单通道、128/64/32位、升/降接口、 ±8%电阻容差、非易失性数字电位计 AD5111/AD5113/AD5115 特性 功能框图 标称电阻容差误差：±8%(最大值) VDD 游标电流：±6 mA AD5111/ AD5113/ AD5115 POWER-ON RESET 可变电阻器模式下的温度系数： 35 ppm/°C 低功耗：2.5mA(最大值，2.7 V且125℃) 上电EEPROM刷新时间：< 50 μs 125°C时典型数据保留期：50年 100万写周期 W CLK DATA EN CS B EEPROM UP/DOWN CONTROL LOGIC DATA U/D RDAC REGISTER 09654-001 宽带宽：4 MHz(5 kΩ选项) A 电源电压：2.3 V至5.5 V GND 片选引脚支持多器件工作 图1. 宽工作温度范围：-40℃至+125℃ 2 mm × 2 mm × 0.55 mm、8引脚超薄LFCSP封装 应用 机械电位计的替代产品 便携式电子设备的电平调整 音量控制 低分辨率DAC LCD面板亮度与对比度控制 可编程电压至电流转换 可编程滤波器、延迟、时间常数 表1. ±8%电阻容差系列 型号 AD5110 AD5111 AD5112 AD5113 AD5116 AD5114 AD5115 电阻(kΩ) 10, 80 10, 80 5, 10, 80 5, 10, 80 5, 10, 80 10, 80 10, 80 位 128 128 64 64 64 32 32 接口 I2C 升/降 I2C 升/降 按钮 I2C 升/降 反馈电阻的可编程电源 传感器校准 概述 AD5111/AD5113/AD5115为128/64/32位调整应用提供一种 新的低游标电阻特性将电阻阵列两个极值之间的游标电阻 非易失性解决方案，保证±8%的低电阻容差误差，A、B和 降低至45 Ω(典型值)。 W引脚提供最高±6 mA的电流密度。低电阻容差、低标称 简单的3线升降式接口支持手动切换或时钟速率高达50 MHz 温度系数和高带宽特性可以简化开环应用和容差匹配 应用。 的高速数字控制。 AD5111/AD5113/AD5115采用2 mm × 2 mm LFCSP封装，保 证工作温度范围为−40°C至+125°C的扩展工业温度范围。 Rev. A Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 www.analog.com Fax: 781.461.3113 ©2011–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 AD5111/AD5113/AD5115 目录 特性.....................................................................................................1 测试电路 ......................................................................................... 17 应用.....................................................................................................1 工作原理 ......................................................................................... 18 功能框图 ............................................................................................1 RDAC寄存器和EEPROM ...................................................... 18 概述.....................................................................................................1 基本操作.................................................................................... 18 修订历史 ............................................................................................2 低游标电阻特性....................................................................... 18 技术规格 ............................................................................................3 关断模式.................................................................................... 18 电气特性—AD5111 ....................................................................3 EEPROM写操作....................................................................... 18 电气特性—AD5113 ....................................................................5 RDAC架构................................................................................. 19 电气特性—AD5115 ....................................................................7 可变电阻编程 ........................................................................... 19 接口时序规格 ..............................................................................9 电位计分压器编程 .................................................................. 20 时序图 ...........................................................................................9 端电压范围 ............................................................................... 20 绝对最大额定值............................................................................ 10 上电时序.................................................................................... 21 热阻 ............................................................................................ 10 布局布线和电源偏置.............................................................. 21 ESD警告..................................................................................... 10 外形尺寸 ......................................................................................... 22 引脚配置和功能描述 ................................................................... 11 订购指南.................................................................................... 22 典型工作特性 ................................................................................ 12 修订历史 2012年4月—修订版0至修订版A 更改特性部分 ...................................................................................1 更改表2中的正电源电流................................................................3 更改表3中的正电源电流................................................................5 更改表4中的正电源电流................................................................7 更新外形尺寸部分 ....................................................................... 22 2011年10月—修订版0：初始版 Rev. A | Page 2 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 技术规格 电气特性—AD5111 10 kΩ和80 kΩ版本：除非另有说明，VDD = 2.3 V至5.5 V，VA = VDD，VB = 0 V，−40°C < TA < +125°C。C 表2. 参数 直流特性—可变电阻器模式 分辨率 电阻积分非线性2 电阻差分非线性2 标称电阻容差 电阻温度系数3 游标电阻 直流特性—电位计分 压器模式 积分非线性4 差分非线性4 满量程误差 零电平误差 分压器温度系数3 电阻端 最大连续IA、IB和IW电流3 符号 N R-INL R-DNL ∆R AB/RAB (∆RAB/RAB)/∆T × 106 RW RBS RTS INL DNL VWFSE VWZSE (∆V W/VW)/∆T × 10 6 CA, CB 电容W3, 6 CW EEMEM存储电流3, 7 EEMEM读取电流3, 8 功耗9 电源抑制3 RAB = 10 kΩ, VDD = 2.3 V至2.7 V RAB = 10 kΩ, VDD = 2.7 V至5.5 V RAB = 80 kΩ 最小值 典型值1 最大值 7 −2.5 −1 −0.5 −1 −8 ±0.5 ±0.25 ±0.1 ±0.25 代码 = 零电平 代码 = 底部量程 代码 = 顶部量程 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 代码 = 半量程 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 端电压范围5 电容A、电容B3, 6 共模漏电流3 数字输入 输入逻辑3 高电平 低电平 输入电流3 输入电容3 电源 单电源电压范围 正电源电流 测试条件/注释 f = 1 MHz，针对GND测量， 代码 = 半量程 f = 1 MHz，针对GND测量， 代码 = 半量程 VA = VW = VB VINH VINL IN CIN −0.5 −0.5 −2.5 −1.5 35 70 45 70 140 80 140 ±0.15 ±0.15 +0.5 +0.5 1.5 0.5 ±10 −6 −1.5 GND −500 +6 +1.5 VDD IDD_NVM_STORE IDD_NVM_READ PDISS 35 pF ±15 +500 nA 0.8 ±1 V V µA pF 5 VIH = VDD或VIL = GND DD SS = 5 V ± 10% RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ Rev. A | Page 3 of 24 LSB LSB LSB LSB LSB LSB ppm/°C 20 2 VIH = VDD 或V IL = GND, VDD = 5 V VIH = VDD 或V IL = GND, VDD = 2.7 V VIH = VDD 或V IL = GND, VDD = 2.3 V Bits LSB LSB LSB LSB % ppm/°C Ω Ω Ω mA mA V pF 2.3 IDD +2.5 +1 +0.5 +1 +8 单位 2 320 5 V mA mA mA mA µA µW −50 −64 dB dB 0.75 5.5 3.5 2.5 2.4 AD5111/AD5113/AD5115 参数 动态特性3, 10 带宽 总谐波失真 VW建立时间 电阻噪声密度 FLASH/EE存储器可靠性3 耐久性11 符号 测试条件/注释 BW 代码 = 半量程，−3 dB RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ VA = VDD/2 + 1 V rms, VB = VDD/ 2, f = 1 kHz,代码 = 半量程 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ VA = 5 V, VB = 0 V, ±0.5 LSB 误差带 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 代码 = 半量程, TA = 25°C, f = 100 kHz RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ THD ts eN_WB 最小值 TA = 25°C 典型值1 最大值 单位 2 200 MHz kHz −80 −85 dB dB 3 12 µs µs 9 20 nV/√Hz nV/√Hz 1 百万周期 千周期 年 100 50 数据保留期12 典型值代表25°C、VDD = 5 V、VSS = 0 V且VLOGIC = 5 V时的读数平均值。 R-INL是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃变化。最大游标电阻限制 在0.8 × VDD/RAB。 3 通过设计和特性保证，但未经生产测试。 4 INL和DNL在VWB处测得，条件是将RDAC配置为类似于电压输出DAC的电位计分压器。VA = VDD且VB = 0 V。单调性工作条件保证DNL规格限值为±1 LSB(最大值)。 5 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有电流方向限制。 6 CA测量条件为VW = VA = 2.5 V，CB测量条件为VW = VB = 2.5 V，CW测量条件为VA = VB = 2.5 V。 7 与工作电流不同，NVM编程的电源电流持续约30 ms。 8 与工作电流不同，NVM读取的电源电流持续约20 μs。 9 PDISS可通过(IDD × VDD)计算。 10 所有动态特性均采用VDD = 5.5 V且VLOGIC = 5 V。 11 耐久性在150°C时依据JEDEC 22标准方法A117认定为100,000个周期。 12 根据JEDEC 22标准方法A117，保持期限相当于125℃结温(TJ)时的寿命。保持期限(基于1 eV的激活能)随Flash/EE存储器的结温递减。 1 2 Rev. A | Page 4 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 电气特性—AD5113 5 kΩ、10 kΩ和80 kΩ版本：除非另有说明，VDD = 2.3 V至5.5 V，VA = VDD，VB = 0 V，−40°C < TA < +125°C。 表3. 参数 直流特性—可变电阻器模式 分辨率 电阻积分非线性2 电阻差分非线性2 标称电阻容差 电阻温度系数3 游标电阻 直流特性—电位计分 压器模式 积分非线性4 差分非线性4 满量程误差 零电平误差 分压器温度系数3 电阻端 最大连续IA、IB和IW 电流3 符号 N R-INL R-DNL ∆R AB/RAB (∆R AB/RAB)/∆T × 10 6 RW RBS RTS INL DNL VWFSE VWZSE (∆V W/VW)/∆T × 10 6 CA, CB 电容W3, 6 CW EEMEM存储电流3, 7 EEMEM读取电流3, 8 功耗9 电源抑制3 RAB = 5 kΩ, VDD = 2.3 V至2.7 V RAB = 5 kΩ, VDD = 2.7 V至5.5 V RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 最小值 典型值1 最大值 6 −2.5 −1 −1 −0.25 −1 −8 ±0.5 ±0.25 ±0.25 ±0.1 ±0.25 代码 = 零电平 代码 = 底部量程 代码 = 顶部量程 RAB = 5 kΩ RAB =10 kΩ RAB = 80 kΩ RAB = 5 kΩ RAB =10 kΩ RAB = 80 kΩ 代码 = 半量程 RAB = 5 kΩ, 10 kΩ RAB = 80 kΩ 端电压范围5 电容A、电容B3, 6 共模漏电流3 数字输入 输入逻辑3 高电平 低电平 输入电流3 输入电容3 电源 单电源电压范围 正电源电流 测试条件/注释 f = 1 MHz，针对GND测量， 代码 = 半量程 f = 1 MHz，针对GND测量， 代码 = 半量程 VA = VW = VB VINH VINL IN CIN −0.5 −0.5 −2.5 −1.5 −1 35 70 45 70 140 80 140 ±0.15 ±0.15 +0.5 +0.5 1.5 1 0.25 ±10 −6 −1.5 GND −500 +6 +1.5 VDD IDD_NVM_STORE IDD_NVM_READ PDISS 35 pF ±15 +500 nA 0.8 ±1 V V µA pF 5 VIH = VDD 或VIL = GND DD SS = 5 V ± 10% RAB = 5 kΩ RAB =10 kΩ RAB = 80 kΩ Rev. A | Page 5 of 24 LSB LSB LSB LSB LSB LSB LSB LSB ppm/°C 20 2 VIH = VDD 或VIL = GND, VDD = 5 V VIH = VDD 或VIL = GND, VDD = 2.7 V VIH = VDD 或VIL = GND, VDD = 2.3 V Bits LSB LSB LSB LSB LSB % ppm/°C Ω Ω Ω mA mA V pF 2.3 IDD +2.5 +1 +1 +0.25 +1 +8 单位 2 320 5 V mA mA mA mA µA µW −43 −50 −64 dB dB dB 0.75 5.5 3.5 2.5 2.4 AD5111/AD5113/AD5115 参数 动态特性3, 10 带宽 总谐波失真 VW建立时间 电阻噪声密度 FLASH/EE存储器可靠性3 耐久性11 符号 测试条件/注释 BW 代码 = 半量程，−3 dB RAB = 5 kΩ RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ VA = VDD/2 + 1 V rms, VB = VDD/2, f = 1 kHz,代码 = 半量程 RAB = 5 kΩ RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ VA = 5 V, VB = 0 V, ±0.5 LSB误差带 RAB = 5 kΩ RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 代码 = 半量程，TA = 25°C, f = 100 kHz RAB = 5 kΩ RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ THD ts eN_WB 最小值 TA = 25°C 典型值1 最大值 单位 4 2 200 MHz MHz kHz −75 −80 −85 dB dB dB 2.5 3 10 µs µs µs 7 9 20 nV/√Hz nV/√Hz nV/√Hz 1 百万周期 千周期 年 100 50 数据保留期12 典型值代表25°C、VDD = 5 V、VSS = 0 V且VLOGIC = 5 V时的读数平均值。 R-INL是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃变化。最大游标电阻限制 在0.8 × VDD/RAB。 3 通过设计和特性保证，但未经生产测试。 4 INL和DNL在VWB处测得，条件是将RDAC配置为类似于电压输出DAC的电位计分压器。VA = VDD且VB = 0 V。单调性工作条件保证DNL规格限值为±1 LSB(最大值)。 5 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有电流方向限制。 6 CA测量条件为VW = VA = 2.5 V，CB测量条件为VW = VB = 2.5 V，CW测量条件为VA = VB = 2.5 V。 7 与工作电流不同，NVM编程的电源电流持续约30 ms。 8 与工作电流不同，NVM读取的电源电流持续约20 μs。 9 PDISS可通过(IDD × VDD)计算。 10 所有动态特性均采用VDD = 5.5 V且VLOGIC = 5 V。 11 耐久性在150°C时依据JEDEC 22标准方法A117认定为100,000个周期。 12 根据JEDEC 22标准方法A117，保持期限相当于125℃结温(TJ)时的寿命。保持期限(基于1 eV的激活能)随Flash/EE存储器的结温递减。 1 2 Rev. A | Page 6 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 电气特性—AD5115 10 kΩ和80 kΩ版本：除非另有说明，VDD = 2.3 V至5.5 V，VA = VDD，VB = 0 V，−40°C < TA < +125°C。 表4. 参数 直流特性—可变电阻器模式 分辨率 电阻积分非线性2 电阻差分非线性2 标称电阻容差 电阻温度系数3 游标电阻 直流特性—电位计分 压器模式 积分非线性4 差分非线性4 满量程误差 零电平误差 分压器温度系数3 电阻端 最大连续IA、IB和IW电流3 符号 N R-INL R-DNL ∆R AB/RAB (∆R AB/RAB)/∆T × 10 6 RW RBS RTS INL DNL VWFSE VWZSE (∆V W/VW)/∆T × 10 6 CA, CB 电容W3, 6 CW EEMEM存储电流3, 7 EEMEM读取电流3, 8 功耗9 电源抑制3 最小值 典型值1 最大值 5 −0.5 −0.25 −8 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 代码 = 半量程 f = 1 MHz，针对GND测量， 代码 = 半量程 f = 1 MHz，针对GND测量， 代码 = 半量程 VA = VW = VB VINH VINL IN CIN +0.5 +0.25 +8 35 70 45 70 代码 = 零电平 代码 = 底部量程 代码 = 顶部量程 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 端电压范围5 电容A、电容B3, 6 共模漏电流3 数字输入 输入逻辑3 高电平 低电平 输入电流3 输入电容3 电源 单电源电压范围 正电源电流 测试条件/注释 −0.25 −0.25 −1 −0.5 +0.25 +0.25 1 0.25 ±10 −6 −1.5 GND −500 +6 +1.5 VDD IDD_NVM_STORE IDD_NVM_READ PDISS 35 pF ±15 +500 nA 0.8 ±1 V V µA pF 5 VIH = VDD或VIL = GND DD SS = 5 V ± 10% RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ Rev. A | Page 7 of 24 LSB LSB LSB LSB LSB LSB ppm/°C 20 2 VIH = VDD或VIL = GND, VDD = 5 V VIH = VDD或VIL = GND, VDD = 2.7 V VIH = VDD或VIL = GND, VDD = 2.3 V Bits LSB LSB % ppm/°C Ω Ω Ω mA mA V pF 2.3 IDD 140 80 140 单位 2 320 5 V mA mA mA mA µA µW −50 −64 dB dB 0.75 5.5 3.5 2.5 2.4 AD5111/AD5113/AD5115 参数 动态特性3, 10 带宽 总谐波失真 VW建立时间 电阻噪声密度 FLASH/EE存储器可靠性3 耐久性11 符号 测试条件/注释 BW 代码 = 半量程，−3 dB RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ VA = VDD/2 + 1 V rms, VB = VDD/2, f = 1 kHz,代码 = 半量程 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ VA = 5 V, VB = 0 V, ±0.5 LSB误差 带 RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ 代码 = 半量程, TA = 25°C, f = 100 kHz RAB = 10 kΩ RAB = 80 kΩ THD ts eN_WB 最小值 TA = 25°C 典型值1 最大值 单位 2 200 MHz kHz −80 −85 dB dB 2.7 9.5 µs µs 9 20 nV/√Hz V 1 百万周期 千周期 年 100 50 数据保留期12 典型值代表25°C、VDD = 5 V、VSS = 0 V且VLOGIC = 5 V时的读数平均值。 R-INL是指在最大电阻和最小电阻游标位置之间测得的值与理想值的偏差。R-DNL衡量连续抽头位置之间相对于理想位置的相对阶跃变化。最大游标电阻限制 在0.8 × VDD/RAB。 3 通过设计和特性保证，但未经生产测试。 4 INL和DNL在VWB处测得，条件是将RDAC配置为类似于电压输出DAC的电位计分压器。VA = VDD且VB = 0 V。单调性工作条件保证DNL规格限值为±1 LSB(最大值)。 5 电阻端A、电阻端B和电阻端W彼此没有电流方向限制。 6 CA测量条件为VW = VA = 2.5 V，CB测量条件为VW = VB = 2.5 V，CW测量条件为VA = VB = 2.5 V。 7 与工作电流不同，NVM编程的电源电流持续约30 ms。 8 与工作电流不同，NVM读取的电源电流持续约20 μs。 9 PDISS可通过(IDD × VDD)计算。 10 所有动态特性均采用VDD = 5.5 V且VLOGIC = 5 V。 11 耐久性在150°C时依据JEDEC 22标准方法A117认定为100,000个周期。 12 根据JEDEC 22标准方法A117，保持期限相当于125℃结温(TJ)时的寿命。保持期限(基于1 eV的激活能)随Flash/EE存储器的结温递减。 1 2 Rev. A | Page 8 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 接口时序规格 除非另有说明，VDD = 2.3 V至5.5 V，所有规格均相对于TMIN至TMAX而言。 表5. 参数 fCLK 测试条件/注释 VDD ≥ 2.7 V VDD < 2.7 V t1 t2 最小值 典型值 最大值 50 25 25 10 20 10 20 15 6 20 40 15 12 24 12 1 15 50 VDD ≥ 2.7 V VDD < 2.7 V VDD ≥ 2.7 V VDD < 2.7 V t3 t4 t5 t6 VDD ≥ 2.7 V VDD < 2.7 V t7 t8 VDD ≥ 2.7 V VDD < 2.7 V t9 t10 tEEPROM_PROGRAM 1 tPOWER_UP 2 1 2 50 单位 MHz MHz ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns ns µs ms 描述 时钟频率 µs EEPROM上电恢复时间 CS建立时间 CLK低电平时间 CLK高电平时间 U/D建立时间 U/D保持时间 CS上升至CLK保持时间 CS 上升沿至下一CLK被忽略 U/D最短脉冲时间 U/D上升沿至CLK下降沿 CS最短时间 存储器编程时间 EEPROM编程时间取决于温度和EEPROM写入周期。温度越低且写入周期越长，时序性能就越高。 VDD等于2.3 V后的最长时间。 时序图 t3 t2 t1 t10 t6 t1 CS t9 t6 CS t7 CLK t4 CLK t5 RWB t8 t6 CS CLK tEEPROM_PROGRAM DATA NEW DATA 09654-003 U/D EEPROM U/D 图4. 关断模式时序 图2. 递增/递减模式时序 t1 09654-004 09654-002 U/D 图3. 存储模式时序 Rev. A | Page 9 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 绝对最大额定值 除非另有说明，TA = 25°C。 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 坏。这只是额定最值，不表示在这些条件下或者在任何其 表6. 参数 VDD至GND VLOGIC至GND VA, VW, VB至GND IA, IW, IB 脉冲驱动1 频率> 10 kHz RAW = 5 kΩ和10 kΩ RAW = 80 kΩ 频率≤ 10 kHz RAW = 5 kΩ和10 kΩ RAW = 80 kΩ 连续 RAW = 5 kΩ和10 kΩ RAW = 80 kΩ 数字输入U/D, CLK,和CS 工作温度范围3 最大结温(TJ Max) 存储温度范围 回流焊 峰值温度 峰值温度时间 封装功耗 1 2 3 额定值 –0.3 V至+7.0 V –0.3 V至+7.0 V GND − 0.3 V至VDD + 0.3 V 它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，器件能 够正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器 件的可靠性。 热阻 θJA由JEDEC规格JESD-51定义，其值取决于测试板和测试 环境。 ±6 mA/d ±1.5 mA/d2 2 表7. 热阻 封装类型 8引脚 LFCSP ±6 mA/√d2 ±1.5 mA/√d2 1 ±6 mA ±1.5 mA −0.3 V至+7 V或VDD + 0.3 V (取较小者) −40°C至+125°C 150°C −65°C至+150°C θJA 901 θJC 25 单位 °C/W JEDEC 2S2P测试板，静止空气(0 m/s气流)。 ESD警告 260°C 20秒至40秒 (TJ max − TA)/θJA 最大端电流受以下几个方面限制：开关的最大电流处理能力、封装的最 大功耗以及给定电阻条件下可在A、B和W端中任意两个之间施加的最大 电压。 脉冲占空系数。 包括对EEPROM存储器进行编程。 Rev. A | Page 10 of 24 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放 电。尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇 到高能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采 取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功 能丧失。 AD5111/AD5113/AD5115 引脚配置和功能描述 图5. 引脚配置 表8. 引脚功能描述 引脚编号 1 2 3 4 5 6 引脚名称 VDD A W B GND CLK 7 8 U/D CS EPAD 描述 正电源。此引脚应通过0.1 μF陶瓷电容和10 μF电容去耦。 RDAC的A端。 GND ≤ VA ≤ VDD. RDAC的游标端。 GND ≤ VW ≤ VDD. RDAC的B端。 GND ≤ VB ≤ VDD. 接地引脚，逻辑地基准点。 时钟输入。每个时钟脉冲递增或递减电阻。方向由U/D引脚的状态确定。CLK为负边沿触发。 数据能够以最高50 MHz的速率传输。 升降选择计数器控制。 片选。低电平有效。 裸露焊盘。裸露焊盘内部浮空。 Rev. A | Page 11 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 典型工作特性 0.10 10kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 0.08 10kΩ, –40°C 10kΩ, +25°C 10kΩ, +125°C 80kΩ, –40°C 80kΩ, +25°C 80kΩ, +125°C 0.01 0 –0.01 0.04 R-DNL (LSB) 0.02 0 –0.02 –0.03 –0.04 –0.02 119 127 112 98 105 91 84 77 70 63 56 49 42 35 28 21 0 CODE (Decimal) 图6. R-INL与代码的关系(AD5111) 09654-010 CODE (Decimal) 09654-007 119 127 112 98 105 91 84 77 70 56 63 49 42 35 28 21 14 –0.07 0 –0.06 7 –0.06 7 –0.05 –0.04 14 R-INL (LSB) 0.06 0.02 –40°C +25°C +125°C –40°C +25°C +125°C 图9. R-DNL与代码的关系(AD5111) 0.08 0.02 5kΩ, –40°C 5kΩ, +25°C 5kΩ, +125°C 10kΩ, –40°C 80kΩ, –40°C 10kΩ, +25°C 80kΩ, +25°C 10kΩ, +125°C 80kΩ, +125°C 0.01 0.06 0 0.04 R-DNL (LSB) 0 5kΩ, –40°C 5kΩ, +25°C 5kΩ, +125°C 10kΩ, –40°C 10kΩ, +25°C 10kΩ, +125°C 80kΩ, –40°C 80kΩ, +25°C 80kΩ, +125°C –0.04 –0.03 –0.04 –0.05 –0.06 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60 63 CODE (Decimal) –0.07 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60 63 CODE (Decimal) 图7. R-INL与代码的关系(AD5113) 0.004 0.020 10kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 0.015 –40°C +25°C +125°C –40°C +25°C +125°C 0.002 0 –0.002 R-DNL (LSB) 0.010 0.005 0 –0.005 –0.006 –0.008 –0.010 –0.014 –0.010 –0.015 –0.004 –0.012 –0.016 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 31 CODE (Decimal) 09654-009 R-INL (LSB) 图10. R-DNL与代码的关系(AD5113) –0.018 10kΩ, –40°C 80kΩ, –40°C 0 2 4 6 8 10kΩ, +25°C 80kΩ, +25°C 10kΩ, +125°C 80kΩ, +125°C 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 31 CODE (Decimal) 图11. R-DNL与代码的关系(AD5115) 图8. R-INL与代码的关系(AD5115) Rev. A | Page 12 of 24 09654-012 –0.06 –0.02 09654-011 –0.02 09654-008 R-INL (LSB) –0.01 0.02 AD5111/AD5113/AD5115 0.08 10kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 0.06 0.04 0.02 –40°C +25°C +125°C –40°C +25°C +125°C 0.01 0 –0.01 DNL (LSB) 0 –0.02 –0.02 –0.03 –0.04 –0.04 –0.05 0.02 5kΩ, –40°C 5kΩ, +25°C 5kΩ, +125°C 10kΩ, –40°C 10kΩ, +25°C 10kΩ, +125°C 80kΩ, –40°C 80kΩ, +25°C 80kΩ, +125°C –0.05 09654-014 –0.06 图13. INL与代码的关系(AD5113) 119 127 112 98 105 91 77 70 63 56 42 84 80kΩ, +125°C 图16. DNL与代码的关系(AD5113) 0.004 –40°C +25°C +125°C –40°C +25°C +125°C 10kΩ, –40°C 10kΩ, +25°C 10kΩ, +125°C 80kΩ, –40°C 80kΩ, +25°C 80kΩ, +125°C 0.002 0 DNL (LSB) –0.002 0 –0.005 –0.004 –0.006 –0.008 –0.010 –0.010 –0.020 –0.014 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 31 CODE (Decimal) 图14. INL与代码的关系(AD5115) –0.016 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 CODE (Decimal) 24 26 28 31 图17. DNL与代码的关系(AD5115) Rev. A | Page 13 of 24 09654-018 –0.012 –0.015 09654-015 INL (LSB) 0.005 80kΩ, +25°C 80kΩ, –40°C 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60 63 CODE (Decimal) 09654-017 –0.06 0.010 49 –0.03 –0.04 10kΩ, 10kΩ, 10kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 80kΩ, 35 –0.02 –0.04 0.015 5kΩ, +125°C 10kΩ, +125°C –0.01 –0.02 0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 33 36 39 42 45 48 51 54 57 60 63 CODE (Decimal) 5kΩ, +25°C 10kΩ, +25°C 0 0 –0.08 5kΩ, –40°C 10kΩ, –40°C 0.01 DNL (LSB) INL (LSB) 0.02 10kΩ, +125°C 80kΩ, +125°C 图15. DNL与代码的关系(AD5111) 0.08 0.04 10kΩ, +25°C 80kΩ, +25°C CODE (Decimal) 图12. INL与代码的关系(AD5111) 0.06 28 21 14 0 10kΩ, –40°C 80kΩ, –40°C 09654-016 CODE (Decimal) 09654-013 119 127 112 98 105 91 84 77 70 63 56 49 42 35 28 21 –0.07 14 –0.08 0 –0.06 7 –0.06 7 INL (LSB) 0.02 AD5111/AD5113/AD5115 800 1.2 VDD = 2.3V VDD = 3.3V VDD = 5V 700 VDD = 5V VDD = 3.3V VDD = 2.3V TA = 25°C 1.0 SUPPLY CURRENT (mA) SUPPLY CURRENT (nA) 600 500 400 300 200 0.8 0.6 0.4 100 0.2 –10 5 35 65 20 50 TEMPERATURE (°C) 80 95 110 125 0 0.05 RHEOSTAT MODE TEMPCO (ppm/°C) 100 80 60 40 20 100 50 25 120 AD5111 60 AD5113 30 AD5115 VDD = 5V 10kΩ 80kΩ 5kΩ 100 80 60 40 20 0 0 0 20 10 5 0 120 AD5111 60 AD5113 30 AD5115 0x40 (0x20) [0x10] 0x10 0x10 (0x08) [0x04] –20 GAIN (dB) 0x04 0x02 0x01 0x00 –40 –50 –50 0x04 (0x02) [0x01] 0x02 (0x01) [0x00] 0x01 (0x00) 0x00 –60 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) 100M 09654-021 –60 10k –30 0x08 (0x04) [0x02] 图20. 5 kΩ增益与频率和代码的关系 AD5111 (AD5113) [AD5115] –70 10k 100k 1M FREQUENCY (Hz) 图23. 10 kΩ增益与频率和代码的关系 Rev. A | Page 14 of 24 10M 09654-024 –40 100 50 25 –10 0x20 (0x10) [0x08] 0x08 –30 60 80 30 40 15 20 CODE (Decimal) 0 0x20 –20 40 20 10 图22. 可变电阻器模式温度系数((ΔRWB /RWB )/ΔT × 10 6)与代码的关系 图19. 电位计模式温度系数((ΔVW /VW )/ΔT × 10 6)与代码的关系 –10 4.85 120 09654-020 80 60 30 40 15 20 CODE (Decimal) 4.25 140 0 40 20 10 3.65 160 0 20 10 5 3.05 180 120 0 0 0 2.45 200 140 GAIN (dB) POTENTIOMETER MODE TEMPCO (ppm/°C) 160 1.85 图21. 电源电流(IDD )与数字输入电压的关系 VDD = 5V 10kΩ 80kΩ 5kΩ 180 1.25 DIGITAL INPUT VOLTAGE (V) 图18. 电源电流与温度的关系 200 0.65 09654-023 –25 09654-019 –100 –40 09654-022 0 AD5111/AD5113/AD5115 0 80 0x40 (0x20) [0x10] 60 0x04 (0x02) [0x01] –30 0x02 (0x01) [0x00] –40 0x01 (0x00) –50 40 30 20 1M FREQUENCY (Hz) 0 09654-025 AD5111 (AD5113) [AD5115] –80 10k 100k 0 0 0 10 5 图24. 80 kΩ增益与频率和代码的关系 150 –30 –40 –50 –60 RAB = 10kΩ FULL SCALE HALF SCALE QUARTER SCALE 10M FREQUENCY (Hz) TA = 25°C –20 60 30 0 1 2 3 VDD (V) 4 0 VDD = 5V VA = 2.5V + VIN –10 VB = 2.5V fIN = 1kHz –20 CODE = HALF SCALE NOISE FILTER = 22kHz 5kΩ 10kΩ 80kΩ 5 6 5kΩ 10kΩ 80kΩ THD + N (dB) –30 –40 –50 –60 –40 –50 –60 –70 –80 –70 –90 –80 20 200 2k 20k FREQUENCY (Hz) 200k 09654-027 THD + N (dB) 5.5V 5V 3.3V 2.7V 2.3V 图28. 增量式游标导通电阻与VDD 的关系 –30 –100 AD5111 AD5113 AD5115 90 图25. 归一化相位平坦度与频率的关系 –10 60 30 15 120 0 09654-049 1M VDD = 5V VA = 2.5V + 1VRMS VB = 2.5V CODE = HALF SCALE NOISE FILTER = 22kHz 50 25 –90 0.001 0.01 0.1 1 AMPLITUDE (V rms) 图29. 总谐波失真加噪声(THD + N)与幅度的关系 图26. 总谐波失真加噪声(THD + N)与频率的关系 Rev. A | Page 15 of 24 09654-030 PHASE (Degrees) –20 0 40 20 10 CODE (Decimal) 09654-029 INCREMENTAL WIPER ON RESISTANCE (Ω) –10 100k 30 15 图27. 最大带宽与代码和净电容的关系 0 –80 10k 20 10 5 09654-028 10 –70 –70 80k + 150pF 80k + 250pF 5k + 0pF 5k + 75pF 5k + 150pF 10k + 0pF 50 0x00 –60 5k + 250pF 10k + 75pF 10k + 150pF 10k + 250pF 80k + 0pF 80k + 75pF 70 BANDWIDTH (MHz) GAIN (dB) –10 0x20 (0x10) [0x08] 0x10 (0x08) [0x04] –20 0x08 (0x04) [0x02] AD5111/AD5113/AD5115 0.35 0.30 80 60 5kΩ 10kΩ 80kΩ 0.25 0.20 40 VOLTAGE ( µV) 0.15 0.10 0.05 20 0 –20 –40 –60 3 5 TIME (µs) 7 9 –120 0 0.5 1.0 0.6 0.0010 0.4 0.0005 300 400 500 –40 –60 0 –70 09654-050 200 –30 –50 0.2 600 RESISTOR DRIFT (ppm) 1k 10k 1M FREQUENCY (Hz) 图31. 电阻寿命漂移 –20 7 5kΩ 10kΩ 80kΩ VDD = 5V ± 10% AC VA = 4V VB = GND CODE = HALF SCALE TA = 25°C 10kΩ 80kΩ 5kΩ 6 –30 –40 –50 –60 5 4 3 2 1 100 1k 10k 100k FREQUENCY (Hz) 1M 09654-033 –70 10 10M 图34. 关断隔离与频率的关系 THEORETICAL IMAX (mA) –10 4.0 –20 GAIN (dB) CUMULATIVE PROBABILITY 0.0015 PSRR (dB) PROBABILITY DENSITY 0.8 0 3.5 5kΩ 10kΩ 80kΩ –10 1.0 0.0020 100 3.0 0 1.2 0 2.5 图33. 数字馈通 0.0025 –600 –500 –400 –300 –200 –100 2.0 TIME (µs) 图30. 最大转换毛刺 0 1.5 09654-035 1 –100 09654-048 –0.10 –1 VDD = 5V VA = VDD VB = GND CODE = HALF SCALE –80 –0.05 09654-034 0 0 0 0 0 20 10 5 40 20 10 60 80 30 40 15 20 CODE (Decimal) 100 50 25 图35. 最大理论电流与代码的关系 图32. 电源抑制比(PSRR)与频率的关系 Rev. A | Page 16 of 24 120 AD5111 60 AD5113 30 AD5115 09654-036 RELATIVE VOLTAGE (V) 100 VDD = 5V VA = VDD VB = GND AD5111/AD5113/AD5115 测试电路 图36至图41定义了“技术规格”部分使用的测试条件。 NC IW VA B A 09654-037 B B W VIN DUT B OFFSET GND VMS GND TO VDD NC = NO CONNECT – GND VDD 0.1V DUT GND 09654-039 + IWB –15V GND VDD B VOUT 图40 增益与相位和频率的关系 0.1V RW = IWB DUT A W AD8652 2.5V 图37. 电位计分压器非线性误差(INL、DNL) NC +15V A V+ = VDD 1LSB = V+/2N W ∆VMS% ∆VDD% 图39. 电源灵敏度(PSS、PSRR) 09654-038 A V+ PSS (%/%) = VMS 09654-041 NC = NO CONNECT 图36. 电阻位置非线性误差 (可变电阻器操作：R-INL，R-DNL) DUT W V+ ~ VMS V+ = VDD ± 10% ∆VMS PSRR (dB) = 20 log ∆V DD 09654-040 VDD VDD A ICM W B VDD GND 图41. 共模漏电流 图38. 游标电阻 Rev. A | Page 17 of 24 09654-042 DUT A W AD5111/AD5113/AD5115 工作原理 AD5111/AD5113/AD5115数字可编程电阻均设计用作真可 低游标电阻特性 变电阻，用于处理端电压范围为GND < VTERM < VDD的模拟 AD5111/AD5113/AD5115包括一项新特性，用于减少端子 信号。电阻游标位置取决于RDAC寄存器内容。RDAC寄 之间的电阻。这些额外步数称为“底部量程”和“顶部量 存器用作暂存寄存器，允许无限制地更改电阻设置。 程”。采用底部量程时，游标电阻典型值从70 Ω降至45 Ω。 RDAC寄存器可以利用升/降接口编入任何位置设置。找到 采用顶部量程时，A端和W端之间的电阻减少1 LSB，总电阻 所需的游标位置时，可以将该值存储在EEPROM存储器 则降至70 Ω。达到零电平或满量程位置后，新的额外步数自 中。以后上电时游标位置始终会恢复到该位置。存储 动载入RDAC寄存器。 EEPROM数据大约需要30 ms；在这段时间内，器件会锁定， 额外步数并不等于1 LSB，也未包含在INL、DNL、R-INL和 不会应答任何新操作，因而可防止出现任何更改。 R-DNL规格中。 AD5111/AD5113/AD5115支持时钟速率高达50 MHz的高速数 关断模式 字控制。 此功能将A端置于开路状态，与内部电阻断开连接，并连 RDAC寄存器和EEPROM 接W端和B端。这两端之间存在45 Ω的有限游标电阻。该 RDAC寄存器直接控制数字电位计游标的位置。例如，当 命令通过U/D引脚上的低电平到高电平跃迁而发送，CLK RDAC寄存器为0x40 (AD5111)时，游标连接到可变电阻的 须处于高电平，CS须使能。该命令在CLK负边沿执行，如 量程中间值。RDAC寄存器是一种标准逻辑寄存器，不存 图4所示。 在更改次数限制。 如果执行任何其它操作，AD5111/AD5113/AD5115会让游 找到所需的游标位置时，可以将该值保存到EEPROM存储 标返回先前的关断位置。 器中。在此后的任何开关电源时序或调用操作中，游标位 EEPROM写操作 置会始终设置为该位置。 AD5111/AD5113/AD5115内置EEPROM，可以将游标位置 基本操作 存入其中。找到所需的游标位置时，可以将该值保存到 当CS被拉低时，更改电阻设置是通过为CLK引脚提供时钟 EEPROM存储器中。在此后的任何上电时序或存储器调用 而实现的。它是负边沿触发型，RDAC寄存器的步进方向 操作中，游标位置会始终设置为该位置。 由U/D输入的状态决定。当U/D保持特定状态时，器件在 存储期间，器件会锁定，不会应答任何新命令，因而可防 连续时钟下继续沿同一方向改变，直至达到电阻设置的末 止出现任何更改。 端。当游标达到最大或最小设置时，额外的CLK脉冲不会 改变游标设置。图2所示为典型的递增/递减操作。 U/D引脚的值只能在CLK引脚为低电平时改变。 写周期的启动条件如下：当CS使能且CLK保持高电平时， 对U/D引脚施加一个脉冲，如图3所示。写周期大约需要 20 ms。 Rev. A | Page 18 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 RDAC架构 可变电阻编程 为了实现最佳性能，ADI公司的所有数字电位计均采用了 可变电阻器操作—±8%电阻容差 RDAC分段专利架构。具体而言，AD5111/AD5113/AD5115 只有两个端用作可变电阻时，AD5111/AD5113/AD5115采 采用二级分段方法，如图42所示。AD5111/AD5113/AD5115 用可变电阻器模式工作。不用的一端可以悬空或者连接到 的游标开关设计采用传输门CMOS拓扑并从VDD获得栅极 W端，如图43所示。 电压。 图43. 可变电阻器模式配置 A端和B端之间的标称电阻RAB为5 kΩ、10 kΩ或80 kΩ，并具 有128/64/32个可供游标端访问的触点。RDAC锁存器中的 5/6/7位数据经过解码，用于选择128/64/32种可能的游标设 置之一。确定W端和B端间的数字编程输出电阻的通用公 式如下： 底部量程(1) 0至128 (2) 底部量程(3) 0至64 (4) 图42. AD5111/AD5113/AD5115 RDAC电路示意图 低游标电阻特性 底部量程(5) 此外，AD5111/AD5113/AD5115包括一项新特性，用于减 少端之间的电阻。这些额外步数称为“底部量程”和“顶部量 程”。采用底部量程时，游标电阻典型值从70 Ω降至45 Ω。 采用顶部量程时，A端和W端之间的电阻减少1 LSB，总电 阻则降至70 Ω。额外步骤并不等于1 LSB，也未包含在INL、 DNL、R-INL和R-DNL规格中。 0至32 (6) 其中： D为5/6/7位RDAC寄存器中的二进制代码的十进制等效 值；128、64和32指最高量程步进。 RAB是端到端电阻。 RW是游标电阻。 RBS是底部量程的游标电阻。 Rev. A | Page 19 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 与机械电位计相似，W端和A端间RDAC电阻也会产生数 电位计分压器编程 字控制式互补电阻RWA。RWA从最大电阻值开始，随着载入 电压输出操作 锁存器的数据增大而减小。此操作的通用公式如下： 数字电位计很容易在游标至B和游标至A处产生分压器，其 电压与A至B处的输入电压成比例，如图44所示。不同于 底部量程(7) VDD至GND的极性(必须为正)，A至B、W至A和W至B上的 电流可以是任一方向。 0至127 (8) 顶部量程(9) 底部量程(10) 0至63 (11) 顶部量程(12) 图44. 电位计模式配置 为简明起见，假设忽略游标电阻的影响，将A端连接到5 V 且B端连接到地时，可在游标W至B端处产生0 V至5 V的输 出电压。以下通用公式定义针对A端和B端间施加的任何有 底部量程(13) 效输入电压，VW处相对于地的输出电压： 0至31 (14) 顶部量程(15) 其中： RWB(D)可从公式1至公式6获得。 其中： D为5/6/7位RDAC寄存器中的二进制代码的十进制等效 RAW(D)可从公式7至公式14获得。 值；128、64和32指最高量程步进。 在分压器模式下使用数字电位计，可提高整个温度范围内 RAB是端到端电阻。 的操作精度。与可变电阻模式不同，输出电压主要取决于 RW是游标电阻。 内部电阻之比(RWA与RWB)，而不是绝对值。因此，温度漂 RTS是顶部量程的游标电阻。 移降到5 ppm/°C。 无论器件的设置如何，都应将A端和B端、W端和A端以及 端电压范围 W端和B端之间的电流限制为±6 mA(5 kΩ和10 kΩ)或±1.5 mA AD5111/AD5113/AD5115内置ESD二极管来提供保护功 (80 kΩ)的最大连续电流，或者表6中规定的脉冲电流。否 则，内部开关触点可能会出现性能下降，甚至发生损坏。 能。这些二极管还设置端工作电压的电压边界。A端、B端 或W端超过VDD的正信号会被正偏二极管箝位。VA、VW和 VB之间没有极性限制，但不得超过VDD或低于GND。 Rev. A | Page 20 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 布局布线和电源偏置 上电时序 由于ESD保护二极管限制了A端、B端和W端的顺从电压(见 图45)，所以必须先给VDD供电，然后再向A端、B端和W端 施加电压。否则，二极管会正偏，以致VDD意外上电，可 能会影响电路的其他部分。同样，VDD应最后关断。理想 的上电顺序如下：GND、VDD和VA/VB/VW。只要在VDD之 后上电，VA、VB、VW和数字输入的上电顺序无关紧要。 使用紧凑且引线长度最短的布局设计始终是一种较好的做 法。连接到输入端的引线应尽可能保持直线，使导体长度 最短。接地路径应具有低电阻、低电感。用优质电容将电 源旁路也是一种较好的做法。电源处应运用低等效串联电 阻(ESR)的1 μF至10 μF钽电容或电解电容，以便尽可能减少 瞬态干扰，并滤除低频纹波。图46所示为AD5111/AD5113/ AD5115的基本电源旁路配置。 VDD AD5111/ AD5113/ AD5115 VDD W + C2 10µF C1 0.1µF VDD B AGND 09654-046 GND GND 图46. 电源旁路 图45. 由VDD 和GND设置的最大端电压 Rev. A | Page 21 of 24 09654-047 A AD5111/AD5113/AD5115 外形尺寸 1.70 1.60 1.50 2.00 BSC SQ 0.50 BSC 8 5 PIN 1 INDEX AREA 1.10 1.00 0.90 EXPOSED PAD 0.425 0.350 0.275 4 TOP VIEW 0.05 MAX 0.02 NOM SEATING PLANE 0.30 0.25 0.20 PIN 1 INDICATOR (R 0.15) FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET. 07-11-2011-B 0.60 0.55 0.50 1 BOTTOM VIEW 0.175 REF 0.20 REF 图47. 8引脚架构芯片级封装[LFCSP_UD] 2 mm × 2 mm超薄体双引脚(CP-8-10) 图示尺寸单位：mm 订购指南 型号1, 2 AD5111BCPZ10-RL7 AD5111BCPZ10-500R7 AD5111BCPZ80-RL7 AD5111BCPZ80-500R7 AD5113BCPZ5-RL7 AD5113BCPZ5-500R7 AD5113BCPZ10-RL7 AD5113BCPZ10-500R7 AD5113BCPZ80-RL7 AD5113BCPZ80-500R7 AD5115BCPZ10-RL7 AD5115BCPZ10-500R7 AD5115BCPZ80-RL7 AD5115BCPZ80-500R7 EVAL-AD5111SDZ 1 2 RAB (kΩ) 10 10 80 80 5 5 10 10 80 80 10 10 80 80 分辨率 128 128 128 128 64 64 64 64 64 64 32 32 32 32 温度 范围 −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C −40°C至+125°C Z = 符合RoHS标准的器件。 EVAL-AD5111SDZ的RAB为10 kΩ。 Rev. A | Page 22 of 24 封装 描述 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 8引脚 LFCSP_UD 评估板 封装 选项 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 CP-8-10 标识码 7S 7S 7T 7T 85 85 84 84 86 86 7Y 7Y 7Z 7Z AD5111/AD5113/AD5115 注释 Rev. A | Page 23 of 24 AD5111/AD5113/AD5115 注释 ©2011–2012 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D09654sc -0-4/12(A) Rev. A | Page 24 of 24