SC70パッケージを採用した0.28Ωの CMOS 1.65∼3.6VシングルSPSTスイッチ ADG841/ADG842 機能ブロック図 超低オン抵抗 0.28Ω（Typ） 125℃で最大0.48Ω 優れたオーディオ性能、超低歪み 0.025Ω（Typ） オン抵抗平坦性：0.052Ω（max） 単電源動作：1.65∼3.6V 高電流能力 連続電流：300mA ピーク電流：500mA 車載温度範囲：−40∼＋125℃ レールtoレール動作 消費電力：0.01μW以下（Typ） ADG841 S ADG842 D IN S D IN 05424-001 特長 スイッチの表示はロジック入力「1」時 図1 アプリケーション 製品のハイライト ハンドセット PDA MP3プレーヤ 電源配線 バッテリ駆動システム 通信システム モデム PCMCIAカード 1. −40∼＋125℃の全温度範囲で0.48Ω未満 2. 1.8V CMOSロジックと互換 3. 高電流能力（3.3Vで連続電流300mA） 4. 低THD＋N（0.02% Typ） 5. 小型SC70パッケージを採用 表1. 概要 ADG841/ADG842は、シングル・ポール／シングル・スロー （SPST） スイ ッチを内蔵する低電圧CMOSデバイスです。ADG841はロジック入力 「1」のときに閉じ、ADG842はロジック入力「1」のときに開きます。両デバ ADG841/ADG842の真理値表 ロジック （IN） ADG841 ADG842 0 オフ オン 1 オン オフ イスは、全温度範囲で0.48Ωを下回る極めて低いオン抵抗を提供しま す。ADG841/ADG842は、3.3V、2.5V、1.8V電源で仕様規定されてい ます。 スイッチはオンのとき等しく双方向に導通し、入力信号範囲は電源電圧 まで拡大されています。 ADG841/ADG842は、6ピンSC70パッケージを採用しています。 アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用 に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いませ ん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもあ りません。仕様は予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。 日本語データシートは、REVISIONが古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©2005 Analog Devices, Inc. All rights reserved. REV.0 アナログ・デバイセズ株式会社 本 社／東京都港区海岸1-16-1 電話03 （5402）8200 〒105-6891 ニューピア竹芝サウスタワービル （代）〒532-0003 大阪営業所／大阪府大阪市淀川区宮原3-5-36 電話06（6350）6868 新大阪MTビル2号 ADG841/ADG842 目次 仕様―2.7∼3.6V ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 代表的な性能特性 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥8 仕様―2.5±0.2V ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥4 用語の説明‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥11 仕様―1.65∼1.95V ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥5 テスト回路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥12 絶対最大定格 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6 外形寸法‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥13 ESDに関する注意 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥6 オーダー・ガイド‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥13 ピン配置および機能の説明 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥7 改訂履歴 4/05―Revision 0: Initial Version 2 REV.0 ADG841/ADG842 仕様―2.7∼3.6V1 特に指定のない限り、VDD＝2.7∼3.6V、GND＝0V。 表2 パラメータ ＋25℃ −40∼ ＋85℃ −40∼ ＋125℃ 単位 0V∼VDD V VDD＝2.7V Ω typ VDD＝2.7V、VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA Ω max 図18 Ω typ VDD＝2.7V、VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA テスト条件／コメント アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗（RON） 0.28 0.37 オン抵抗の平坦性（RFLAT（ON）） 0.43 0.48 0.025 0.034 0.044 0.052 Ω max VDD＝3.6V リーク電流 ソース・オフ時のリークIS（OFF） ±0.2 nA typ VS＝0.6V/3.3V、VD＝3.3V/0.6V、図19 チャンネル・オン時のリークID、IS（ON） ±0.2 nA typ VS＝VD＝0.6Vまたは3.3V、図20 デジタル入力 入力ハイレベル電圧（VINH） 2 V min 入力ローレベル電圧（VINL） 0.8 V max ±0.1 μA max 入力電流（IINLまたはIINH） デジタル入力容量（CIN） 0.005 μA typ 3.2 VIN＝VINLまたはVINH pF typ 動的特性2 tON 10.5 14 15.5 16.5 ns typ RL＝50Ω、CL＝35pF ns max VS＝1.5V、図21 ns typ RL＝50Ω、CL＝35pF tOFF 6.5 ns max VS＝1.5V、図21 電荷注入 200 pC typ VS＝1.5V、RS＝0Ω、CL＝1nF、図22 オフ・アイソレーション −54 dB typ RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝100kHz、図23 全高調波歪み （THD＋N） 0.012 % RL＝32Ω、f＝20Hz∼ 20kHz、 挿入損失 −0.02 dB typ RL＝50Ω、CL＝5pF、図24 −3dB帯域幅 21 MHz typ RL＝50Ω、CL＝5pF、図24 CS（OFF） 160 pF typ 7.8 8 8.2 VS＝3V p-p CD（OFF） 160 pF typ CD、CS（ON） 238 pF typ 電源条件 IDD VDD＝3.6V 0.003 μA typ 1 1 温度範囲：−40∼＋125℃ 2 設計により保証。出荷テストは行っていません。 REV.0 4 3 μA max デジタル入力＝0Vまたは3.6V ADG841/ADG842 仕様―2.5±0.2V1 特に指定のない限り、VDD＝2.5V ± 0.2V、GND＝0V。 表3 パラメータ ＋25℃ −40∼ ＋85℃ −40∼ ＋125℃ 単位 テスト条件／コメント アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗（RON） 0V∼VDD 0.3 0.35 オン抵抗の平坦性（RFLAT（ON）） 0.4 0.45 0.025 0.04 V Ω typ 0.05 0.05 VDD＝2.3V、VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA Ω max 図18 Ω typ VDD＝2.3V、VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA Ω max VDD＝2.7V リーク電流 ソース・オフ時のリークIS（OFF） ±0.2 nA typ VS＝0.6V/2.4V、VD＝2.4V/0.6V、図19 チャンネル・オン時のリークID、IS（ON） ±0.2 nA typ VS＝VD＝0.6Vまたは2.4V、図20 デジタル入力 入力ハイレベル電圧（VINH） 1.7 V min 入力ローレベル電圧（VINL） 0.7 V max ±0.1 μA max 入力電流（IINLまたはIINH） デジタル入力容量（CIN） 0.005 μA typ 3.2 VIN＝VINLまたはVINH pF typ 動的特性2 tON 13 16.5 tOFF 7 電荷注入 150 8.2 18 8.4 19 8.6 ns typ RL＝50Ω、CL＝35pF ns max VS＝1.5V、図21 ns typ RL＝50Ω、CL＝35pF ns max VS＝1.5V、図21 pC typ VS＝1.25V、RS＝0Ω、CL＝1nF、図22 オフ・アイソレーション −54 dB typ RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝100kHz、図23 全高調波歪み （THD＋N） 0.022 % RL＝32Ω、f＝20Hz∼20kHz、VS＝1.5Vp-p 挿入損失 −0.02 dB typ RL＝50Ω、CL＝5pF、図24 −3dB帯域幅 21 MHz typ RL＝50Ω、CL＝5pF、図24 CS（OFF） 170 pF typ CD（OFF） 170 pF typ CD、CS（ON） 238 pF typ VDD＝2.7V 電源条件 IDD 0.003 μA typ 1 1 温度範囲：−40∼＋125℃ 2 設計により保証。出荷テストは行っていません。 4 4 デジタル入力＝0Vまたは2.7V μA max REV.0 ADG841/ADG842 仕様―1.65∼1.95V1 特に指定のない限り、VDD＝1.65∼1.95V、GND＝0V。 表4 パラメータ ＋25℃ −40∼ ＋85℃ −40∼ ＋125℃ 単位 0V∼VDD V テスト条件／コメント アナログ・スイッチ アナログ信号範囲 オン抵抗（RON） オン抵抗の平坦性（RFLAT（ON）） 0.37 Ω typ VDD＝1.8V、VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA 0.4 0.84 0.84 Ω max 図18 0.6 1.8 1.8 Ω max VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA VDD＝1.65V、 Ω typ VS＝0V∼VDD、IDS＝−100mA VDD＝1.65V、 0.17 VDD＝1.95V リーク電流 ソース・オフ時のリークIS（OFF） ±0.2 nA typ VS＝0.6V/1.65V、VD＝1.65V/0.6V、図19 チャンネル・オン時のリークID、IS（ON） ±0.2 nA typ VS＝VD＝0.6Vまたは1.65V、図20 デジタル入力 入力ハイレベル電圧（VINH） 0.65 VDD V min 入力ローレベル電圧（VINL） 0.35 VDD V max ±0.1 μA max 入力電流（IINLまたはIINH） デジタル入力容量（CIN） 0.005 μA typ 4 VIN＝VINLまたはVINH pF typ 動的特性2 tON 19 26 28 30 ns typ RL＝50Ω、CL＝35pF ns max VS＝1.5V、図21 ns typ RL＝50Ω、CL＝35pF tOFF 8 ns max VS＝1.5V、図21 電荷注入 100 pC typ VS＝1V、RS＝0V、CL＝1nF、図22 オフ・アイソレーション −54 dB typ RL＝50Ω、CL＝5pF、f＝100kHz、図23 全高調波歪み （THD＋N） 0.14 % RL＝32Ω、f＝20Hz∼20kHz、VS＝1.2Vp-p 挿入損失 −0.02 dB typ RL＝50Ω、CL＝5pF、図24 −3dB帯域幅 21 MHz typ RL＝50Ω、CL＝5pF、図24 9.5 9.8 10 CS（OFF） 178 pF typ CD（OFF） 178 pF typ CD、CS（ON） 238 pF typ VDD＝1.95V 電源条件 IDD 0.003 μA typ 1 1 温度範囲：−40∼＋125℃ 2 設計により保証。出荷テストは行っていません。 REV.0 4 5 μA max デジタル入力＝0Vまたは1.95V ADG841/ADG842 絶対最大定格 特に指定のない限り、TA＝25℃。 表5 パラメータ 定格 GNDに対するVDD −0.3∼＋4.6V アナログ入力1 −0.3V∼VDD＋0.3V デジタル入力1 左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な 損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格のみを指定するも のであり、この仕様の動作セクションに記載する規定値以上でのデバイ ス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間絶対最大定格状 態に置くと、デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。 −0.3∼4.6Vまたは10mAのうち最初に 発生する方 ピーク電流、SまたはD 3.3V動作 500mA 2.5V動作 460mA 1.8V動作 420mA（最大10%デューティサイクル の1msパルス） 連続電流、SまたはD 3.3V動作 300mA 2.5V動作 275mA 1.8V動作 250mA 動作温度範囲 車載（Yバージョン） −40∼＋125℃ 保存温度範囲 −65∼＋150℃ ジャンクション温度 150℃ SC70パッケージ θJA熱抵抗 494.8℃/W リフロー・ハンダ（鉛フリー） 1 ピーク温度 260（＋0/−5） ℃ ピーク温度の時間 10∼40秒 S、またはDでの過電圧は内部ダイオードでクランプされます。電流は、規定された最 大定格に制限してください。 注意 ESD（静電放電） の影響を受けやすいデバイスです。人体や試験機器には4,000Vもの高圧の静電気が容易に蓄積され、検 知されないまま放電されることがあります。本製品は当社独自のESD保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギ ーの静電放電を被った場合、回復不能の損傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣下や機能低下を防止するため、 ESDに対する適切な予防措置を講じることをお勧めします。 6 REV.0 ADG841/ADG842 D 1 S 2 GND 3 6 ADG841/ ADG842 VDD 5 上面図 （実寸では ありません） NC 4 IN NC＝未接続 05424-002 ピン配置および機能の説明 図2. 6ピンSC70 表6 ピン機能の説明 ピン番号 記号 説明 1 D ドレイン・ピン。入力または出力 2 S ソース・ピン。入力または出力 3 GND グラウンド・リファレンス （0V） 4 IN ロジック・コントロール入力 5 NC 未接続 6 VDD 正側電源電位 REV.0 7 ADG841/ADG842 代表的な性能特性 0.350 0.50 VDD = 3.3V 0.45 IDS = 100mA TA = 25°C IDS = 100mA 0.325 0.40 +125°C VDD = 3V 0.35 +85°C オン抵抗（Ω） オン抵抗（Ω） 0.300 VDD = 3.6V 0.275 VDD = 3.3V 0.250 0.30 +25°C 0.25 –40°C 0.20 0.15 0.10 0.225 0.05 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 ソース電圧（V） 2.8 3.2 3.6 0 0 図3. VD（VS）対 オン抵抗（VDD＝3.3V ± 0.3V） 0.350 0.3 0.6 0.9 1.2 2.4 2.7 3.0 3.3 図6. さまざまな温度に対するVD（VS）対 オン抵抗（VDD＝3.3V） 0.50 TA = 25°C IDS = 100mA VDD = 2.5V 0.45 IDS = 100mA VDD = 2.3V 0.325 0.40 +125°C 0.35 オン抵抗（Ω） 0.300 オン抵抗（Ω） 1.5 1.8 2.1 ソース電圧（V） 05424-006 0 05424-003 0.200 VDD = 2.7V VDD = 2.5V 0.275 +85°C +25°C 0.30 –40°C 0.25 0.20 0.250 0.15 0.10 0.225 0 0.5 1.0 1.5 ソース電圧（V） 2.0 0 05424-004 0.200 2.5 0 図4. VD（VS）対 オン抵抗（VDD＝2.5V±0.2V） 1.0 1.5 ソース電圧（V） 0.6 2.5 VDD = 1.8V IDS = 100mA VDD = 1.65V 0.5 0.40 +85°C +125°C 0.35 0.4 オン抵抗（Ω） VDD = 1.95V 0.30 VDD = 1.8V 0.25 0.20 –40°C 0.3 +25°C 0.2 0.15 0.10 0.1 0 0 0.4 0.8 1.2 ソース電圧（V） 1.6 2.0 0 0 図5. VD（VS）対 オン抵抗（VDD＝1.8V±0.15V） 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 ソース電圧（V） 1.4 1.6 1.8 05424-008 0.05 05424-005 オン抵抗（Ω） 2.0 図7. さまざまな温度に対するVD（VS）対 オン抵抗（VDD＝2.5V） 0.50 TA = 25°C 0.45 IDS = 100mA 0.5 05424-007 0.05 図8. さまざまな温度に対するVD（VS）対 オン抵抗（VDD＝1.8V） 8 REV.0 ADG841/ADG842 450 200 TA = 25°C VDD = 3.3V 400 150 350 ID, IS (ON) VDD = 3.3V 300 電荷注入（pC） 50 ID (OFF) 250 VDD = 2.5V 200 150 0 VDD = 1.8V 100 –50 IS (OFF) –20 0 20 40 60 温度（℃） 80 100 120 0 05424-009 –100 –40 50 0 0.5 図9. リーク電流の温度特性（VDD＝3.3V） 1.0 1.5 VS (V) 2.0 2.5 05424-012 リーク （nA） 100 3.0 図12. ソース電圧 対 電荷注入 25 140 VDD = 2.5V 120 20 100 ID, IS (ON) リーク （nA） 時間（ns） 60 40 20 15 VDD = 2.5V VDD = 3.3V 10 ID (OFF) 0 VDD = 1.8V TON 80 VDD = 1.8V TOFF VDD = 3.3V 5 –20 IS (OFF) –20 0 20 40 60 80 100 120 温度（℃） 0 –40 05424-010 –60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 温度（℃） 図10. リーク電流の温度特性（VDD＝2.5V） 05424-013 VDD = 2.5V –40 図13. tON/tOFF時間の温度特性 0 60 VDD = 1.8V –1 50 TA = 25°C VDD = 3.3V/2.5V/1.8V –2 40 ID, IS (ON) –3 減衰量（dB） リーク （nA） 30 20 IS (OFF) 10 –4 –5 –6 –7 0 –8 ID (OFF) –10 0 20 40 温度 60 80 100 120 –10 100 図11. リーク電流の温度特性（VDD＝1.8V） REV.0 1k 10k 100k 周波数（Hz） 図14. 帯域幅 9 1M 10M 100M 05424-014 –20 05424-011 –20 –40 –9 ADG841/ADG842 0 –20 –40 –40 減衰量（dB） –20 –60 –80 –100 –100 1k 10k 100k 周波数（Hz） 1M 10M 100M –120 100 図15. オフ・アイソレーションの周波数特性 VDD = 3.3V / 2.5V VDD = 1.8V –60 –80 –120 100 TA = 25°C 1k 10k 100k 周波数（Hz） 1M 10M 100M 05424-017 TA = 25°C VDD = 3.3V/2.5V/1.8V 05424-015 減衰量（dB） 0 図17. AC PSRR 0.030 0.025 VDD = 1.8V; V p-p = 1V 0.015 VDD = 2.5V; V p-p = 2V 0.010 VDD = 3.3V; V p-p = 2V 0.005 0 0 2 4 6 8 10 12 周波数（Hz） 14 16 18 20 05424-016 THD + N (%) 0.020 図16. 全高調波歪み＋ノイズ 10 REV.0 ADG841/ADG842 用語の説明 CD、CS（ON） スイッチ「オン」時の容量。グラウンドを基準に測定。 IDD 正側電源電流。 VD（VS） CIN Dピン、Sピンのアナログ電圧。 デジタル入力容量。 RON tON DピンとSピンとの間の抵抗。 デジタル入力の50%ポイントからスイッチ・オン時出力の90%に到達する までの遅延時間 RFLAT（ON） tOFF 平坦性は、規定のアナログ信号範囲で測定されたオン抵抗の最大値と 最小値の差として定義されます。 デジタル入力の50%ポイントからスイッチ・オフ時出力の90%に到達する までの遅延時間 IS（OFF） スイッチ「オフ」時のソース・リーク電流。 電荷注入 オン／オフ・スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力へ伝達さ ID（OFF） れるグリッチ・インパルスの大きさ。 スイッチ「オフ」時のドレイン・リーク電流。 オフ・アイソレーション ID、IS（ON） スイッチ「オン」時のチャンネル・リーク電流。 「オフ」状態のスイッチを通過する不要信号の大きさ。 −3dB帯域幅 VINL 出力が3dB減衰したときの周波数。 ロジック 「0」の最大入力電圧。 オン応答 「オン」状態にあるスイッチの周波数応答。 VINH ロジック 「1」の最小入力電圧。 挿入損失 スイッチのオン抵抗に起因する損失。 IINL（IINH） デジタル入力の入力電流。 THD＋N CS（OFF） スイッチ「オフ」時のソース容量。グラウンドを基準に測定。 高調波振幅と信号ノイズの和の基本波に対する比。 PSRR CD（OFF） スイッチ「オフ」時のドレイン容量。グラウンドを基準に測定。 REV.0 電源電圧変動除去比。電源をデカップリングしていない場合に、電源の 不要なAC信号がスイッチ出力に混入する大きさを表します。 11 ADG841/ADG842 テスト回路 V A 05424-017 IDS VS ID (OFF) S D ID (ON) A VD VS 図18. オン抵抗 S NC 図20. オン時リーク VSS 0.1µF 0.1µF VDD VIN ADG841 50% 50% VIN 50% 50% VSS S D VOUT VS A VD 図19. オフ時リーク VDD D 05424-019 IS (OFF) D 05424-018 S RL 300Ω IN CL 35pF ADG842 90% 90% VOUT tON tOFF 05424-020 GND 図21. スイッチング時間（tON、tOFF） VDD 0.1µF VIN ADG842 D VS OFF ON VDD S VOUT VIN CL 1nF IN ADG841 VOUT ∆VOUT QINJ = CL × ∆VOUT 05424-021 GND 図22. 電荷注入 VDD 0.1µF VDD 0.1µF ネットワーク・ アナライザ S 50Ω ネットワーク・ アナライザ VDD IN VS 50Ω D RL 50Ω GND S IN VOUT 50Ω VS 50Ω D VIN RL 50Ω GND ADG841 – VIN = 0 ADG842 – VIN = 1 VIN VOUT VS 05424-022 オフ・アイソレーション＝20LOG VOUT 挿入損失＝20LOG 図23. オフ・アイソレーション スイッチありのVOUT スイッチなしのVOUT 05424-023 VDD 図24. 帯域幅 12 REV.0 ADG841/ADG842 外形寸法 1.35 1.25 1.15 6 5 4 1 2 3 TDS01/2006/PDF 2.20 2.00 1.80 2.40 2.10 1.80 1番ピン 0.65 BSC 1.30 BSC 1.00 0.90 0.70 1.10 0.80 0.10 MAX 0.30 0.15 0.40 0.10 実装面 0.22 0.08 0.30 0.10 0.10 平坦性 JEDEC規格MO-203-ABに準拠 図25. 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・ トランジスタ[SC70] （KS-6） 寸法表示：mm オーダー・ガイド 製品モデル 温度範囲 パッケージ パッケージ・ オプション マーキング1 ADG841YKSZ-500RL72 −40∼＋125℃ 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ （SC70） KS-6 SVA ADG841YKSZ-REEL2 −40∼＋125℃ 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ （SC70） KS-6 SVA ADG841YKSZ-REEL72 −40∼＋125℃ 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ （SC70） KS-6 SVA ADG842YKSZ-500RL72 −40∼＋125℃ 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ （SC70） KS-6 SWA ADG842YKSZ-REEL2 −40∼＋125℃ 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ （SC70） KS-6 SWA ADG842YKSZ-REEL2 −40∼＋125℃ 6ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・トランジスタ （SC70） KS-6 SWA 1 このパッケージのマーキングはスペースの制約から3文字に制限されています。 2 Z＝鉛フリー製品 REV.0 13 D05424-0-4/05(0)-J