SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA fexf6626 fex06626 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 213) und bei 880 nm (SFH 213 FA) ● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 213) and of 880 nm (SFH 213 FA) ● Short switching time (typ. 5 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen Applications ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” ● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems ● LWL Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 213 Q62702-P930 SFH 213 FA Q62702-P1671 Semiconductor Group 1 03.96 SFH 213 SFH 213 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 300 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 213 SFH 213 FA S 135 (≥ 100) – nA/Ix S – 90 (≥ 65) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ...1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 1×1 1×1 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 5.1 ... 5.7 5.1 ... 5.7 mm Semiconductor Group 2 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 L×W SFH 213 SFH 213 FA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 213 SFH 213 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle ϕ ± 10 ± 10 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.89 0.86 Electrons Photon VO 430 (≥ 350) – mV VO – 380 (≥ 300) mV ISC 125 – µA ISC – 42 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 5 5 ns Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A λ = 870 nm TCI Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm NEP 2.9 × 10– 14 2.9 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit D* 3.5 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm %/K 0.18 – – 0.2 3.5 × 1012 SFH 213 SFH 213 FA Relative spectral sensitivity SFH 213 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity SFH 213 FA Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 213 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) SFH 213 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4