IRL 81 A IRL 81 A feof6461 GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich ● Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung ● Preisgünstig ● Lange Lebensdauer (Langzeitstabilität) ● Weiter Öffnungskegel (± 25°) ● Passend zu Fototransistor LPT 80 A Features ● GaAIAs infrared emitting diode in the near infrared range ● Clear plastic package with lateral emission ● Cost-effective ● Long-term stability ● Wide beam (± 25°) ● Matches phototransistor LPT 80 A Anwendungen Applications ● Fertigungs- und Kontrollanwendungen ● For a variety of manufacturing and der Industrie, die eine Unterbrechung des Lichtstrahls erfordern ● Lichtschranken monitoring applications which require beam interruption ● Light barriers Typ Type Bestellnummer Ordering Code IRL 81 A Q68000-A8000 Semiconductor Group 1 10.95 IRL 81 A Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW 1.33 mW/°C RthJA 375 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung bei Imax Wavelength of peak emission λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax ∆λ 36 ... 44 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 25 Grad deg. Durchlaßspannung, IF = 20 mA Forward voltage VF 1.5 (≤ 2.0) V Strahlstärke1), IF = 20 mA Radiant intensity Ie ≥ 1.0 mW/sr Gesamtstrahlungsfluß, IF = 20 mA Total radiant flux Φe 1.5 mW Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 °C Derate above, TA > 25 °C Wärmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1) 1) Ein Silizium-Empfänger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet. A 1 cm2 silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is used. Semiconductor Group 2 IRL 81 A Relative spectral emission Irel = f (λ) Max. forward current IF = f (TA) Directional characteristics Irel = f (ϕ) Semiconductor Group 3 Forward current IF = f (VF)