NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm ● Hohe Linearität ● SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4) ● Nur gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 460 nm to 1080 nm ● High linearity ● SMT package with base connection, suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) ● Available only on tape and reel Anwendungen ● Umgebungslicht-Detektor ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● „Messen/Steuern/Regeln“ Applications ● Ambient light detector ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Semiconductor Group 1 1998-04-27 SFH 3401 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 3401 Q62702-P5014 Klares Epoxy-Gieβharz, Kollektorkennzeichung: breiter Anschluß Transparent epoxy resin, collector marking: broad lead Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 40 ... + 85 oC Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 20 V Kollektor-Emitterspannung, t < 120 s Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 120 mW Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 1998-04-27 SFH 3401 Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 460 ... 1080 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.55 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area LxB LxW 1x1 mm x mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.2 ... 0.3 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 15 pF Kapazität, VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCB 45 pF Kapazität, VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CEB 19 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 10 (≤ 200) nA IPCB IPCB 0.28 4.8 µA µA Fotostrom der Kollektor-Basis Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.1 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Semiconductor Group 3 1998-04-27 SFH 3401 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -1 -2 IPCE 63 ... 125 100 ... 200 160 ... 320 µA IPCE 1.65 2.6 4.2 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 16 24 34 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 VCEsat 170 170 170 mV Stromverstärkung Current gain Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V I PCE ---------I PCB 340 530 860 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) -3 IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-04-27 SFH 3401 TA = 25 oC, λ = 950 nm Rel.spectral sensitivity Srel = f (λ) OHF02332 100 Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF00326 10 1 mA Ι pce S rel % 1 2 3 70 60 OHF02344 50 C CE pF 10 0 80 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 40 10 -1 30 10 -2 20 10 -3 10 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ OHF01524 1.6 10 -2 mW/cm 2 Ee Ι PCE 25 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE Collector-base capacitance CCB= f (VCB), f = 1 MHz, E = 0 OHF02342 10 2 nA Ι CEO 1.4 0 -2 10 10 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 °C Ι PCE 10 -4 -3 10 C CB OHF00332 50 pF 45 40 10 1 1.2 35 1.0 30 10 0 0.8 25 20 0.6 15 10 -1 0.4 10 0.2 5 10 -2 0 -25 0 25 50 Photocurrent IPCE = f (VCE) SFH 3401-3 Ι pce 20 40 60 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 V CB Emitter-base capacitance CEB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0 OHF02341 10 2 nA Ι CEO 1.0 mW/cm 2 0 -2 10 80 ˚C 100 TA Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 OHF00327 3.0 mA 2.5 0 75 C 100 TA C EB OHF00333 20 pF 18 16 10 1 14 2.0 12 10 0 1.5 10 0.5 mW/cm 2 8 1.0 6 10 -1 0.25 mW/cm 2 4 0.5 0.1 mW/cm 2 0 2 10 -2 0 10 20 30 40 50 Semiconductor Group 60 V 70 Vce 0 10 20 30 5 40 50 V 70 V CE 0 -2 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 V EB 1998-04-27 SFH 3401 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF00309 140 Ptot mW 120 100 80 60 40 20 0 0 20 40 60 80 C 100 TA Photocurrent IPCE = f (VCE), IB = Parameter OHF00334 6 mA Ι PCE 6 µA 5 5 µA 4 4 µA 3 3 µA 2 2 µA 1 1 µA 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 V 20 V CE Semiconductor Group 6 1998-04-27