BPY 47 P BPY 47 P fso06633 Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1060 nm ● Kathode = Chipunterseite ● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht überzogen ● Weiter Temperaturbereich Features ● Especially suitable for applications from 420 nm to 1060 nm ● Cathode = back contact ● Coated with a humidity-proof protective layer ● Wide temperature range Anwendungen Applications ● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke ● zur Abtastung von Lichtimpulsen ● quantitative Lichtmessung im sichtbaren ● For control and drive circuits ● Light pulse scanning ● Quantitative light measurements in the Licht- und nahen Infrarotbereich Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPY 47 P Q60215-Y66 Semiconductor Group visible light and near infrared range 187 10.95 BPY 47 P Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 1 V Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V Spectral sensitivity S 1.4 (≥ 0.9) µA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 420 ... 1060 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 190 mm2 Abmessungen der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 9.58 × 19.58 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0 Dark current IR 25 (≤ 400) µA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sl 0.51 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.73 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 450 (≥ 280) mV Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 1.4 (≥ 0.9) mA Semiconductor Group 188 L×W BPY 47 P Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA tr, tf 23 µs Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.2 %/K Kapazität, VR = 10 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix Capacitance C0 16 nF Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Open-circuit voltage VO = f (Ev ) Short-circuit current ISC = f (Ev ) Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 189 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0