Hyper Mini SIDELED® Hyper-Bright LED LS C876, LA C876 LO C876, LY C876 Besondere Merkmale ● Gehäusefarbe: weiß ● als optischer Indikator einsetzbar ● zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und VPL06923 Linseneinkopplung ● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet ● gegurtet (8-mm-Filmgurt) Features ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LS C876-NO super-red colorless clear ≥ 25 (60 typ.) 180 (typ.) Q62703-Q3659 LA C876-PO amber colorless clear ≥ 40 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q3658 LO C876-PO orange colorless clear ≥ 40 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q3657 LY C876-PO yellow colorless clear ≥ 40 (100 typ.) 300 (typ.) Q62703-Q3656 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LS C876, LA C876, LO C876, LY C876 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LS, LA, LO Einheit Unit LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM to be defined A Sperrspanung1) (IF = 10 µA) Reverse voltage1) VR 3 V Verlustleistung Power dissipation, TA ≤ 25 °C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) RthJA 1) 1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 30 80 20 55 630 mA mW K/W LS C876, LA C876, LO C876, LY C876 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 120 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 3 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K LS C876, LA C876, LO C876, LY C876 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LS C876, LA C876, LO C876, LY C876 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA Semiconductor Group 5 LS C876, LA C876, LO C876, LY C876 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06930 Maßzeichnung Package Outlines Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Semiconductor Group 6