SFH 225 FA feo06422 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen bei ● Especially suitable for applications of 880 nm 880 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar ● Short-switching time (typ. 20 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und ● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern und Gerätefernsteuerungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb tape recorders, dimmers, remote control of various equipment ● Photointerrupters Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 225 FA (*SFH 225) Q62702-P1051 Semiconductor Group 1 1998-04-20 SFH 225 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 80 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 20 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2 S 34 (≥ 25) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 740 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 4.84 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.20 × 2.20 mm × mm Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm) Characteristics L×W Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.6 ... 0.8 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Semiconductor Group 2 1998-04-20 SFH 225 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.63 A/W Quantenausbeute Quantum yield η 0.90 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VO 330 (≥ 250) mV Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current ISC 17 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 48 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 3.6 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.1 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 1998-04-20 SFH 225 FA Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) OHF01430 100 ΙP Srel % 80 OHF01056 10 3 µA Total power dissipation Ptot = f (TA) 10 4 mV VO 10 2 10 3 70 VO 10 1 10 2 40 ΙP 30 120 100 60 50 OHF00398 160 mW Ptot 140 80 60 10 0 10 1 40 20 20 10 0 400 600 800 10 -1 10 0 1000 nm 1200 λ 10 2 10 0 10 4 µW/cm2 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA OHF00082 10 3 Ι R nA pA 3000 10 2 2000 10 1 1000 10 0 0 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00080 4000 0 Ee Dark current IR = f (VR), E = 0 ΙR 10 1 0 5 10 15 V VR 10 -1 20 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-04-20