DAN801 / DAP801 (200 mW) DAN801 / DAP801 (200 mW) Small Signal Diode Arrays Diodensätze mit Allzweckdioden Version 2008-06-06 24 ±0.2 Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 3.5 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.5 6.6 Type / Typ 4 5 6 0.6 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] 3 24 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 8 x 2.54 2 80 V 9-pin Plastic case 9-Pin Kunststoffgehäuse Ø 0.5 1 200 mW 7 8 9 2 “DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden 4 5 6 7 8 “DAP” common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1) DAN801 80 80 DAP801 80 80 Max. average forward rectified current, R-load for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25°C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last für eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden TA = 25°C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 9 IFAV IFAV 100 mA 2) 25 mA 2) IFAV IFAV 100 mA 2) 25 mA 2) IFSM 500 mA Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DAN801 / DAP801 (200 mW) Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 10 mA VF < 1.0 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 20 V IR < 25 nA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to IR = 1 mA trr < 4 ns RthC < 85 K/W 2) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 2 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG