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DAN601 / DAP601 (200 mW)
DAN601 / DAP601 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-04-15
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
3.5±0.2
18±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
6.6±0.2
Type
Typ
18 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
6 x 2.54
3
4
5
0.6 g
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
2
80 V
7-pin Plastic case
7-Pin Kunststoffgehäuse
Ø 0.5
3.5
1
200 mW
6
7
1
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden
2
3
4
5
6
7
“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DAN601
80
80
DAP601
80
80
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
TA = 25°C
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
TA = 25°C
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
IFAV
IFAV
100 mA 2)
33 mA 2)
IFAV
IFAV
100 mA 2)
33 mA 2)
IFSM
500 mA
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DAN601 / DAP601 (200 mW)
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 10 mA
VF
< 1.0 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = 20 V
IR
< 25 nA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
RthC
< 85 K/W 2)
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
60
10
-2
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
1
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
2
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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