BPX 81 BPX 81 feo06021 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm ● Hohe Linearität ● Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy ● Gruppiert lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm ● High linearity ● One-digit array package of transparent epoxy ● Available in groups Anwendungen Applications ● Computer-Blitzlichtgeräte ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPX 81 Q62702-P20 BPX 81-2 Q62702-P43-S2 BPX 81-3 Q62702-P43-S3 Semiconductor Group 234 Computer-controlled flashes Miniature photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits 10.95 BPX 81 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 230 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 32 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 200 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 90 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 750 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 440 ... 1070 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.17 mm2 Semiconductor Group 235 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics BPX 81 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.6 × 0.6 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.3 ... 1.9 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 18 Grad deg. Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 6 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 25 (≤ 200) nA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IPCE VCE = 5 V Wert Value Einheit Unit -2 -3 -4 0.25 ... 0.50 1.4 0.40 ... 0.80 2.2 ≥ 0.63 mA 3.4 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ t r, t f 5.5 6 8 µs Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3 Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 mV 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 236 BPX 81 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 237