・デバイセズ株式会社 本 社／東京都港区海岸1-16-1 電話03 （5402）8400 〒105-6891 ニューピア竹芝サウスタワービル 大阪営業所／大阪市淀川区宮原3-5-36 電話06（6350）6868（代） 〒532-0003 新大阪第二森ビル AD8129/AD8130―仕様 ±5V仕様 ＿＿ （特に指定のない限り、AD8129 G＝10、AD8130 G＝1、T A＝25℃、V S＝±5V、REF＝0V、PD ≧V IH、 RL＝1kΩ、CL＝2pF。TMIN∼TMAX＝−40∼＋85℃） パラメータ ダイナミック特性 −3dB帯域幅 条件 VOUT≦0.3Vp-p VOUT≦2Vp-p 0.1dB平坦帯域幅 VOUT≦0.3Vp-p、SOIC/μSOIC スルーレート VOUT＝2Vp-p、25∼75% セトリング時間 VOUT＝2Vp-p、0.1% 立ち上がり／立ち下がり時間 VOUT≦1Vp-p、10∼90% 出力オーバードライブ・リカバリ ノイズ／歪み 2次高調波／3次高調波 VOUT＝1Vp-p、5MHz VOUT＝2Vp-p、5MHz VOUT＝1Vp-p、10MHz VOUT＝1Vp-p、10MHz IMD （変調間歪み） VOUT＝2Vp-p、10MHz 出力IP3 VOUT＝2Vp-p、10MHz 入力電圧ノイズ （RT1） f≧10kHz 入力電流ノイズ （＋IN、−IN） f≧100kHz 入力電流ノイズ （REF、FB） f≧100kHz AD8130、G＝2、NTSC 200 IRE、RL≧150Ω 差動ゲイン誤差 AD8130、G＝3、NTSC 200 IRE、RL≧150Ω 差動位相誤差 入力特性 コモンモード除去比 （CMRR） DC∼100kHz、VCM＝−3∼＋3.5V VCM＝1Vp-p@2MHz VCM＝1Vp-p@10MHz VOUT＝1Vp-pにおけるCMRR VCM＝2Vp-p@1kHz、VOUT＝±0.5V DC コモンモード電圧範囲 V＋IN−V−IN＝0V 差動動作範囲 差動クリッピング・レベル 抵抗 差動 コモンモード 容量 差動 コモンモード DC特性 クローズド・ループ・ゲイン誤差 VOUT＝±1V、RL≧150Ω TMIN∼TMAX オープン・ループ・ゲイン VOUT＝±1V ゲイン非直線性 VOUT＝±1V 入力オフセット電圧 TMIN∼TMAX TMIN∼TMAX ＋VS＝＋5V、−VS＝−4.5∼−5.5V 入力オフセット電圧 対 電源 −VS＝−5V、＋VS＝＋4.5∼＋5.5V 入力バイアス電流 （＋IN、−IN） 入力バイアス電流 （REF、FB） TMIN∼TMAX（＋IN、−IN、REF、FB） 入力オフセット電圧 （＋IN、−IN、REF、FB） TMIN∼TMAX 出力特性 電圧振幅 RLOAD＝150Ω/1kΩ 出力電流 短絡電流 コモンに対して TMIN∼TMAX ＿＿ 出力インピーダンス PD≦VIL、パワーダウン・モード 電源 動作電圧範囲 全電源 静止電源電流 TMIN∼TMAX ＿＿ PD≦VIL ＿＿ PD≦VIL、TMIN∼TMAX PDピン VIH VIL ＿＿ PD＝Min VIH IIH ＿＿ PD＝Max VIL IIL ＿＿ 入力抵抗 PD≦＋VS−3V ＿＿ PD≧＋VS−2V イネーブル時間 Min 175 170 925 AD8129A Typ Max 200 190 30/50 1060 20 1.7 30 Min AD8130A Typ Max 240 140 950 −74/−84 −68/−74 −67/−81 −61/−70 −67 25 4.5 1 1.4 0.3 0.1 94 80 ±0.6 110 70 100 ±3.5 ±0.5 ±0.75 1 4 3 4 ±0.4 20 88 250 0.2 2 −90 −94 ±0.5 ±1 5 ±0.08 0.2 90 80 ±0.85 ±2.3 ±1.5 1.4 −84 −86 ±2 ±3.5 MHz MHz MHz V/μs ns ns ns −79/−86 −74/−81 −74/−80 −74/−76 −70 26 12.5 1 1.4 0.13 0.15 dBc dBc dBc dBc dBc dBm nV/√Hz pA/√Hz pA/√Hz % 度 110 dB dB dB dB V V V MΩ MΩ pF pF 70 83 ±3.8 ±2.5 ±2.8 6 4 3 4 −78 −80 ±0.5 ±1 5 ±0.08 0.2 ±0.4 3.6/4.0 270 155 45 1090 20 1.4 40 ±0.15 10 74 200 0.4 10 0.8 ±3.3 ±0.6 1.8 3.5 −74 −74 ±2 ±3.5 ±0.4 3.6/4.0 40 −60/＋55 −240 10 ±2.25 10.8 36 0.68 ±2.25 10.8 36 0.68 0.85 1 ＋VS−1.5 ＋VS−1.5 ＋VS−2.5 −30 −50 12.5 100 0.5 12.5 100 0.5 % ppm/℃ dB ppm mV μV/℃ mV dB dB μA μA nA/℃ μA nA/℃ ±V mA mA μA/℃ pF 40 −60/＋55 −240 10 ±12.6 11.6 単位 ±12.6 11.6 0.85 1 V mA μA/℃ mA mA V ＋VS−2.5 V −30 μA −50 μA kΩ kΩ μs 仕様は予告なく変更されることがあります。 2 REV.0 AD8129/AD8130 ±12V仕様 （特に指定のない限り、AD8129 ＿＿ G＝10、AD8130 G＝1、TA＝25℃、VS＝±12V、REF＝0V、PD≧VIH、 RL＝1kΩ、CL＝2pF。TMIN∼TMAX＝−40∼＋85℃） パラメータ ダイナミック特性 −3dB帯域幅 条件 VOUT≦0.3Vp-p VOUT≦2Vp-p 0.1dB平坦帯域幅 VOUT≦0.3Vp-p、SOIC/μSOIC スルーレート VOUT＝2Vp-p、25∼75% セトリング時間 VOUT＝2Vp-p、0.1% 立ち上がり／立ち下がり時間 VOUT≦1Vp-p、10∼90% 出力オーバードライブ・リカバリ ノイズ／歪み 2次高調波／3次高調波 VOUT＝1Vp-p、5MHz VOUT＝2Vp-p、5MHz VOUT＝1Vp-p、10MHz VOUT＝2Vp-p、10MHz IMD （変調間歪み） VOUT＝2Vp-p、10MHz 出力IP3 VOUT＝2Vp-p、10MHz 入力電圧ノイズ （RT1） f≧10kHz 入力電流ノイズ （＋IN、−IN） f≧100kHz 入力電流ノイズ （REF、FB） f≧100kHz AD8130、G＝2、NTSC 200 IRE、RL≧150Ω 差動ゲイン誤差 AD8130、G＝2、NTSC 200 IRE、RL≧150Ω 差動位相誤差 入力特性 コモンモード除去比 （CMRR） DC∼100kHz、VCM＝±10V VCM＝1Vp-p@2MHz VCM＝1Vp-p@10MHz VOUT＝1Vp-pにおけるCMRR VCM＝4Vp-p@1kHz、VOUT＝±0.5V DC コモンモード電圧範囲 V＋IN−V−IN＝0V 差動動作範囲 差動クリッピング・レベル 抵抗 差動 コモンモード 容量 差動 コモンモード DC特性 クローズド・ループ・ゲイン誤差 VOUT＝±1V、RL≧150Ω TMIN∼TMAX オープン・ループ・ゲイン VOUT＝±1V ゲイン非直線性 VOUT＝±1V 入力オフセット電圧 TMIN∼TMAX TMIN∼TMAX ＋VS＝＋12V、−VS＝−11.0∼−13.0V 入力オフセット電圧 対 電源 −VS＝−12V、＋VS＝＋11.0∼＋13.0V 入力バイアス電流 （＋IN、−IN） 入力バイアス電流 （REF、FB） TMIN∼TMAX（＋IN、−IN、REF、FB） 入力オフセット電圧 （＋IN、−IN、REF、FB） TMIN∼TMAX 出力特性 電圧振幅 RLOAD＝700Ω 出力電流 短絡電流 コモンに対して TMIN∼TMAX ＿＿ 出力インピーダンス PD≦VIL、パワーダウン・モード 電源 動作電圧範囲 全電源 静止電源電流 TMIN∼TMAX ＿＿ PD≦VIL ＿＿ PD≦VIL、TMIN∼TMAX PDピン VIH VIL ＿＿ PD＝Min VIH IIH ＿＿ PD＝Max VIL IIL ＿＿ 入力抵抗 PD≦＋VS−3V ＿＿ PD≧＋VS−2V イネーブル時間 Min 175 170 935 200 195 50/70 1070 20 1.7 40 Min AD8130A Typ Max 250 150 960 −71/−84 −65/−74 −65/−82 −59/−70 −67 25 4.6 1 1.4 0.3 0.1 92 80 ±0.6 105 70 93 ±10.3 ±0.5 ±0.75 1 4 3 4 ±0.8 20 87 250 0.2 2 −88 −92 ±0.25 ±0.5 2.5 ±0.08 0.2 88 80 ±0.85 ±2.3 ±1.8 1.4 −82 −84 ±2 ±3.5 MHz MHz MHz V/μs ns ns ns −79/−86 −74/−81 −74/−80 −74/−74 −70 26 13 1 1.4 0.13 0.2 dBc dBc dBc dBc dBc dBm nV/√Hz pA/√Hz pA/√Hz % 度 105 dB dB dB dB V V V MΩ MΩ pF pF 70 80 ±10.5 ±2.5 ±2.8 6 4 3 4 −77 −88 ±0.25 ±0.5 2.5 0.08 0.2 ±0.4 ±2.25 13 43 0.73 ±0.6 1.8 3.5 −70 −70 ±2 ±3.5 ±0.4 ±12.6 13.9 ±2.25 13 43 0.73 0.9 1.1 ＋VS−1.5 ＋VS−2.5 −30 −50 3 100 0.5 3 100 0.5 % ppm/℃ dB ppm mV μV/℃ mV dB dB μA μA nA/℃ μA nA/℃ V mA mA μA/℃ pF 40 −60/＋55 −240 10 ＋VS−1.5 3 ±3.3 ±10.8 40 −60/＋55 −240 10 単位 290 175 110 1100 20 1.4 40 ±0.15 10 73 200 0.4 10 0.8 ±10.8 仕様は予告なく変更されることがあります。 REV.0 AD8129A Typ Max ±12.6 13.9 0.9 1.1 V mA μA/℃ mA mA V ＋VS−2.5 V −30 μA −50 μA kΩ kΩ μs AD8129/AD8130―仕様 ±5V仕様 （特に指定のない限り、AD8129 G＝10、AD8130 G＝1、TA＝25℃、＋VS＝5V、−VS＝0V、REF＝2.5V、 ＿＿ PD≧VIH、RL＝1kΩ、CL＝2pF。TMIN∼TMAX＝−40∼＋85℃） パラメータ ダイナミック特性 −3dB帯域幅 0.1dB平坦帯域幅 スルーレート セトリング時間 立ち上がり／立ち下がり時間 出力オーバードライブ・リカバリ ノイズ／歪み 2次高調波／3次高調波 条件 Min VOUT≦0.3Vp-p VOUT≦1Vp-p VOUT≦0.3Vp-p、SOIC/μSOIC VOUT＝2Vp-p、25∼75% VOUT＝2Vp-p、0.1% VOUT≦1Vp-p、10∼90% 160 160 810 AD8129A Typ Max 185 185 25/40 930 20 1.8 20 −68/−75 VOUT＝1Vp-p、5MHz −62/−64 VOUT＝2Vp-p、5MHz −63/−70 VOUT＝1Vp-p、10MHz −56/−58 VOUT＝2Vp-p、10MHz −67 IMD （変調間歪み） VOUT＝2Vp-p、10MHz 25 出力IP3 VOUT＝2Vp-p、10MHz 入力電圧ノイズ （RT1） f≧10kHz 4.5 入力電流ノイズ （＋IN、−IN） f≧100kHz 1 入力電流ノイズ （REF、FB） f≧100kHz 1.4 AD8130、G＝2、NTSC 200 IRE、RL≧150Ω 0.3 差動ゲイン誤差 AD8130、G＝2、NTSC 200 IRE、RL≧150Ω 0.1 差動位相誤差 入力特性 コモンモード除去比（CMRR） DC∼100kHz、VCM＝1.5∼3.5V 86 96 80 VCM＝1Vp-p@1MHz 70 VCM＝1Vp-p@10MHz VOUT＝1Vp-pにおけるCMRR VCM＝1Vp-p@1kHz、VOUT＝±0.5V DC 80 1.25∼3.7 コモンモード電圧範囲 V＋IN−V−IN＝0V 差動動作範囲 ±0.5 差動クリッピング・レベル ±0.6 ±0.75 抵抗 差動 1 コモンモード 4 容量 差動 3 コモンモード 4 DC特性 クローズド・ループ・ゲイン誤差 VOUT＝±1V、RL≧150Ω ±0.25 20 TMIN∼TMAX 86 オープン・ループ・ゲイン VOUT＝±1V 250 ゲイン非直線性 VOUT＝±1V 入力オフセット電圧 0.2 2 TMIN∼TMAX TMIN∼TMAX −88 入力オフセット電圧 対 電源 ＋VS＝＋5V、−VS＝−0.5∼＋0.5V −VS＝−0V、＋VS＝＋4.5∼＋5.5V −100 入力バイアス電流 （＋IN、−IN） ±0.5 入力バイアス電流（REF、FB） ±1 TMIN∼TMAX（＋IN、−IN、REF、FB） 5 入力オフセット電圧 （＋IN、−IN、REF、FB） ±0.08 0.2 TMIN∼TMAX 出力特性 1.1 電圧振幅 RLOAD≧150Ω 出力電流 35 短絡電流 コモンに対して −60/＋55 −240 TMIN∼TMAX ＿＿ 10 出力インピーダンス PD≦VIL、パワーダウン・モード 電源 動作電圧範囲 全電源 ±2.25 静止電源電流 9.9 33 TMIN∼TMAX ＿＿ 0.65 PD≦VIL PD≦VIL、TMIN∼TMAX PDピン ＋VS−1.5 VIH VIL ＿＿ PD＝Min VIH IIH ＿＿ PD＝Max VIL IIL ＿＿ 12.5 入力抵抗 PD≦＋VS−3V 100 PD≧＋VS−2V イネーブル時間 0.5 Min AD8130A Typ Max 220 180 810 86 80 ±0.85 ±2.3 ±1.25 1.4 −80 −86 ±2 ±3.5 MHz MHz MHz V/μs ns ns ns −72/−79 −65/−71 −60/−62 −68/−68 −70 26 12.3 1 1.4 0.13 0.15 dBc dBc dBc dBc dBc dBm nV/√Hz pA/√Hz pA/√Hz % 度 96 dB dB dB dB V V V MΩ MΩ pF pF 70 72 1.25∼3.8 ±2.5 ±2.8 ±3.3 6 4 3 4 −74 −90 ±0.5 ±1 5 ±0.08 0.2 ±0.4 3.9 250 205 25 930 20 1.5 30 ±0.1 20 71 200 0.4 10 0.8 1.1 ±0.6 1.8 3.5 −70 −76 ±2 ±3.5 ±0.4 ±2.25 9.9 33 0.65 0.85 1 ＋VS−1.5 ＋VS−2.5 −30 −50 12.5 100 0.5 % ppm/℃ dB ppm mV μV/℃ mV dB dB μA μA nA/℃ μA nA/℃ 3.9 V mA mA μA/℃ pF ±12.6 10.6 V mA μA/℃ mA mA 35 −60/＋55 −240 10 ±12.6 10.6 単位 0.85 1 V ＋VS−2.5 V −30 μA −50 μA kΩ kΩ μs 仕様は予告なく変更されることがあります。 4 REV.0 AD8129/AD8130 絶対最大定格1、2 電源電圧････････････････････････････････････････26.4V 2.0 消費電力･･････････････････････････････････････図3参照 入力電圧（任意の入力）･････････−VS−0.3V∼＋VS＋0.3V 1.5 最大消費電力−W 3 差動入力電圧（AD8129） VS≧±11.5 ･･････････････±0.5V 3 差動入力電圧（AD8129） VS<±11.5 ･･･････････････±6.2V 差動入力電圧（AD8130）･････････････････････････±8.4V 保管温度････････････････････････････････−65∼＋150℃ ピン温度（ハンダ付け、10秒）･････････････････････300℃ TJ (MAX) = 150°C 8ピンSOIC パッケージ 1.0 8ピン μSOIC 0.5 注 1 上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに永久的な損傷を与えることがあ ります。この定格はストレス定格の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作セクシ ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありません。デバイスを長期間 絶対最大定格条件に置くと、デバイスの信頼度に影響を与えることがあります。 2 熱抵抗は、SEMI標準の4層基板で測定したものです。 8ピンSOIC：θJA＝121℃/W。8ピンμSOIC：θJA＝142℃/W。 3 アプリケーション、極端な温度条件および消費電力の項を参照してください。 0 –50 –40 –30 –20 –10 図3 0 10 20 30 40 50 60 70 周辺温度−℃ 80 90 最大消費電力 対 温度 機能ブロック図 （上面図） 8ピンSOICおよ8ピンμSOIC（RM） +IN 1 –VS 2 AD8129/ AD8130 8 –IN 7 +VS + PD 3 6 OUT 5 FB REF 4 オーダー・ガイド モデル 温度範囲 パッケージ パッケージ・オプション ブランド情報 AD8129AR AD8129AR-REEL1 AD8129AR-REEL7 2 AD8129ARM AD8129ARM-REEL3 AD8129ARM-REEL7 2 AD8129-EVAL AD8130AR AD8130AR-REEL1 AD8130AR-REEL7 2 AD8130ARM AD8130ARM-REEL3 AD8130ARM-REEL7 2 −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ 8ピンSOIC 8ピンSOIC 8ピンSOIC 8ピンμSOIC 8ピンμSOIC 8ピンμSOIC SOIC用評価ボード 8ピンSOIC 8ピンSOIC 8ピンSOIC 8ピンμSOIC 8ピンμSOIC 8ピンμSOIC SOIC用評価ボード 8ピンSOIC 13インチ・テープ／リール 7インチ・テープ／リール RM-8 13インチ・テープ／リール 7インチ・テープ／リール HQA HQA HQA 8ピンSOIC 13インチ・テープ／リール 7インチ／リール RM-8 13インチ・テープ／リール 7インチ・テープ／リール HPA HPA HPA −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ −40∼＋85℃ 注 1 13インチ・リールあたり2500個。 2 7インチ・リールあたり100個。 3 13インチ・リールあたり3000個。 注意 ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。4000Vもの高圧の静電気が人体やテスト装置に容易に帯電し、 検知されることなく放電されることがあります。本製品には当社独自のESD保護回路を備えていますが、高エネル ギーの静電放電を受けたデバイスには回復不可能な損傷が発生することがあります。このため、性能低下や機能喪 失を回避するために、適切なESD予防措置をとるようお奨めします。 REV.0 5 WARNING! ESD SENSITIVE DEVICE AD8129/AD8130 AD8130周波数応答特性 （特に指定のない限り、G＝1、RL＝1kΩ、CL＝2pF、VOUT＝0.3Vp-p、TA＝25℃） 3 VOUT = 0.3V p-p 2 3 VS = ± 2.5V 1 –3 VS = ± 12V –2 –3 –1 –4 –4 –5 –5 –6 –6 –6 –7 –7 10 周波数−MHz 100 400 V S = ± 5Ω 5 3 ゲイン−dB 1 0 –1 0.2 0.3 0.2 0.1 –0.2 –4 –0.3 10 周波数−MHz 1 100 300 特性4 AD8130周波数応答 対 負荷容量 RL = 150Ω 2 10 周波数−MHz 100 300 0 VS = ± 12V –3 VS = ± 2.5V 0 –1 VS = ± 5V –2 VS = ± 12V –3 –1 –4 –5 –5 –6 –6 –6 –7 –7 特性7 AD8130周波数応答 対 電源（RL＝150Ω） 400 1 10 周波数−MHz 100 300 特性8 AD8130周波数応答 対 電源 （G＝2、VOUT＝0.3Vp-p） 6 VS = ± 12V –3 –4 100 VS = ± 5V –2 –5 10 周波数−MHz 300 VS = ± 2.5V 1 –4 1 100 G=2 2 VOUT = 2V p-p ゲイン−dB ゲイン−dB –2 10 周波数−MHz 特性6 AD8130高精度スケール応答 対 電源（RL＝150Ω） 0 VS = ± 5V 1 3 1 –1 VS = ± 12V –0.5 1 G=2 2 VOUT = 0.3V p-p 1 0.0 –0.1 –0.4 3 VS = ± 2.5V VS = ± 5V 0.1 –0.3 VS = ± 12V 特性5 AD8130高精度スケール応答 対 電源（RL＝1kΩ） 3 VS = ± 2.5V –0.2 –0.1 –3 300 0.3 VS = ± 5V 0.0 CL = 2pF RL = 150Ω 0.4 0.5 0.4 CL = 5pF 100 0.5 VS = ± 2.5V RL = 1kΩ 0.6 2 10 周波数−MHz 1 特性3 AD8130周波数応答 対 電源 （VOUT＝2Vp-p） 0.7 CL = 20pF –2 –7 300 特性2 AD8130周波数応答 対 電源 （VOUT＝1Vp-p） CL = 10pF 4 100 ゲイン−dB 6 10 周波数−MHz 1 VS = ± 12V –3 –5 1 VS = ± 5V –2 –4 特性1 AD8130周波数応答 対 電源 （VOUT＝0.3Vp-p） ゲイン−dB 0 VS = ± 5V –1 ゲイン−dB ゲイン−dB ゲイン−dB VS = ± 12V –2 VS = ± 2.5V 1 0 VS = ± 5V –1 VOUT = 2V p-p 2 1 0 ゲイン−dB 3 VS = ± 2.5V VOUT = 1V p-p 2 –7 1 10 100 周波数−MHz 300 特性9 AD8130周波数応答 対 電源 （G＝2、VOUT＝2Vp-p） REV.0 AD8129/AD8130 3 G=2 RL = 1kΩ 0.2 RF = RG = 750Ω 1 VS = ± 2.5V 0 RF = RG = 250Ω –3 –4 –0.1 VS = ± 5V –0.2 –0.3 VS = ± 12V –0.4 G=2 VS = ± 5Ω –0.4 –0.5 –0.6 –7 –0.7 10 100 300 –0.7 10 周波数−MHz 1 あらゆるRF/RGに対する AD8130周波数応答 特性10 特性11 0.3 3 G=2 RL = 150Ω 2 0.2 VS = ± 2.5V 1 AD8130高精度スケール応答 対 電源（G＝2、RL＝1kΩ） 特性12 3 VOUT = 2V p-p VS = ± 2.5V VS = ± 5V VS = ± 12V –2 –3 G=5 –0.5 –6 –0.6 100 300 3 12 VS = ± 5V, ± 12V –3 VS = ± 2.5V 1 G = 10 –6 10 30 –7 0.1 1 0dB = 1V RMS 出力電圧−dBV 0 –1 G=5 G = 10 VS = ± 2.5V VS = ± 5V, ± 12V 50Ω 6 –6 4 –12 5 –18 TEK P6245 FET プロブ 8 RL RG RF –24 –30 G RF RG –5 –36 –6 –42 1 2 5 10 0Ω 499Ω 8.06kΩ 4.99kΩ – 499Ω 2kΩ 549Ω –4 –7 0.1 特性16 REV.0 1 10 周波数−MHz 100 AD8130周波数応答 対 電源 （G＝5、G＝10、RL＝150Ω） 100 1 0 VS = ± 5V, ± 12V 10 周波数−MHz 特性15 AD8130周波数応答 対 電源 （G＝5、G＝10、VOUT＝2Vp-p） 6 1 –3 –2 –5 G = 10 特性14 AD8130高精度スケール応答 対 電源 （G＝5、G＝10、VOUT＝2Vp-p） RL = 150Ω –2 VS = ± 12V 周波数−MHz 特性13 AD8130周波数応答 対 電源（G＝2、RL＝150Ω） 2 G=5 –1 –4 VS = ± 5V, ± 12V –0.7 0.1 –7 10 周波数−MHz VS = ± 2.5V –0.3 –5 1 VS = ± 12V –0.2 –0.4 VOUT = 2V p-p 0 –0.1 –4 AD8130高精度スケール応答 対 電源（G＝2、RL＝150Ω） 1 ゲイン−dB ゲイン−dB VS = ± 5V 100 2 0 –1 10 周波数−MHz 1 100 0.1 0 VS = ± 12V –0.3 –0.6 1 VS = ± 5V –0.2 –6 周波数−MHz ゲイン−dB –0.1 –0.5 –5 ゲイン−dB ゲイン−dB ゲイン−dB –2 VS = ± 2.5V 0.1 0 RF = RG = 499Ω –1 G=2 RL = 150Ω 0.2 0.1 0 ゲイン−dB 0.3 0.3 RF = RG = 1kΩ 2 –48 10 特性17 VS = ± 5V 100 周波数−MHz 400 出力レベルを変化させた場合の AD8130周波数応答 7 特性18 AD8130の基本的な周波数 応答テスト回路 CL AD8129/AD8130 AD8129周波数応答特性 （特に指定のない限り、G＝10、RL＝1kΩ、CL＝2pF、VOUT＝3Vp-p、TA＝25℃） VOUT = 0.3V p-p VS = ± 2.5V VS = ± 5V –2 –3 0 –1 VS = ± 12V –2 –3 VS = ± 12V –2 –3 –4 –4 –5 –5 –5 –6 –6 –6 –7 –7 100 特性19 AD8129周波数応答 対 電源 （VOUT＝0.3Vp-p） 4 VS = ± 5V 3 2 1 –7 10 周波数−MHz 1 300 0.5 RL = 1kΩ 0.4 ゲイン−dB –1 –2 0.3 0 0.1 –0.1 VS = ± 12V –0.2 –0.4 –0.3 –0.5 –5 –0.4 –0.6 –6 –0.5 1 100 300 特性22 AD8129周波数応答 対 負荷容量 2 1 3 RL = 150Ω 300 VS = ± 2.5V 3 VS = ± 12V 1 –2 –3 –4 –5 –5 –6 –6 –7 10 –7 100 周波数−MHz 300 特性25 AD8129周波数応答 対 電源 （RL＝150Ω） VS = ± 5V, ± 12V 0 VS = ± 5V, ± 12V –1 –4 300 G = 20 VOUT = 2V p-p 2 1 –3 100 特性24 AD8129高精度スケール応答 対 電源（RL＝150Ω） 0 VS = ± 5V 10 周波数−MHz 1 G = 20 VOUT = 0.3V p-p 2 ゲイン−dB –2 100 特性23 AD8129高精度スケール応答 対 電源（RL＝1kΩ） 0 –1 –0.7 10 周波数−MHz ゲイン−dB 3 VS = ± 12V –0.3 –4 10 周波数−MHz VS = ± 2.5V VS = ± 5V –0.2 –3 1 300 0.1 VS = ± 5V –0.1 RL = 150Ω 0.2 0.2 0 100 特性21 AD8129周波数応答 対 電源 （VOUT＝2Vp-p） VS = ± 2.5V 0.3 10 周波数−MHz 1 300 特性20 AD8129周波数応答 対 電源 （VOUT＝1Vp-p） CL = 20pF CL = 10pF CL = 5pF CL = 2pF 0 100 ゲイン−dB 10 周波数−MHz VS = ± 5V –1 –4 1 VS = ± 2.5V 1 ゲイン−dB VS = ± 12V VOUT = 2V p-p 2 VS = ± 2.5V 0 –1 ゲイン−dB ゲイン−dB VS = ± 5V 1 0 ゲイン−dB VOUT = 1V p-p 2 1 ゲイン−dB 3 3 3 2 –1 –2 –3 VS = ± 2.5V –4 VS = ± 2.5V –5 –6 –7 1 10 周波数−MHz 100 300 特性26 AD8129周波数応答 対 電源 （G＝20、VOUT＝0.3Vp-p） 8 1 10 周波数−MHz 100 300 特性27 AD8129周波数応答 対 電源 （G＝20、VOUT＝2Vp-p） REV.0 AD8129/AD8130 0.8 499Ω /54.9Ω 0.2 909Ω /100Ω µ SOIC 0 –0.2 –0.3 VS = ± 12V –0.4 –0.5 2kΩ /221Ω –0.2 –0.1 –0.2 –0.3 –0.4 VS = ± 2.5V –0.6 –0.5 –0.4 –0.7 –0.6 –0.6 –0.8 10 100 300 10 1 周波数−MHz 3 0 0 –0.1 VS = ± 5V, ± 12V –2 –3 ゲイン−dB ゲイン−dB 1 –4 VS = ± 2.5V –0.3 VS = ± 5V –0.4 10 100 VS = ± 2.5V VS = ± 5V VS = ± 12V 10 –7 0.1 1 周波数−MHz 特性31 AD8129周波数応答 対 電源 （G＝20、RL＝150Ω） 12 RL = 150Ω 6 0dB = 1V RMS 1 4 –12 5 出力電圧−dBV 0 –6 G = 50 –2 –3 VS = ± 2.5V –18 VS = ± 5V –30 –5 VS = ± 12V –36 1 10 50 周波数−MHz 特性34 AD8129周波数応答 対 電源 （G＝50、G＝100、RL＝150Ω） REV.0 RL RG –42 –6 6 RF –24 –4 –7 0.1 50Ω TEK P6245 FET プロブ 8 0 G = 100 50 特性33 AD8129周波数応答 対 電源 （G＝50、G＝100、VOUT＝2Vp-p） 1 –1 10 周波数−MHz 特性32 AD8129高精度スケール応答 対 電源 （G＝50、G＝100、VOUT＝2Vp-p） 2 ゲイン−dB –3 –6 1 G = 50 G = 100 –2 –5 VS = ± 12V –0.8 0.1 300 0 –1 –4 周波数−MHz 3 G = 50 G = 100 –0.2 1 –0.7 –7 30 VOUT = 2V p-p 2 VS = ± 12V –0.6 –6 10 特性30 AD8129高精度スケール応答 対 電源 VOUT = 2V p-p –0.5 VS = ± 2.5V 1 1 周波数−MHz 0.1 3 0.2 0.1 –5 –0.7 特性29 AD8129高精度スケール応答 対 電源 G = 20 RL = 150Ω –1 VS = ± 2.5V 周波数−MHz 特性28 AD8129高精度スケール応答 対 SOIC／μSOICにおけるRF/RGの変化 2 30 ゲイン−dB 1 VS = ± 5V, ± 12V 0 ゲイン−dB ゲイン−dB 0 –0.2 0.1 VS = ± 5V –0.1 SOIC G = 20 RL = 150Ω 0.2 0 499Ω /54.9Ω 0.2 0.3 G = 20 RL = 1kΩ 0.1 909Ω /100Ω 0.4 ゲイン−dB 0.2 2kΩ /221Ω G = 10 VS = ± 5V 0.6 –48 10 VS = ± 5V 100 RF RG 2kΩ 2kΩ 2kΩ 2kΩ 221Ω 105Ω 41.2Ω 20Ω 400 周波数−MHz 特性35 出力レベルを変化させた場合の AD8129周波数応答 9 G 10 20 50 100 周波数−MHz 特性36 AD8129の基本的な 周波数応答テスト回路 CL AD8129/AD8130 AD8130高調波歪み特性 （特に指定のない限り、RL＝1kΩ、CL＝2pF、TA＝25℃） –54 –60 –55 VOUT = 2V p-p VOUT = 1V p-p –60 –66 G=1 VS = ± 5V –66 –72 –78 G=2 10 1 40 10 周波数−MHz 周波数−MHz 特性37 AD8130の2次高調波歪み 対 周波数 –57 –69 HD3 – dBc HD3 – dBc VOUT = 2V p-p –51 G=1 VS = ± 12V –63 –75 VS = ± 5V G=1 f C = 5MHz G = 2, VS = ± 12V –52 –57 –58 –63 –64 –69 VS = ± 12V VS = ± 5V –75 G=1 –70 G=2 G=1 –76 VS = ± 12V VS = ± 5V –88 –93 10 40 1 10 周波数−MHz 周波数−MHz 特性40 AD8130の3次高調波歪み 対 周波数 40 –94 0.5 –52 –54 –58 –60 G=2 –67 HD – dBc HD3 – dBc –61 VOUT = 2V p-p G=2 –72 G=1 –84 G=2 40 周波数−MHz 特性43 AD8130の2次高調波歪み 対 周波数 –70 G = 2, HD2 G = 2, HD3 VOUT = 1V p-p –94 –96 10 1 G = 2, HD2 –88 –90 VOUT = 1V p-p G = 1, HD2 –64 –82 G=2 G=1 G = 1, HD3 –76 G=1 –78 G = 2, HD3 VS = ± 2.5V f C = 5MHz VS = ± 2.5V –48 –66 0 特性42 AD8130の3次高調波歪み 対 出力電圧 –49 G=1 1 –46 –42 VS = ± 2.5V VOUT = 2V p-p 1 VOUT – V p-p 特性41 AD8130の3次高調波歪み 対 周波数 –43 HD2 – dBc VS = ± 5V G=2 1 –79 VS = ± 12V –82 –87 G=2 –73 0 特性39 AD8130の2次高調波歪み 対 周波数 G = 2, VS = ± 5V –81 –93 1 –46 –45 G=1 VS = ± 5V 1 VOUT – V p-p 特性38 AD8130の2次高調波歪み 対 周波数 –51 VOUT = 1V p-p –91 0.5 40 HD3 – dBc 1 VS = ± 5V G=2 –85 VS = ± 5V –84 –90 VS = ± 12V G=1 VS = ± 12V VS = ± 12V G=2 –55 VS = ± 12V VS = ± 5V –84 –99 –73 –79 VS = ± 12V –87 G=1 HD2 – dBc G=1 –81 VS = ± 5V –67 –72 HD2 – dBc HD2 – dBc VS = ± 12V –78 VS = ± 12V f C = 5MHz –61 1 10 周波数−MHz 40 特性44 AD8130の3次高調波歪み 対 周波数 10 0 0.5 1.0 1.5 2.0 VOUT – V p-p 2.5 3.0 特性45 AD8130高調波歪み 対 出力電圧 REV.0 AD8129/AD8130 AD8129高調波歪み特性 （特に指定のない限り、RL＝1kΩ、CL＝2pF、TA＝25℃） –51 –42 VOUT = 1V p-p –56 G = 10 –54 HD2 – dBc G = 10, VS = ± 12V –69 G = 10, VS = ± 5V –75 G = 20 G = 20, VS = ± 12V –66 G = 10, VS = ± 12V –68 G = 10, VS = ± 5V –78 G = 20, VS = ± 5V 10 周波数−MHz –62 –72 –81 1 –60 40 G = 20, VS = ± 12V 10 周波数−MHz 1 –86 0.5 40 G = 10, VS = ± 12V –57 –72 G = 20, VS = ± 5V –84 G = 10, VS = ± 5V –63 G = 10, VS = ± 12V –69 1 10 周波数−MHz 40 10 周波数−MHz 1 特性49 AD8129の3次高調波歪み 対 周波数 G = 20, VS = ± 12V –96 0.5 40 1 10 VOUT – V p-p 特性51 AD8129の3次高調波歪み 対 出力電圧 –50 VS = ± 2.5V VOUT = 2V p-p G = 20, VS = ± 5V –90 –42 –50 –78 –84 特性50 AD8129の3次高調波歪み 対 周波数 –44 VS = ± 2.5V –72 G = 20, VS = ± 12V –87 –96 –66 G = 20, VS = ± 5V G = 10, VS = ± 5V –81 G = 20, VS = ± 12V G = 10, VS = ± 12V G = 10, VS = ± 5V –60 G = 10, VS = ± 12V –75 –90 f C = 5MHz –54 HD3 – dBc –66 HD3 – dBc –51 –78 –48 VOUT = 2V p-p –60 10 特性48 AD8129の2次高調波歪み 対 周波数 –45 G = 10, VS = ± 5V 1 VOUT – V p-p 特性47 AD8129の2次高調波歪み 対 周波数 –54 G = 20, VS = ± 5V –80 G = 20, VS = ± 5V –84 特性46 AD8129の2次高調波歪み 対 周波数 VOUT = 1V p-p G = 10, VS = ± 5V –74 G = 20, VS = ± 12V –87 G = 10, VS = ± 12V HD2 – dBc –63 HD2 – dBc f C = 5MHz –48 –57 HD3 – dBc –50 VOUT = 2V p-p VS = ± 2.5V f C = 5MHz VOUT = 2V p-p –48 –56 –54 –62 VOUT = 1V p-p G = 20 –62 –60 G = 20 –66 G = 20 HD3 HD – dBc HD3 – dBc HD2 – dBc –56 –68 VOUT = 1V p-p –72 –68 G = 10 HD2 –74 G = 10 –78 –74 G = 20 HD2 G = 10 HD3 –80 –84 G = 10 –90 –80 1 10 周波数−MHz 40 特性52 AD8129の2次高調波歪み 対 周波数 REV.0 1 10 周波数−MHz 40 特性53 AD8129の3次高調波歪み 対 周波数 11 –86 0 0.5 1.0 1.5 2.0 V OUT – V p-p 2.5 特性54 AD8129高調波歪み 対 出力電圧 3.0 AD8129/AD8130 –61 –39 G=1 VOUT = 2V p-p VS = ± 5V RL = 1kV f C = 5MHz –51 VOUT = 1V p-p –67 HD2 VS = ± 2.5V –73 歪み−dBc –63 –69 HD2 VS = ± 5V, ± 12V –79 HD3 VS = ± 5V –85 HD3 VS = ± 12V –91 HD3 –81 –87 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 VCM – V 2 3 4 –48 G = 10 VOUT = 2V p-p VS = ± 5V RL = 1kΩ f C = 5MHz 歪み−dBc 特性57 AD8130高調波歪み 対 負荷抵抗 VOUT = 1V p-p HD2 VS = ± 2.5V VS = ± 12V VS = ± 5V –66 VS = ± 12V VS = ± 5V –72 –72 –62 VS = ± 2.5V –68 HD3 VS = ± 12V –3 –2 –1 0 1 –74 –84 HD3 VS = ± 2.5V 2 3 4 –90 100 5 1k RL – Ω RL – Ω 特性58 AD8129高調波歪み 対 コモンモード電圧 特性59 AD8129高調波歪み 対 負荷抵抗 VCM 特性60 AD8129高調波歪み 対 負荷抵抗 1:2 RL CL RF RF 0Ω 499Ω 2kΩ 2kΩ 100 電圧ノイズ−nV/√Hz 200Ω 電流ノイズ−pAV/√Hz 100 1 2 10 20 VS = ± 5V –80 100 1k VCM – V ミニ・サーキット： # T4 – 6T, f C ≦ 10MHz # TC4 – 1W, f C ＞ 10MHz VS = ± 2.5V VS = ± 12V VS = ± 5V –56 HD3 RG VOUT = 2V p-p –78 HD2 –4 G = 10 f C = 5MHz –50 –60 –60 –78 –5 1k RL – Ω –44 G = 10 f C = 5MHz –54 –54 –66 HD3 VS = ± 5V, ± 12V –86 100 1k 特性56 AD8130高調波歪み 対 負荷抵抗 –36 –48 HD3 VS = ± 2.5V RL – Ω 特性55 AD8130高調波歪み 対 コモンモード電圧 –42 HD2 VS = ± 5V, ± 12V –68 –80 HD3 VS = ± 2.5V –97 100 5 HD2 VS = ± 2.5V –74 HD2 –75 VOUT = 2V p-p G=1 f C = 5MHz –62 歪み−dBc 歪み−dBc –57 歪み−dBc –56 歪み−dBc –45 –50 G=1 f C = 5MHz 10 1.0 AD8130 10 AD8129 G – 499Ω 221Ω 105Ω 特性61 AD8129/AD8130の基本的なテスト 回路（特に指定のない限りVCM＝0V） 0.1 10 100 100k 1k 10k 周波数−MHz 1M 10M 特性62 AD8129/AD8130入力電流ノイズ 対 周波数 12 1.0 10 100 1k 10k 100k 周波数−MHz 1M 10M 特性63 AD8129/AD8130入力電圧ノイズ 対 周波数 REV.0 0 0 –40 –10 –10 –50 –20 –20 –30 –30 電圧除去−dB –60 –70 –80 VS = ± 2.5V –90 –40 –50 –60 –70 –100 VS = ± 12V –120 10k 100k 1M 周波数−Hz 100M 10M 10k 1k 特性64 AD8130コモンモード除去 対 周波数 VS = ± 5V –100 100k 1M 周波数−Hz 10M 100M 1k 0 –10 –50 –20 –20 –60 –30 –30 VS = ± 2.5V –90 電圧除去−dB 0 –10 電圧除去−dB –30 –80 –100 –40 –50 –60 VS = ± 5V, ± 12V –110 –120 10k 100k 1M –90 100M 10M VS = ± 5V 1k 10k 周波数−Hz 特性67 AD8129コモンモード除去 対 周波数 100k 1M 周波数−Hz 10M 30 位相 + VOUT – 20 + 1kΩ – 10 1kΩ 2pF 45 1kΩ 0 VIN φM = 58° –10 1k 10k 90 100k 1M 10M 0 100M 300M 周波数−Hz 特性70 AD8130オープン・ループ・ゲイン および位相 対 周波数 ゲイン 10M 100M 10 60 135 50 40 位相 VOUT 30 1kΩ 100Ω 10 0 100k 1M 周波数−Hz 100 70 20 VS = ± 2.5V 10k 特性69 AD8129負極性電圧除去 対 周波数 2pF 10k VS = ± 5V 1 AD8130, G = 1 100m 45 10m 0 100M 300M 1m 1kΩ φM = 56° VIN 1k 90 出力インピーダンス−Ω 40 オープン・ループ・ゲイン−dB 135 位相余裕−度 50 VS = ± 5V 180 80 ゲイン 60 –60 –100 1k 100M 90 180 70 100M –50 特性68 AD8129正極性電圧除去 対 周波数 80 10M –80 V = ± 12V S –90 VS = ± 2.5V –100 100k 1M 周波数−Hz –40 –70 VS = ± 12V –80 VS = ± 12V 10k 特性66 AD8130負極性電圧除去 対 周波数 –40 –70 オープン・ループ・ゲイン−dB VS = ± 2.5V 特性65 AD8130正極性電圧除去 対 周波数 –70 REV.0 –60 –90 VS = ± 2.5V –100 –50 –80 VS = ± 5V –90 –40 –70 –80 VS = ± 5V, ± 12V –110 電圧除去−dB 電圧除去−dB –30 位相余裕−度 コモンモード除去−dB AD8129/AD8130 AD8129, G = 10 100k 1M 周波数−Hz 10M 特性71 AD8129オープン・ループ・ゲイン および位相 対 周波数 13 1k 10k 100k 1M 10M 100M 周波数−Hz 特性72 オープン・ループ出力インピーダンス 対 周波数 AD8129/AD8130 AD8130過渡応答特性 （特に指定のない限り、G＝1、RL＝1kΩ、CL＝2pF、VS＝±5V、TA＝25℃） VOUT = 1V p-p VS = ± 5V VOUT = 1V p-p VS = ± 2.5V 250mV 5.00ns 特性73 AD8130過渡応答 （VS＝±2.5V、VOUT＝1Vp-p） VS = ± 2.5V VOUT = 0.2V p-p VS = ± 5V VS = ± 2.5V VOUT = 1V p-p CL = 5pF VS = ± 12V 5.00ns 特性76 AD8130過渡応答 対 電源 （VOUT＝0.2Vp-p） CL = 10pF CL = 5pF CL = 2pF 特性74 AD8130過渡応答 （VS＝±5V、VOUT＝1Vp-p） VS = ± 5V VS = ± 12V 50mV 5.00ns 250mV VOUT = 1V p-p VS = ± 12V 特性75 AD8130過渡応答 （VS＝±12V、VOUT＝1Vp-p） VS = ± 2.5V VS = ± 5V VOUT = 2V p-p CL = 5pF VS = ± 12V 5.00ns 250mV 特性77 AD8130過渡応答 対 電源 （VOUT＝1Vp-p、CL＝5pF） 5.00ns 500mV 特性78 AD8130過渡応答 対 電源 （VOUT＝2Vp-p、CL＝5pF） VOUT = 0.2Vp-p 2V p-p 4V p-p 1V p-p 2V p-p 1V p-p 0.5V p-p 50mV 5.00ns 250mV 10.0ns 特性79 AD8130過渡応答 対 負荷容量 （VOUT＝0.2Vp-p） 5.00ns 500mV 特性80 AD8130過渡応答 対 出力振幅 （VOUT＝0.5Vp-p、1Vp-p、2Vp-p） 14 1.00V 5.00ns 特性81 AD8130過渡応答 対 出力振幅 （VOUT＝1Vp-p、2Vp-p、4Vp-p） REV.0 AD8129/AD8130 VOUT = 1V p-p G=2 VS = ± 5V, CL = 10pF VS = ± 5V, CL = 2pF VOUT = 8V p-p VS = ± 5V CL = 10pF VS = ±12V 5.00ns 250mV VOUT = 2V p-p G=2 特性82 AD8130過渡応答 対 負荷容量 （VOUT＝1Vp-p、G＝2） G=2 VS = ± 5V CL = 2pF 5.00ns 500mV 特性83 AD8130過渡応答 対 電源 （VOUT＝2Vp-p、G＝2） 2.00V 5.00ns 特性84 AD8130過渡応答 対 負荷容量 （VOUT＝8Vp-p） VOUT = 10V p-p G=2 VS = ± 12V VIN VOUT VOUT VIN 5.00ns 1.00V 特性85 ＋3Vコモンモード入力における AD8130過渡応答 4V p-p G=5 VS = ± 5V CL = 10pF 5.00ns 1.00V 特性86 −3Vコモンモード入力における AD8130過渡応答 G=5 VS = ± 5V CL = 10pF VOUT = 8V p-p 2.50V 5.00ns 特性87 AD8130過渡応答 （VOUT＝10Vp-p、G＝2、VS＝±12V） VOUT = 20V p-p G=5 VS = ± 12V CL = 10pF 2V p-p 1V p-p 1.00V 10.0ns 特性88 AD8130過渡応答 対 出力振幅 REV.0 10.0ns 2.00V 特性89 AD8130過渡応答 （VOUT＝8Vp-p、G＝5、VS＝±5V） 15 5.00V 10.0ns 特性90 AD8130過渡応答 （VOUT＝20Vp-p、G＝5、VS＝±12V） AD8129/AD8130 AD8129過渡応答特性 （特に指定のない限り、G＝10、RF＝2kΩ、RF＝221Ω、RL＝1kΩ、CL＝1pF、VS＝±5V、TA＝25℃） VOUT = 1V p-p VS = ± 2.5V 5.00ns 250mV 特性91 AD8129過渡応答 （VS＝±2.5V、VOUT＝1Vp-p） VS = ± 5V VOUT = 0.4V p-p VS = ± 2.5V VS = ± 12V 特性94 AD8129過渡応答 対 電源 （VOUT＝0.4Vp-p） CL = 5pF 5.00ns 250mV 特性92 AD8129過渡応答 （VS＝±5V、VOUT＝1Vp-p） VS = ± 5V VS = ± 2.5V VOUT = 1V p-p CL = 5pF VOUT = 0.4V p-p CL = 10pF 特性93 AD8129過渡応答 （VS＝±12V、VOUT＝1Vp-p） VS = ± 2.5V VS = ± 5V 5.00ns 250mV 5.00ns 特性97 AD8129過渡応答 対 負荷容量 （VOUT＝0.4Vp-p） VOUT = 2V p-p CL = 5pF 特性95 AD8129過渡応答 対 電源 （VOUT＝1Vp-p、CL＝5pF） 5.00ns 500mV 特性96 AD8129過渡応答 対 電源 （VOUT＝2Vp-p、CL＝5pF） VO = 4V p-p VO = 2V p-p VO = 2V p-p VO = 0.5V p-p 100mV 5.00ns 250mV VO = 1V p-p CL = 2pF VOUT = 1V p-p VS = ± 12V VS = ± 12V VS = ± 12V 5.00ns 100mV VOUT = 1V p-p VS = ± 5V 5.00ns 500mV 特性98 AD8129過渡応答 対 出力振幅 （VOUT＝0.5Vp-p、1Vp-p、2Vp-p） 16 VO = 1V p-p 1.00V 5.00ns 特性99 AD8129過渡応答 対 出力振幅 （VOUT＝1Vp-p、2Vp-p、4Vp-p） REV.0 AD8129/AD8130 VOUT = 1V p-p G = 20 CL = 20pF 5.00ns 250mV 特性100 AD8129過渡応答 （VOUT＝1Vp-p、VS＝±2.5∼±12V） VOUT = 2V p-p G = 20 CL = 20pF 5.00ns 500mV 特性101 AD8129過渡応答 （VOUT＝2Vp-p、 VS＝±5V） VOUT = 8V p-p 2.00V 5.00ns 特性102 AD8129過渡応答 （VOUT＝8Vp-p、 VS＝±5V） VOUT = 10V p-p VIN G = 20 CL = 20pF G = 20 VS = 6 12V CL = 20pF VOUT VOUT VIN 5.00ns 1.00V 特性103 ＋3.5Vコモンモード入力における AD8129過渡応答 4V p-p G = 50 VS = 6 5V CL = 20pF 2.50V 特性104 −3.5Vコモンモード入力における AD8129過渡応答 5.00ns 特性105 AD8129過渡応答 （VOUT＝10Vp-p、G＝20） VOUT = 8V p-p G = 50 VS = ± 5V CL = 20pF VOUT = 20V p-p 2.00V 12.5ns 5.00V G = 50 VS = ± 12V CL = 10pF 2V p-p 1V p-p 1.00V 12.5ns 特性106 AD8129過渡応答 対 出力振幅 （VOUT＝1Vp-p、2Vp-p、4Vp-p） REV.0 特性107 AD8129過渡応答 （VOUT＝8Vp-p、G＝50、VS＝±5V） 17 12.5ns 特性108 AD8129過渡応答 （VOUT＝20Vp-p、G＝50、VS＝±12V） AD8129/AD8130 3.0 23 AD8130 37 G=1 VS = ± 5V G = 10 VS = ± 10V VOUT = 100mV AC @ 1kHz 31 17 14 1.0 差動入力−V 電源電流−mA 電源電流−mA 20 2.0 25 AD8129 0.0 –1.0 19 AD8130 –2.0 11 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5 差動入力−V 13 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 差動入力−V –3.0 –50 –35 –20 –5 10 25 40 55 70 85 100 温度−℃ 特性109 AD8130 DC電源電流 対 差動入力電圧 特性110 AD8129 DC電源電流 対 差動入力電圧 4 G=1 VS = ± 5V RL = 1k Ω 3 特性113 AD8130ゲイン非直線性 （VOUT＝5Vp-p） 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 出力電圧−V 特性115 AD8129ゲイン非直線性 （VOUT＝2Vp-p） –4 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 差動入力−V 3 4 5 特性114 AD8130差動入力 クリッピング・レベル 8 G = 10 VS = ± 12V RL = 1k Ω 6 4 出力電圧−V ゲイン非直線性−0.2%/DIV ゲイン非直線性−0.005%/DIV 特性112 AD8130ゲイン非直線性 （VOUT＝2Vp-p） 0 0 –1 –3 –2.5 –2.0 –1.5 –1.0 –0.5 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 出力電圧−V –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 1 –2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 出力電圧−V G = 10 VS = ± 5V RL = 1kΩ VS = ± 5V 2 VOUT – V ゲイン非直線性−0.08%/DIV ゲイン非直線性−0.005%/DIV G=1 VS = ± 5V RL = 1k Ω 特性111 AD8129/30の入力差動電圧範囲 対 温度（%ゲイン圧縮） VS = ± 10V 2 0 –2 –4 –6 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 出力電圧−V 特性116 AD8129ゲイン非直線性 （VOUT＝10Vp-p） 18 5 –8 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 差動入力−V 特性117 AD8129ゲイン非直線性 REV.0 AD8129/AD8130 17 15 0.60 40 16 12 11 VS = ± 5V 13 12 11 10 VS = ± 2.5V IB 0.45 30 IOS 0.30 20 入力オフセット電流−nA VS = ± 12V 14 13 入力バイアス電流−μA 15 電源電流−mA 電源電流−mA 14 9 10 8 0 10 15 20 全電源電圧−V 5 25 7 –50 –35 –20 –5 30 4.00 3.75 3.75 AD8130 入力コモンモード−V 入力コモンモード−V VS = 5V 2.75 VOUT = 100mV AC AT 1kHz 2.50 2.25 2.00 1.75 AD8130 AD8129 1.50 1.25 1.00 –50 –35 –20 –5 10 25 40 55 70 85 100 特性120 入力バイアス電流および 入力オフセット電流 対 温度 10.5 AD8130 VS = ± 5V 3.00 AD8129 VOUT = 100mV AC AT 1kHz 2.75 –3.00 –3.25 AD8129 AD8130 –9.5 –10.5 85 100 VOUT = 100mV AC AT 1kHz 8.5 –9.0 –3.75 55 70 AD8129 –11.0 –50 –35 –20 –5 温度−℃ 特性122 コモンモード電圧範囲 対 温度 （代表値1%ゲイン圧縮） 4.0 4.0 10 25 40 55 70 温度−℃ 85 100 11 VS = ± 12V 10 3.5 3.5 AD8130 特性123 コモンモード電圧範囲 対 温度 （代表値1%ゲイン圧縮） VS = ± 5V VS = 5V AD8129 9.0 –10.0 10 25 40 VS = ± 12V 9.5 –3.50 –4.00 –50 –35 –20 –5 AD8130 10.0 3.25 温度−℃ 特性121 コモンモード電圧範囲 対 温度 （代表値1%ゲイン圧縮） 10 55 70 85 100 10 25 40 温度−℃ 11.0 3.50 AD8129 3.00 0.15 –50 –35 –20 –5 85 100 特性119 静止電源電流 対 温度 4.00 3.25 55 70 温度−℃ 特性118 静止電源電流 対 全電源電圧 3.50 10 25 40 入力コモンモード−V 9 3.0 +100°C –40°C +25°C 2.0 シンク 3.0 +100°C –40°C +25°C –3.0 –4.0 5 10 15 20 25 出力電流−mA 30 35 40 特性124 出力電圧範囲 対 出力電流 （代表値1%ゲイン圧縮） REV.0 +100°C –40°C +25°C –9 VOUT = 100mV AC AT 1kHz VOUT = 100mV AC AT 1kHz 0 9 –10 –3.5 1.5 1.0 出力電圧−V 出力電圧−V 出力電圧−V ソース VOUT = 100mV AC AT 1kHz –11 0 5 10 15 20 25 出力電流−mA 30 35 40 特性125 出力電圧範囲 対 出力電流 （代表値1%ゲイン圧縮） 19 0 5 10 15 20 25 30 35 40 出力電流−mA 特性126 出力電圧範囲 対 出力電流 （代表値1%ゲイン圧縮） AD8129/AD8130 動作原理 AD8129/AD8130は、従来のオペアンプのアーキテクチャと AD8129/AD8130の入力およびフィードバック段を反転する は異なるアクティブ・フィードバックと呼ばれるアーキテ 単純な回路により、AD8129/AD8130のアクティブ・フィー クチャを採用しています。機能における最も顕著な違いは、 ドバック動作の様子を観察できます。 ことは推奨できません。 従来のオペアンプでは差動入力ペアを1対備えているのに対 し、AD8129/30は差動入力ペアを2対備えていることです。 アクティブ・フィードバック・アーキテクチャの代表的な オペアンプの設定 AD8129/AD8130の入力段の1つだけが使用される場合には、 特長は、入力ペアの1つが差動入力信号によってドライブさ 従来のオペアンプと非常によく似た動作となります（図4参 れ、他方のペアがフィードバックに用いられる点です。こ 照）。従来の反転／非反転のオペアンプ回路を構成でき、こ のフィードバック経路におけるアクティブ段から「アクテ れらを記述する等式も、従来のオペアンプについてのもの ィブ・フィードバック」と呼ばれています。 と同一になります。使用されない入力ピンは2番目の入力と このアクティブ・フィードバック・アーキテクチャにより、 なるため、使用しない間はこれらを接続してグラウンド、 幾つかのタイプのアプリケーションでは、従来のオペアン または一定の中間電圧に接続する必要があります。 プ以上の利点が得られます。優れたコモンモード除去、広 いコモンモード入力範囲、代表的なアプリケーションにお +V いて完全なバランスを得られる高インピーダンスの入力ペ アがあります。さらに、従来のオペアンプのよう外部フィ 0.1µF ードバック・ネットワークによりゲイン応答を確立します + が、経路が分離しているので、フィードバックは信号入力 から完全に独立しています。したがって、フィードバック VIN と入力回路の間のすべての干渉が解消され、従来の差動入 PD 10 µF +VS VOUT + –VS 力のオペアンプ回路におけるCMRRの問題が解決されます。 RF 他の利点としては、差動入力を切り替えるだけでゲインの RG 極性を変更できます。また、高インピーダンスの反転増幅 –V 器も構成できます。高い入力インピーダンスに加えて、 0.1µF 10µF AD8130を用いたユニティ・ゲインのインバータでは、ノイ ズもユニティ・ゲインとなります。したがって出力ノイズ 注：この回路はデバイスの動作を示すように構成されています。この回路をオペアンプ の代わりに使用することを提案するものではありません。 が低減され、ユニティ・ゲイン・インバータにおけるノイ ズ・ゲイン＝2のオペアンプに比べて広い帯域幅を得られま 図4 両入力は接地され、フィードバック段の機能はオペアンプの す。 となります。 ように動作します。ここでは、VOUT＝VIN（1＋RF/RG） AD8129/AD8130の2つの差動入力段は、それぞれが、よく整 合されたトランスコンダクタンス段です。これらの入力段 は、対応する差動入力電圧を内部電流に変換します。次に、 使用されない入力ペアを接続した場合には、これらの間で これらの電流が加算されて電圧に変換され、出力をドライ は差動電圧は生じません。使用されている入力の差動入力 ブするためにバッファされます。加算回路には、補償コン 電圧は、クローズド・ループのアプリケーションにおいて デンサがあります。 も強制的にゼロとされます。これは、従来のオペアンプを フィードバックの経路が部品のまわりで閉じている場合、 支配する原理なので、アクティブ・フィードバック・アン 出力はフィードバック経路をこの電圧でドライブして、内 プもこれらの条件で従来のオペアンプと同様に動作します。 部電流の合計値をゼロにします。この動作は、2つの差動入 この図の回路は解説用のものであり、アクティブ・フィー 力の絶対値が同じで互いに反対の極性を持っている場合、 ドバック・アーキテクチャの機能と従来のオペアンプの機 つまり、これらの代数的な合計がゼロとなったときに発生 能の類似性を示すためだけのものです。従来のオペアンプ します。 により構成される回路を設計する必要がある場合には、ア クローズド・ループのアプリケーションでは、従来のオペ プリケーションに対する適合性の高い従来のオペアンプを アンプは、過渡的ではない条件において、差動入力電圧を 推奨します。これらのオペアンプの原理は、出力オフセッ ほとんどゼロにドライブします。AD8129/AD8130は一般的 ト／レベル変換器の項に示すように、出力をオフセットす に、平衡状態においても各入力ペアに差動入力電圧が存在 るための基礎となるものです。 します。実践的な観点から、この差動入力電圧をクランプ 回路によって内部的に制限する必要があります。入力のダ イナミックレンジは、AD8130では約2.5Vに、AD8129では 約0.5Vに制限されます（詳細については仕様のセクション を参照）。この理由と他の幾つかの理由により、一定の条件 において明らかに正常な機能が認識される場合でも、 20 REV.0 AD8129/AD8130 アプリケーション ツイスト・ペア・ケーブル、AD8130によりイコライズ処理を行う 基本的なゲイン回路 AD8129/AD8130のゲインは、フィードバック抵抗のペアに コンポジット・ビデオ・レシーバ AD8130は、入力において優れたコモンモード除去特性を持って よって設定可能です。図5に、基本的な構成を示します。ゲ います。したがって、AD8130は、ツイストペア・ケーブルを使って長 インの式は、従来のオペアンプのものと同じであり、 距離を伝送された信号を受信するレシーバに最適です。カテゴリ G＝1＋RF/RGとなります。AD8130を用いたユニティ・ゲイ 5タイプのケーブルは、オフィスの構築において非常に一般的であ ンのアプリケーションでは、RFをゼロとし（短絡）、RGを削 り、データ伝送にも頻繁に用いられています。このケーブルは、ビデ 除できます。AD8129は10以上のゲインで動作するように補 オなどの信号をアナログ伝送するためにも用いられています。 償され、フィードバック経路の短絡によりユニティ・ゲイ このようなケーブルは、その伝送経路の環境からノイズを拾います。 ンとして発振させることができます。 このノイズは、2つの導体を重ね合わせた伝送路には影響を与え にくいため、コモンモード信号となります。ケーブル上のコモンモー ド信号を除去するレシーバを使えば、リンク内のS/N比は著しく改 +V 善できます。 AD8129/ AD8130 + VIN 0.1µF PD また、AD8130では差動入力とフィードバック入力が完全に分離さ 10µF れているため、簡単に差動レシーバを構成できます。これは従来 +VS のオペアンプ型のレシーバにみられたフィードバック・ネットワークと VOUT + 終端ネットワークの間の干渉が存在しないことを意味します。 –VS さらに、長いケーブルを使う問題としては、伝送距離が長くなった 場合の減衰の問題があります。この減衰は周波数の関数であり、 RF おおまかに言って周波数の平方根にしたがって増加します。 RG 0.1µF –V ビデオ回路の品質向上のため、伝送チャンネルの総合的な周波 10µF 数応答は周波数に対して平坦にしてください。ケーブルは高い周 図5 波数を減衰させるため、周波数の選択が可能なブースト回路によ 基本的なゲイン回路：VOUT＝VIN（1＋RF/RG） って、この効果を排除できます。この回路はイコライザと呼ばれます。 イコライザは周波数に依存する素子（LおよびR） を用いて、チャン +V ネルの他の応答と反対の周波数応答を実現し、これにより全体と AD8130 0.1µF して平坦な応答を得ています。このような回路を構成する方法は 10 µF 多く存在しますが、周波数を選択できる素子をオペアンプ回路の VIN + PD +VS フィードバック経路に組み込む方法が一般的です。先述の通り、 VOUT + AD8130のフィードバック経路は入力経路から完全に分離されてお り、相互干渉が発生しないため、他製品の回路に比べて簡単な –VS 構成にできます。 図7に示す回路は、300mのカテゴリ5のケーブルを介してコンポジ 0.1µF 10 µF ット・ビデオ信号を伝送するレシーバ／イコライザを構築していま –V 図6 す。このケーブルは、300mあたり10MHzで約20dBの減衰を生じ させます。100MHzでは約60dBの減衰となります（ 。図8参照） AD8130によるユニティ・ゲインの構成 +V 入力信号は、差動／シングルエンドを入力でき、2つの入力の間 での差動信号の信号のみが問題となります。シングルエンドのア AD8130 0.1µF プリケーションでは、−INをグラウンドに接続して＋INに信号を与 えることにより非反転ゲインを得られ、また、これらの接続を逆にし VIN て反転ゲインを得られます。これらの2つの入力は高インピーダン 100Ω + PD +VS VOUT + スよく整合しているので、両方の条件で同一の高い入力インピー 10µF –VS ダンスを得られます。このように、アクティブ・フィードバック・アーキテ クチャの利点は、高い入力インピーダンスを持った反転アンプを構 成できることです。従来のオペアンプを使用する場合には、反転 R1 100Ω の段に高インピーダンスのバッファを接続する必要があります。こ C1 200pF RG 499Ω RF 1kΩ 0.1µF 10µF –V の場合、2つのオペアンプが必要となります。 図7 300mのカテゴリ5のケーブルでコンポジット・ビデ オ信号を伝送するためのイコライザ回路 REV.0 21 AD8129/AD8130 20 20 10 10 0 0 –10 I/O レスポンス I/O レスポンス –10 –20 –30 –40 –20 –30 –40 –50 –50 –60 –60 –70 –70 –80 10k –80 10k 100k 1M 周波数−Hz 10M 1M 10M 100M 周波数−Hz 図10 図8 100k 100M ケーブルとイコライザの合成による応答 300mのカテゴリ5のケーブルでの伝送応答 フィードバック・ネットワークは、6ピンと5ピンの間および5ピン 出力オフセット／レベル変換器 図6の回路には、グラウンドに接続されたリファレンス入力（4ピン） とグラウンドの間にあります。C1とRFは約800kHzのコーナー があり、これによりグラウンドをリファレンスとする出力信号が生成 周波数を生成します。ゲインが増加して、8MHzにおいて15dB されます。グラウンドに対して出力電圧をオフセットする必要があ の増幅を与えます。図9に、この回路の応答を示します。 る場合には、REF入力を使用することができます。 （ 図11参照）。 VOFFSETのレベルがユニティ・ゲインで出力されます。 +V 20 10 AD8130 0.1µF 0 I/O レスポンス –10 VIN + PD +VS VOUT = VIN +VOFFSET –20 VOFFSET –30 10µF + –V S –40 –50 –60 –V 0.1µF 10µF –70 –80 10k 100k 図9 1M 周波数−Hz 10M 図11 4ピンに入力した電圧がVINによって生成された出力電圧に 100M 加算されます イコライザ回路の周波数応答 回路がユニティ・ゲインを超えるゲインを持っている場合には、ゲ インを計算に入れる必要があります。RGがグラウンドに接続され 部品の定数を決定するのは、厳密な計算だけでは困難です。 ている場合には、REFに与えられる電圧が回路のゲインにより乗 なぜなら、ケーブルの減衰の方程式は近似値であり、RCネッ 算されて出力されます。しかし、非反転の従来のオペアンプで、 トワークと直接的な関連を持たない関数を含んでいるためで このような状態が必ずしも望まれなかったように、VOFFSETの値を す。この設計を行うには、周波数応答から得られるグラフによ ユニティ・ゲインで出力させたいと考える人もいるでしょう。 って目的とする応答を得て、次にこの応答の近似値が得られ これを実現する1つの方法は、目的とするオフセット信号でREFとRG る部品を選択するという方法が取られます。次に回路を組み をドライブするものです（ 。図12参照） 。重ね合わせにより、この回路の 立てて測定し、許容範囲の応答が得られるように最終的な調 解析を行えます。最初にVOFFSETとRGの間の接続を切断します。RG 整を行います。この例では、9MHzまで約1dBの範囲内で平坦 がグラウンドに接続されているときには、ピン4からV OUTへのゲインは な特性が得られています。 （図10参照） 1＋RF/RGです。ピン4がグラウンドに接続されているときには、RGから V OUTへのゲインは−R F/R Gです。これらの合計は＋1です。これは、 VREFが低インピーダンスのソースから供給されている場合には有効で す。しかし、供給されたオフセット電圧が分圧器のような高インピーダ ンスのソースからのものである場合には、そのインピーダンスはゲインの 式に影響を与えます。これにより、ゲインとオフセットの電圧の間での 干渉が生じるため、回路が複雑になります。 22 REV.0 AD8129/AD8130 加算器 上述の手法により一般的な加算器を構成できます。ユニテ +V AD8129/ AD8130 ィ・ゲインに設定されたAD8130では、1つの信号が＋INに + VIN VOFFSET 10µF 0.1µF 与えられ、もう1つの信号がREFに与えられます。出力はこ +VS PD れらの2つの入力信号の合計となります。 （図15を参照。 ） V OUT = V IN × (1+ R F /R G ) +V OFFSET + +V –VS RG AD8130 RF 0.1µ F –V 10µF 0.1µF V1 + V2 + PD 10 µF +VS VOUT = V1 + V2 図12 この回路ではVOFFSETはユニティ・ゲインで出力されます。この回路は –VS VOFFSETのソース・インピーダンスが低い場合に良好に動作します これを回避する1つの方法としては、減衰係数が増幅器のゲ 0.1µF –V インと同一である分圧器にオフセット電圧を入力し、次に、 図15 この電圧を高インピーダンスのREF入力に加えます。この 10 µF 高インピーダンスで非反転の加算回路 回路では、まず目的とするオフセット電圧をゲインで除算 この回路には、従来のオペアンプによる反転加算回路に比べ、いく し、増幅器がこれを乗算してユニティ・ゲインに戻します。 つかの利点があります。第一に、入力は両入力とも高インピーダンス （図13参照） であり、回路は非反転です。従来のオペアンプを使って、高入力イ +V VIN VOFFSET 10µF 0.1µF + RF ンピーダンスの非反転加算回路を構成するには、多くの追加回路が 必要となると思われます。 AD8129/ AD8130 他の利点としては、AD8130の回路では部品の最大帯域幅が維持 されます。従来の加算回路では、入力が追加されるたびにノイズ・ゲ +VS PD インが増加し、これにより帯域幅応答は減少していました。この手法 V OUT = V IN × (1+R F /R G ) + VOFFSET + では、2つのAD8130を追加することにより4つの信号を加算することが –VS RG でき、3番目のAD8130によって2つの出力を加算することができます。 ケーブル・タップ増幅器 しばしば、1つのビデオ信号によって複数の異なる機器をドライブさせ RF RG 0.1µ F –V 10µF たい場合があります。しかし、ケーブルは1点のみで終端されるため、 図13 オフセット入力にアッテネータを加えると、これがユニティ・ゲイ 各デバイスに終端を設けることが適当です。 「ループスルー」接続を使 ンで出力されます えば、追加される負荷への影響が生じずにデバイスにビデオ信号を 供給できます。 レジスタなしのゲイン2 REF入力（ピン4）に与えられる信号も広帯域の信号である場 このような接 続は、ケーブル・タップ 増 幅 器とも呼ばれ、1つの AD8130により簡単に構成できます（ 。図16参照） この回路はユニテ 合があります。ユニティ・ゲインのAD8130の＋INとREFが同じ ィ・ゲインに設定され、出力オフセットを抑圧する必要がある場合に、 信号でドライブされている場合、VINからのユニティ・ゲインと REFピンがグラウンドに接続されます。負極性の差動入力は、ケーブ V REFからのユニティ・ゲインが存在します。このため、回路の ルのシールド （または関連するコネクタ） に、 「タップ」 すべき位置に直接 ゲインは2となり、抵抗器は必要とされません。 （図14参照） に接続されます。 +V +V AD8130 AD8130 0.1µ F VIN + PD 10µF 75Ω +VS 0.1µF + VOUT + PD 10 µF +VS VOUT + –VS –VS ビデオ入力 –V 0.1µF 0.1µF 10µF 75Ω 10 µF –V 図16 AD8130を使い信号に負荷を与えることなくケーブルの任意の 図14 抵抗器を用いないゲイン2の接続 REV.0 位置でビデオ信号をタップすることができます 23 AD8129/AD8130 中央の導線はAD8130の正極性の差動入力に接続されます。 +V この位置におけるビデオ信号は、2つの終端抵抗の間にある ため、ユニティ・ゲインになります。AD8130は信号を高イ AD8130 ンピーダンスにするため、これを妨害しません。ビデオ信 10µF 0.1µF VIN 号がバッファされたユニティ・ゲインの信号が出力されます。 + 1N4148 VOUT + VIN パワーダウン AD8129/AD8130は、増幅器を使用していない時に静止電流 ＿＿ を低減できるパワーダウン・ピンを備えています。PDピン +VS PD –VS をロジック・レベル・ローにすると、AD8129/AD8130がパ 0.1µF –V ワーダウンします。 AD8129/AD8130は、 「グラウンド」ピンを備えていないため、 図18 10µF 入力のクランプ・ダイオードにより入力信号のスイングを制限します 標準ロジック・レベルへインターフェースするためのロジ ＿＿ ック・リファレンスは存在しません。このため、PD 入力の リファレンス・レベルは＋VSとなります。AD8129/AD8130 もう1つの問題は、AD8129が±12Vと同等以上の電源電圧で を＋VS＝5Vで動作させる場合には、ロジック・ファミリー 動作している場合に発生します。このアーキテクチャは、 との間で直接的な互換性を確保できません。しかし、＋VS 入力差動電圧が増加するにしたがって、電源電流を増加さ が上記の値より高い場合には、既存のロジック・レベルへ せます。AD8129の差動入力が過度のオーバードライブの状 のインターフェースのためにレベルシフト回路が必要とな 態となると、過剰な電流がデバイスに流入し、永久的な損 ります。図17に、一般的なロジック・ファミリーとの互換 傷を生じさせる場合があります。 性を持った簡単なレベル・シフト回路を示します。 この状態を防止するための実用的な手段の1つは、互いに逆 方向で並列に接続したショットキ・ダイオードで入力を差 動的にクランプすることです。（図19参照）。これらのダイ +VS オードは、約0.4Vという低い順方向電圧を持っています。 入力間の差動電圧が、これらの条件で制限された場合には、 7 +VS 1kΩ これらの動作条件においてもAD8129へ過剰な電流が引き込 まれることはありません。 3 PD ロー＝パワーダウン 4.99kΩ 2N2222 OR EQ AD8129/ AD8130 電源電圧が±11V未満に制限された場合には、内部のクラン プ回路が差動電圧を制限し、過剰な電源電流が引き込まれる ことはありません。外部クランプ回路は必要とされません。 図17 ＋VSが約5Vではない時にロジック・レベルをシフトす る回路 +V 極端な動作条件 AD8129/AD8130は、広い電源電圧範囲にわたって高性能を AD8129 0.1µF VIN 発揮するよう設計されています。しかし、最適な結果をも + AGILENT HSMS 2822 たらさない極端な動作条件も見受けられます。このような 条件の1つは、AD8130を低い電源電圧（約±4V以下）でユ VIN 10 µF 3 1 2 +VS PD VOUT + –VS ニティ・ゲインで動作させるものです。ユニティ・ゲイン では、出力はFBを直接ドライブします。±V S の電源が概 略±4V未満でのユニティ・ゲイン動作では、FBの電圧が電 0.1µF 源レールに近すぎる出力によってドライブされるため、回 10µF –V 路を適正にバイアスされた状態に維持できません。これに 図19 より、寄生的な発振が生じます。 入力間のショットキ・ダイオードにより入力差動電圧を制限します これを回避する1つの方法は、クランプ・ダイオードによっ て入力信号の振幅を制限することです。IN4118のような一 どちらの回路でも、入力のシリーズ抵抗は、順方向にバイ 般的なシリコン接合ダイオードは、1mAの電流が流れたと アスされたダイオードを流れる電流を制限するように機能 きに約0.7Vの順方向のバイアスを持っています。このよう します。現実的な問題は、CMRRが高い周波数においても なダイオードを互いに逆方向で並列に、差動入力の間に接 維持される程度に、これらの抵抗が整合している必要があ 続して入力信号をクランプすれば、上述の状態を防止でき る点です。これらの抵抗は、低い周波数ではCMRRには、 ます。REF入力によっても出力信号をシフトできるため、 ほとんど影響を与えません。 この手法はREFがグラウンドかグラウンドの近くにあると きにのみ利用できる点に注意してください。 24 REV.0 AD8129/AD8130 消費電力（ワット損） AD8129/AD8130は、＋5Vから±12Vの電源電圧で動作でき ける数値ですが、消費電力が大きく増加することは明白で ます。このように広い電源電圧を備えている大きな理由は、 これを軽減するために、いくつかの変更を加えることがで システムが広い入力コモンモード範囲を必要とする場合に きます。1つは、標準的な8ピンSOICパッケージを使うこと 供給できるようにするためです。これは、大きなコモンモ です。すると熱抵抗は121℃/Wとなり、15%改善します。も ード・ノイズが入力経路の中にカップリングされた場合に う1つは、絶対的な必要性がある場合を除き、低い電源電圧 必要とされます。広い入／出力ダイナミックレンジを必要 を使用することです。 としないアプリケーションでは、低い電源電圧で動作させ 最後に、AD8129/AD8130が高い電源電圧で動作していると ることを推奨します。 きに、重い負荷をドライブさせないことです。出力段の次 AD8129/AD8130は、非常に小型の8ピンμSOICパッケージ に第2のオペアンプを用いるのが最善です。いくつかのゲイ でも供給されています。大型パッケージに比べて熱抵抗が ンは、この段にシフトでき、AD8129/AD8130の出力におけ 大きく、同じ消費電力ではより高い温度で動作します。部 る信号振幅が大きくなりすぎないようにできます。 す。 品仕様の範囲内の一定の動作条件では、過剰な消費電力と なる場合があるため、注意が必要です。 消費電力は、電源電圧、入力差動電圧、出力負荷、信号周 レイアウト、グラウンディング、バイパス処理 AD8129/AD8130は、チップが動作する基板の環境に敏感な、 波数など、いくつかの動作条件の関数です。 高速部品です。優れた仕様を発揮するためには、標準の高 基本的には、信号がなく差動入力電圧がない状態での静止 速製品の基板設計における慣例を様々な観点から注目して 消費電力を、最初に計算します。これは、単純に全電源電 みる必要があります。 圧と静止動作電流の積として求められます。動作電源電圧 まず、AD8129/AD8130のまわりに設ける基板は、なるべく の最大値は26.4Vで、静止電流は13mAです。したがって、 広い範囲を良質でしっかりとしたグラウンド・プレーンに 静止消費電力は343mWとなります。μSOICパッケージでは します。唯一の例外として、FBピンの周りのグラウンド・ θJAの仕様は142℃/Wです。したがって、μSOICパッケージ プレーンを2、3mm離して設置し、内部の層や基板の裏面の では、周辺温度に対し49℃の温度上昇となります。 グラウンド・プレーンから離してください。これにより、 消費電流も差動入力電圧の関数です。（特性109および特性 このノードにおける浮遊容量が最小化され、周波数に対す 110参照）この電流は静止電流に加算して、全電源電流を乗 るゲインの平坦性が維持されます。 じることにより、電力を計算する必要があります。 電源ピンは、デバイスにできる限り近い位置で近くのグラ AD8129/AD8130は、終端された50Ωのケーブルのような最 ウンド・プレーンにバイパスしてください。良質で高周波 低100Ωの負荷を直接ドライブできます。出力段における最 のセラミック・コンデンサを使用してください。このバイ 悪時の電力消費は、出力が電源の中間電圧となった場合に パス処理は、各電源について0.01μFから0.1μFのコンデン 発生します。例えば、電源が12Vであり、出力がグラウンド サで行います。低周波のバイパス処理は各電源からグラウ に接続された250Ωの負荷をドライブする場合には、出力電 ンドに対して10μFのタンタル・コンデンサを用いて行いま 圧が6Vのときに最大消費電力となります。 す。 負荷電流は、6V/250Ω＝24mAです。この電流は＋V Sから 寄生容量の影響を防止するために、信号のルーティングは 6Vだけ下の出力を流れます。これにより、144mWが消費さ 短く直接的なものとします。可能な場合には、輻射を防止 れます。8ピンμSOICパッケージでは、これによって周辺 して他の輻射源の影響を避けるため、信号をグラウンド・ 温度から20℃の温度上昇を生じます。これは、最悪事にお プレーンの上で引き回さないようにします。 REV.0 25 AD8129/AD8130 外形寸法 サイズはインチと（mm）で示します。 8ピンSOIC （SO-8） 0.1968 (5.00) 0.1890 (4.80) 0.1574 (4.00) 0.1497 (3.80) 8 5 1 4 0.2440 (6.20) 0.2284 (5.80) ピン1 0.0196 (0.50) ×45 ° 0.0099 (0.25) 0.0500 (1.27) BSC 0.0688 (1.75) 0.0532 (1.35) 0.0098 (0.25) 0.0040 (0.10) 0.0192 (0.49) 0.0138 (0.35) 実装面 8° 0.0500 (1.27) 0.0098 (0.25) 0° 0.0160 (0.41) 0.0075 (0.19) 8ピンμSOIC （RM-8） 0.122 (3.10) 0.114 (2.90) 8 5 0.199 (5.05) 0.187 (4.75) 0.122 (3.10) 0.114 (2.90) 1 4 ピン 0.0256 (0.65) BSC 0.120 (3.05) 0.112 (2.84) 0.120 (3.05) 0.112 (2.84) 0.043 (1.09) 0.037 (0.94) 0.006 (0.15) 0.002 (0.05) 実装面 0.018 (0.46) 0.008 (0.20) 26 0.011 (0.28) 0.003 (0.08) 33° 27° 0.028 (0.71) 0.016 (0.41) REV.0 AD8129/AD8130 REV.0 27 PRINTED IN JAPAN TDS07/2001/1000 AD8129/AD8130 このデータシートはエコマーク認定の再生紙を使用しています。 28 REV.0