SFH 313 SFH 313 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (Transistor) 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA) ● Hohe Linearität ● 5 mm-Plastikbauform 460 nm to 1080 nm (SFH 313) and of 880 nm (SFH 313 FA) ● High linearity ● 5 mm plastic package Anwendungen Applications ● Computer-Blitzlichtgeräte ● Lichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits 1997-11-27 SFH 313 SFH 313 FA Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 313 SFH 313-2 SFH 313-3 Q62702-P1667 Q62702-P1751 Q62702-P1752 SFH 313 FA SFH 313 FA-2 SFH 313 FA-3 Q62702-P1674 Q62702-P1753 Q62702-P1754 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Semiconductor Group 2 1997-11-27 SFH 313 SFH 313 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 313 SFH 313 FA 870 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 460 ... 1080 740 ... 1080 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.55 0.55 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 1×1 1×1 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 5.1 ... 5.7 5.1 ... 5.7 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 10 ± 10 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 15 15 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 10 (≤ 200) 10 (≤ 200) nA IPCE IPCE ≥ 2.5 30 ≥ 2.5 – mA mA Fotostrom Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Semiconductor Group 3 nm 1997-11-27 SFH 313 SFH 313 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Wert Value Einheit Unit -1 -2 -3 IPCE 2.5 ... 5 4 ... 8 6.3 ... 12.5 ≥ 10 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 8 10 12 14 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 150 mV Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V 1) 1) -4 IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF02330 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-27 SFH 313 SFH 313 FA TA = 25 °C, λ = 950 nm Rel.spectral sensitivity SFH 313, Srel = f (λ) OHF02332 100 Rel.spectr.sensitivity SFH 313FA, Srel= f(λ) Dark current, ICEO = f (VCE), E = 0 OHF02331 100 S rel % S rel % 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25oC Ι PCE 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Ι CEO 10 1 10 0 10 -1 10 -2 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF01524 1.6 0 OHF02337 10 2 mA 20 30 40 50 V 70 V CE OHF02344 50 C CE pF 1.4 40 10 1 1.2 10 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz Ι PCE Ι PCE 25 OHF02341 10 2 nA 1.0 30 10 0.8 0 20 0.6 10 -1 0.4 10 0.2 0 -25 0 25 50 75 C 100 TA OHF02336 mW/cm 2 Ee 1 mW cm 2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF02342 10 2 nA Ptot OHF02340 250 mW 200 10 1 0.5 0 -2 10 10 0 Ι CEO Ι PCE 10 10 -2 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 Photocurrent IPCE= f (VCE) E = parameter 10 2 mA 10 -2 -3 10 mW cm 2 150 1 0.25 10 mW cm 2 0 100 mW 0.1 2 cm 10 -1 50 10 0 10 -2 0 10 20 30 40 50 Semiconductor Group V 70 VCE 0 20 40 5 60 80 ˚C 100 TA 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 1997-11-27