測距エリアイメージセンサ
S11963-01CR
TOF (Time-Of-Flight)方式で対象物までの距離を測定
測距イメージセンサは、 TOF 方式で対象物までの距離を測定するセンサです。パルス変調した光源と組み合わせて使用
し、発光・受光タイミングの位相差情報を出力します。その信号を外付けの信号処理回路または PC で演算することに
よって、距離データが得られます。
特長
用途
高速電荷転送
障害物検知 (自動走行車、ロボットなど)
非破壊読み出しによる広いダイナミックレンジ・低ノイズ
セキュリティ (進入検知など)
列ゲインアンプ内蔵 (ゲイン: 1倍、2倍、4倍)
形状認識 (物流、ロボットなど)
外乱光のもとでも誤動作の少ない検出 (電荷排出機能)
モーションキャプチャ
リアルタイム距離計測用
構成
項目
仕様
4.8 × 3.6
30 × 30
30
168 × 128
160 × 120
44ピン PWB
ARコート付ガラス
イメージサイズ
画素サイズ
画素ピッチ
画素数
有効画素数
パッケージ
窓材
単位
mm
μm
μm
画素
画素
-
注) 本製品は気密封止品ではありません。
絶対最大定格
項目
記号
条件
定格値
Vdd(A)
Ta=25 °C
-0.3 ～ +6
Vdd(D)
Ta=25 °C
-0.3 ～ +6
画素リセット
Vr
出力オフセット
Vref
アナログ入力端子電圧 カラムゲイン回路
Vref2
Ta=25 °C
-0.3 ～ Vdd(A) + 0.3
ゲイン選択
sel0, sel1, sel2
受光部
Vpg
フレームリセットパルス
reset
フレーム同期トリガパルス
vst
デジタル入力端子電圧 ライン同期トリガパルス
hst
Ta=25 °C
-0.3 ～ Vdd(D) + 0.3
画素リセットパルス
ext_res
マスタークロックパルス
mclk
画素内変調クロックパルス電圧
VTX1, VTX2, VTX3 Ta=25 °C
-0.3 ～ Vdd(A) + 0.3
結露なきこと*1
動作温度
-25 ～ +85
Topr
保存温度
結露なきこと*1
Tstg
-40 ～ +100
リフローはんだ条件*2
ピーク温度260 °C max., 2回 (P.10参照)
Tsol
アナログ電源電圧
デジタル電源電圧
単位
V
V
V
V
V
°C
°C
-
*1: 高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。
*2: JEDEC level 3
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
浜松ホトニクス株式会社
1
S11963-01CR
測距エリアイメージセンサ
推奨端子電圧 (Ta=25 °C)
項目
記号
Vdd(A)
Vdd(D)
Vr
Vref
Vref2
Vpg
アナログ電源電圧
デジタル電源電圧
バイアス電圧
フレームリセットパルス電圧
フレーム同期トリガパルス電圧
ライン同期トリガパルス電圧
マスタークロックパルス電圧
画素リセットパルス電圧
出力信号有効期間パルス電圧
出力信号同期パルス電圧
非読み出し期間電圧
ゲイン選択端子電圧
画素リセット
出力オフセット
カラムゲインアンプ
受光部
Highレベル
reset
Lowレベル
Highレベル
vst
Lowレベル
Highレベル
hst
Lowレベル
Highレベル
mclk
Lowレベル
Highレベル
ext_res
Lowレベル
Highレベル
oe
Lowレベル
Highレベル
dclk
Lowレベル
Highレベル
dis_read
Lowレベル
Highレベル
sel0, sel1, sel2
Lowレベル
Min.
4.75
4.75
3.7
2.3
2.5
0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
Vdd(D) × 0.8
-
Typ.
5
5
3.9
2.5
2.7
1.0
-
Max.
5.25
5.25
4.1
2.7
2.9
1.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
Vdd(D) × 0.2
単位
V
V
V
V
V
V
Min.
1M
-
Typ.
f(mclk)
15
Max.
10 M
30
単位
Hz
Hz
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
電気的特性 [Ta=25 °C, Vdd(A)=Vdd(D)=5 V]
項目
クロックパルス周波数
ビデオデータレート
消費電流
記号
f(mclk)
DR
Icc
条件
暗状態
電気的特性および光学的特性
[Ta=25 °C, Vdd(A)=Vdd(D)=5 V, Vref2=2.7 V, Vref=2.5 V, Vr=3.9 V, MCLK=10 MHz, ゲイン: 1倍]
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度*3
暗出力
ランダムノイズ
暗出力電圧*4
飽和出力電圧
感度比*5
感度不均一性*6
不良画素数
記号
λ
λp
S
Vd
RN
Vor
Vsat
SR
PRNU
-
Min.
3.0 × 1012
2.6
1.3
0.7
-
Typ.
400 ～ 1100
800
6.0 × 1012
1
0.5
-
Max.
1.2 × 1013
10
1
4.3
2.7
1.43
±10
19
単位
nm
nm
V/W·s
V/s
mV rms
V
V
%
-
*3: 単一波長光源 (λ=805 nm)
*4: 暗状態、リセット直後における出力値
*5: Vout1 (VTX1=3 V, VTX2=VTX3=0 V)と Vout2 (VTX2=3 V, VTX1=VTX3=0 V) における出力の比
*6: 感度不均一性は、飽和の約50%の白色均一光を受光部全体に入射した場合の出力不均一性です。最外周4ラインの画素と欠陥画素を
除いて計算し、次のように定義します。
PRNU=ΔX/X × 100 (%)
X: 全画素の出力の平均値, ΔたX: 画素出力の標準偏差
2
S11963-01CR
測距エリアイメージセンサ
分光感度特性 (代表例)
(Typ. Ta=25 °C)
1.0
0.9
0.8
చۜഽ
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
෨ಿ (nm)
KMPDB0375JB
ブロック図
CLTX
GND
3
Vdd(A) GND Vdd_tx
2
1
44
CLTX
CLTX
VTX1 VTX2 VTX3 GND GND GND GND Vdd_tx
43
42
41
40 39 38 37 36
35 sel2
34 sel1
ೄΏέΠτΐΑΗ
33 sel0
32 Vdd(A)
έΠΘͼȜΡͺτͼ
168 × 128ْள
(ခْ࢘ளତ 160 × 120ْள)
31 GND
30 Vpg
29 Vref2
28 Vr
dis_read
ext_res
reset
vst
hst
mclk
4
5
6
7
9
10
27 Vref
ρθΊͼϋͺϋίٝႹ
26 Vout1
ΗͼηϋΈ
อٝႹ
25 Vout2
କΏέΠτΐΑΗ
ΨΛέ
ͺϋί
24 Vdd(A)
23 GND
8 11
oe dclk
12
13
16
17
18
19
20
GND Vdd(D) GND GND GND GND Vdd(D)
KMPDC0443JD
基本接続例
ΨΛέͺϋί
Vout 1
Vout 2
ΨΛέͺϋί
KMPDC0486JA
3
S11963-01CR
測距エリアイメージセンサ
タイミングチャート
フレームタイミング
thp(ext_res) t2
ext_res
t1
t3
t16 (ςΓΛΠτασඋ͙̱শ)ۼ
t17 (ಇୟশ)ۼ
t18 (ಇୟඋ͙̱শ)ۼ
reset
t4 t5t6 t7
vst
t8 t9 t10 t11
hst
2
N
128
129
1
128
129
t12 t13t14 t15
1 (1H)
2 (1H)
N (1H)
128 (1H)
1 (1H)
128 (1H)
mclk
t19
VTX1, 2, 3
VTXߐ൲ۼܢ
t20
dis_read
ΩσΑ
tpi(VTX)
VTX1
VTX2
thp(VTX1)
thp(VTX2)
tlp(VTX1)
tlp(VTX2)
thp(VTX3)
VTX3
tlp(VTX3)
VTXߐ൲ۼܢ
KMPDC0444JB
KMPDC0444JB
tr(reset)
tf(reset)
tr(hst)
tf(hst)
mclk
tr(vst)
tf(dclk)
hst
reset
tf(vst)
tr(mclk)
tf(mclk)
tr(dclk)
dclk
td(dclk)
td(vout)
vst
mclk
Vout1
Vout2
0.1 V
tr(Vout)
tf(Vout)
mclk
tr(oe)
tf(oe)
oe
td(oe)
tr(ext_res)
tf(ext_res)
ext_res
KMPDC0445EA
4
測距エリアイメージセンサ
S11963-01CR
フレームレートの算出方法
フレームレート=1/1フレームの時間
=1/(蓄積時間 + 読み出し時間)
必要とされる距離精度、外乱光などの使用環境によって蓄積時間の設定を変える必要があります。
1
× 水平タイミングクロック数 × 垂直画素数
読み出し時間=
クロックパルス周波数
=1クロック当たりの時間 (1画素の読み出し時間) × 水平タイミングクロック数 × 垂直画素数
読み出し時間の算出例 (クロックパルス周波数=5 MHz, 水平タイミングクロック数=208, 垂直画素数=128)
1
読み出し時間=
× 208 × 128
5 × 106 [Hz]
=200 [ns] × 208 × 128
=5.324 [ms] 非破壊読み出しを行う場合:
1フレームの時間=蓄積時間 + (読み出し時間 × 非破壊読み出し回数)
リセットレベル読み出しを行わずに蓄積信号読み出しのみを行うことができます。この場合、ランダムノイズの増加や、受光部の感度
不均一性の劣化が発生します。
水平タイミング
έτȜθΗͼηϋΈ͈1 (1H)͈ํս
208 (=40 + 168) × mclk
40 mclk
t20
hst
mclk
oe
dclk
1
2
3
4
168
Vout1
Vout2
KMPDC0447JA
5
測距エリアイメージセンサ
S11963-01CR
項目
記号
マスタークロックパルスデューティ比
マスタークロックパルス上昇／下降時間
tr(mclk), tf(mclk)
フレームリセットパルス上昇／下降時間
tr(reset), tf(reset)
フレーム同期トリガパルス上昇／下降時間
tr(vst), tf(vst)
ライン同期トリガパルス上昇／下降時間
tr(hst), tf(hst)
画素リセットパルスHigh期間
thp(ext_res)
画素リセットパルス上昇／下降時間
tr(ext_res), tf(ext_res)
マスタークロックパルスの立ち下がりから
t1
画素リセットパルスの立ち上がりまでの時間
画素リセットパルスの立ち上がりから
t2
マスタークロックパルスの立ち下がりまでの時間
画素リセットパルスの立ち下がりから
t3
マスタークロックパルスの立ち下がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち下がりから
t4
フレームリセットパルスの立ち上がりまでの時間
フレームリセットパルスの立ち上がりから
t5
マスタークロックパルスの立ち下がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち下がりから
t6
フレームリセットパルスの立ち下がりまでの時間
フレームリセットパルスの立ち下がりから
t7
マスタークロックパルスの立ち下がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち下がりから
t8
フレーム同期トリガパルスの立ち上がりまでの時間
フレーム同期トリガパルスの立ち上がりから
t9
マスタークロックパルスの立ち下がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち下がりから
t10
フレーム同期トリガパルスの立ち下がりまでの時間
フレーム同期トリガパルスの立ち下がりから
t11
マスタークロックパルスの立ち下がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち上がりから
t12
ライン同期トリガパルス立ち上がりまでの時間
ライン同期トリガパルスの立ち上がりから
t13
マスタークロックパルスの立ち上がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち上がりから
t14
ライン同期トリガパルスの立ち下がりまでの時間
ライン同期トリガパルスの立ち下がりから
t15
マスタークロックパルスの立ち上がりまでの時間
リセットレベル読み出し時間
t16
蓄積時間
t17
蓄積信号読み出し時間
t18
ライン同期トリガパルス (フレーム最終パルス)から
VTX駆動期間 ONまでの時間
VTX駆動期間 OFFから
フレームリセットパルスの立ち下がりまでの時間
マスタークロックパルスの立ち下がり (全画素読み出し終了後)から
マスタークロックパルスの立ち上がり (hst: High期間)までの時間
マスタークロックパルスの立ち下がりから
出力信号同期パルスの立ち上がりまでの時間*7
出力信号同期パルス出力電圧上昇時間 (10～90%)*7
出力信号同期パルス出力電圧下降時間 (10～90%)*7
Min.
45
0
0
0
0
10
0
Typ.
50
-
Max.
55
20
20
20
20
20
単位
%
ns
ns
ns
ns
μs
ns
1/4 × 1/f(mclk)
-
-
s
0
-
-
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
-
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
1/4 × 1/f(mclk)
-
1/2 × 1/f(mclk)
s
-
-
s
10
-
ms
-
-
s
{208/f(mclk) + t20} ×
128 + thp(ext_res) + t3
{208/f(mclk) + t20} ×
128 + {1/2 × 1/f(mclk)}
t19
0
s
t20
0
s
t21
10/f(mclk)
s
td(dclk)
0
25
50
ns
tf(dclk)
tf(dclk)
-
20
20
40
40
ns
ns
6
測距エリアイメージセンサ
S11963-01CR
記号
Min.
Typ.
Max.
単位
td(oe)
0
25
50
ns
tr(oe)
tf(oe)
tr(Vout), tf(Vout)
-
20
20
35
40
40
70
ns
ns
ns
td(Vout)
-
40
80
ns
tpi(VTX)
thp(VTX1)
60
30
-
ns
ns
画素内変調クロックパルス (VTX1) Low期間
tlp(VTX1)
-
-
ns
画素内変調クロックパルス (VTX2) High期間
thp(VTX2)
30
-
ns
画素内変調クロックパルス (VTX2) Low期間
tlp(VTX2)
-
-
ns
画素内変調クロックパルス (VTX3) High期間
thp(VTX3)
0
-
ns
画素内変調クロックパルス (VTX3) Low期間
tlp(VTX3)
-
-
ns
tr(VTX)
tf(VTX)
-
tpi(VTX) thp(VTX2) thp(VTX3)
tpi(VTX) thp(VTX1) thp(VTX3)
tpi(VTX)thp(VTX1)thp(VTX2)
3
3
3
0
-
ns
ns
td(dis_read)
-
25
50
ns
tr(dis_read)
tf(dis_read)
-
20
20
40
40
ns
ns
記号
CLTX
Min.
-
Typ.
40
Max.
-
単位
pF
項目
マスタークロックパルスの立ち上がりから
出力信号有効期間パルスの立ち上がりまでの時間*7
出力信号有効期間パルス上昇時間 (10～90%)*7
出力信号有効期間パルス下降時間 (10～90%)*7
出力信号 1, 2 セトリング時間 (10～90%)*7 *8
マスタークロックパルスの立ち上がりから
出力信号 1, 2(出力 50%)までの時間*7
画素内変調クロックパルス周期
画素内変調クロックパルス (VTX1) High期間
画素内変調クロックパルス電圧上昇時間
画素内変調クロックパルス電圧下降時間
Highレベル
画素内変調クロックパルス電圧
Lowレベル
ライン同期トリガパルスの立ち上がりから
非読み出し期間パルスの立ち上がりまでの時間*7
非読み出し期間パルス上昇時間 (10～90%)*7
非読み出し期間パルス下降時間 (10～90%)*7
VTX1, VTX2, VTX3
V
*7: CL=3 pF
*8: 出力電圧=0.1 V
入力端子容量 (Ta=25 °C, Vdd=5 V)
項目
画素内変調クロックパルス内部負荷容量
7
S11963-01CR
測距エリアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm)
推奨ランドパターン (単位: mm)
11.75
11.25
໐
4.8 × 3.6
0.4
0.7
ࠪ
(2 ×) ϕ0.2
8.7
7.7
9.4
P0.8 × 10=8.0
0.4
P0.8 × 10=8.0
10.45
࿂
΄ρΑ
1.0
2.0
KMPDC0446EA
11.25
P0.8 × 10=8.0
12
22
23
P0.8 × 10=8.0
8.7
11
1
33
44
ঐা̧̈́ओ: ±0.2, ±2°
34
ഩޭ
(44 ×)ȁ 0.4
KMPDA0300JD
8
測距エリアイメージセンサ
S11963-01CR
ピン接続
ピンNo.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
記号
GND
Vdd(A)
GND
dis_read
ext_res
reset
vst
oe
hst
mclk
dclk
GND
Vdd(D)
NC
NC
GND
GND
GND
GND
Vdd(D)
NC
NC
GND
Vdd(A)
Vout2
Vout1
Vref
Vr
Vref2
Vpg
GND
Vdd(A)
sel0
sel1
sel2
Vdd_tx
GND
GND
GND
GND
VTX3
VTX2
VTX1
Vdd_tx
I/O
I
I
I
O
I
I
I
O
I
I
O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
O
O
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
説明
グランド
アナログ電源電圧
グランド
非読み出し期間パルス
画素リセットパルス
フレームリセットパルス
フレーム同期トリガパルス
出力信号有効期間パルス
ライン同期トリガパルス
マスタークロックパルス
出力信号同期パルス
グランド
デジタル電源電圧
無接続
無接続
グランド
グランド
グランド
グランド
デジタル電源電圧
無接続
無接続
グランド
アナログ電源電圧
出力信号2
出力信号1
バイアス電圧 (出力オフセット)
バイアス電圧 (画素リセット)
バイアス電圧 (カラムゲイン回路)
バイアス電圧 (受光部)
グランド
アナログ電源電圧
ゲイン選択
ゲイン選択
ゲイン選択
画素内変調クロックパルス内部ドライバ回路用電源電圧
グランド
グランド
グランド
グランド
画素内変調クロックパルス3
画素内変調クロックパルス2
画素内変調クロックパルス1
画素内変調クロックパルス内部ドライバ回路用電源電圧
注) NCはオープンにして、GNDには接続しないでください。
Vout1/Vout2端子にインピーダンス変換用のバッファアンプを接続して、できるだけ電流を流さないでください。
ゲイン設定
ゲイン
1
2
4
sel0
H
H
L
sel1
H
L
H
sel2
H
L
L
9
測距エリアイメージセンサ
S11963-01CR
当社の実験用熱風リフロー炉を用いた温度プロファイルの実測値例
300 °C
260 °C max.
230 °C
أഽ
190 °C
170 °C
ထح
60ȡ120 s
ུح
40 s max.
শۼ
KMPDB0381JA
・本製品は、鉛フリーはんだ付けに対応しています。梱包開封後は、温度 30 °C 以下、湿度 60％以下の環境で保管して、168時間以内
にはんだ付けをしてください。
・使用する基板・リフロー炉によって、リフローはんだ付け時に製品が受ける影響は異なります。リフローはんだ条件の設定時には、
あらかじめ実験を行って、製品に問題が発生しないことを確認してください。
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 製品に関する注意事項とお願い
・ 表面実装型製品／使用上の注意
・ イメージセンサ／使用上の注意
技術情報 ・ イメージセンサ／用語の説明
本資料の記載内容は、平成28年2月現在のものです。
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Cat. No. KMPD1142J10 Feb. 2016 DN
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