SFH 2540/FA SFH 2545/FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2540/FA SFH 2545/FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2540/2545) und bei 880 nm (SFH 2540 FA/2545 FA) ● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar ● Für Oberflächenmontage geeignet ● Especially suitable for applications from ● ● ● ● 400 nm to 1100 nm (SFH 2540/2545) and of 880 nm (SFH 2540 FA/2545 FA) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Suitable for surface mounting Applications Anwendungen ● Industrial electronics ● For control and drive circuits ● Photointerrupters ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” ● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Typ Type Bestellnummer Ordering Code Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 2540 Q SFH 2540 FA Q62702-P1795 SFH 2545 Q SFH 2545 FA Q Semiconductor Group 1 07.96 SFH 2540/FA SFH 2545/FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 2540 SFH 2545 SFH 2540 FA SFH 2545 FA S 100 (> 75) – nA/Ix S – 70 (> 50) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 400 ... 1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 1×1 1×1 mm×mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 3.9 ... 4.4 3.9 ... 4.4 mm Semiconductor Group 2 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax L×W SFH 2540/FA SFH 2545/FA Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 2540 SFH 2545 SFH 2540 FA SFH 2545 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle ϕ ± 15 ± 15 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.89 0.86 Electrons Photons Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm VO 430 (> 360) – mV VO – 390 (> 320) mV Kurzschlußstrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm ISC 100 – µA ISC – 35 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 5 5 ns Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 – 2.6 mV/K TCI 0.18 – – 0.1 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, λ = 850 nm NEP 2.9 × 10– 14 2.9 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm Detection limit D* 3.5 × 1012 3.5 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A λ = 870 nm SFH 2540/FA SFH 2545/FA Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) SFH 2540/2545 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) SFH 2540 FA/2545 FA Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 2540/2545 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VO= f (Ee) SFH 2540 FA/2545 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4