日本語版

最大±1%抵抗偏差、256/1024 ポジション
20-TP メモリ付きのデジタル・ポテンショメータ
AD5291/AD5292
機能ブロック図
特長
VDD
1 チャンネル、256/1024 ポジション分解能
公称抵抗: 20 kΩ、50 kΩ、100 kΩ
RESET
POWER-ON
RESET
最大±1%の公称抵抗偏差(抵抗性能モード)
AD5291/
AD5292
20 回書込み可能なワイパー・メモリ
VLOGIC
分圧器の温度係数: 5 ppm/°C
RDAC
REGISTER
SCLK
単電源動作: +9 V~+33 V
両電源動作: ±9 V~±16.5 V
SYNC
SPI 互換シリアル・インターフェース
SERIAL
INTERFACE
パワーオン時に 20TP メモリからリフレッシュ
SDO
アプリケーション
RDY
機械式ポテンショメータの置き換え
VSS
計装:ゲインとオフセットの調整
A
W
OTP
MEMORY
BLOCK
DIN
ワイパー設定値のリードバックが可能
DATA
EXT_CAP
B
GND
07674-001
可変抵抗器モードの温度係数: 35 ppm/°C
図 1.
プログラマブルな電圧/電流変換
プログラマブルなフィルタ、遅延、時定数
プログラマブルな電源
低分解能 DAC の置き換え
センサー・キャリブレーション
概要
AD5291/AD5292 は業界をリードする可変抵抗性能と不揮発性メモ
リ (NVM) を組み合わせて小型パッケージに実装した、1 チャンネ
ル 256/1024 ポジションのデジタル・ポテンショメータ 1 です。これ
らのデバイスは広い電圧範囲での動作が可能で、±10.5 V~±16.5 V
の両電源動作と+21 V~+33 V の単電源動作をサポートし、1%以下
のピン間抵抗偏差を保証し、20 回書込み可能な 20-TP メモリを提
供しています。
業界をリードする低抵抗偏差の保証により、オープン・ループ・
アプリケーション、高精度キャリブレーション、偏差の一致を必
要とするアプリケーションが簡素化されます。
1
AD5291AD5292 デバイス・ワイパーの設定は、SPI デジタル・イ
ンターフェースを介して制御することができます。抵抗値を 20TP メ モ リ に 書 込 む 前 に は 、 無 制 限 回 数 の 調 整 が 可 能 で す 。
AD5291/AD5292 では、ヒューズを焼き切るための外付け電圧電源
が不要で、20 回まで書込むことができます。20-TP の動作時に、
ヒューズの焼き切りコマンドにより、ワイパー・ポジションを固
定します (機械的トリマ・ポジションをエポキシ樹脂で固定する
のに対応します)。
AD5291/AD5292 は 14 ピン小型 TSSOP パッケージを採用していま
す。このデバイスは、工業用拡張温度範囲-40°C~+105°C での動
作を保証しています。
用語デジタル・ポテンショメータと RDAC は同じ意味で使用しています。
Rev. C
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に
関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
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は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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本
AD5291/AD5292
目次
特長......................................................................................................1
書込み保護機能 ............................................................................23
アプリケーション ..............................................................................1
基本動作 ........................................................................................24
機能ブロック図 ..................................................................................1
20-TPのリードバックとスペア・メモリ・ステータス ...........24
概要......................................................................................................1
シャットダウン・モード.............................................................25
改訂履歴..............................................................................................2
抵抗性能モード ............................................................................25
仕様......................................................................................................3
電気的特性—AD5291 ....................................................................3
抵抗性能モード・コード範囲 ......................................................4
電気的特性—AD5292 ....................................................................6
抵抗性能モード・コード範囲 ......................................................7
インターフェース・タイミング仕様...........................................8
絶対最大定格 ....................................................................................10
熱抵抗............................................................................................10
ESDの注意 ....................................................................................10
ピン配置およびピン機能説明 ........................................................ 11
代表的な性能特性 ............................................................................12
テスト回路........................................................................................21
動作原理............................................................................................22
シリアル・データ・インターフェース.....................................22
シフトレジスタ ............................................................................22
RDAC レジスタ ............................................................................22
リセット ........................................................................................25
ディジーチェーン動作 ................................................................25
RDACアーキテクチャ .................................................................25
可変抵抗のプログラミング.........................................................25
ポテンショメータ分圧器のプログラミング .............................26
EXT_CAP コンデンサ..................................................................27
ピン電圧の動作範囲 ....................................................................27
アプリケーション情報 ....................................................................28
高電圧 DAC...................................................................................28
出力ブースタ付きのプログラマブルな電圧源 .........................28
高精度DAC....................................................................................28
可変ゲイン計装アンプ ................................................................28
オーディオ・ボリューム・コントロール .................................29
外形寸法 ............................................................................................30
オーダー・ガイド ........................................................................30
20-TPメモリ ..................................................................................23
改訂履歴
3/10—Rev. B to Rev. C
Changes to Revision History ................................................................2
Changes to Figure 3 and Figure 4 Captions ..........................................9
3/10—Rev. A to Rev. B
Changes to Data Sheet Title..................................................................1
Changes to General Description Section ..............................................1
Changes to Theory of Operation Section ............................................22
12/09—Rev. 0 to Rev. A
Added 50 kΩ and 100 kΩ specifications ................................ Universal
Changes to Features Section.................................................................1
Changes to Table 1 ...............................................................................3
Rev. C
- 2/30 -
Changes to Table 2................................................................................4
Added Table 3.......................................................................................5
Changes to Table 4................................................................................6
Changes to Table 5................................................................................7
Added Table 6.......................................................................................8
Change to Table 7 .................................................................................8
Changes to Absolute Maximum Rating Section..................................10
Changes Table 9..................................................................................11
Changes to Typical Performance Characteristics Section ...................12
Changes to Ordering Guide ................................................................30
4/09—Revision 0: Initial Version
AD5291/AD5292
仕様
電気的特性—AD5291
特に指定がない限り、VDD = 21 V~33 V、VSS = 0 V; VDD = 10.5 V~16.5 V、VSS = −10.5 V~−16.5 V;VLOGIC = 2.7 V~5.5 V、VA = VDD、VB =
VSS、−40°C < TA < +105°C。
表 1.
Parameter
Symbol
DC CHARACTERISTICS—RHEOSTAT
MODE
Resolution
Resistor Differential Nonlinearity2
Resistor Integral Nonlinearity2
Nominal Resistor Tolerance (R-Perf Mode)3
Nominal Resistor Tolerance (Normal Mode)
Resistance Temperature Coefficient4
Wiper Resistance
N
R-DNL
R-INL
∆RAB/RAB
∆RAB/RAB
(∆RAB/RAB)/∆T × 106
RW
DC CHARACTERISTICS—
POTENTIOMETER DIVIDER MODE
Resolution
Differential Nonlinearity5
Integral Nonlinearity5
Voltage Divider Temperature Coefficient4
Full-Scale Error
Zero-Scale Error
N
DNL
INL
(∆VW/VW)/∆T × 106
VWFSE
VWZSE
RESISTOR TERMINALS
Terminal Voltage Range6
Capacitance A, Capacitance B4
VA, VB, VW
CA, CB
Capacitance W4
CW
Common-Mode Leakage Current4
ICM
DIGITAL INPUTS
Input Logic High4
Input Logic Low4
Input Current
Input Capacitance4
VIH
VIL
IIL
CIL
DIGITAL OUTPUTS (SDO and RDY)
Output High Voltage4
Output Low Voltage4
Three-State Leakage Current
Output Capacitance4
COL
POWER SUPPLIES
Single-Supply Power Range
Dual-Supply Power Range
Positive Supply Current
Negative Supply Current
Logic Supply Range
Logic Supply Current
VDD
VDD/VSS
IDD
ISS
VLOGIC
ILOGIC
OTP Store Current4, 7
OTP Read Current4, 8
Power Dissipation9
Power Supply Rejection Ratio
Rev. C
VOH
VOL
Conditions
RWB, VA = NC
See Table 2, Table 3
Min
8
−1
−1
−1
Code = full-scale; See Figure 38
Code= zero scale
Typ1
±0.5
±7
35
60
8
−0.5
−0.5
Code = half-scale; SeeFigure 41
Code = full scale
Code = zero scale
100
1.5
+0.25
2
VSS
VDD
VDD/VSS = ±16.5 V
VDD/VSS = ±16.5 V
pF
±1
nA
2.0
0.8
±1
V
V
µA
pF
GND + 0.4 V
+1
V
V
µA
pF
VLOGIC − 0.4
VLOGIC = 5 V; VIH = 5 V or VIL =
GND
VIH = 5 V or VIL = GND
VIH = 5 V or VIL = GND
VIH = 5 V or VIL = GND
∆VDD/∆VSS = ±15 V ± 10%
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
- 3/30 -
9
±9
−2
2.7
Bits
LSB
LSB
ppm/°C
LSB
LSB
65
5
VSS = 0 V
Bits
LSB
LSB
%
%
ppm/°C
Ω
V
pF
5
RPULL_UP = 2.2 kΩ to VLOGIC
RPULL_UP = 2.2 kΩ to VLOGIC
Unit
85
−1
ILOGIC_PROG
ILOGIC_FUSE_READ
PDISS
PSRR
+1
+1
+1
+0.5
+0.5
−2
0
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half-scale
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half-scale
VA = VB = VW
JEDEC compliant
VLOGIC = 2.7 V to 5.5 V
VLOGIC = 2.7 V to 5.5 V
VIN = 0 V or VLOGIC
Max
0.1
−0.1
1
25
25
8
0.103
0.039
0.021
33
±16.5
2
5.5
10
110
V
V
µA
µA
V
µA
mA
mA
µW
%/%
AD5291/AD5292
Parameter
Symbol
Conditions
Min
BW
−3 dB, code = half-scale
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
VA = 1 V rms, VB = 0 V, f = 1
kHz
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
VA = 30 V, VB = 0 V, ±0.5 LSB
error band, initial code = zero
scale, board capacitance = 170 pF
Code = full-scale, normal mode
Code = full-scale, R-Perf mode
Code = half-scale, normal mode
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
Code = half-scale, R-Perf mode
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
Code = half-scale, TA = 25°C, 0
kHz to 200 kHz
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
Typ1
Max
Unit
5, 10
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Bandwidth
Total Harmonic Distortion
THDW
VW Settling Time
tS
Resistor Noise Density
eN_WB
kHz
520
210
105
dB
−93
−101
−106
750
2.5
ns
µs
µs
2.5
7
14
µs
5
9
16
nV/√Hz
10
18
27
1
Typ 値は、25°C、VDD = 15V、VSS = -15 V、VLOGIC = 5 V での平均測定値。
抵抗ポジションの非直線性誤差。 R-INL は、コード 0x02 の RWB とコード 0xFF の RWB の間またはコード 0xFD の RWA とコード 0x00 の RWA との間で測定した理論値か
らの偏差です。 R-DNL は、連続タップ・ポジション間での理論値からの相対的ステップ変化を表します。 この仕様は、VA < 12 V に対してワイパー電流 = 1 mA およ
び VA ≥ 12 V に対してワイパー電流 = 1.2 mA で、抵抗性能モードで保証されます。
3
抵抗性能モード (抵抗性能モードのセクション参照)。 用語の「抵抗性能モード」と、「R-perf モード」は同じ意味で使用しています。
4
設計およびキャラクタライゼーションで保証しますが、出荷テストは行いません。
5
INL と DNL は、RDAC を電圧出力 D/A コンバータと同様のポテンショメータ分圧器として設定して、VWB で測定。 VA = VDD かつ VB = 0 V。最大±1 LSB の DNL 仕様
規定値は単調動作状態を保証。
6
抵抗ピン A、抵抗ピン B、抵抗ピン W の極性は相対的に制約されません。 両電源動作では、グラウンドを基準としたバイポーラ信号の調整が可能です。
7
動作電流からの差。ヒューズ書込みの電源電流は約 550 µs 間継続。
8
動作電流からの差。ヒューズ読出しの電源電流は約 550 µs 間継続。
9
PDISS は (IDD × VDD) + (ISS × VSS) + (ILOGIC × VLOGIC) で計算されます。
10
すべての動特性では、VDD = 15 V、VSS = -15 V、VLOGIC = 5 V を使用。
2
抵抗性能モード・コード範囲
表 2.
RAB = 20 kΩ
Resistor Tolerance
per Code
1% R-Tolerance
2% R-Tolerance
3% R-Tolerance
Rev. C
|VDD − VSS| = 30 V to 33 V
|VDD − VSS| = 26 V to 30 V
|VDD − VSS| = 22 V to 26 V
|VDD − VSS| = 21 V to 22 V
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
From 0x5A to
0xFF
From 0x23 to
0xFF
From 0x1E to
0xFF
From 0x00 to
0xA5
From 0x00 to
0xDC
From 0x00 to
0xE1
From 0x7D to
0xFF
From 0x2D to
0xFF
From 0x19 to
0xFF
From 0x00 to
0x82
From 0x00 to
0xD2
From 0x00 to
0xE6
From 0x7D
to 0xFF
From 0x23 to
0xFF
From 0x17 to
0xFF
From 0x00 to
0x82
From 0x00 to
0xDC
From 0x00 to
0xE8
N/A
N/A
From 0x23 to
0xFF
From 0x17 to
0xFF
From 0x00 to
0xDC
From 0x00 to
0xE8
- 4/30 -
AD5291/AD5292
表 3.
RAB = 50 kΩ
Resistor Tolerance
per Code
1% R-Tolerance
2% R-Tolerance
3% R-Tolerance
Rev. C
|VDD − VSS| = 26 V to 33 V
RAB = 100 kΩ
|VDD − VSS| = 21 V to 26 V
|VDD − VSS| = 26 V to 33 V
|VDD − VSS| = 21 V to 26 V
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
From 0x2A to
0xFF
From 0x11 to
0xFF
From 0x0A to
0xFF
From 0x00 to
0xD5
From 0x00 to
0xEE
From 0x00 to
0xF5
From 0x37 to
0xFF
From 0x16 to
0xFF
From 0x0D to
0xFF
From 0x00 to
0xC8
From 0x00 to
0xE9
From 0x00 to
0xF2
From 0x1E to
0xFF
From 0x0A to
0xFF
From 0x07 to
0xFF
From 0x00 to
0xE1
From 0x00 to
0xF5
From 0x00 to
0xF8
From 0x14 to
0xFF
From 0x0A to
0xFF
From 0x07 to
0xFF
From 0x00 to
0xEB
From 0x00 to
0xF5
From 0x00 to
0xF8
- 5/30 -
AD5291/AD5292
電気的特性—AD5292
特に指定がない限り、VDD = 21 V~33 V、VSS = 0 V; VDD = 10.5 V~16.5 V、VSS = −10.5 V~−16.5 V;VLOGIC = 2.7 V~5.5 V、VA = VDD、VB =
VSS、−40°C < TA < +105°C。
表 4.
Parameter
DC CHARACTERISTICS—RHEOSTAT MODE
Resolution
Resistor Differential Nonlinearity2
Resistor Integral Nonlinearity2
Symbol
N
R-DNL
R-INL
R-INL
R-INL
Nominal Resistor Tolerance (R-Perf Mode)3
Nominal Resistor Tolerance (Normal
Mode)4
Resistance Temperature Coefficient
Wiper Resistance
∆RAB/RAB
∆RAB/RAB
(∆RAB/RAB)/∆T × 106
RW
DC CHARACTERISTICS—
POTENTIOMETER DIVIDER MODE
Resolution
Differential Nonlinearity5
Integral Nonlinearity5
Voltage Divider Temperature Coefficient4
Full-Scale Error
Zero-Scale Error
N
DNL
INL
(∆VW/VW)/∆T × 106
VWFSE
VWZSE
RESISTOR TERMINALS
Terminal Voltage Range4
Capacitance A, Capacitance B6
VA, VB, VW
CA, CB
Capacitance W5
CW
Common-Mode Leakage Current4
ICM
DIGITAL INPUTS
Input Logic High4
Input Logic Low4
Input Current
Input Capacitance4
VIH
VIL
IIL
CIL
DIGITAL OUTPUTS (SDO and RDY)
Output High Voltage4
Output Low Voltage4
Three-State Leakage Current
Output Capacitance4
COL
POWER SUPPLIES
Single-Supply Power Range
Dual-Supply Power Range
Positive Supply Current
Negative Supply Current
Logic Supply Range
Logic Supply Current
OTP Store Current6, 7
OTP Read Current6, 8
Power Dissipation9
Power Supply Rejection Ratio6
VDD
VDD/VSS
IDD
ISS
VLOGIC
ILOGIC
ILOGIC_PROG
ILOGIC_FUSE_READ
PDISS
PSSR
Rev. C
VOH
VOL
Conditions
RWB, VA = NC
RAB =50 kΩ, 100 kΩ
RAB =20 kΩ , |VDD − VSS| = 26 V to 33
V
RAB =20 kΩ , |VDD − VSS| = 21 V to 26
V
See Table5 and Table 6
Min
Typ1
Max
Unit
10
−1
−2
−2
+1
+2
+2
Bits
LSB
LSB
LSB
−3
+3
LSB
+1
%
%
−1
Code = full scale; See Table38
Code= zero scale
±0.5
±7
35
60
10
−1
−1.5
Code = half scale; See Table41
Code = full scale
Code = zero scale
+1
+1.5
5
−8
0
+1
8
VSS
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half scale
f = 1 MHz, measured to GND,
code = half scale
VA = VB = VW
JEDEC compliant
VLOGIC = 2.7 V to 5.5 V
VLOGIC = 2.7 V to 5.5 V
VIN = 0 V or VLOGIC
100
VDD
V
pF
65
pF
±1
nA
2.0
0.8
±1
V
V
µA
pF
GND + 0.4
+1
V
V
µA
pF
VLOGIC − 0.4
−1
5
VSS = 0 V
VDD/VSS = ±16.5 V
VDD/VSS = ±16.5 V
VLOGIC = 5 V; VIH = 5 V or VIL = GND
VIH = 5 V or VIL = GND
VIH = 5 V or VIL = GND
VIH = 5 V or VIL = GND
∆VDD/∆VSS = ±15 V ± 10%
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
- 6/30 -
9
±9
−2
2.7
Bits
LSB
LSB
ppm/°C
LSB
LSB
85
5
RPULL_UP = 2.2 kΩ to VLOGIC
RPULL_UP = 2.2 kΩ to VLOGIC
ppm/°C
Ω
0.1
−0.1
1
25
25
8
0.103
0.039
0.021
33
±16.5
2
5.5
10
110
V
V
µA
µA
V
µA
mA
mA
µW
%/%
AD5291/AD5292
Parameter
Symbol
Conditions
BW
−3 dB
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
Min
Typ1
Max
Unit
5, 10
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Bandwidth
Total Harmonic Distortion
THDW
VW Settling Time
VA = 1 V rms, VB = 0 V, f = 1 kHz
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
VA = 30 V, VB = 0 V, ±0.5 LSB error
band, initial code = zero scale, board
capacitance = 170 pF
Code = full-scale, normal mode
Code = full-scale, R-Perf mode
Code = half-scale, normal mode
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
Code = half-scale, R-Perf mode
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
Code = half-scale, TA = 25°C, 0 kHz
to 200 kHz
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ
RAB = 100 kΩ
tS
Resistor Noise Density
kHz
520
210
105
eN_WB
dB
−93
−101
−106
750
2.5
ns
µs
µs
2.5
7
14
µs
5
9
16
nV/√Hz
10
18
27
1
Typ 値は、25°C、VDD = 15V、VSS = -15 V、VLOGIC = 5 V での平均測定値。
抵抗ポジションの非直線性誤差。 R-INL は、コード 0x00B の RWB とコード 0x3FF の RWB の間またはコード 0x3F3 の RWA とコード 0x000 の RWA との間で測定した理論
値からの偏差です。 R-DNL は、連続タップ・ポジション間での理論値からの相対的ステップ変化を表します。 この仕様は、VA < 12 V に対してワイパー電流 = 1 mA
および VA ≥ 12 V に対してワイパー電流 = 1.2 mA で、抵抗性能モードで保証されます。
3
抵抗性能モード (抵抗性能モードのセクション参照)。 用語の「抵抗性能モード」と、「R-perf モード」は同じ意味で使用しています。
4
設計およびキャラクタライゼーションで保証しますが、出荷テストは行いません。
5
INL と DNL は、RDAC を電圧出力 D/A コンバータと同様のポテンショメータ分圧器として設定して、VW で測定。 VA = VDD かつ VB = 0 V。最大±1 LSB の DNL 仕様
規定値は単調動作状態を保証。
6
抵抗ピン A、抵抗ピン B、抵抗ピン W の極性は相対的に制約されません。 両電源動作では、グラウンドを基準としたバイポーラ信号の調整が可能です。
7
動作電流からの差。ヒューズ書込みの電源電流は約 550 µs 間継続。
8
動作電流からの差。ヒューズ読出しの電源電流は約 550 µs 間継続。
9
PDISS は (IDD × VDD) + (ISS × VSS) + (ILOGIC × VLOGIC) で計算されます。
10
すべての動特性では、VDD = 15 V、VSS = -15 V、VLOGIC = 5 V を使用。
2
抵抗性能モード・コード範囲
表 5.
RAB = 20 kΩ
Resistor Tolerance
per Code
1% R-Tolerance
2% R-Tolerance
3% R-Tolerance
Rev. C
|VDD − VSS| = 30 V to 33 V
|VDD − VSS| = 26 V to 30 V
|VDD − VSS| = 22 V to 26 V
|VDD − VSS| = 21 V to 22 V
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
From 0x15E
to 0x3FF
From 0x8C to
0x3FF
From 0x5A to
0x3FF
From 0x000
to 0x2A1
From 0x000
to 0x373
From 0x000
to 0x3A5
From 0x1F4
to 0x3FF
From 0xB4 to
0x3FF
From 0x64 to
0x3FF
From 0x000
to 0x20B
From 0x000
to 0x34B
From 0x000
to 0x39B
From 0x1F4
to 0x3FF
From 0xFA to
0x3FF
From 0x78 to
0x3FF
From 0x000
to 0x20B
From 0x000
to 0x305
From 0x000
to 0x387
N/A
N/A
From 0xFA
to 0x3FF
From 0x78 to
0x3FF
From 0x000
to 0x305
From 0x000
to 0x387
- 7/30 -
AD5291/AD5292
表 6.
RAB = 50 kΩ
Resistor Tolerance
per Code
1% R-Tolerance
2% R-Tolerance
3% R-Tolerance
|VDD − VSS| = 26 V to 33 V
RAB = 100 kΩ
|VDD − VSS| = 21 V to 26 V
|VDD − VSS| = 26 V to 33 V
|VDD − VSS| = 21 V to 26 V
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
RWB
RWA
From 0x08C
to 0x3FF
From 0X03C
to 0x3FF
From 0X028
to 0x3FF
From 0x000
to 0x35F
From 0x000
to 0x3C3
From 0x000
to 0x3D7
From 0x0B4
to 0x3FF
From 0x050
to 0x3FF
From 0x032
to 0x3FF
From 0x000
to 0x31E
From 0x000
to 0x3AF
From 0x000
to 0x3CD
From 0x04B
to 0x3FF
From 0x028
to 0x3FF
From 0x019
to 0x3FF
From 0x000
to 0x3B4
From 0x000
to 0x3D7
From 0x000
to 0x3E6
From 0x064
to 0x3FF
From 0x028
to 0x3FF
From 0x019
to 0x3FF
From 0x000
to 0x39B
From 0x000
to 0x3D7
From 0x000
to 0x3E6
インターフェース・タイミング仕様
VDD /VSS = ±15 V、VLOGIC = 2.7 V~5.5 V、−40°C < TA < +105°C。特に指定がない限り、すべての仕様は TMIN~TMAX。
表 7.
Limit1
Unit
Description
20
10
10
10
ns min
ns min
ns min
ns min
SCLK cycle time
SCLK high time
SCLK low time
SYNC to SCLK falling edge setup time
t5
t6
t7
5
5
1
ns min
ns min
ns min
Data setup time
Data hold time
SCLK falling edge to SYNC rising edge
t8
4003
ns min
Minimum SYNC high time
t9
14
ns min
SYNC rising edge to next SCLK fall ignore
RDY rising edge to SYNC falling edge
Parameter
t1
t2
t3
t4
t
2
4
10
1
ns min
t114
40
ns max
SYNC rising edge to RDY fall time
t124
2.4
µs max
RDY low time, RDAC register write command execute time (R-Perf mode)
t124
410
ns max
RDY low time, RDAC register write command execute time (normal mode)
t
8
ms max
RDY low time, memory program execute time
t124
1.5
ms min
Software/hardware reset
t134
450
ns max
RDY low time, RDAC register readback execute time
t
4
13
1.3
ms max
RDY low time, memory readback execute time
t144
450
ns max
SCLK rising edge to SDO valid
tRESET
20
ns min
Minimum RESET pulse width (asynchronous)
tPOWER-UP5
2
ms max
Power-on OTP restore time
4
12
1
すべての入力信号は tR = tF = 1 ns/V (VDD の 10%から 90%)で規定し、(VIL + VIH)/2 の電圧レベルからの時間とします。
SCLK の最大周波数は 50 MHz。
3
RDAC レジスタ・コマンドとメモリ・コマンドの動作については t12 と t13 を参照してください。
4
168 pF の容量負荷で、RPULL_UP = 2.2 kΩ (VLOGIC へ接続)。
5
VLOGIC が 2.5 V に一致した後の最大時間。
2
0
0
C3
C2
C1
C0
D9
D8
DB0 (LSB)
D7
D6
D5
DATA BITS
CONTROL BITS
図 2.シフトレジスタの値
Rev. C
D4
- 8/30 -
D3
D2
D1
D0
07674-003
DB9 (MSB)
AD5291/AD5292
タイミング図
t4
SCLK
t2
t7
t1
t9
t3
t8
SYNC
t5
t6
X
X
C3
C2
D7
D6
D2
D1
D0
SDO
t11
t10
t12
RDY
tRESET
RESET
07674-004
DIN
図 3.書込みタイミング図、CPOL = 0、CPHA = 1
SCLK
t9
SYNC
DIN
X
X
C3
D0
D0
X
X
C3
D1
D0
t14
X
t11
RDY
X
C3
t13
図 4.読出しタイミング図、CPOL = 0、CPHA = 1
Rev. C
- 9/30 -
D1
D0
07674-005
SDO
AD5291/AD5292
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA = 25°C。
表 8.
Parameter
Rating
VDD to GND
VSS to GND
VLOGIC to GND
VDD to VSS
VA, VB, VW to GND
Digital Input and Output Voltage to GND
EXT_CAP Voltage to GND
IA, IB, IW
Continuous
RAB = 20 kΩ
RAB = 50 kΩ, 100 kΩ
Pulsed1
Frequency > 10 kHz
Frequency ≤ 10 kHz
Operating Temperature Range4
Maximum Junction Temperature (TJ max)
Storage Temperature Range
Reflow Soldering
Peak Temperature
Time at Peak Temperature
Package Power Dissipation
−0.3 V to +35 V
+0.3 V to − 25 V
−0.3 V to + 7 V
35 V
VSS − 0.3 V, VDD+ 0.3 V
−0.3 V to VLOGIC + 0.3 V
−0.3 V to +7 V
熱抵抗
θJA は JEDEC 仕様 JESD-51 により定義され、値はテスト・ボード
とテスト環境に依存します。
表 9.熱抵抗
±3 mA
±2mA
MCC2/d3
MCC2/√d3
−40°C to +105°C
150°C
−65°C to +150°C
260°C
20 sec to 40 sec
(TJ max − TA)/θJA
1
最大ピン電流は、スイッチの最大処理電流、パッケージ最大消費電力、A ピン
/B ピン/W ピン内の任意の 2 ピン間の、設定された抵抗での最大入力電圧によ
り制約されます。
2
最大連続電流。
3
パルス・デューティ・ファクタ。
4
OTP メモリの書き込みを含みます。
Rev. C
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久
的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の規
定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクションに
記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバイスの信頼
性に影響を与えます。
- 10/30 -
Package Type
θJA
θJC
Unit
14-Lead TSSOP
931
20
°C/W
1
JEDEC 2S2P テスト・ボード、自然空冷(0 m/sec~1 m/sec の空気流)。
ESDの注意
ESD(静電放電)の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知
されないまま放電することがあります。本製品は
当社独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵
してはいますが、デバイスが高エネルギーの静電
放電を被った場合、損傷を生じる可能性がありま
す。したがって、性能劣化や機能低下を防止する
ため、ESD に対する適切な予防措置を講じるこ
とをお勧めします。
AD5291/AD5292
ピン配置およびピン機能説明
RESET 1
A 3
W 4
B 5
14 RDY
AD5291/
AD5292
TOP VIEW
Not to Scale
13 SDO
12 SYNC
11 SCLK
10 DIN
VDD 6
9
GND
EXT_CAP 7
8
VLOGIC
07674-006
VSS 2
図 5.ピン配置
表 10.ピン機能の説明
ピン番号
記号
説明
1
RESET
ハードウェア・リセット・ピン。RDAC レジスタを 20-TP メモリ・レジスタ値でリセットします。最初に 20-TP メモ
リ・レジスタ値が書込まれるまで、出荷時デフォルト値のミッド・スケールがロードされます。RESETはロジック・
ハイ・レベルへの変化でアクティブになります。使用しない場合は、RESETを VLOGIC に接続してください。
2
VSS
負電源。単電源アプリケーションで 0 V へ接続してください。このピンは、0.1 µF のセラミック・コンデンサと 10
µF のコンデンサでデカップリングする必要があります。
3
A
RDAC の A ピン。VSS ≤ VA ≤ VDD。
4
W
RDAC のワイパー・ピン。VSS ≤ VW ≤ VDD。
5
B
RDAC の B ピン。VSS ≤ VB ≤ VDD。
6
VDD
正の電源。このピンは、0.1 µF のセラミック・コンデンサと 10 µF のコンデンサでデカップリングする必要がありま
す。
7
EXT_CAP
外付けコンデンサ。1 µF のコンデンサを EXT_CAP に接続します。このコンデンサの定格電圧は 7 V 以上である必要
があります。
8
VLOGIC
ロジック電源 2.7 V~5.5 V。このピンは、0.1 μF のセラミック・コンデンサと 10μF のコンデンサでデカップリングす
る必要があります。
9
GND
グラウンド・ピン、ロジック・グラウンド基準。
10
DIN
シリアル・データ入力。AD5291/AD5292 は、16 ビットのシフトレジスタを内蔵しています。データは、シリアル・
クロック入力の立下がりエッジでレジスタに入力されます。
11
SCLK
シリアル・クロック入力。データは、シリアル・クロック入力の立下がりエッジでシフトレジスタに入力されます。
データは最大 50 MHz のレートで転送できます。
12
SYNC
立下がりエッジの同期信号。これは、入力データに対するフレーム同期信号です。SYNCがロー・レベルになると、
入力シフトレジスタがイネーブルされ、データは後続のクロックの立下がりエッジで入力されます。選択されたレジ
スタが、16 番目のクロック・サイクルの後のSYNCの立上がりエッジで更新されます。16 個目のクロック・サイクル
の前にSYNCをハイ・レベルにすると、SYNCの立上がりエッジは割込みとして機能するため、DAC は書込みシーケ
ンスを無視します。
13
SDO
シリアル・データ出力。このオープン・ドレイン出力には外付けのプルアップ抵抗が必要です。SDO ピンは、ディジ
ーチェーン・モードまたはリードバック・モードでシフトレジスタからのデータを出力するときに使います。
14
RDY
レディ・ピン。このアクティブ・ハイのオープン・ドレイン出力は、RDAC レジスタまたはメモリに対する書込み動
作または読出し動作の完了を表示します。
Rev. C
- 11/30 -
AD5291/AD5292
代表的な性能特性
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.2
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.6
–0.8
128
256
384
512
640
768
896
–1.0
07674-106
1023
CODE (Decimal)
256
384
512
640
768
896
1023
図 9.コード対抵抗性能モードでの R-INL 対公称抵抗(AD5292)
0.6
RAB = 20kΩ
TEMPERATURE = 25°C
0.5
0.4
0.4
0.3
0.3
DNL (LSB)
0.5
0.2
0.1
0.2
0.1
0
0
–0.1
–0.1
20kΩ
50kΩ
100kΩ
–0.2
–0.2
384
512
640
768
896
1023
CODE (Decimal)
–0.3
07674-007
256
+105°C
+25°C
–40°C
128
128
CODE (Decimal)
図 6.コード対抵抗性能モードでの R-INL 対温度(AD5292)
0
0
0
128
256
384
512
640
768
896
1023
CODE (Decimal)
07674-211
0
07674-215
–0.8
RAB = 20kΩ
–1.0
DNL (LSB)
0
–0.2
–0.4
–0.3
TEMPERATURE = 2 5°C
0.6
0.4
0.6
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.8
INL (LSB)
INL (LSB)
1.0
–40°C
+25°C
+105°C
図 10.コード対抵抗性能モードでの R-DNL 対公称抵抗(AD5292)
図 7.コード対抵抗性能モードでの R-DNL 対温度(AD5292)
1.0
1.0
RAB = 20kΩ
0.8
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.8
0.6
TEMPERATURE = 25°C
0.6
0.4
INL (LSB)
INL (LSB)
0.4
0.2
0
0.2
0
–0.2
–0.2
–0.4
256
384
512
640
768
–0.4
896
1023
CODE (Decimal)
–0.6
0
128
256
384
512
640
768
896
1023
CODE (Decimal)
図 8.コード対ノーマル・モードでの R-INL 対温度(AD5292)
Rev. C
- 12/30 -
図 11.コード対ノーマル・モードでの R-INL 対公称抵抗(AD5292)
07674-216
128
07674-010
0
+105°C
+25°C
–40°C
–0.6
AD5291/AD5292
0.15
0.15
RAB = 20kΩ
0.10
DNL (LSB)
0
–0.05
0
–0.05
–0.10
–0.10
256
384
512
640
768
–0.20
896
1023
CODE (Decimal)
図 12.コード対ノーマル・モードでの R-DNL 対温度(AD5292)
1.5
0
128
640
768
0.8
0.5
0.2
INL (LSB)
0.6
0
–0.2
–1.0
–0.6
384
512
640
768
896
1023
CODE (Decimal)
–0.8
07674-014
256
1023
TEMPERATURE = 25°C
20kΩ
50kΩ
100kΩ
+105°C
+25°C
–40°C
896
0
–0.5
128
512
図 15.コード対ノーマル・モードでの R-DNL 対公称抵抗(AD5292)
1.0
0
384
CODE (Decimal)
RAB = 20kΩ
–1.5
256
0
128
256
384
512
640
768
896
1023
CODE (Decimal)
図 13.コード対抵抗性能モードでの INL 対温度(AD5292)
07674-207
128
07674-011
0
+105°C
+25°C
–40°C
–0.20
07674-213
–0.15
–0.15
INL (LSB)
TEMPERATURE = 25°C
0.05
0.05
DNL (LSB)
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.10
図 16.コード対抵抗性能モードでの INL 対公称抵抗(AD5292)
0.6
0.6
TEMPERATURE = 2 5°C
RAB = 20kΩ
0.5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.2
0.1
0.1
0
0
–0.1
20kΩ
50kΩ
100kΩ
–0.2
–0.1
128
256
384
512
640
768
–0.3
896
1023
CODE (Decimal)
07674-015
0
+105°C
+25°C
–40°C
–0.2
0
128
256
384
512
640
CODE (Decimal)
768
896
1023
07674-203
0.3
DNL (LSB)
DNL (LSB)
0.4
図 17.コード対抵抗性能モードでの DNL 対公称抵抗(AD5292)
図 14.コード対抵抗性能モードでの DNL 対温度(AD5292)
Rev. C
- 13/30 -
AD5291/AD5292
0.8
0.8
–40°C
+25°C
+105°C
RAB = 20kΩ
0.6
0.2
INL (LSB)
0.2
0
0
–0.2
–0.2
–0.4
–0.4
–0.6
–0.6
–0.8
0
128
256
384
512
640
768
896
07674-018
–0.8
1023
CODE (Decimal)
0
128
256
384
512
640
768
896
図 21.コード対ノーマル・モードでの INL 対公称抵抗(AD5292)
図 18.コード対ノーマル・モードでの INL 対温度(AD5292)
0.08
0.10
–40°C
+25°C
+105°C
0.05
1023
CODE (Decimal)
07674-209
INL (LSB)
TEMPERATURE = 2 5°C
0.4
0.4
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.04
0
DNL (LSB)
0
DNL (LSB)
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.6
–0.05
–0.04
–0.08
–0.10
–0.12
–0.15
0
128
256
384
512
640
768
896
0
07674-019
–0.20
–0.16
1023
CODE (Decimal)
0.30
640
768
896
1023
TEMPERATURE = 2 5°C
0.20
0.20
0.15
INL (LSB)
0.15
0.10
0.05
0
0.10
0.05
0
–0.05
–0.05
–0.10
–0.10
–0.15
–0.15
RAB = 20kΩ
0
32
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
07674-008
–0.20
–0.20
図 20.コード対抵抗性能モードでの R-INL 対温度(AD5291)
0
32
64
96
128
160
CODE (Decimal)
192
224
255
07674-218
INL (LSB)
512
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.25
0.25
Rev. C
384
図 22.コード対ノーマル・モードでの DNL 対公称抵抗(AD5292)
+105°C
+25°C
–40°C
256
CODE (Decimal)
図 19.コード対ノーマル・モードでの DNL 対温度(AD5292)
0.30
128
07674-205
TEMPERATURE = 25°C
RAB = 20kΩ
図 23.コード対抵抗性能モードでの R-INL 対公称抵抗(AD5291)
- 14/30 -
AD5291/AD5292
0.14
RAB = 20kΩ
TEMPERATURE = 25°C
0.12
0.12
0.10
0.10
0.08
0.08
0.06
0.06
0.04
0.02
0.02
0
0
–0.02
–0.02
20kΩ
50kΩ
100kΩ
–0.04
–0.04
32
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
32
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
0.25
+105°C
+25°C
–40°C
0
図 27.コード対抵抗性能モードでの R-DNL 対公称抵抗(AD5291)
図 24.コード対抵抗性能モードでの R-DNL 対温度(AD5291)
0.25
–0.06
07674-009
0
+105°C
+25°C
–40°C
–0.06
0.20
0.20
0.15
0.15
INL (LSB)
INL (LSB)
0.04
07674-212
DNL (LSB)
DNL (LSB)
0.14
0.10
0.05
20kΩ
50kΩ
100kΩ
TEMPERATURE = 25°C
0.10
0.05
0
0
–0.05
–0.05
0
32
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
図 25.コード対ノーマル・モードでの R-INL 対温度(AD5291)
0.02
0.02
0.01
0.01
0
0
–0.02
–0.03
64
96
128
160
192
224
255
図 28.コード対ノーマル・モードでの R-INL 対公称抵抗(AD5291)
0.03
–0.01
32
CODE (Decimal)
+105°C
+25°C
–40°C
0
DNL (LSB)
DNL (LSB)
0.03
–0.10
07674-012
–0.10
07674-217
RAB = 20kΩ
20kΩ
50kΩ
100kΩ
TEMPERATURE = 2 5°C
–0.01
–0.02
–0.03
–0.04
–0.04
0
32
64
96
128
160
CODE (Decimal)
192
224
255
図 26.コード対ノーマル・モードでの R-DNL 対温度(AD5291)
Rev. C
- 15/30 -
–0.05
0
32
64
96
128
160
CODE (Decimal)
192
224
255
07674-214
–0.05
07674-013
RAB = 20kΩ
図 29.コード対ノーマル・モードでの R-DNL 対公称抵抗(AD5291)
AD5291/AD5292
0.25
0.25
+105°C
+25°C
–40°C
0.15
0.15
0.10
0.05
INL (LSB)
0
–0.05
0
–0.05
–0.10
–0.10
–0.15
RAB = 20kΩ
0
32
–0.25
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
07674-016
–0.25
0
32
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
図 33.コード対抵抗性能モードでの INL 対公称抵抗(AD5291)
図 30.コード対抵抗性能モードでの INL 対温度(AD5291)
0.14
TEMPERATURE = 2 5°C
+105°C
+25°C
–40°C
0.12
0.10
0.10
0.08
0.08
0.06
0.06
DNL (LSB)
0.12
0.04
0.02
0.04
0.02
0
0
–0.02
–0.02
–0.04
–0.04
RAB = 20kΩ
0
32
64
96
128
160
192
224
255
CODE (Decimal)
–0.06
07674-017
–0.06
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0
0.20
0.10
0.10
0.05
0.05
INL (LSB)
0.15
0.15
0
–0.05
–0.10
–0.10
–0.15
–0.15
32
64
96
128
160
192
224
256
CODE (Decimal)
07674-020
–0.20
0
128
160
192
224
255
20kΩ
50kΩ
100kΩ
TEMPERATURE = 25°C
0
–0.05
–0.20
96
CODE (Decimal)
+105°C
+25°C
–40°C
64
図 34.コード対抵抗性能モードでの DNL 対公称抵抗(AD5291)
図 31.コード対抵抗性能モードでの DNL 対温度(AD5291)
0.20
32
07674-204
0.14
INL (LSB)
20kΩ
50kΩ
100kΩ
–0.20
–0.20
07674-208
–0.15
DNL (LSB)
0.05
0
32
64
96
128
160
CODE (Decimal)
192
224
255
07674-210
INL (LSB)
0.10
図 35.コード対ノーマル・モードでの INL 対公称抵抗(AD5291)
図 32.コード対ノーマル・モードでの INL 対温度(AD5291)
Rev. C
TEMPERATURE = 2 5°C
0.20
0.20
- 16/30 -
AD5291/AD5292
0.03
+105°C
+25°C
–40°C
TEMPERATURE = 25°C
0.02
0.02
0.01
0.01
0
0
DNL (LSB)
–0.01
–0.02
–0.03
–0.02
–0.03
–0.04
RAB = 20kΩ
32
64
96
128
160
192
224
255
–0.05
CODE (Decimal)
0
300
250
200
150
100
IDD
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
TEMPERATURE (°C)
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0
POTENTIOMETER MODE TEMPCO (ppm/°C)
300
200
100
768
192
1023 AD5292
255 AD5291
07674-024
RHEOSTAT MODE TEMPCO (ppm/°C)
400
512
128
CODE (Decimal)
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
DIGITAL INPUT VOLTAGE (V)
4.0
4.5
5.0
VDD = 30V
VSS= 0V
20kΩ
50kΩ
100kΩ
600
500
400
300
200
100
0
0
0
256
64
512
128
CODE (Decimal)
768
192
1023 AD5292
255 AD5291
図 41.コード対ポテンショメータ・モード温度係数 ΔRWB/ΔT
図 38.コード対可変抵抗器モード温度係数 ΔRWB/ΔT
Rev. C
1.0
700
20kΩ
50kΩ
100kΩ
256
64
0.5
図 40.デジタル入力電圧対電源電流 ILOGIC
VDD = 30V,
VSS= 0V
0
0
VDD = ±15V
0
500
0
255
0.14
図 37.電源電流 (IDD、ISS、ILOGIC)の温度特性
600
224
0.02
ISS
700
192
0.16
07674-022
–50
–40 –30 –20 –10 0
160
0.18
ILOGIC
50
128
0.20
SUPPLY CURRENT I LOGIC (mA)
350
96
図 39.コード対ノーマル・モードでの DNL 対温度(AD5291)
VDD/VSS = ±15V
VLOGIC = +5V
400
64
CODE (Decimal)
図 36.コード対ノーマル・モードでの DNL 対温度(AD5291)
450
32
07674-031
0
07674-021
–0.05
20kΩ
50kΩ
100kΩ
07674-206
–0.04
SUPPLY CURRENT (nA)
–0.01
- 17/30 -
07674-023
DNL (LSB)
0.03
AD5291/AD5292
0
AD5292 (AD5291)
–5
0x200 (0x80)
–10
0x100 (0x40)
0x200 (0x80)
–10
0x100 (0x40)
–15
0x080 (0x20)
–20
–15
0x080 (0x20)
–20
0x040 (0x10)
–30
0x010 (0x04)
–40
0x008 (0x02)
0x010 (0x04)
–45
0x004 (0x01)
0x008 (0x02)
–50
0x020 ( 0x08)
–30
–35
0x020 ( 0x08)
–35
–25
0x002
–55
–40
–50
10
–65
–67.5
0x001
100
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
1
07674-025
0x002
0x001
–60
0x004 (0x01)
–45
AD5292 (AD5291)
0x200 (0x80)
–10
–10 0x100 (0x40)
PSRR (dB)
GAIN (dB)
0x040 (0x10)
0x020 ( 0x08)
0x010 (0x04)
–40
1k
10k
100k
1M
100kΩ
20kΩ
50kΩ
–20
0x080 (0x20)
–30
100
図 45.周波数対コード対 100 kΩ ゲイン
0
0
10
FREQUENCY (Hz)
図 42.周波数対コード対 20 kΩ ゲイン
–20
AD5292 (AD5291)
0x040 (0x10)
–25
GAIN (dB)
GAIN (dB)
–5
07674-201
0
0x008 (0x02)
–30
–40
–50
0x004 (0x01)
–60
–50
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
–70
100
THD + N (dB)
–30
0
VDD/VSS = ±15V
CODE = HALF SCALE
VIN = 1V rms
Noise BW = 22kHz
20kΩ
50kΩ
100kΩ
–40
–60
–60
–80
–75
–100
–90
–120
–105
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
07674-027
–140
0.001
1k
図 44.THD +ノイズの周波数特性
Rev. C
1M
VDD/VSS = ±15V,
CODE = HALF SCALE
fIN = 1kHz
NOISE BW = 22kHz
20kΩ
50kΩ
100kΩ
–20
–45
–120
100
100k
図 46.電源除去比の周波数特性
THD + N (dB)
–15
10k
FREQUENCY (Hz)
図 43.周波数対コード対 50 kΩ ゲイン
0
1k
07674-026
100
0.01
0.1
AMPLITUDE (V rms)
図 47.THD +ノイズ対振幅
- 18/30 -
1
10
07674-220
–60
10
0x001
07674-200
0x002
AD5291/AD5292
800,000
8
50k – 150pF
50k – 250pF
100k – 0pF
100k – 75pF
100k – 150pF
100k – 250pF
700,000
BANDWIDTH (Hz)
VDD/VSS = 30V/0V
VA = VDD
VB = VSS
7
600,000
500,000
400,000
300,000
200,000
6
5
4
20kΩ
3
50kΩ
2
100,000
100kΩ
1
0
0
8
16
32
64
16
32
CODE (Decimal)
8
128
256
512 AD5292
128 AD5291
64
0
07674-222
0
0
0
256
64
図 48.コード対帯域幅対ネット容量
512
128
CODE (Decimal)
768
192
1023 AD5292
255 AD5291
図 51.コード対理論最大電流
35
1.2
VDD/VSS = ±15V
VLOGIC = +5V
VA = VDD
VB = VSS
1.0
25
0.8
20kΩ
50kΩ
100kΩ
0.6
20
VOLTAGE (V)
SUPPLY CURRENT IDD (mA)
30
15
10
5
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
TIME (ms)
0.8
1.0
1.2
–0.8
–2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
TIME (µs)
図 49. ヒューズ焼き切り/読出し時の IDD 波形
図 52.最大変化グリッチ
40
VWB, CODE: FULL SCALE,
NORMAL MODE
VDD/VSS = 30V/0V
VLOGIC = 5V
VA = VDD
VB = VSS
24
16
VOLTAGE (μV)
VOLTAGE (V)
25
20
VWB, CODE: FULL SCALE,
R-PERF MODE
15
10
SYNC
–8
15
–32
07674-033
TIME (µs)
14
13
12
11
9
10
8
7
6
5
4
3
2
1
0
–5
–1
0
–24
20kΩ
50kΩ
100kΩ
20kΩ
50kΩ
100kΩ
VWB, CODE: HALF-SCALE,
NORMAL MODE
VWB, CODE: HALF-SCALE,
R-PERF MODE
0
–2
8
–16
5
図 50.コード・ゼロ・スケールからの
20kΩ 大信号セトリング・タイム
Rev. C
VDD/VSS = ±15V
VA = VDD
VB = VSS
CODE = HALF CODE
32
30
–40
–0.5
0
5
10
15
20
25
TIME (µs)
30
35
図 53.デジタル・フィードスルー
- 19/30 -
40
45
07674-032
35
07674-035
–0.2
07674-034
–0.6
–5
–0.4
07674-029
20k – 0pF
20k – 75pF
20k – 150pF
20k – 250pF
50k – 0pF
50k – 75pF
900,000
THEORETICAL IWB_MAX (mA)
1,000,000
AD5291/AD5292
NUMBER OF CODES (AD5291)
62.5
3
2
1
TIME (ms)
07674-036
8.6
8.0
7.4
6.8
6.2
5.6
5.0
4.4
3.8
3.2
2.6
2.0
1.4
0.8
0.2
–1.0
–1
–0.4
0
50.0
200
37.5
150
25.0
100
12.5
50
0
–40 –30 –20 –10 0
20.0
17.5
NUMBER OF CODES (AD5291)
VDD/VSS = ±15V
VLOGIC = +5V
VOLTAGE (V)
6
3
2
0
07674-037
17.2
16.0
14.8
13.6
12.4
11.2
10.0
8.8
7.6
6.4
5.2
4.0
2.8
1.6
0.4
–0.8
–2.0
TIME (ms)
VA = VDD
VB = VSS
TEMPERATURE = 25°C
20kΩ
50kΩ
100kΩ
- 20/30 -
80
70
60
12.5
50
10.0
40
7.5
30
5.0
20
2.5
10
0
26
30
VOLTAGE VDD/VSS
図 57.電圧対コード範囲> 1%抵抗偏差
図 55.ヒューズ書込み時の VEXT_CAP 波形
Rev. C
0
15.0
0
21
–2
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
TEMPERATURE (°C)
図 56.コード範囲> 1%抵抗偏差の温度特性
図 54.ヒューズ読出し時またはキャリブレーション時の
VEXT_CAP 波形
8
250
33
NUMBER OF CODES (AD5292)
VOLTAGE (V)
4
20kΩ
50kΩ
100kΩ
NUMBER OF CODES (AD5292)
5
300
VDD/VSS = ±15V
07674-056
75.0
VDD/VSS = ±15V
VLOGIC = +5V
07674-219
6
AD5291/AD5292
テスト回路
図 58 ~図 63 に、仕様のセクションで使用したテスト条件を示します。
NC
VA
IW
V+ = VDD ± 10%
B
A
V+ ~
VMS
ΔVMS
PSRR (dB) = 20 log ΔV
DD
W
B
07674-041
図 61.電源除去比(PSS、PSRR)
図 58.抵抗ポジションの非直線性誤差
(可変抵抗器動作; R-INL、R-DNL)
+15V
A
DUT
V+ = VDD
1LSB = V+/2N
W
VIN
W
DUT
B
VMS
2.5V
+15V
B
A = NC
+
IWB
–
RW =
2
VDD
DUT
A
VSS GND
B
VSS TO VDD
ICM
W
0.1V
+15V
–15V
GND
GND
NC
+15V
図 60.ワイパー抵抗
Rev. C
GND
GND
0.1V
IWB
RWB
07674-043
CODE = 0x00
W
–15V
–15V
NC
RWB=
VOUT
図 62.ゲインの周波数特性
図 59.ポテンショメータ分圧器の非直線性誤差(INL、DNL)
DUT
OP42
B
OFFSET
GND
07674-042
A
V+
ΔVMS%
ΔVDD%
07674-047
NC = NO CONNECT
PSS (%/%) =
VMS
07674-044
VDD
NC = NO CONNECT
–15V
図 63.同相モード・リーク電流
- 21/30 -
07674-048
DUT
A
W
AD5291/AD5292
動作原理
AD5291/AD5292 デジタル・ポテンショメータは、ピン電圧範囲
VSS < VTERM < VDD 内のアナログ信号に対して真の可変抵抗として
動作するようにデザインされています。特許取得済みの±1%抵抗
偏差は、総合 RDAC 抵抗誤差を小さくすることに役立ちます。優
れた絶対値一致とオープン・ループ性能の改善により、全体シス
テム誤差が小さくなります。デジタル・ポテンショメータのワイ
パー・ポジションは、RDAC レジスタの値により決定されます。
RDAC レジスタはスクラッチ・パッド・レジスタとして機能し、
ポテンショメータ・ワイパーを正しいポジションに位置させるた
めに、必要に応じた回数の値変更が可能です。RDAC レジスタに、
標準の SPI インターフェースを使って 16 ビットのデータ・ワード
をロードすることにより、任意のポジション値を書込むことがで
きます。目的の値が見つかった後に、この値を 20-TP メモリ・レ
ジスタに保存することができます。それ以後、ワイパー・ポジシ
ョンは、後続パワーアップで常にその位置に回復されます。20-TP
データの保存には約 6ms 要し、この間シフトレジスタがロックさ
れて値の変化を防止します。RDY ピンは、この 20-TP メモリの保
存処理の完了を表示します。
シリアル・データ・インターフェース
AD5291/AD5292 は、SPI 規格や大部分の DSP と互換性を持つシリ
アル・インターフェース(SYNC、SCLK、DIN、SDO)を内蔵して
います。このデバイスでは、シリアル・インターフェースを介し
て各レジスタへデータを書込むことができます。
シフトレジスタ
AD5291/AD5292 のシフトレジスタは 16 ビット幅です(図 2 参照)。
16 ビット入力ワードは、未使用の 2 ビット(0 に設定)、それに続く
4 ビットのコントロール・ビットと 10 ビットのRDACデータビッ
トから構成されています。AD5291 の場合、RDAC レジスタの読み
書きで、RDAC データの下位 2 ビットはdon’t careです。 データは
MSBファースト(DB15 が先頭)でロードされます。4 ビットのコン
トロール・ビットは、ソフトウェア・コマンドの機能を指定しま
す(表 11 参照)。図 3 に、代表的なAD5291/AD5292 の書込みシーケ
ンスのタイミング図を示します。
SYNCラインをロー・レベルにすると、書込みシーケンスが開始
されます。SYNCピンは、DINピンからデータ・ワードが完全にロ
ードされるまでロー・レベルに維持する必要があります。SYNCが
ハイ・レベルに戻ると、シリアル・データ・ワードが 表 11 のコ
マンドに従ってデコードされます。コマンド・ビット(Cx)が、デ
ジタル・ポテンショメータの動作を制御します。データビット
(Dx) は 、 デ コ ー ド さ れ た レ ジ ス タ に ロ ー ド さ れ る 値 で す 。
AD5291/AD5292 は、正常動作のために 16 ビット(1 フレーム)の倍
数をカウントするカウンタを内蔵しています。例えば、
AD5291/AD5292 は 32 ビット・ワードで動作しますが、31 ビット
ま た は 33 ビ ッ ト ・ ワ ー ド で 動 作 す る こ と は で き ま せ ん 。
AD5291/AD5292 では、SYNCがハイ・レベルのとき連続SCLKを必
要としませんが、すべてのシリアル・インターフェース・ピンは
VLOGIC 電源レール近くで動作して、デジタル入力バッファでの消
費電力を小さくする必要があります。
RDAC レジスタ
RDAC レジスタは、デジタル・ポテンショメータのワイパー・ポ
ジションを直接制御します。例えば、RDAC レジスタに全ビット
0 をロードすると、ワイパーは可変抵抗の B ピンに接続されます。
RDAC レジスタは標準のロジック・レジスタであるため、許容変
更回数には制限がありません。
表 11.コマンド動作の真理値表
Data Bits [DB9:DB0]1
Command Bits [DB13:DB10]
Command
C3
C2
C1
C0
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Operation
0
1
2
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
X
D9
X
X
D8
X
X
D7
X
X
D6
X
X
D5
X
X
D4
X
X
D3
X
X
D2
X
X
D12
X
X
D02
X
3
0
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
4
0
1
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
5
0
1
0
1
X
X
X
X
X
D4
D3
D2
D1
D0
6
0
1
1
0
X
X
X
X
X
X
D3
D2
D1
D0
7
0
1
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
8
1
0
0
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
D0
NOP command: do nothing.
Write contents of serial data to RDAC.
Read RDAC wiper setting from the SDO
output in the next frame.
Store wiper setting: store RDAC setting
to 20-TP memory.
Reset: refresh RDAC with 20-TP stored
value.
Read contents of 20-TP memory, or
status of 20-TP memory, from the SDO
output in the next frame.
Write contents of serial data to control
register.
Read control register from the SDO
output in the next frame.
Software shutdown.
D0 = 0 (normal mode).
D0 = 1 (device placed in shutdown mode).
1
2
X = don’t care
AD5291 では、このビットは don’t care。
Rev. C
- 22/30 -
AD5291/AD5292
20-TPメモリ
書込み保護機能
目的のワイパー・ポジションが見つかった後、RDAC レジスタ値
を 20-TP メモリ・レジスタへ保存することができます (表 12 参照)。
それ以後、ワイパー・ポジションは、その後のON-OFF-ON電源シ
ーケンスに対してそのポジションに常に設定されます。
AD5291/AD5292 は、 20 個のワンタイム・プログラマブル (OTP) メ
モリ・レジスタのアレイを内蔵しています。目的のワードを 20-TP
メモリに書込むと、デバイスはプログラム・コマンドが正常に完
了したことを自動的に確認します。この確認プロセスにはマージ
ン・テストも含まれています。コントロール・レジスタのビット
C3 をポーリングして、ヒューズ・プログラム・コマンドが正常に
完了したことを確認することができます。20-TP メモリへのデー
タの書込みには、550 µs間約 25 mAの電流が必要で、完了に約 8
ms を要します。この間、シフトレジスタがロックされて値の変化
を防止します。RDYピンを使って、20-TPメモリに対する書込み
と確認の完了をモニタすることができます。20-TP メモリの書込
み時は、電源電圧の変化は許されませんが、EXT_CAP ピンに 1 µF
のコンデンサは必要です (図 68 参照)。20-TPをアクティブにする前
は、パワーアップ時にAD5291/AD5292 はミッドスケールに設定さ
れます。
パワーアップ時に、RDACレジスタと 20-TPメモリ・レジスタに
対するシフトレジスタ書込みコマンドがディスエーブルされます。
コントロール・レジスタのRDAC書込み保護ビットC1(表 13 と 表
14 参照)は、デフォルトで 0 に設定されます。これにより、ソフト
ウェア・コマンドに無関係にRDACレジスタ値の変更が禁止されま
す。ただし、ソフトウェア・リセット・コマンド(コマンド 4)また
はハードウェアのRESETピンを使って、RDACレジスタを 20-TPメ
モリからリフレッシュすることはできます。可変抵抗ワイパー・
ポジションの書込み(RDACレジスタの書込み)をイネーブルときは、
コントロール・レジスタの書込み保護ビットC1 を先に設定する必
要があります。これは、シフトレジスタにコマンド 6 をロードす
ることにより行われます(表 11)。20-TP メモリ・ブロック・ビッ
トの書込みをイネーブルするときは、コントロール・レジスタの
C0 (デフォルトで 0 に設定済み)を最初に 1 に設定する必要があり
ます。
表 12.RDAC と 20-TP メモリの書込みと読出し
DIN
SDO
Action
0x1803
0x0500
0x0800
0x0C00
0xXXXX
0x1803
0x0500
0x0100
0x1C00
0x0000
0x0C00
0x000X
Enable update of wiper position and 20-TP memory contents through digital interface.
Write 0x100 to the RDAC register; wiper moves to ¼ full-scale position.
Prepare data read from the RDAC register.
Stores RDAC register content into 20-TP memory. The 16-bit word appears out of SDO, where the last 10 bits contain the
contents of the RDAC register (0x100).
Prepare data read from the control register.
NOP Instruction 0 sends 16-bit word out of SDO, where the last four bits contain the contents of the control register. If Bit C3 =
1, the fuse program command is successful.
表 13.コントロール・レジスタのビット・マップ 1
DB9
DB8
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
X
X
X
X
X
X
C3
C2
C1
C0
1
X = don’t care
表 14.コントロール・レジスタの機能
Bit Name
Description
C0
20-TP program enable
0 = 20-TP program disabled (default)
1 = enable device for 20-TP program
C1
RDAC register write protect
0 = wiper position frozen to value in memory (default)1
1 = allow update of wiper position through digital Interface
C2
Calibration enable
0 = resistor performance mode enabled (default)
1 = normal mode enabled
C3
20-TP memory program success
0 = fuse program command unsuccessful (default)
1 = fuse program command successful
1
ワイパー・ポジションが 20-TP メモリに直前に書込んだ値に固定されます。 20-TP メモリに書込みが行われない場合は、ワイパーはミッドスケールに固定されます。
Rev. C
- 23/30 -
AD5291/AD5292
基本動作
可変抵抗ワイパー・ポジション設定の基本モード( RDACレジスタ
の書込み)は、コマンド1 (表11参照)とワイパー・ポジション・デ
ータをシフトレジスタにロードすることにより実行されます。目
的のワイパー・ポジションを決めたら、ユーザはコマンド3 (表11
参照)をシフトレジスタにロードします。このコマンドは、ワイパ
ー・ポジション・データを20-Tメモリ・レジスタへ保存します。6
ms後に、ワイパー・ポジションは20-TPメモリに永久保存されま
す。RDYピンを使って、この20-TPに対する書込みの完了をモニ
タすることができます。表12 に、シリアル・データ入力(DIN)ワ
ード・シーケンスを示すアプリケーション・プログラミング例と
SDOピン上のシリアル・データ出力を16進数フォーマットで示し
ます。
20-TPのリードバックとスペア・メモリ・ステー
タス
コマンド 5 を使って、SDOからすべての 20-TP メモリ・レジスタ
値をリードバックすることができます (表 11)。データバイトの下
位 5 ビット (D0~D4) により、リードバック対象のメモリ・ロケ
ーションが選択されます(表 16 参照)。選択されたメモリ・ロケー
ションのデータは、次の SPI 動作でSDO ピンから出力されます。
この最後の 10 ビットに、指定されたメモリ・ロケーションの値
が含まれます。
読出し専用メモリ・アドレス 0x14 の値とメモリ・アドレス 0x15
の値をコマンド 5 を使って読出すことにより、直前に書込まれた
メモリ・ロケーションのアドレスを計算することもできます。 メ
モリ・アドレス 0x014 とメモリ・アドレス 0x015 からリード・
バックされたデータバイトは、直前に書込まれたメモリ・ロケー
ション・アドレスのサーモメータ・エンコードされた値です。表
15 に示す例の場合、直前に書込まれたロケーションのアドレスは
次のように計算されます。
(ビット数 = メモリ・アドレス 0x14 内の 1) + (ビット数 = メモ
リ・アドレス 0x15 内の 1) − 1 = 10 + 8 − 1 = 17 (0x10)
書込まれたメモリ・ロケーションがない場合は、発生されるアド
レスは −1 になります。
表 15. 20-TP メモリ・リードバックの例
DIN
SDO
Action
0x1414
0xXXX
X
0x03FF
Prepares data read from Memory Address 0x14.
0x1415
0x0000
0x1410
0x0000
Prepares data read from Memory Address 0x15. Sends 16-bit word out of SDO, where the last 10 bits contain the contents of Memory
Address 0x14.
NOP Command 0 sends 16-bit word out of SDO, where last 10-bits contain the contents of Memory Address 0x15.
Prepares data read from memory location 0x10.
NOP Instruction 0 sends 16-bit word out of SDO, where the last 10 bits contain the contents of Memory Address 0x10 (17).
0x00FF
0x0000
0xXXX
X
表 16.コマンド 5 のメモリ・マップ
Data Bits [DB9:DB0]1
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Register Contents
X
X
X
X
X
…
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
…
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
…
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
…
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
…
X
X
X
X
X
0
0
0
0
0
…
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
…
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
…
0
1
0
1
1
0
0
1
1
0
…
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
…
1
0
1
0
1
1st programmed wiper location (0x00)
2nd programmed wiper location (0x01)
3rd programmed wiper location (0x02)
4th programmed wiper location (0x03)
5th programmed wiper location (0x04)
…
10th programmed wiper location (0x09)
15th programmed wiper location (0x0E)
20th programmed wiper location (0x13)
Programmed memory status (thermometer encoded)2 (0x14)
Programmed memory status (thermometer encoded)2 (0x15)
1
2
X = don’t care.
残りのスペア・メモリ・ロケーションの計算が可能。
Rev. C
- 24/30 -
AD5291/AD5292
シャットダウン・モード
VLOGIC
AD5291/
AD5292
MOSI
MICROCONTROLLER
SCLK
SS
DIN
SYNC
U1
AD5291/
AD5292
RP
2.2kΩ
DIN
SDO
SDO
U2
SYNC
SCLK
SCLK
07674-050
AD5291/AD5292 は、ソフトウェア・シャットダウン・コマンドの
コマンド 8(表 11 参照)を実行してLSBをD0 = 1 に設定することによ
り、シャットダウン・モードにすることができます。この機能は、
RDACをピンAが開放で、ワイパーWがピンBに接続される特別な
状態にします。RDACレジスタ値は、シャットダウン・モードにな
ることにより変化しません。ただし、シャットダウン・モードで
は 表 11 に示すすべてのコマンドがサポートされます。シャット
ダウン・モードを終了するときは、コマンド 8 (表 11 参照)を実行
して、LSB、D0 = 0 に設定してください。
図 64.SDO を使ったディジーチェーン接続
RDACアーキテクチャ
このモードでは、各コードで±1%の抵抗偏差を保証する(すなわち
コード=ハーフスケール、RWB =10 kΩ ± 100 Ω)新しい特許取得済
みの 1%端子間抵抗偏差機能が開始されます。±1%の抵抗偏差を実
現するコードについては、表 2 (AD5291)または 表 5(AD5292)を参
照してください。抵抗性能モードは、コントロール・レジスタの
ビットC2 を設定することにより開始されます(表 13 と 表 14 参照)。
セトリング・タイム(typ)を 図 50 に示します。
最適性能を実現するため、アナログ・デバイセズはすべてのデジタ
ル・ポテンショメータに対してRDACセグメント化アーキテクチ
ャの特許を取得しました。特に、AD5291/AD5292 では 3 ステー
ジ・セグメント化を採用しています(図 65 参照)。AD5291/AD5292
ワイパー・スイッチは、トランスミッション・ゲートCMOS回路と
VDDおよびVSSから駆動されるゲート電圧によりデザインされてい
ます。
A
リセット
RL
ハードウェアRESETピンがロー・レベルからハイ・レベルへの変
化すると、RDACレジスタに直前に書込まれた 20-TPメモリ・ロケ
ーションの値がロードされます。コマンド 4 を実行することによ
りソフトウェアからAD5291/AD5292 をリセットすることもできま
す(表 11 参照)。20-TP メモリ・ロケーションが書込まれない場合は、
リセット時にRDAC レジスタにミッドスケールがロードされます。
コントロール・レジスタにはデフォルト・ビットが設定されます
( 表 14 参照)。
シフトレジスタのデータ出力ピン(SDO)は2つの機能を持っていま
す。このピンを使って、ワイパー設定値または内部メモリ値を、
それぞれコマンド 2またはコマンド 5を使って、読出すことができ
ます(表11)。あるいは、複数のデバイスをディジーチェーン接続
するときに使用することができます。残りの命令は、複数のデバ
イスをディジーチェーン接続して同時動作させた場合に有効です。
ディジーチェーン接続は、最小のポート・ピン数でICの制御を可
能にします(図64参照)。SDOピンにはオープン・ドレインのNチャ
ンネルFETが内蔵されており、この機能を使う場合、プルアップ
抵抗が必要です。図64に示すように、前のパッケージのSDOピン
を 次 の パ ッ ケ ー ジ の DIN ピ ン に 接 続 す る 必 要 が あ り ま す 。
SDO/DINインターフェースにプルアップ抵抗と容量負荷があると、
隣接デバイス間の遅延時間が大きくなるため、クロック周期を長
くする必要が生ずることもあります。
2個のAD5291/AD5292デバイスをディジーチェーン接続する場合、
32ビットのデータが必要になります。先頭の16ビットがU2に、次
の16ビットがU1に行きます。32ビットがすべてそれぞれのシフト
レジスタに入力されるまで、SYNCをロー・レベルに維持してお
く必要があります。動作が完了すると、SYNCはハイ・レベルに
なります。
SW
RM
RW
W
RW
8-/10-BIT
ADDRESS
DECODER
RM
RL
RM
RL
B
07674-051
ディジーチェーン動作
RM
RL
図 65.簡略化した RDAC 回路
可変抵抗のプログラミング
可変抵抗器動作—1%抵抗偏差
AD5291/AD5292 は、2 ピンのみを可変抵抗として使用すると、可
変抵抗器モードで動作します。未使用ピンはフローティングのまま
にするか、Wピンに接続することができます(図 66 参照)。
A
A
W
B
A
W
B
W
B
07674-052
抵抗性能モード
図 66.可変抵抗器モードの構成
ピンAとピンBの間の公称抵抗(RAB)は、20 kΩ、50 kΩ、100 kΩの
ものがあり、ワイパー・ピンからアクセスされるタップ・ポイン
ト数は 256 または 1024 です。RDACラッチ内の 8/10 ビット・デー
タがデコードされて、256/1024 通りのワイパー設定の内の 1 つを
選択します。AD5291/AD5292 は、デフォルトでイネーブルされて
いる±1%抵抗性能モードを持っており、コントロール・レジスタ
Rev. C
- 25/30 -
AD5291/AD5292
AD5291:
RWB (D) 
D
 R AB
256
ポテンショメータ分圧器のプログラミング
電圧出力動作
デジタル・ポテンショメータは、Aピン―Bピン間の入力電圧に比
例した分圧電圧をワイパー―Bピン間およびワイパー―Aピン間に
容易に発生することができます。GNDに対するVDDの極性(これは
正極性)とは異なり、Bに対するA、Aに対するW、Bに対するWの
各電圧にはいずれの極性も可能です。
VIN
(1)
A
W
AD5292:
RWB (D) 
D
 R AB
1024
B
(2)
ここで、
D は、8/10 ビット RDAC レジスタにロードされるバイナリ・コー
ド・データの 10 進数表示。
RAB はピン間抵抗。
機械的ポテンショメータと同様に、W ピンとピン A との間の
RDAC 抵抗も、デジタルに制御された相補的な抵抗 RWA を発生し
ます。RWA も最大 1%の絶対抵抗誤差となるようにキャリブレーシ
ョンされます。RWA は最大抵抗値から開始して、ラッチにロード
されるデータが大きくなるほど、減少します。この動作の一般式
は次のようになります。
図 67.ポテンショメータ・モード構成
簡単化ためにワイパー抵抗の影響を無視する場合、A ピンを 30 V
に、B ピンをグラウンドにそれぞれ接続すると、ワイパーW―B
ピン間に 0 V から開始して 30 V より 1 LSB 低い値までの出力電圧
が発生します。電圧の各 LSB は、ピン A とピン B に加えた電圧
をポテンショメータ分圧器のポジション数 256/1024 で除算した値
に等しくなります。ピン A とピン B に与えられた任意の入力電圧
に対して、グラウンドを基準とした VW の出力電圧を決める式は、
次のように表されます。
AD5291:
VW (D) 
AD5291:
RWA (D ) 
(3)
1024  D
 R AB
1024
(4)
ここで、
D は、8/10 ビット RDAC レジスタにロードされるバイナリ・コー
ド・データの 10 進数表示。
RAB はピン間抵抗。
ゼロ・スケール状態では、有限な合計ワイパー抵抗が 120Ωとな
ります。デバイスの動作する設定に関らず、A ピン―Bピン間、W
ピン―Aピン間、W ピン―Bピン間の電流を最大連続電流±3 mAま
たは 表 8 に規定するパルス電流に制限するように注意する必要が
あります。そうしないと、内部抵抗の性能低下または破壊が生ず
る恐れがあります。
Rev. C
D
256  D
 VA 
 VB
256
256
(5)
1024  D
D
VA 
 VB
1024
1024
(6)
AD5292:
256  D
 R AB
256
AD5292:
RWA (D ) 
VOUT
07674-053
のビットC2 を設定することにより、イネーブル/ディスエーブル
することができます(表 13 と 表 14 参照)。デジタル的に設定され
る出力抵抗(W ピンとAピンの間のRWAおよびWピンとB ピンの間
のRWB)は、広いコード範囲で最大±1%の絶対抵抗誤差となるように
内部でキャリブレーションされます。このため、WピンとBピンと
の間のデジタル的に設定する出力抵抗を決定する一般式は次のよ
うになります。
- 26/30 -
VW (D) 
図 67 に示すように、AD5291/AD5292 を分圧器モードで使用する
場合、ディスクリート抵抗とマッチングさせるとき、±1% 抵抗偏
差キャリブレーション機能により誤差を小さくすることができま
すが、コントロール・レジスタのビット C2 を設定して、内部
±1% 抵抗偏差キャリブレーション機能をディスエーブル して(表
13 と 表 14 参照)、ワイパー・ポジション更新レートを最適化する
ことが推奨されます。この構成では、RDACが比例構成となるため
抵抗偏差は性能に影響しません。
分圧器モードでのデジタル・ポテンショメータの動作は、温度に
対して正確な動作になります。可変抵抗器モードと異なり、出力
電圧は内部抵抗 RWA と RWB の比に依存し、絶対値ではありません。
したがって、温度ドリフトは 5 ppm/°C に減少します。
AD5291/AD5292
EXT_CAP コンデンサ
パワーアップ時とAD5291/AD5292 の動作中に、1 µFのコンデンサ
をEXT_CAPピンとGNDとの間に接続する必要があります (図 68
参照)。
AD5291/
AD5292
EXT_CAP
C1
1µF
OTP
MEMORY
BLOCK
パワーアップ・シーケンス
07674-054
GND
図 68. EXT_CAP ピンのハードウェア構成
ピン電圧の動作範囲
AD5291/AD5292の正側VDD電源と負側VSS 電源により、3端子デジ
タル・ポテンショメータ動作の動作範囲が決定されます。VDDま
たはVSSを超えてピンA、ピンB、ピンWに入力される電源信号は、
内蔵の順方向バイアス・ダイオードによりクランプされます(図69
参照)。
VDD
A
W
VSS
07674-055
B
図 69.VDD と VSS により設定される最大ピン電圧
Rev. C
AD5291/AD5292デバイスのグラウンド・ピンは、主にデジタル・
グラウンド基準として使われます。デジタル・グラウンド・バウ
ンズを最小にするため、AD5291/AD5292のグラウンド・ピンは共
通グラウンドから離れた所で接続する必要があります。
AD5291/AD5292 に対するデジタル入力コントロール信号はデバイ
ス・グラウンド・ピン(GND)を基準として、仕様のセクションに
規定するロジック・レベルを満たす必要があります。
- 27/30 -
AD5291/AD5292 が正常にパワーアップ するためには、1 µF のコ
ンデンサをEXT_CAP ピンに接続する必要があります。ピンA、ピ
ンB、ピンWでの電圧コンプライアンスを制限するダイオードが
内蔵されているため(図69)、ピンA、ピンB、ピンWに電圧を加え
る前に先にVDDとVSSを加えることが重要です。そうしないと、ダ
イオードが順方向バイアスされて、意図せずにVDDとVSSに電源が
接続されてしまいます。最適なパワーアップ・シーケンスは、
GND、VSS、VLOGIC、VDD、デジタル入力、VA、VB、VWの順序です。
電源投入シーケンスVA 、VB 、VW 、デジタル入力の順は、VDD 、
VSS、VLOGICの投入後であれば、重要ではありません。
パワーアップ・シーケンスと電源のランプ・レートに無関係に、
VLOGIC投入後、パワーオン・プリセットが起動し、20-TPメモリ値
がRDACレジスタに戻されます。
AD5291/AD5292
アプリケーション情報
高電圧 DAC
高精度DAC
AD5292 は、出力電圧が 33 Vにもなる高電圧DACとして構成する
ことができます。回路を 図 70 に示します。出力は次式で表され
ます。
特別に小さくした電圧範囲に対してデバイスの分解能を最適化す
ることにより、AD5292 を高精度DACとして構成することができ
ます。これは、図 72 に示すように、RDACの両側に外付け抵抗を
接続することにより実現されます。±1%抵抗偏差仕様の改善によ
り、ディスクリート抵抗の不一致による誤差が大幅に小さくなり
ます。

D
 1.2 V 
1024 
 R2 
1  

R1 

(7)
ここで、D は 0~1023 の 10 進コード値。
VOUT (D) 
VDD
VDD
U2
U1
AD5292
AD8512
AD5292
U1B
20kΩ
V–
B
AD8512
R2
20kΩ
VOUT
B
VDD
U2
±1%
V+
OP1177
07674-153
R3
図 72.分解能の最適化
図 70.高電圧 DAC
可変ゲイン計装アンプ
出力ブースタ付きのプログラマブルな電圧源
大電流の調整が必要となるレーザー・ダイオードまたはチューナ
ブル・レーザのようなアプリケーションの場合、ブースト電圧源
の使用を検討することができます(図 71 参照)。
U3 2N7002
VIN
VOUT
図 73 に示すように、AD5291AD5292 や ADG1207 と AD8221 との
組み合わせにより、データ・アクイジション・システム用の優れ
た計装アンプが構成されます。データ・アクイジション・システ
ムは低歪み、かつ低ノイズであるため、様々なADCの前でシグナ
ル・コンディショニングを行うことができます。
ADG1207
U1
CC
AD5292
A
U2
OP184
VDD
RBIAS
SIGNAL
+VIN1
IL
AD5292
+VIN4
LD
–VIN1
07674-155
B
W
VOUT
V–
R2
R1
R1
AD8221
–VIN4
図 71.プログラマブルなブースト電圧源
VSS
この回路では、オペアンプの反転入力が VOUT をデジタル・ポテン
ショメータで設定されたワイパー電圧に等しく維持します。負荷
電流は、N チャンネル FET (U3)を経由して電源から供給されます。
N チャンネル FET の電力処理能力は、(VIN − VOUT) × IL の電力消費
に十分対応できる必要があります。この回路は 33 V 電源で最大
100 mA を出力することができます。
Rev. C
- 28/30 -
VOUT
07674-156
U1A
V+
D1
(8)
R1  ((1024  D )1024)  RAB  R3
VDD
RBIAS
ADR512
R3  (D 1024  RAB ) V DD
07674-154
VOUT (D) 
図 73.データ・アクイジション・システム
ゲインは、式 9 を使って次のように計算することができます。
G(D)  1 
49.4 kΩ
D 1024  R
(9)
AB
AD5291/AD5292
ジッパー・ノイズを小さくする構成とこの構成の使用から得られ
る結果を、それぞれ 図 74 と 図 75 に示します。入力はC1 により
AC結合され、減衰させられた後に、U2、U3、U4Bにより構成され
るウインドウ・コンパレータに入力されます。U6 を使って、信号
をゼロ基準として設定します。コンパレータの上限はオフセット
の上に設定されるため、この例では入力が 2.502 V~2.497 Vの範
囲(すなわち 0.005 Vウインドウ)に入るごとにハイ・パルスが出力
されます。信号がウインドウを通過するごとにAD5291/AD5292 が
更新されるように、この出力がSYNC信号とAND結合されます。
デバイスの定期的更新を回避するため、SYNC信号を 1 個ではな
く 2 個のパルスとして設定する必要があります。
オーディオ・ボリューム・コントロール
AD5291/AD5292 は優れた THD 性能と高電圧機能を持つため、オ
ーディオ減衰器やゲイン・アンプとしてデジタル・ボリューム・
コントロールに最適です。これらのシステムで一般的な問題は、
任意の時間にボリューム・レベルに大きなステップ変化が発生す
ると、オーディオ信号の突然の不連続が発生して、可聴ジッパ
ー・ノイズが発生することです。これを防止するため、ゼロ・ク
ロス・ウインドウ検出器をSYNCラインに挿入して、デバイス更新
をオーディオ信号がウインドウを横切るまで遅延させることができ
ます。入力信号は絶対 0 V レベルではなく任意の DC レベル上で
動作することがあるため、このケースのゼロ・クロスは信号の
AC 結合を意味し、DC オフセット・レベルは信号ゼロ基準点にな
ります。
図 75 で、下側のトレースは、ゼロ・クロス・ウインドウの近くで
信号が変化すると、ボリューム・レベルが 1/4 スケールからフル
スケールまで変化することを表しています。
C1
VIN 1µF
5V
R1
100kΩ
R2
200Ω
R4
90kΩ
+15V
+5V
–15V
U4B
U3
VCC
ADCMP371
GND
5V
U6
V+
AD8541
V–
VDD
AD5292
A
C2
0.1µF
4
+5V
R5
10kΩ
C3
0.1µF
U2
VCC
ADCMP371
GND
U1
7408
6 1
5
2
+15V
VSS
U4A
W
20kΩ
7408
SYNC
SCLK
SCLK
SDIN
SDIN
VOUT
V–
B
–15V
SYNC
GND
07674-157
R3
100kΩ
U5
V+
図 74.ジッパー・ノイズ削減機能付きのオーディオ・ボリューム・コントロール
1
2
07674-158
CHANNEL 1
FREQ = 20.25kHz
1.03V p-p
図 75.ジッパー・ノイズ検出器
Rev. C
- 29/30 -
AD5291/AD5292
外形寸法
5.10
5.00
4.90
14
8
4.50
4.40
4.30
6.40
BSC
1
7
PIN 1
0.65 BSC
1.20
MAX
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
0.20
0.09
SEATING
PLANE
0.30
0.19
8°
0°
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-153-AB-1
0.75
0.60
0.45
061908-A
1.05
1.00
0.80
図 76.14 ピン薄型シュリンク・スモール・アウトライン・パッケージ[TSSOP]
(RU-14)
寸法: mm
オーダー・ガイド
Model1
RAB (kΩ)
Resolution
Memory
Temperature Range
Package Description
Package Option
AD5291BRUZ-20
AD5291BRUZ-20-RL7
AD5291BRUZ-50
AD5291BRUZ-50-RL7
AD5291BRUZ-100
AD5291BRUZ-100-RL7
AD5292BRUZ-20
AD5292BRUZ-20-RL7
AD5292BRUZ-50
AD5292BRUZ-50-RL7
AD5292BRUZ-100
AD5292BRUZ-100-RL7
EVAL-AD5292EBZ
20
20
50
50
100
100
20
20
50
50
100
100
256
256
256
256
256
256
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
1,024
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
20-TP
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
−40°C to +105°C
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
14-Lead TSSOP
Evaluation Board
RU-14
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1
Z = RoHS 準拠製品。
Rev. C
- 30/30 -