GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 29 27 5.9 5.5 0.6 0.4 1.0 0.5 Chip position GEX06306 fex06306 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.0 4.2 0.6 0.4 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante ● Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger ● Sehr plane Oberfläche ● Gehäusegleich mit SFH 217 Features ● GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process ● Small tolerance: Chip surface to case surface ● Good spectral match to silicon photodetectors ● Plane surface ● Same package as SFH 217 Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Light-reflection switches for steady and Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz varying intensity (max. 500 kHz) ● LWL ● Fibre optic transmission Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 485 P Q62703-Q516 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes EpoxyGießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead. Semiconductor Group 1 1998-06-26 SFH 485 P Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 100 mA Stoßstrom, τ ≤ 10 µs Surge current IFSM 2.5 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 10 mm RthJA 375 K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA λpeak 880 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax, IF = 100 m A Spectral bandwidth at 50 % of Imax ∆λ 80 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 40 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.16 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.4 × 0.4 mm Abstand Chipoberfläche bis Gehäusevorderseite Distance chip front to case surface H 0.5 ... 1 mm Semiconductor Group 2 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics 1998-06-26 SFH 485 P Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 0.6/0.5 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 25 pF VF 1.5 (< 1.8) 3.0 (< 3.8) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 25 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA TCλ 0.25 nm/K Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient or Ie or Φe, IF = 100 mA Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping at radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie > 3.15 mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 48 mW/sr Semiconductor Group 3 1998-06-26 SFH 485 P Relative spectral emission Irel = f (λ) Single pulse, tp = 20 µs OHR00877 100 Ιe Ι e (100mA) Max. permissible forward current IF = f (TA) Ι F mA 10 1 100 60 10 0 75 40 10 -1 50 20 10 -2 25 10 -3 800 850 900 950 nm 1000 λ 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs OHR00886 10 4 OHR00881 10 1 mA A OHR00880 125 80 0 750 ΙF OHR00878 10 2 % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 T Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board IF = f (I), TA = 25 °C OHR00949 120 mA ΙF D = 0.005 0.01 0.02 0.05 10 0 Ι F 100 10 3 0.1 0.2 80 10 -1 60 0.5 10 2 10 DC 40 -2 D= 10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF tp T tp T 10 1 -5 -4 -3 -2 10 10 10 10 10 -1 10 0 8 20 ΙF 0 10 1 s 10 2 tp 0 5 10 15 20 25 mm 30 Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01893 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-06-26