日本語版

高精度マイクロパワー
ロー・ドロップアウト・リファレンス電圧
REF19x シリーズ
テスト・ピン
特長
テスト・ピン 1 とテスト・ピン 5 は、パッケージ内でのツェナ
ー・ザッピング用に予約されています。出力で最高レベルの精度
を実現するために、ツェナー・ザッピング技術を使って出力電圧
を調整しています。各ユニットでは調整量が異なるため、テス
ト・ピンの抵抗値はピン間で、またデバイス間で広く変わります。
ピン 1 とピン 5 は未接続のままにしておく必要があります。
初期精度:最大±2 mV
温度係数:最大 5 ppm/°C
低電源電流:最大 45 µA
スリープ・モード:最大 15 µA
ロー・ドロップアウト電圧
負荷レギュレーション: 4 ppm/mA
ライン・レギュレーション: 4 ppm/V
TP 1
高出力電流: 30 mA
VS 2
REF19x
SERIES
8
NC
7
NC
短絡保護
SLEEP 3
アプリケーション
NOTES
1. NC = NO CONNECT.
2. TP PINS ARE FACTORY TEST
POINTS, NO USER CONNECTION.
ポータブル計測機器
00371-001
6 OUTPUT
TOP VIEW
GND 4 (Not to Scale) 5 TP
ADC および DAC
図 1.8 ピン SOIC_N と TSSOP のピン配置
(S サフィックスと RU サフィックス)
スマート・センサー
太陽光発電アプリケーション
ループ電流駆動機器
TP 1
VS 2
SLEEP 3
8
NC
7
NC
OUTPUT
TOP VIEW
GND 4 (Not to Scale) 5 TP
REF19x シリーズ高精度バンド・ギャップ・リファレンス電圧で
は、特許取得済みの温度ドリフト・カーブ補正回路と非常に安定
な薄膜抵抗のレーザ・トリミングを採用して、非常に低い温度係
数と高い初期精度を実現しています。
REF19x シリーズはマイクロパワー・ロー・ドロップアウト電圧
(LDV)デバイスから構成されており、出力電圧よりわずか 100 mV
高い電源から安定な出力電圧を提供し、電源電流は 45 µA 以下で
す。SLEEPピンに TTL または CMOS のロー・レベルを入力する
と、スリープ・モードがイネーブルされて、出力がターンオフさ
れ、電源電流はさらに 15 µA 以下に削減されます。
REF19x シ リ ー ズ の リ フ ァ レ ン ス 電 圧 は 拡 張 工 業 用 温 度 範 囲
(−40°C～+85°C)で仕様が規定され、車載などのアプリケーション
に対しては−40°C～+125°C で代表的な性能仕様を規定しています。
すべての電気的グレードでは、8 ピン SOIC パッケージを採用して
います。PDIP パッケージと TSSOP パッケージは最も低い電気的
グレードでのみ採用しています。
6
NOTES
1. NC = NO CONNECT.
2. TP PINS ARE FACTORY TEST
POINTS, NO USER CONNECTION.
00371-002
概要
Rev. J
REF19x
SERIES
図 2.8 ピン PDIP のピン配置
(P サフィックス)
表 1.公称出力電圧
Part Number
Nominal Output Voltage (V)
REF191
REF192
REF193
REF194
REF195
REF196
REF198
2.048
2.50
3.00
4.50
5.00
3.30
4.096
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関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
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電話 06（6350）6868
REF19x シリーズ
目次
特長......................................................................................................1
電気的特性—REF198、−40°C ≤ TA ≤ +85°C .............................14
アプリケーション ..............................................................................1
電気的特性—REF198、−40°C ≤ TA ≤ +125°C ...........................15
概要......................................................................................................1
絶対最大定格 ....................................................................................16
テスト・ピン ......................................................................................1
熱抵抗 ............................................................................................16
改訂履歴..............................................................................................3
ESDの注意.....................................................................................16
仕様......................................................................................................4
代表的な性能特性 ............................................................................17
電気的特性—REF191、TA = 25°C ...............................................4
アプリケーション情報 ....................................................................20
電気的特性—REF191、−40°C ≤ +85°C ........................................5
出力短絡動作 ................................................................................20
電気的特性—REF191、−40°C ≤ TA ≤ +125°C.............................6
デバイス消費電力についての注意.............................................20
電気的特性—REF192、TA = 25°C ...............................................6
出力電圧のバイパス ....................................................................20
電気的特性—REF192、−40°C ≤ TA ≤ +85°C...............................7
スリープ・モード動作 ................................................................20
電気的特性—REF192、−40°C ≤ TA ≤ +125°C.............................7
リファレンス電圧の基本接続.....................................................20
電気的特性—REF193、TA = 25°C ...............................................8
薄膜スイッチ制御の電源.............................................................20
電気的特性—REF193、−40°C ≤ TA ≤ +85°C...............................8
電流制限機能を持つ電流増幅リファレンス .............................21
電気的特性—REF193、 −40°C ≤ TA ≤+125°C.............................9
高精度抵抗が不要な負の高精度リファレンス .........................21
電気的特性—REF194、TA = 25°C ...............................................9
任意出力を得るためのリファレンスICの縦続接続 .................22
電気的特性—REF194、−40°C ≤ TA ≤ +85°C.............................10
高精度電流源 ................................................................................22
電気的特性—REF194、−40°C ≤ TA ≤ +125°C...........................10
5 V/3.3 Vリファレンス電圧の出力切り替え .............................23
電気的特性—REF195、TA = 25°C .............................................11
ケルビン接続 ................................................................................23
電気的特性—REF195、−40°C ≤ TA ≤ +85°C.............................11
フェイルセーフ 5 Vリファレンス..............................................24
電気的特性—REF195、−40°C ≤ TA ≤ +125°C...........................12
低消費電力のストレイン・ゲージ回路.....................................25
電気的特性—REF196、TA = 25°C .............................................12
外形寸法 ............................................................................................26
電気的特性—REF196、−40°C ≤ TA ≤ +85°C.............................13
オーダー・ガイド ........................................................................27
電気的特性—REF196、−40°C ≤ TA ≤ +125°C...........................13
電気的特性—REF198、TA = 25°C .............................................14
Rev. J
－ 2/28 －
REF19x シリーズ
改訂履歴
3/08—Rev. I to Rev. J
Changes to General Description ...........................................................1
Changes to Specifications Section ........................................................4
Deleted Wafer Test Limits Section .....................................................14
Changes to Table 23, Thermal Resistance Section, and
Table 24 ..............................................................................................16
Changes to Figure 6............................................................................17
Changes to Device Power Dissipation
Considerations Section .......................................................................20
Changes to Current-Boosted References with Current
Limiting Section .................................................................................21
Changes to Precision Current Source Section.....................................22
Changes to Figure 28..........................................................................23
Changes to Figure 30..........................................................................24
Changes to Low Power, Strain Gage Circuit Section..........................25
Changes to Ordering Guide ................................................................27
9/06—Rev. H to Rev. I
Updated Format...................................................................... Universal
Changes to Table 25 ...........................................................................16
Changes to Figure 6............................................................................16
6/05—Rev. G to Rev. H
Updated Format ...................................................................... Universal
Changes to Caption in Figure 7 ..........................................................16
Updated Outline Dimensions..............................................................25
Changes to Ordering Guide ................................................................26
7/04—Rev. F to Rev. G
Changes to Ordering Guide ..................................................................4
3/04—Rev. E to Rev. F
Updated Absolute Maximum Rating.....................................................4
Changes to Ordering Guide ................................................................14
Updated Outline Dimensions..............................................................24
1/03—Rev. D to Rev. E
Changes to Figure 3 and Figure 4 .......................................................15
Changes to Output Short Circuit Behavior .........................................17
Changes to Figure 20 ..........................................................................17
Changes to Figure 24 ..........................................................................19
Updated Outline Dimensions..............................................................23
1/96—Revision 0: Initial Version
Changes to Figure 10, Figure 12, Figure 14, and Figure 26................17
Changes to Figure 18..........................................................................18
Changes to Figure 20..........................................................................19
Changes to Figure 23..........................................................................20
Changes to Figure 25..........................................................................21
Updated Outline Dimensions..............................................................25
Changes to Ordering Guide ................................................................26
Rev. J
－ 3/28 －
REF19x シリーズ
仕様
電気的特性—REF191、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、TA = 25°C。
表 2.
Parameter
Symbol
INITIAL ACCURACY1
E Grade
F Grade
G Grade
VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2.046
2.043
2.038
2.048
2.050
2.053
2.058
V
V
V
LINE REGULATION2
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
3.0 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
2
4
4
8
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION2
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
4
6
10
15
ppm/mA
ppm/mA
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
VS = 3.15 V, ILOAD = 2 mA
VS = 3.3 V, ILOAD = 10 mA
VS = 3.6 V, ILOAD = 30 mA
0.95
1.25
1.55
V
V
V
LONG-TERM STABILITY3
DVO
1000 hours @ 125°C
1.2
mV
NOISE VOLTAGE
eN
0.1 Hz to 10 Hz
20
µV p-p
1
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
3
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
2
Rev. J
－ 4/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF191、−40°C ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、−40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 3.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
5
10
25
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
3.0 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
5
10
15
20
ppm/mA
ppm/mA
0.95
1.25
1.55
V
V
V
−8
0.8
−8
V
µA
V
µA
45
15
µA
µA
VS = 3.15 V, ILOAD = 2 mA
VS = 3.3 V, ILOAD = 10 mA
VS = 3.6 V, ILOAD = 25 mA
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
VH
IH
VL
IL
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
2.4
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
－ 5/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF191、−40°C ≤ TA ≤ +125°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 4.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
3.0 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
10
20
ppm/mA
ppm/mA
VS = 3.3 V, ILOAD = 10 mA
VS = 3.6 V, ILOAD = 20 mA
1.25
1.55
V
V
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
電気的特性—REF192、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、TA = 25°C。
表 5.
Parameter
Symbol
INITIAL ACCURACY1
E Grade
F Grade
G Grade
VO
LINE REGULATION2
ΔVO/ΔVIN
E Grade
F and G Grades
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2.498
2.495
2.490
2.500
2.502
2.505
2.510
V
V
V
3.0 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
2
4
4
8
ppm/V
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
4
6
10
15
ppm/mA
ppm/mA
1.00
1.40
V
V
LOAD REGULATION2
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
VS = 3.5 V, ILOAD = 10 mA
VS = 3.9 V, ILOAD = 30 mA
LONG-TERM STABILITY3
DVO
1000 hours @ 125°C
1.2
mV
NOISE VOLTAGE
eN
0.1 Hz to 10 Hz
25
µV p-p
1
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
3
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
2
Rev. J
－ 6/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF192、−40°C ≤ TA ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、−40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 6.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
5
10
25
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
3.0 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
5
10
15
20
ppm/mA
ppm/mA
1.00
1.50
V
V
−8
0.8
−8
V
µA
V
µA
45
15
µA
µA
Max
Unit
VS = 3.5 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.0 V, ILOAD = 25 mA
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
VH
IH
VL
IL
2.4
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
電気的特性—REF192、−40°C ≤ TA ≤ +125°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 7.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Typ
IOUT = 0 mA
2
5
10
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
3.0 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
10
20
ppm/mA
ppm/mA
VS = 3.5 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.0 V, ILOAD = 20 mA
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
Min
－ 7/28 －
1.00
1.50
V
V
REF19x シリーズ
電気的特性—REF193、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、TA = 25°C。
表 8.
Parameter
Symbol
INITIAL ACCURACY1
G Grade
VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
LINE REGULATION2
G Grade
ΔVO/ΔVIN
IOUT = 0 mA
2.990
3.0
3.010
V
LOAD REGULATION2
G Grade
ΔVO/ΔVLOAD
3.3 V, ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
4
8
ppm/V
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
VS = 3.8 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.0 V, ILOAD = 30 mA
6
15
ppm/mA
0.80
1.00
V
V
LONG-TERM STABILITY3
DVO
1000 hours @ 125°C
1.2
mV
NOISE VOLTAGE
eN
0.1 Hz to 10 Hz
30
µV p-p
1
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
3
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
2
電気的特性—REF193、−40°C ≤ TA ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、TA = −40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 9.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
10
25
ppm/°C
3.3 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
10
20
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
10
VS = 3.8 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.1 V, ILOAD = 30 mA
20
ppm/mA
0.80
1.10
V
V
−8
0.8
−8
V
µA
V
µA
45
15
µA
µA
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
VH
IH
VL
IL
2.4
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
－ 8/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF193、 −40°C ≤ TA ≤+125°C
特に指定がない限り、VS = 3.3 V、-40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 10.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
10
ppm/°C
3.3 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
20
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
10
VS = 3.8 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.1 V, ILOAD = 20 mA
ppm/mA
0.80
1.10
V
V
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
電気的特性—REF194、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 5.0 V、TA = 25°C。
表 11.
Parameter
Symbol
INITIAL ACCURACY1
E Grade
G Grade
VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
4.498
4.490
4.5
4.502
4.510
V
V
LINE REGULATION2
E Grade
G Grade
∆VO/∆VIN
4.75 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
2
4
4
8
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION2
E Grade
G Grade
∆VO/∆VLOAD
VS = 5.8 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
2
4
4
8
ppm/mA
ppm/mA
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
VS = 5.00 V, ILOAD = 10 mA
VS = 5.8 V, ILOAD = 30 mA
0.50
1.30
V
V
LONG-TERM STABILITY3
DVO
1000 hours @ 125°C
2
mV
NOISE VOLTAGE
eN
0.1 Hz to 10 Hz
45
µV p-p
1
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
3
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
2
Rev. J
－ 9/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF194、−40°C ≤ TA ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 5.0 V、TA = −40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 12.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
G Grade
∆VO/∆VIN
LOAD REGULATION4
E Grade
G Grade
∆VO/∆VLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
10
5
25
ppm/°C
ppm/°C
4.75 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 5.80 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
5
10
15
20
ppm/mA
ppm/mA
0.5
1.30
V
V
−8
0.8
−8
V
µA
V
µA
45
15
µA
µA
Max
Unit
VS = 5.00 V, ILOAD = 10 mA
VS = 5.80 V, ILOAD = 25 mA
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
VH
IH
VL
IL
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
2.4
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
電気的特性—REF194、−40°C ≤ TA ≤ +125°C
特に指定がない限り、VS = 5.0 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 13.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
G Grade
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION
E Grade
Grade
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Typ
IOUT = 0 mA
2
10
ppm/°C
ppm/°C
4.75 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
ppm/V
ppm/V
VS = 5.80 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
5
10
ppm/mA
ppm/mA
VS = 5.10 V, ILOAD = 10 mA
VS = 5.95 V, ILOAD = 20 mA
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
Min
－ 10/28 －
0.60
1.45
V
V
REF19x シリーズ
電気的特性—REF195、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 5.10 V、TA = 25°C。
表 14.
Parameter
INITIAL ACCURACY1
E Grade
F Grade
G Grade
LINE REGULATION2
E Grade
F and G Grades
LOAD REGULATION2
E Grade
F and G Grades
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
LONG-TERM STABILITY3
NOISE VOLTAGE
DVO
eN
1
2
3
Symbol
VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
4.998
4.995
4.990
5.0
5.002
5.005
5.010
V
V
V
5.10 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
2
4
4
8
ppm/V
ppm/V
VS = 6.30 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
2
4
4
8
0.50
1.30
ppm/mA
ppm/mA
V
V
mV
µV p-p
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
5
10
25
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
5.15 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 6.30 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
5
10
10
20
0.50
1.30
ppm/mA
ppm/mA
V
V
−8
0.8
−8
45
15
V
µA
V
µA
µA
µA
ΔVO/ΔVIN
ΔVO/ΔVLOAD
VS = 5.50 V, ILOAD = 10 mA
VS = 6.30 V, ILOAD = 30 mA
1000 hours @ 125°C
0.1 Hz to 10 Hz
1.2
50
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
電気的特性—REF195、−40°C ≤ TA ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 5.15 V、TA = −40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 15.
Parameter
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
DROPOUT VOLTAGE
Symbol
TCVO/°C
Condition
Min
ΔVO/ΔVIN
ΔVO/ΔVLOAD
VS − VO
VS = 5.50 V, ILOAD = 10 mA
VS = 6.30 V, ILOAD = 25 mA
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
VH
IH
VL
IL
2.4
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
－ 11/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF195、−40°C ≤ TA ≤ +125°C
特に指定がない限り、VS = 5.20 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 16.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
5.20 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
ppm/V
ppm/V
VS = 6.45 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
5
10
ppm/mA
ppm/mA
VS = 5.60 V, ILOAD = 10 mA
0.60
V
VS = 6.45 V, ILOAD = 20 mA
1.45
V
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
電気的特性—REF196、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 3.5 V、TA = 25°C。
表 17.
Parameter
Symbol
INITIAL ACCURACY1
G Grade
VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
LINE REGULATION2
G Grade
ΔVO/ΔVIN
IOUT = 0 mA
3.290
3.3
3.310
V
LOAD REGULATION2
G Grade
ΔVO/ΔVLOAD
3.50 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
4
8
ppm/V
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
VS = 4.1 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.3 V, ILOAD = 30 mA
6
LONG-TERM STABILITY3
DVO
1000 hours @ 125°C
1.2
mV
NOISE VOLTAGE
eN
0.1 Hz to 10 Hz
33
µV p-p
1
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
3
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
2
Rev. J
－ 12/28 －
15
ppm/mA
0.80
1.00
V
V
REF19x シリーズ
電気的特性—REF196、−40°C ≤ TA ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 3.5 V、TA = -40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 18.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
10
25
ppm/°C
3.5 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
10
20
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
10
VS = 4.1 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.3 V, ILOAD = 25 mA
20
ppm/mA
0.80
1.00
V
V
−8
0.8
−8
V
µA
V
µA
45
15
µA
µA
Max
Unit
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
VH
IH
VL
IL
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
2.4
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/V0(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
電気的特性—REF196、−40°C ≤ TA ≤ +125°C
特に指定がない限り、VS = 3.50 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 19.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
G Grade
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Typ
IOUT = 0 mA
10
ppm/°C
3.50 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
20
ppm/V
VS = 5.0 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
20
VS = 4.1 V, ILOAD = 10 mA
VS = 4.4 V, ILOAD = 20 mA
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
Min
－ 13/28 －
ppm/mA
0.80
1.10
V
V
REF19x シリーズ
電気的特性—REF198、TA = 25°C
特に指定がない限り、VS = 5.0 V、TA = 25°C。
表 20.
Parameter
Symbol
INITIAL ACCURACY1
E Grade
F Grade
G Grade
VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
4.094
4.091
4.086
4.096
4.098
4.101
4.106
V
V
V
LINE REGULATION2
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
4.5 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
2
4
4
8
ppm/V
ppm/V
LOAD REGULATION2
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
VS = 5.4 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 30 mA
2
4
4
8
ppm/mA
ppm/mA
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
VS = 4.6 V, ILOAD = 10 mA
VS = 5.4 V, ILOAD = 30 mA
0.502
1.30
V
V
LONG-TERM STABILITY3
DVO
1000 hours @ 125°C
1.2
mV
NOISE VOLTAGE
eN
0.1 Hz to 10 Hz
40
µV p-p
1
初期精度には温度ヒステリシスの影響が含まれます。
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
3
長時間安定性仕様は非累積的です。 後続の 1000 時間のドリフトは、最初の 1000 時間より大幅に小さくなります。
2
電気的特性—REF198、−40°C ≤ TA ≤ +85°C
特に指定がない限り、VS = 5.0 V、−40°C ≤ TA ≤ +85°C。
表 21.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
Condition
Min
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
5
10
25
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
4.5 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
10
20
ppm/V
ppm/V
VS = 5.4 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 25 mA
5
10
10
20
ppm/mA
ppm/mA
0.502
1.30
V
V
−8
0.8
−8
V
µA
V
µA
45
15
µA
µA
VS = 4.6 V, ILOAD = 10 mA
VS = 5.4 V, ILOAD = 25 mA
SLEEP PIN
Logic High Input Voltage
Logic High Input Current
Logic Low Input Voltage
Logic Low Input Current
VH
IH
VL
IL
SUPPLY CURRENT
Sleep Mode
1
2
2.4
No load
No load
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
－ 14/28 －
REF19x シリーズ
電気的特性—REF198、−40°C ≤ TA ≤ +125°C
特に指定がない限り、VS = 5.0 V、−40°C ≤ TA ≤ +125°C。
表 22.
Parameter
Symbol
TEMPERATURE COEFFICIENT1, 2
E Grade
F Grade
G Grade3
TCVO/°C
LINE REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVIN
LOAD REGULATION4
E Grade
F and G Grades
ΔVO/ΔVLOAD
DROPOUT VOLTAGE
VS − VO
1
2
Condition
Typ
Max
Unit
IOUT = 0 mA
2
5
10
ppm/°C
ppm/°C
ppm/°C
4.5 V ≤ VS ≤ 15 V, IOUT = 0 mA
5
10
ppm/V
ppm/V
VS = 5.6 V, 0 mA ≤ IOUT ≤ 20 mA
5
10
ppm/mA
ppm/mA
VS = 4.7 V, ILOAD = 10 mA
VS = 5.6 V, ILOAD = 20 mA
正常動作のためには、デバイスの出力ピンと GND ピンとの間に 1 µF のコンデンサが必要です。
TCVO は、規定の温度範囲に対する温度変化による出力変化の比として定義され、ppm/°C で表されます。
TCVO = (VMAX − VMIN)/VO(TMAX − TMIN)
3
キャラクタライゼーションにより保証。
4
ラインと負荷レギュレーション仕様には自己発熱の影響も含まれます。
Rev. J
Min
－ 15/28 －
0.60
1.50
V
V
REF19x シリーズ
絶対最大定格
表 23.
熱抵抗
Parameter
Rating
Supply Voltage
Output to GND
Output to GND Short-Circuit Duration
Storage Temperature Range
PDIP, SOIC Package
Operating Temperature Range
REF19x
Junction Temperature Range
PDIP, SOIC Package
Lead Temperature (Soldering 60 sec)
−0.3 V to +18 V
−0.3 V to VS + 0.3 V
Indefinite
θJA はワーストケース条件で規定。すなわち PDIP の場合はデバイ
スをソケットに実装して、SOIC パッケージと TSSOP パッケージ
の場合はデバイスを回路ボードにハンダ付けして、それぞれ θJA
を規定。
−65°C to +150°C
表 24.
−40°C to +85°C
−65°C to +150°C
300°C
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久
的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の規
定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクションに
記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイスの信頼
性に影響を与えます。
Rev. J
Package Type
θJA
θJC
Unit
8-Lead PDIP (N)
8-Lead SOIC (R)
8-Lead TSSOP (RU)
103
158
240
43
43
43
°C/W
°C/W
°C/W
ESDの注意
－ 16/28 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイ
スです。電荷を帯びたデバイスや回路ボード
は、検知されないまま放電することがありま
す。本製品は当社独自の特許技術である ESD
保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが
高エネルギーの静電放電を被った場合、損傷
を生じる可能性があります。したがって、性
能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めし
ます。
REF19x シリーズ
代表的な性能特性
5.004
50
3 TYPICAL PARTS
5.15V  VIN  15V
5.003
BASED ON 600
45 UNITS, 4 RUNS
–40°C ≤ TA ≤ +85°C
40
PERCENTAGE OF PARTS
5.001
5.000
4.999
4.998
4.997
35
30
25
20
15
10
–25
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
75
0
–20
00371-003
4.996
–50
100
–15
–10
図 3.REF195 出力電圧の温度特性
32
–40°C
20
SUPPLY CURRENT (A)
16
+25°C
12
+85°C
8
25
20
15
10
5
5
10
15
ILOAD (mA)
20
25
00371-004
SLEEP MODE
0
30
0
–50
–25
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
75
00371-007
LOAD REGULATION (ppm/V)
NORMAL MODE
30
100
図 7.電源電流の温度特性
図 4.ILOAD 対 REF195 負荷レギュレーション
–6
20
0mA ≤ IOUT ≤ 25mA
–5
SLEEP PIN CURRENT (µA)
+85°C
16
+25°C
12
–40°C
8
4
–4
–3
–2
VL
–1
4
6
8
10
VIN (V)
12
14
16
0
–50
00371-005
LINE REGULATION (ppm/mA)
20
35
4
VH
–25
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
75
図 8.SLEEP ピン電流の温度特性
図 5.VIN 対 REF195 ライン・レギュレーション
Rev. J
15
40
5.15V  VS  15V
24
0
10
図 6.TCVOUT の分布
28
0
–5
0
5
TCVOUT (ppm/°C)
00371-006
5
－ 17/28 －
100
00371-008
OUTPUT VOLTAGE (V)
5.002
REF19x シリーズ
5V
0
OFF 100%
RIPPLE REJECTION (dB)
–20
ON
90%
–40
–60
–80
–100
10%
–120
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
20mV
00371-009
1M
100µs
図 12.負荷過渡応答
図 9.リップル除去比の周波数特性
REF19x
10F
REF19x
2
6
1F
OUTPUT
6
4
10F
2
4
10F
1F
1k
00371-010
1k
VIN = 15V
VIN = 15V
REF
10mA
0
00371-013
10
00371-012
0%
図 13.負荷過渡応答の測定回路
図 10.リップル除去比周波数特性の測定回路
2V
100%
VIN = 7V
REF19x
2
6
200V
1F
Z
VS = 4V
1mA
LOAD
4
10%
3
30mA
LOAD
0%
2
2V
100µs
0
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
00371-011
1
図 14.パワーオン応答時間
REF19x
図 11.出力インピーダンスの周波数特性
2
4
1F
00371-015
6
VIN = 7V
図 15.パワーオン応答時間の測定回路
Rev. J
－ 18/28 －
00371-014
ZO ()
1F
90%
VG = 2V p-p
4
REF19x シリーズ
5V
5V
ON 100%
OFF
100%
90%
90%
IL = 1mA
VOUT
IL = 10mA
10%
10%
200mV
00371-016
2ms
1V
図 16.SLEEP 応答時間
35
REF19x
VOUT
2
6
4
30
1F
LOAD CURRENT (mA)
3
200µs
図 18.ライン過渡応答
00371-017
VIN = 15V
00371-018
0%
0%
図 17.SLEEP 応答時間の測定回路
25
20
15
10
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
REF195 DROPOUT VOLTAGE (V)
0.8
図 19.REF195 ドロップアウト電圧対負荷電流
Rev. J
－ 19/28 －
0.9
00371-019
5
REF19x シリーズ
アプリケーション情報
出力短絡動作
スリープ・モード動作
REF19x ファミリーのデバイスは、出力の GND または VS への偶
発的な短絡による損傷から完全に保護されています。偶発的な短
絡状態では、リファレンス・デバイスがシャットダウンして、電
源電流が 40 mA に制限されます。
すべての REF19x デバイスは、TTL/CMOS レベル互換のスリープ
機能を内蔵しています。内部では、VS へのプルアップ電流源が
SLEEPピンに接続されています。この機能により、SLEEPピンを
オープン・コレクタ/ドレインのドライバから駆動可能になってい
ます。出力ステージをターンオフするときは、SLEEPピンにロ
ー・レベル(0V)を入力する必要があります。スリープ時、リファ
レンス出力は高インピーダンスになり、ピン電位は外部回路で決
定されます。スリープ機能を使わない場合は、 SLEEP ピンを Vs
(ピン 2)に接続しておく必要があります。
VS
OUTPUT
リファレンス電圧の基本接続
SLEEP (SHUTDOWN)
00371-020
REF19x
図 20.簡略化した回路図
デバイス消費電力についての注意
10µF
REF19x ファミリのリファレンス電圧は、3.3 V～15 V の範囲の入
力電圧で、30 mA の負荷電流を出力することができます。大きな
入力電圧を持つアプリケーションでこれらのデバイスを使う場合
は、最大内部消費電力を超えないように注意する必要があります。
最大消費電力またはジャンクション温度の公表仕様を超えると、
デバイス故障が発生することがあります。デバイスの最大ジャン
クション温度または消費電力を求めるときは、次式を使用します。
PD 
TJ  TA
 JA
ここで、TJ と TA はそれぞれジャンクション温度と周囲温度、PD
はデバイス消費電力、θJA はデバイス・パッケージの熱抵抗です。
出力電圧のバイパス
安定な動作のために、ロー・ドロップアウト電圧レギュレータと
リファレンスでは一般に、VOUT ピンと GND ピンとの間にバイパ
ス・コンデンサを接続する必要があります。REF19x ファミリー
のリファレンスは 100 µF を超える容量負荷に対して安定に動作す
ることができますが、1 µF のコンデンサでも十分定格性能を保証
することができます。0.1 µF のセラミック・コンデンサをバイパ
ス・コンデンサと並列に接続すると、負荷電流過渡性能が向上し
ます。最適なライン電圧過渡性能を得るためには、これらのデバ
イスの電圧入力を 10 µF の電解コンデンサと 0.1 µF のセラミッ
ク・コンデンサの並列接続によりバイパスすることが推奨されま
す。
Rev. J
0.1µF
NC 1
VS
8
NC
2
7
SLEEP 3
6
NC
OUTPUT
4
5
NC
+
1µF
TANT
NC = NO CONNECT
0.1µF
00371-021
GND
図 21 の回路に、REF19xファミリーのリファレンス電圧の基本接
続を示します。入力の 10 µF/0.1 µFのバイパス回路と出力の 1
µF/0.1 µFのバイパス回路に注意してください。ピン 1、ピン 5、
ピン 7、ピン 8 には何も接続しないことを推奨します。スリープ
機能が不要な場合、ピン 3 はVSに接続する必要があります。
図 21.リファレンス電圧の基本接続
薄膜スイッチ制御の電源
REF19xファミリーのリファレンスは、携帯機器アプリケーション
内で数十mAの出力負荷電流を持つロー・ドロップアウト電源と
して動作することができます。図 22 に示す回路では、薄膜オン/
オフ・スイッチを使って、リファレンスの動作を制御しています。
初期パワーオン状態では、SLEEPピンは 10 kΩの抵抗によりGND
レベルに維持されています。この状態(読み出し:スリー・ステー
ト)では、REF19x出力がディスエーブルされることに注意してく
ださい。薄膜オン・スイッチが押されると、SLEEPピンが一時的
にVSに接続されて、REF19x出力がイネーブルされます。この時点
で、10 kΩの抵抗を流れる電流が減少して、SLEEPピンに接続され
た内部電流源が制御を開始します。ピン 3 はVSと同じ電位である
と見なします。薄膜オフ・スイッチが押されると、SLEEPピンが
一時的にGNDに接続されて、REF19x出力が再度ディスエーブル
されます。
－ 20/28 －
REF19x シリーズ
小さくして、最大消費電力をパッケージの定格より小さくする必
要があります。これは、単純に R4 を大きくするだけで実現でき
ます。
REF19x
NC 1
8
2
7
VS
1kΩ
5%
ON
3
6
4
5
NC
等価直列抵抗(ESR)を小さくするため C1 にタンタル出力コンデン
サを使用していますが、安定性のためには値を大きくする必要が
あります。コンデンサ C2 は、入力バイパス用で通常電解コンデ
ンサを使用することができます。
NC
OUTPUT
+1µF
NC
TANT
00371-022
10kΩ
OFF
NC = NO CONNECT
図 22.薄膜スイッチから制御される電源
電流制限機能を持つ電流増幅リファレンス
REF19xシリーズの 30 mA定格出力電流は、他の一般的なリファレ
ンスICより大きいですが、図 23 に示すようにシンプルな外付け
PNPトランジスタを接続することにより、必要に応じてこの電流
を増幅することができます。常時電流制限機能を使って、パス・
トランジスタを短絡から保護しています。
C2
100µF
25V
Q1
TIP32A
(SEE TEXT)
R4
2Ω
R1
1kΩ
Q2
2N3906
+
R2
1.5kΩ
C3
0.1µF
2
U1
D1
VC
3
1N4148
(SEE TEXT
ON SLEEP)
VS
COMMON
OUTPUT TABLE
REF196
6
VOUT (V)
REF192
REF193
REF196
REF194
REF195
2.5
3.0
3.3
4.5
5.0
高精度抵抗が不要な負の高精度リファレンス
F
+VOUT
3.3V
@ 150mA
S
(SEE TABLE)
4
U1
C1
10µF/25V
R3
(TANTALUM)
1.82kΩ
S
F
+
R1
VOUT
COMMON
00371-023
+VS = 6V
TO 9V
(SEE TEXT)
ブースタ・ステージのシャットダウン制御はオプション機能であ
り、使う場合には注意が必要です。VS ラインから U1 までの間に
アクティブ・デバイスが追加されているため、ピン 3 の直接駆動
はバッファなしの REF19x デバイスの場合のように機能しません。
シャットダウン制御をイネーブルするときは、U1 から Q2 への接
続を X で切断し、ダイオード D1 を使って、CMOS 制御ソース VC
から U1 のピン 3 を駆動してオン/オフ動作を行わせます。シャッ
トダウンからの起動は、重い負荷の場合には基本 REF19x シリー
ズのように簡単ではないため、負荷がある場合数 ms 要すること
があります。それでも有効であり、150 mA の負荷を完全に制御す
ることができます。シャットダウン制御を使用する場合、重い容
量負荷は最小限にする必要があります。
図 23.電流制限機能を持つ、増幅型 3.3 V リファレンス電圧
この回路では、R1 からR2 へ流れるリファレンスU1 の電源電流に
よりQ1 のベース駆動電圧が発生され、Q1 のコレクタから出力電
流が供給されます。100 mA～200 mAの負荷に対してQ1 のゲイン
は 100 (typ)もあるため、U1 では数mAより大きな電流を供給する
必要がありません。このため温度ドリフトが小さくなります。短
絡保護機能はQ2 により提供されます。Q2 は、図 23 に示す値の場
合、Q1 の駆動を約 300 mAの負荷電流にクランプします。この制
御機能と電源機能の分離により、DCの安定性が最適化されるため、
U1 に対して最高グレードのREF19xデバイスを使用する利点が生
じます。もちろん、それでも負荷の管理を行う必要があります。
U1 のピン 6 からVOUT検出ポイント(ポイント F、ここでQ1 のコレ
クタが負荷に接続されます)までの配線には、短く太いDC抵抗
(DCR)の小さい導体を使う必要があります。
出力信号電圧とリファレンス電圧が同じ極性である必要のある多
くの電流出力 CMOS DAC アプリケーションでは、電流切り替え
型 DAC を電圧切り替え型 DAC へ再構成することがよくあります。
この再構成では、1.25 V のリファレンス電圧、オペアンプ、一対
の抵抗が使われます。電流切り替え型 DAC を直接使うと、信号
を再反転するために出力にオペアンプを追加する必要があります。
DAC 出力電圧の再反転(電流切り替えモード)または増幅(電圧切り
替え型モード)のためにオペアンプの追加が不要なため、負のリフ
ァレンス電圧を使う必要があります。一般に、すべての正のリフ
ァレンス電圧は、反転構成の中でオペアンプと一対の一致した抵
抗を使って負のリファレンス電圧へ変換することができます。こ
の方法の欠点は、回路内の最大の誤差要因が使用する抵抗の不一
致であることです。
図 24 に示す回路では、アクティブ積分器回路の使用により、厳密
な一致が必要とされる抵抗が不要になっています。この回路では、
リファレンス電圧出力により積分器入力を駆動しています。積分
器では、回路の平衡を維持するため、出力を調節してリファレン
スVOUTとGNDとの間の適切な関係を設定しています。したがって、
該当するリファレンスICを置き換えることにより任意の所望負出
力電圧を選択することができます。PNPトランジスタと 10 kΩの
抵抗を追加するだけで、回路内でスリープ機能が維持されます。
電流制限機能のため、ドロップアウト電圧回路は REF19x デバイ
スより約 1.1 V 持ち上げられます。これは、Q1 の VBE と電流検出
抵抗 R4 の電圧降下に起因します。これでも全体ドロップアウト
は十分低いため、VS = 4.5 V、負荷電流= 150 mA の動作で示した
ように、U1 として REF196 を使う 5 V～3.3 V のレギュレータ/リ
ファレンスの動作が可能です。
Q1 でのヒート・シンクの必要性は、最大入力電圧と短絡電流に依
存します。VS = 5 V、電流制限値= 300 mA で、Q1 のワーストケー
ス消費電力は 1.5 W になり、これは TO-220 パッケージの 2 W 上
限値より小さい値です。ただし、2N4033 のような小型の TO-39
または TO-5 パッケージ・デバイスを使う場合は、電流制限値を
Rev. J
－ 21/28 －
REF19x シリーズ
この方法では注意が必要です。レール to レール出力アンプがアプ
リケーションで最適に機能しますが、これらのオペアンプでは、
負荷電流が必要とされる場合、小さいヘッドルーム(mV)が必要に
なります。回路に負電源を使う場合にはこの問題に注意する必要
があります。
VS
2N3906
2
VS
3 SLEEP OUTPUT 6
1µF
1kΩ
+5V
REF19x
GND
10kΩ
100Ω
A1
1µF
4
–VREF
100kΩ
00371-024
–5V
A1 = 1/2 OP295,
1/2 OP291
図 24.高精度抵抗が不要な負の高精度リファレンス電圧
任意出力を得るためのリファレンスICの縦続接続
アプリケーションによっては、標準出力の和を得るように 2 個の
リファレンス電圧源を接続することが必要な場合があります。図
25 に、リファレンス電圧の縦続接続方法を示します。
OUTPUT TABLE
+VS
VS  VOUT2 + 0.15V
VOUT1 (V) VOUT2 (V)
U1/U2
+VS
VS > VOUT2 + 0.15V
2 個の 3 端子リファレンスを縦続接続する構成の変形を 図 26 に示
します。ここでは、U1 にREF192 を使用し、これをAD589 のよう
な 2 端子リファレンス・ダイオードと縦続接続しています。図 25
に示す縦続接続の 3 端子リファレンスと同様に、この回路には 2
つの出力VOUT1 とVOUT2 があり、それぞれD1 とU1 のピン電圧です。
この場合 1.235 Vと 2.5 Vになります。これによりVOUT2 = 3.735 Vに
なります。D1 のような 2 端子リファレンス・ダイオードを使う場
合、最小および最大の定格デバイス電流を満たす必要があり、
VOUT1 の最大負荷電流はR1 とVO (U1)で設定される電流を超えない
ようにする必要があります。VO (U1) = 2.5 Vの場合、R1 から
500 µAのバイアスをD1 に供給するため、VOUT1 の最大負荷電流は
450 µA以下になります。
REF192/REF192 2.5
REF192/REF194 2.5
REF192/REF195 2.5
5.0
7.0
7.5
2
2
C1
0.1µF
C1
0.1F
U2
3
REF19x
+VOUT2
6
(SEE TABLE)
VO (U2)
4
+
4
6
(SEE TABLE)
VO (U1)
+ C4
1µF
R1
3.9kΩ
+VOUT1
(SEE TEXT)
VOUT
COMMON
00371-025
REF19x
4
VIN
COMMON
VIN
COMMON
U1
3
図 25.REF19x によるリファレンス電圧の縦続接続
2 個のリファレンスICを使って、共通の非安定化入力VSから発生
します。各ICの出力が直列に接続されて、2 つの出力電圧VOUT1 と
VOUT2 が出力されます(図 25)。VOUT1 はU1 のピン電圧で、VOUT2 は
この電圧とU2 のピン電圧との和です。U1 とU2 は、所望出力を発
生するように選択します(表 1 参照)。例えば、U1 とU2 がREF192
の場合、2 つの出力は 2.5 Vと 5.0 Vになります。
Rev. J
REF192
6
VO (U1)
C2
1µF
2
C3
0.1µF
3
U1
D1
AD589
VO (D1)
+
C2
1F
+ C3
1F
R1
4.99k
+VOUT2
3.735V
(SEE TEXT)
+VOUT1
1.235V
VOUT
COMMON
00371-026
10kΩ
SLEEP
TTL/CMOS
この考え方はシンプルですが、注意が必要です。低い方のリファ
レンス回路に、U2 からの小さいバイアス電流(50 µA～100 µA)と
U2 内の直列 PNP 出力トランジスタからのベース電流の和が流入
することが必要です。このため、U1 の外部負荷または R1 よって
この電流パスを設ける必要があります。U1 の最小負荷が不明の場
合は、抵抗 R1 を使って、両端の VOUT1 で少なくとも 600 µA の電
流が流れるような値に設定する必要があります。2 つの U1 と U2
リファレンス回路は、ローカル的にマクロセルとして扱われ、
各々は最適な安定性を得るために入力と出力に固有のバイパスを
持っていることに注意してください。この回路の U1 と U2 は、フ
ル定格までの DC 電流を供給することができます。最小入力電圧
VS は、出力 VOUT2 と U2 のドロップアウト電圧の和によって決定
されます。
図 26.REF192 によるリファレンス電圧の縦続接続
高精度電流源
低消費電力アプリケーションでは、低電源電圧で動作できる高精
度電流源が必要となることがあります。 図 27 に示すように、
REF19xファミリーのリファレンス・デバイスは高精度電流源とし
て構成することができます。図に示す回路構成は、グラウンドに
接続された負荷を持つフローティング電流源です。リファレンス
出力電圧は、負荷への出力電流を設定するRSETによりブートスト
ラップされています。この構成では、リファレンスの供給電流 30
µA(typ)から約 30 mAまでの範囲の負荷電流に対して回路精度が維
持されます。これらデバイスのロー・ドロップアウト電圧により、
余分なヘッドルームなしに電流源の出力電圧コンプライアンスが
最大化されます。
－ 22/28 －
REF19x シリーズ
VS
この構成でREF19xシリーズの異なるデバイスを使うと、ロジック
から指定して、U1/U2 間でピン電圧を選択することができます。
例えば、U1 (REF195)とU2 (REF196)を使用する場合、図 28 の表に
示すように、CMOS互換のVCロジック制御電圧をハイ・レベル/ロ
ー・レベル間で変えると、公称出力 5.0 Vまたは 3.3 Vを選択する
ことができます。他のREF19xファミリー・デバイスもU1/U2 とし
て使用することができ、ロジック動作は同じですが、出力は対と
して選択するデバイスにより異なります(図 28 の表参照)。もちろ
ん、リファレンス電圧の正確な出力電圧偏差、ドリフト、全体品
質はU1 /U2 として使うデバイスのグレードに従います。
2
VS
REF19x
OUTPUT 6
GND
4
1µF
R1
ISY
ADJUST
P1
IOUT
VIN ≥ IOUT × RL (MAX) + VSY (MIN)
IOUT =
VOUT
RSET
VOUT
RSET
RSET
RL
+ ISY (REF19x)
FOR EXAMPLE, REF195: VOUT = 5V
IOUT = 5mA
R1 = 953Ω
P1 = 100Ω, 10-TURN
>> ISY
00371-027
3 SLEEP
図 27.ロー・ドロップアウトの高精度電流源
5 V/3.3 Vリファレンス電圧の出力切り替え
アプリケーションでは、リファレンス電圧をデジタル制御して、
1 つ目の安定化電圧と 2 つ目の安定化電圧とを切り替える必要が
生じることがあります。REF19x シリーズに内蔵されているスリ
ープ機能を使うと、リファレンス出力切り替え構成をハードウェ
アの追加なしに容易に実現することができます。
図 28 の回路に、REF19xデバイス・ファミリーの出力ワイヤード
OR機能を利用する一般的な技術を示します。REF19xデバイスが
オフの場合、電源として出力ノードはオープンになります。
REF19xデバイスがオンの場合、定格電流まで電流を供給すること
ができますが、電流の流入は数µA (内部出力スケーリング分圧器
の比較的小さい電流)に限定されます。このため、2 個のデバイス
を共通出力で接続すると、出力電圧はオン・デバイスの出力電圧
に一致します。オフ状態のデバイスには 15 µA (最大)の小さいス
タンバイ電流が流れますが、フル電流定格で動作できるオン・デ
バイスの動作に影響を与えることはありません。回路内の 2 個の
デバイスは、便宜的に入力コンデンサと出力コンデンサを共用し
ており、CMOSロジック駆動であるため、電力効率は優れている
ことに注意してください。
OUTPUT TABLE
U1/U2
VC*
VOUT (V)
REF195/ HIGH 5.0
REF196 LOW 3.3
REF194/ HIGH 4.5
REF195 LOW 5.0
+VS = 6V
2
VC
1
2
3
4
*CMOS LOGIC LEVELS
U1
3
REF19x
6
ワイヤード OR の性質上、この回路についてのアプリケーション
上の 1 つの欠点を理解しておく必要があります。U1 と U2 は電流
を流出させることだけが可能であるため、電流の流入を必要とす
る出力の立ち下がり電圧変化には、必然的に立ち上がり変化の場
合より長い時間を要します。実際には、これは 3.3 V から 5 V へ
の変化は高速ですが、5 V から 3.3 V への変化は低速になることを
意味します。変化の所要時間は、負荷抵抗 RL(出力から見た値)と
C2 値( 1 µF typ)の関数になります。一般に、控え目な変化時間は
100 Ω～1 kΩ の範囲の負荷抵抗に対して数 ms です。高精度の新し
い出力電圧に対しては、数倍の時定数を許容する必要があることに
注意してください(例えば、10 ビットで、1/2 LSB 以下の誤差に対し
て 7.6 以上の時定数)。
ケルビン接続
PC ボードのコストと面積が重要となる多くの携帯計装機器アプリ
ケーションでは、回路接続が細くなります。リファレンス電圧か
ら種々の機能に負荷電流を供給する必要がある場合、これらの細
いラインにより大きな電圧降下が発生します。回路間接続は単位
面積あたり 0.45 mΩ(例えば 1 オンスの Cu)のライン抵抗比を持ち
ます。
これらのデバイスがロー・ドロップアウト電圧レギュレータとし
て構成されるアプリケーションでは、これらの配線による電圧降
下が大きな誤差原因になります。この問題を回避するため、図 29
に示すように、オペアンプを使用してリファレンスに対して制御
接続とセンス接続を設けることができます。この方法を使うと、
配線による抵抗電圧降下の影響をなくすることができます。配線
抵抗を流れる負荷電流は負荷でI-R誤差(ILOAD × RWIRE)を発生させ
ます。ケルビン接続を使うと、オペアンプの制御ループ内に配線
抵抗を含めることによりこの問題を解決することができます。オ
ペアンプで負荷電圧を検出して、オペアンプ・ループ制御により
出力での配線誤差を補償して、負荷に正しい電圧が発生するよう
にします。選択するリファレンス・デバイスに応じて、このアプ
リケーションではオペアンプ OP295、OP292、OP183 を使うこと
ができます。
(SEE TABLE)
U3A
U3B
74HC04 74HC04
4
+VOUT
2
U2
3
REF19x
6
+ C2
1µF
(SEE TABLE)
4
VIN
COMMON
VOUT
COMMON
00371-028
C1
0.1µF
図 28.出力切り替えのリファレンス電圧
Rev. J
－ 23/28 －
REF19x シリーズ
VS
VS
RLW
VS
SLEEP
3
2
3
OUTPUT 6
REF19x
GND
4
1µF
RLW
1
A1
+VOUT
SENSE
+VOUT
FORCE
A1 = 1/2 OP295
1/2 OP292
100kΩ
OP183
RL
00371-029
2
図 29.ケルビン接続のロー・ドロップアウト・リファレンス電圧
フェイルセーフ 5 Vリファレンス
重要なアプリケーションでは、プライマリ電源が失われた場合で
も、リファレンス電圧が一定電圧を維持することが要求される場
合があります。REF19x シリーズの小さいスタンバイ消費電力と
出力切り替え機能を使うと、フェイルセーフ・リファレンス構成
を容易に実現することができます。このリファレンスは、電源状
態の変化が発生したときに自動的に切り替わるプライマリ電源
(AC ライン)またはスタンバイ(バッテリ駆動)電源の厳しい出力電
圧偏差を維持します。
図 30 に示す回路に、この概念を示します。この例では、図 28 に
示す出力切り替えの考えを流用し、ここでもREF19xデバイス・フ
ァミリーの出力ワイヤードOR機能を使っています。この例では、
すべての状態で 5 V一定のリファレンス電圧が必要なため、2 個の
REF195 デバイスをU1 とU2 に使い、オン/オフ・スイッチングを
プライマリDC電源VSの有無により制御します。VBATは 6 Vのバッ
テリ・バックアップ電源で、VSが故障したときのみ負荷に電源を
供給します。通常の電源状態(VSが正常)では、VBATからは 15 µA
(最大)のスタンバイ電流だけがオフ状態のU1 に流れます。
動作中は、すべての状態で、U1 またはU2 のいずれかがオンで、
5 Vのリファレンスが出力されるものとします。この一定電圧の
もとで、これを分圧した電圧がコンパレータIC U3 に入力されて、
すべての電源状態に対する負入力に固定の 0.5 V入力が供給され
ます。R1 とR2 の分圧器からU3 の正入力へVSに比例した信号が入
力されます。この信号が、VSの絶対レベルに応じてU3 とU1/U2 を
切り替えます。図 30 では、オペアンプU3 がヒステリシスを持つ
コンパレータとして構成され、ノイズのない出力スイッチング機
能を提供します。このヒステリシスは、VSのリップルにより発生
するスレッショールドでの高速なスイッチングをなくするために
重要です。さらに、レールtoレール出力デバイスである AD820 も
使用しています。このデバイスは、VS の数mV以内のハイおよび
ロー出力状態、正確なスレッショールドのグラウンド、すべての
VS状態に対するU2 の互換駆動機能を提供します。R3 は、回路ヒ
ステリシスの正帰還を提供して、正入力のスレッショールドをU3
出力の関数として変えます。
U3 出力は、下側スレッショールドより低い VS レベルに対して、
ロー・レベルになるため、U2 と Q1 はオフになり、U1 がオンに
なります。上側スレッショールドより高い VS レベルに対しては、
逆になり、U1 がオフになり U2 と Q1 がオンになります。バッテ
リ電源保存のため、すべての比較スイッチング回路の電源は VS か
ら供給し、VS が故障したときにデフォルト出力が U1 から供給さ
れるようにします。
図 30 に示すように、R1 とR3 の値については、下側と上側のVSス
イッチング・スレッショールドがそれぞれ約 5.5 Vと 6 Vになるよ
うにします。2.5 V～5 Vの出力範囲でREF19xデバイスをU1 とU2
として使えるように、R1 とR3 の値を他のVS電源に合わせて変え
ることができます。U3 は下側 3.3 VまでのVSで動作することがで
き、これは一般にすべてのREF19xファミリー・デバイスと互換性
があります。
+VBAT
+VS
R1
1.1MΩ
R3
10MΩ
C2
0.1µF
R6
100Ω
3
+
7
2
–
4
Q1
2N3904
2
U1
3
REF195
6
(SEE TABLE)
C1
0.1µF
5.000V
4
6
U2
REF195
+ C3
1µF
(SEE TABLE)
R4
900kΩ
4
R5
100kΩ
VOUT
COMMON
図 30.フェイルセーフ 5 V リファレンス電圧
Rev. J
6
－ 24/28 －
00371-030
C4
0.1µF
2
AD820
3
R2
100kΩ
VS, VBAT
COMMON
U3
REF19x シリーズ
100
低消費電力のストレイン・ゲージ回路
図 31 に示すように、REF19xファミリーのリファレンスは、コア
としてREF195 を使う自己完結的なストレイン・ゲージ回路内で
OP492 や OP747 のような低電源電圧オペアンプと組み合わせて使
用することができます。その他のリファレンスも、回路エレメン
トの値を変えることにより容易に使うことができます。リファレ
ンスには 2 つの役割があります。1 つ目はストレイン・ゲージと
オペアンプの電源電圧条件を満たす電圧レギュレータとして、2
つ目はブリッジを励起する電流源の高精度リファレンス電圧とし
て、それぞれ機能します。この回路の特徴的な機能は、SLEEPピ
ンを使うデジタル的な方法でリモートからオン/オフ制御を行うこ
とです。
REF195
2
10F
+
10F
6
+
1F
4
57k
1%
0.1F
4
3 +
0.1F
10k
1%
1/4
OP492
2 –
1
2N2222
11
500
0.1%
10k
1%
0.01F
20k
1%
13 –
14
20k
1%
10k
1%
2.21k
10 +
7
8
20k
1%
20k
1%
図 31.低消費電力ストレイン・ゲージ回路
Rev. J
－ 25/28 －
OUTPUT
5 +
9 –
1/4
OP492
6 –
1/4
OP492
12 +
00371-031
1/4
OP492
REF19x シリーズ
外形寸法
0.400 (10.16)
0.365 (9.27)
0.355 (9.02)
8
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
5
1
8
0.280 (7.11)
0.250 (6.35)
0.240 (6.10)
4
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497) 1
0.325 (8.26)
0.310 (7.87)
0.300 (7.62)
PIN 1
0.100 (2.54)
BSC
0.060 (1.52)
MAX
0.210
(5.33)
MAX
0.150 (3.81)
0.130 (3.30)
0.115 (2.92)
0.195 (4.95)
0.130 (3.30)
0.115 (2.92)
0.015
(0.38)
MIN
0.015 (0.38)
GAUGE
PLANE
SEATING
PLANE
0.022 (0.56)
0.018 (0.46)
0.014 (0.36)
0.430 (10.92)
MAX
0.005 (0.13)
MIN
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.008 (0.20)
5
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
6.20 (0.2440)
5.80 (0.2284)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
COPLANARITY
SEATING 0.31 (0.0122)
0.10
PLANE
0.50 (0.0196)
 45°
0.25 (0.0099)
8°
0.25 (0.0098) 0° 1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
0.17 (0.0067)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN
0.070 (1.78)
0.060 (1.52)
0.045 (1.14)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-001-BA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN INCHES; MILLIMETER DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF INCH EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
CORNER LEADS MAY BE CONFIGURED AS WHOLE OR HALF LEADS.
図 32.8 ピン・プラスチック・デュアルインライン・パッケージ
[PDIP]
(N-8)
P サフィックス
寸法:インチ(mm)
図 34.8 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N]
ナロー・ボディ
(R-8)
S サフィックス
寸法: mm (インチ)
3.10
3.00
2.90
8
5
4.50
4.40
4.30
1
6.40 BSC
4
PIN 1
0.65 BSC
0.15
0.05
1.20
MAX
COPLANARITY
0.10
0.30
0.19
SEATING 0.20
PLANE
0.09
8°
0°
0.75
0.60
0.45
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153AA
図 33.8 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン
パッケージ[TSSOP]
(RU-8)
寸法: mm
Rev. J
－ 26/28 －
REF19x シリーズ
オーダー・ガイド
Model
Temperature Range
Package Description
Package Option
REF191ES
REF191ES-REEL
REF191ESZ1
REF191ESZ-REEL1
REF191GS
REF191GS-REEL
REF191GSZ1
REF191GSZ-REEL1
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
REF192ES
REF192ES-REEL
REF192ES-REEL7
REF192ESZ1
REF192ESZ-REEL1
REF192ESZ-REEL71
REF192FS
REF192FS-REEL
REF192FS-REEL7
REF192FSZ1
REF192FSZ-REEL1
REF192FSZ-REEL71
REF192GP
REF192GPZ1
REF192GRU
REF192GRU-REEL7
REF192GRUZ1
REF192GRUZ-REEL71
REF192GS
REF192GS-REEL
REF192GS-REEL7
REF192GSZ1
REF192GSZ-REEL1
REF192GSZ-REEL71
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead PDIP
8-Lead PDIP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
P-Suffix (N-8)
P-Suffix (N-8)
RU-8
RU-8
RU-8
RU-8
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
REF193GS
REF193GS-REEL
REF193GSZ1
REF193GSZ-REEL1
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
REF194ES
REF194ES-REEL
REF194ESZ1
REF194ESZ-REEL1
REF194GS
REF194GS-REEL
REF194GS-REEL7
REF194GSZ1
REF194GSZ-REEL1
REF194GSZ-REEL71
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
REF195ES
REF195ES-REEL
REF195ESZ1
REF195ESZ-REEL1
REF195FS
REF195FS-REEL
REF195FSZ1
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
Rev. J
－ 27/28 －
Ordering Quantity
2,500
2,500
2,500
2,500
2,500
1,000
2,500
1,000
2,500
1,000
2,500
1,000
1,000
1,000
2,500
1,000
2,500
1,000
2,500
2,500
2,500
2,500
2,500
1,000
2,500
1,000
2,500
2,500
2,500
REF19x シリーズ
Model
Temperature Range
Package Description
Package Option
Ordering Quantity
REF195FSZ-REEL1
REF195GP
REF195GPZ1
REF195GRU
REF195GRU-REEL7
REF195GRUZ1
REF195GRUZ-REEL71
REF195GS
REF195GS-REEL
REF195GS-REEL7
REF195GSZ1
REF195GSZ-REEL1
REF195GSZ-REEL71
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead PDIP
8-Lead PDIP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
P-Suffix (N-8)
P-Suffix (N-8)
RU-8
RU-8
RU-8
RU-8
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
2,500
REF196GRU-REEL7
REF196GRUZ-REEL71
REF196GS
REF196GS-REEL
REF196GSZ1
REF196GSZ-REEL1
REF196GSZ-REEL71
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
RU-8
RU-8
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
REF198ES
REF198ES-REEL
REF198ESZ1
REF198ESZ-REEL1
REF198ESZ-REEL71
REF198FS
REF198FS-REEL
REF198FSZ1
REF198FSZ-REEL1
REF198GRU
REF198GRU-REEL7
REF198GRUZ1
REF198GRUZ-REEL71
REF198GS
REF198GS-REEL
REF198GSZ1
REF198GSZ-REEL1
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
−40°C to +85°C
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead TSSOP
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
RU-8
RU-8
RU-8
RU-8
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
S-Suffix (R-8)
1
Z = RoHS 準拠製品。
Rev. J
－ 28/28 －
1,000
1,000
2,500
1,000
2,500
1,000
1,000
1,000
2,500
2,500
1,000
2,500
2,500
1,000
2,500
2,500
1,000
2,500
2,500
2,500