Hyper TOPLED® Hyper-Bright, Hyper-Red TS GaAIAs-LED LH T676 Besondere Merkmale ● Gehäusebauform: P-LCC-2 ● Gehäusefarbe: weiß ● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie, VPL06724 ● ● ● ● ● ● transparentes Substrat (TS) besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 Features ● ● ● ● ● ● ● ● ● P-LCC-2 package color of package: white double heterojunction in GaAIAs technology, transparent substrate superior luminous intensity for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type LH T676-NR LH T676-P LH T676-Q LH T676-R LH T676-PS Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsfläche Color of Color of the Emission Light Emitting Area hyper-red colorless clear Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code 25 40 63 100 40 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3140 Q62703-Q3164 Q62703-Q3141 Q62703-Q3142 Q62703-Q3143 ... ... ... ... ... 200 80 125 200 320 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LH T676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 130 mW 450 K/W Wärmewiderstand Rth JA Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC-Board*) (pad size ≥ 16 mm2) *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 2 LH T676 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) λpeak (typ.) 660 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) λdom (typ.) 645 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) ∆λ (typ.) 22 nm 2ϕ 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 1.85 2.3 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 µA µA (typ.) C0 30 pF (typ.) tr (typ.) tf 100 100 ns ns – 0.4 %/K Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Temperaturkoeffizient von IV bzw. ΦV, IF = 20 mA Temperature coefficient of IV or ΦV, IF = 20 mA TCI (typ.) (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) TCV (typ.) –3 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA (typ.) TCλ (typ.) + 0.16 nm/K Semiconductor Group 3 LH T676 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LH T676 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LH T676 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06724 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Semiconductor Group abgeschrägte Ecke bevelled edge 6