AD8657: 18 V、高精度、マイクロパワーCMOS RRIOオペアンプ (Rev. A) PDF

18 V、高精度、マイクロパワー
CMOS RRIOオペアンプ
AD8657
高電圧(18 V)でマイクロパワー: 18 μA (typ)
低オフセット電圧: 350 µV 最大
単電源動作: 2.7 V～18 V
両電源動作: ±1.35 V～±9 V
低入力バイアス電流: 20 pA
ゲイン帯域幅: 200 kHz
ユニティ・ゲイン安定
優れた電磁干渉耐性
OUT A 1
–IN A 2
+IN A 3
AD8657
TOP VIEW
(Not to Scale)
V– 4
8
V+
7
OUT B
6
–IN B
5
+IN B
08804-001
ピン配置
特長
図 1. 8 ピン MSOP
OUT A 1
–IN A 2
ポータブル・システム
電流モニタ
4 mA～20 mA のループ・ドライバ
バッファ/レベル・シフト
多極フィルタ
リモート/ワイヤレス・センサー
低消費電力トランスインピーダンス・アンプ
+IN A 3
8 V+
AD8657
TOP VIEW
(Not to Scale)
V– 4
7 OUT B
6 –IN B
5 +IN B
NOTES
1. IT IS RECOMMENDED TO CONNECT
THE EXPOSED PAD TO V–.
08804-061
アプリケーション
図 2. 8 ピン LFCSP
概要
表 1. マイクロパワー・オペアンプの一覧
AD8657 は、低消費電力と広い動作電源電圧範囲のアプリケー
ションに対して最適化された、マイクロパワー、レール to レー
ル入力/出力の高精度デュアル・アンプです。
Supply Voltage
5V
12 V to 16 V
Single
AD8500
ADA4505-1
AD8505
AD8541
AD8603
AD8663
Dual
AD8502
ADA4505-2
AD8506
AD8542
AD8607
AD8667
OP281
OP295
ADA4062-2
Quad
AD8504
ADA4505-4
AD8508
AD8544
AD8609
AD8669
OP481
OP495
ADA4062-4
AD8657は2.7 V～18 Vの電源電圧で動作し、静止電源電流は18
μA (typ)です。このデバイスは、低オフセット電圧を実現する、
アナログ・デバイセズの特許取得済みDigiTrim®トリミング技術
を採用しています。また、AD8657は電磁干渉に対して高い耐性
も持っています。
AD8657 は、小さい電源電流、低オフセット電圧、非常に小さ
い入力バイアス電流、広い電源範囲、レール to レール入力/出力
の組み合わせを持つため、プロセス制御アプリケーションとモ
ーター制御アプリケーションでの電流モニタと電流ループに最
適です。このデバイスは高精度仕様の組み合わせを持つため、
ワイヤレスまたはリモート・センサーまたはトランスミッタで
のセンサー・フロント・エンドまたはハイ・インピーダンス入力
ソースの DC ゲインおよびバッファリングに最適です。
36 V
AD8657 は−40°C～+125°C の拡張工業用温度範囲で動作し、8 ピ
ン MSOP パッケージまたは 8 ピン LFCSP パッケージを採用して
います。
Rev. A
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に
関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
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電話 06（6350）6868
本
AD8657
目次
特長......................................................................................................1
アプリケーション情報 .................................................................... 17
アプリケーション ..............................................................................1
入力ステージ................................................................................ 17
ピン配置..............................................................................................1
出力ステージ................................................................................ 17
概要......................................................................................................1
レールtoレール............................................................................. 18
改訂履歴..............................................................................................2
抵抗負荷........................................................................................ 18
仕様......................................................................................................3
コンパレータ動作 ........................................................................ 19
電気的特性—2.7 V動作 .................................................................3
EMI除去比 .................................................................................... 20
電気的特性—10 V動作 ..................................................................4
電気的特性—18 V動作 ..................................................................5
4 mA～20 mAプロセス・コントロール電流ループ・トランス
ミッタ............................................................................................ 20
絶対最大定格 ......................................................................................6
外形寸法............................................................................................ 21
熱抵抗..............................................................................................6
オーダー・ガイド ........................................................................ 21
ESDの注意 ......................................................................................6
代表的な性能特性 ..............................................................................7
改訂履歴
3/11—Rev. 0 to Rev. A
Added LFCSP Package Information.................................... Throughout
Added Figure 2, Renumbered Subsequent Figures ..............................1
Changes to Table 2, Introductory Text; Input Characteristics,
Offset Voltage and Common-Mode Rejection Ratio Test
Conditions/Comments; and Dynamic Performance, Phase
Margin Values.......................................................................................3
Changes to Table 3, Introductory Text; Input Characteristics,
Offset Voltage and Common-Mode Rejection Ratio Test
Conditions/Comments ..........................................................................4
Changes to Table 4, Introductory Text; Input Characteristics,
Offset Voltage and Common-Mode Rejection Ratio Test
Conditions/Comments ..........................................................................5
Changes to Thermal Resistance Section and Table 5 ............................6
Updated Outline Dimensions..............................................................21
Changes to Ordering Guide ................................................................21
1/11—Revision 0: Initial Version
Rev. A
－ 2/21 －
AD8657
仕様
電気的特性—2.7 V動作
特に指定がない限り、VSY = 2.7 V、VCM = VSY/2 V、TA = 25°C。
表 2.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
VCM = 0 V to 2.7 V
VCM = 0.3 V to 2.4 V; −40°C ≤ TA ≤ +85°C
VCM = 0.3 V to 2.4 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V to 2.7 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Bias Current
Min
IB
Typ
Max
Unit
1
350
1
2.5
4
10
2.6
20
500
2.7
µV
mV
mV
mV
pA
nA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
μV/°C
GΩ
pF
pF
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Offset Current
IOS
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Voltage Range
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
Large Signal Voltage Gain
AVO
Offset Voltage Drift
Input Resistance
Input Capacitance, Differential Mode
Input Capacitance, Common Mode
ΔVOS/ΔT
RIN
CINDM
CINCM
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
Output Voltage Low
Short-Circuit Current
Closed-Loop Output Impedance
VOH
VOL
ISC
ZOUT
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
Supply Current per Amplifier
ISY
VCM = 0 V to 2.7 V
VCM = 0.3 V to 2.4 V; −40°C ≤ TA ≤ +85°C
VCM = 0.3 V to 2.4 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V to 2.7 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ, VO = 0.5 V to 2.2 V
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
79
70
63
60
94
75
65
95
105
2
10
3.5
3.5
RL = 100 kΩ to VCM; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ to VCM; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
2.69
10
±4
20
f = 1 kHz, AV = 1
VSY = 2.7 V to 18 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
IO = 0 mA
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
105
70
125
18
22
33
V
mV
mA
Ω
dB
dB
µA
µA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
Settling Time to 0.1%
Gain Bandwidth Product
Phase Margin
Channel Separation
EMI Rejection Ratio of +IN x
SR
ts
GBP
ΦM
CS
EMIRR
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 1 V step, RL = 100 kΩ, CL = 10 pF
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
f = 10 kHz, RL = 1 MΩ
VIN = 100 mVPEAK; f = 400 MHz, 900 MHz,
1800 MHz, 2400 MHz
38
14
170
60
105
90
V/ms
µs
kHz
Degrees
dB
dB
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
Voltage Noise Density
en p-p
en
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
f = 1 kHz
6
60
56
0.1
µV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
pA/√Hz
Current Noise Density
Rev. A
in
－ 3/21 －
AD8657
電気的特性—10 V動作
特に指定がない限り、VSY = 10 V、VCM = VSY/2 V、TA = 25°C。
表 3.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
VCM = 0 V to 10 V
VCM = 0 V to 10 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Bias Current
Min
IB
Typ
2
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Offset Current
IOS
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Voltage Range
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
Large Signal Voltage Gain
AVO
Offset Voltage Drift
Input Resistance
Input Capacitance, Differential Mode
Input Capacitance, Common Mode
ΔVOS/ΔT
RIN
CINDM
CINCM
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
Output Voltage Low
Short-Circuit Current
Closed-Loop Output Impedance
VOH
VOL
ISC
ZOUT
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
Supply Current per Amplifier
ISY
VCM = 0 V to 10 V
VCM = 0 V to 10 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ, VO = 0.5 V to 9.5 V
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
90
64
105
95
67
Max
Unit
350
9
15
2.6
30
500
10
µV
mV
pA
nA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
μV/°C
GΩ
pF
pF
105
120
2
10
3.5
3.5
RL = 100 kΩ to VCM; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ to VCM; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
9.98
20
±11
15
f = 1 kHz, AV = 1
VSY = 2.7 V to 18 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
IO = 0 mA
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
105
70
125
18
22
33
V
mV
mA
Ω
dB
dB
µA
µA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
Settling Time to 0.1%
Gain Bandwidth Product
Phase Margin
Channel Separation
EMI Rejection Ratio of +IN x
SR
ts
GBP
ΦM
CS
EMIRR
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 1 V step, RL = 100 kΩ, CL = 10 pF
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
f = 10 kHz, RL = 1 MΩ
VIN = 100 mVPEAK; f = 400 MHz, 900 MHz,
1800 MHz, 2400 MHz
60
13
200
60
105
90
V/ms
µs
kHz
Degrees
dB
dB
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
Voltage Noise Density
en p-p
en
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
f = 1 kHz
5
50
45
0.1
µV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
pA/√Hz
Current Noise Density
Rev. A
in
－ 4/21 －
AD8657
電気的特性—18 V動作
特に指定がない限り、VSY = 18 V、VCM = VSY/2 V、TA = 25°C。
表 4.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
VCM = 0 V to 18 V
VCM = 0.3 V to 17.7 V; −40°C ≤ TA ≤ +85°C
VCM = 0.3 V to 17.7 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V to 18 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Bias Current
Min
IB
Typ
Max
Unit
5
350
1.2
2
11
20
2.9
40
500
18
µV
mV
mV
mV
pA
nA
pA
pA
V
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
μV/°C
GΩ
pF
pF
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Offset Current
IOS
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
Input Voltage Range
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
Large Signal Voltage Gain
AVO
Offset Voltage Drift
Input Resistance
Input Capacitance, Differential Mode
Input Capacitance, Common Mode
ΔVOS/ΔT
RIN
CINDM
CINCM
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
Output Voltage Low
Short-Circuit Current
Closed-Loop Output Impedance
VOH
VOL
ISC
ZOUT
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
Supply Current per Amplifier
ISY
VCM = 0 V to 18 V
VCM = 0.3 V to 17.7 V; −40°C ≤ TA ≤ +85°C
VCM = 0.3 V to 17.7 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
VCM = 0 V to 18 V; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ, VO = 0.5 V to 17.5 V
−40°C ≤ TA ≤ +85°C
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
0
95
83
80
67
110
105
73
110
120
2
10
3.5
10.5
RL = 100 kΩ to VCM; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
RL = 100 kΩ to VCM; −40°C ≤ TA ≤ +125°C
17.97
30
±12
15
f = 1 kHz, AV = 1
VSY = 2.7 V to 18 V
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
IO = 0 mA
−40°C ≤ TA ≤ +125°C
105
70
125
18
22
33
V
mV
mA
Ω
dB
dB
µA
µA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
Settling Time to 0.1%
Gain Bandwidth Product
Phase Margin
Channel Separation
EMI Rejection Ratio of +IN x
SR
ts
GBP
ΦM
CS
EMIRR
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
VIN = 1 V step, RL = 100 kΩ, CL = 10 pF
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
RL = 1 MΩ, CL = 10 pF, AV = 1
f = 10 kHz, RL = 1 MΩ
VIN = 100 mVPEAK; f = 400 MHz, 900 MHz,
1800 MHz, 2400 MHz
70
12
200
60
105
90
V/ms
µs
kHz
Degrees
dB
dB
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
Voltage Noise Density
en p-p
en
f = 0.1 Hz to 10 Hz
f = 1 kHz
f = 10 kHz
f = 1 kHz
5
50
45
0.1
µV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
pA/√Hz
Current Noise Density
Rev. A
in
－ 5/21 －
AD8657
絶対最大定格
表 4.
熱抵抗
Parameter
Rating
Supply Voltage
Input Voltage
Input Current1
Differential Input Voltage
Output Short-Circuit Duration to
GND
Temperature Range
Storage
Operating
Junction
Lead Temperature
(Soldering, 60 sec)
20.5 V
(V−) − 300 mV to (V+) + 300 mV
±10 mA
±VSY
Indefinite
1
θJA はワーストケース条件で規定。すなわち表面実装パッケージ
の場合、標準の 4 層 JEDEC ボードを使用してデバイスを回路ボ
ードにハンダ付けしています。エクスポーズド・パッド はボー
ドにハンダ付けされています。
表 5.熱抵抗
−65°C to +150°C
−40°C to +125°C
−65°C to +150°C
300°C
Package Type
θJA
θJC
Unit
8-Lead MSOP (RM-8)
8-Lead LFCSP (CP-8-11)
142
75
45
12
°C/W
°C/W
ESDの注意
入力ピンには、電源ピンへのクランプ・ダイオードが付いています。入力信
号が電源レールを 0.3 V 以上超えるときは、入力電流を 10 mA 以下に制限す
る必要があります。
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ
イスの信頼性に影響を与えます。
Rev. A
－ 6/21 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
AD8657
代表的な性能特性
特に指定のない限り、TA = 25°C。
160
160
60
140
08804-005
120
100
60
40
20
VSY = 2.7V
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
16
VSY = 18V
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
18
16
14
NUMBER OF AMPLIFIERS
12
10
8
6
4
14
12
10
8
6
4
2
2
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0
TCVOS (µV/°C)
0
08804-003
0
TCVOS (µV/°C)
図 4.入力オフセット電圧ドリフトの分布
図 7.入力オフセット電圧ドリフトの分布
300
300
VSY = 2.7V
VSY = 18V
200
100
100
VOS (µV)
200
0
0
–100
–100
–200
–200
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
VCM (V)
2.7
–300
08804-004
–300
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0
08804-006
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VCM (V)
図 5.同相モード電圧対入力オフセット電圧
図 8.同相モード電圧対入力オフセット電圧
－ 7/21 －
18
08804-007
NUMBER OF AMPLIFIERS
0
図 6.入力オフセット電圧の分布
18
VOS (µV)
20
VOS (µV)
図 3.入力オフセット電圧の分布
Rev. A
–20
–140
140
VOS (µV)
08804-002
120
80
100
60
40
0
20
–20
–40
0
–60
0
–80
20
–100
20
–40
40
–60
40
80
–80
60
100
–100
80
120
–120
NUMBER OF AMPLIFIERS
100
–120
VSY = 18V
VCM = VSY/2
140
120
–140
NUMBER OF AMPLIFIERS
140
80
VSY = 2.7V
VCM = VSY/2
AD8657
4
VSY = 2.7V
–40°C ≤ TA ≤ +85°C
1.0
2
0.5
1
0
0
–0.5
–1
–1.0
–2
–1.5
–3
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
VCM (V)
–4
08804-108
–2.0
VSY = 18V
–40°C ≤ TA ≤ +85°C
3
VOS (mV)
VOS (mV)
1.5
0
2
4
6
8
10
VCM (V)
12
14
16
18
08804-111
2.0
図 12.同相モード電圧対入力オフセット電圧
図 9.同相モード電圧対入力オフセット電圧
6
2.0
VSY = 2.7V
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
1.5
VSY = 18V
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
4
1.0
2
VOS (mV)
VOS (mV)
0.5
0
–0.5
0
–2
–1.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
VCM (V)
–6
0
1000
100
IB+
IB–
IB (pA)
IB (pA)
VSY = 2.7V
10
10
1
1
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
125
0.1
25
08804-008
0.1
25
8
10
VCM (V)
12
14
16
18
VSY = 18V
IB+
IB–
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
図 14.入力バイアス電流の温度特性
図 11.入力バイアス電流の温度特性
Rev. A
6
10000
10000
100
4
図 13.同相モード電圧対入力オフセット電圧
図 10.同相モード電圧対入力オフセット電圧
1000
2
－ 8/21 －
125
08804-011
0
08804-109
–2.0
08804-112
–4
–1.5
AD8657
4
4
VSY = 18V
3
3
2
2
1
1
IB (nA)
0
125°C
85°C
25°C
–1
0
125°C
85°C
25°C
–1
–2
–2
–3
–3
–4
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
VCM (V)
0
08804-009
0
8
10
12
14
16
18
10
1
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
100m
10m
1m
0.1m
0.01m
0.001
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (mA)
10
100
VSY = 18V
1
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
100m
10m
1m
0.1m
0.01m
0.001
図 16.負荷電流対電源レールまで近付く出力電圧(VOH)
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (mA)
10
100
08804-013
OUTPUT VOLTAGE (VOH) TO SUPPLY RAIL (V)
VSY = 2.7V
08804-010
OUTPUT VOLTAGE (VOH) TO SUPPLY RAIL (V)
6
図 18.同相モード電圧対入力バイアス電流
10
図 19.負荷電流対電源レールまで近付く出力電圧(VOH)
10
10
OUTPUT VOLTAGE (VOL) TO SUPPLY RAIL (V)
VSY = 2.7V
1
100m
10m
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
1m
0.1m
0.01m
0.001
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (mA)
10
100
VSY = 18V
1
100m
10m
図 17.負荷電流対電源レールまで近付く出力電圧(VOL)
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
1m
0.1m
0.01m
0.001
08804-014
OUTPUT VOLTAGE (VOL) TO SUPPLY RAIL (V)
4
VCM (V)
図 15.同相モード電圧対入力バイアス電流
Rev. A
2
08804-012
–4
0.01
0.1
1
LOAD CURRENT (mA)
10
100
図 20.負荷電流対電源レールまで近付く出力電圧(VOL)
－ 9/21 －
08804-017
IB (nA)
VSY = 2.7V
AD8657
18.000
2.700
RL = 1MΩ
RL = 1MΩ
OUTPUT VOLTAGE, VOH (V)
2.698
2.697
RL = 100kΩ
2.696
17.995
17.990
17.985
17.980
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
08804-015
–25
17.975
–50
50
75
100
125
12
VSY = 18V
VSY = 2.7V
RL = 100kΩ
10
8
6
4
RL = 100kΩ
RL = 1MΩ
0
25
50
75
100
125
4
TEMPERATURE (°C)
RL = 1MΩ
0
–50
08804-016
–25
6
2
2
0
–50
8
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
図 22.出力電圧(VOL)の温度特性
図 25.出力電圧(VOL)の温度特性
35
35
VSY = 2.7V
VSY = 18V
30
30
25
ISY PER AMP (µA)
25
20
15
10
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
VCM (V)
2.4
15
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
5
2.7
0
08804-120
0
20
10
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
5
0
–25
08804-019
OUTPUT VOLTAGE, VOL (mV)
10
OUTPUT VOLTAGE, VOL (mV)
25
図 24.出力電圧(VOH)の温度特性
12
ISY PER AMP (µA)
0
TEMPERATURE (°C)
図 21.出力電圧(VOH)の温度特性
0
3
6
9
12
15
VCM (V)
図 23.同相モード電圧対電源電流
Rev. A
–25
08804-018
VSY = 18V
VSY = 2.7V
2.695
–50
RL = 100kΩ
図 26.同相モード電圧対電源電流
－ 10/21 －
18
08804-123
OUTPUT VOLTAGE, VOH (V)
2.699
AD8657
60
35
30
50
VSY = 2.7V
VSY = 18V
ISY PER AMP (µA)
20
15
10
40
30
20
–40°C
10
+25°C
5
+125°C
0
–50
6
9
12
15
18
VSY (V)
–25
図 27.電源電圧対電源電流
VSY = 2.7V
RL = 1MΩ
20
45
GAIN
0
–45
–20
CL = 10pF
10k
–135
1M
100k
FREQUENCY (Hz)
図 28.オープン・ループ・ゲインおよび位相の周波数特性
0
45
GAIN
–45
–20
CL = 10pF
–90
CL = 100pF
–60
1k
10k
–135
1M
100k
FREQUENCY (Hz)
60
VSY = 2.7V
AV = 100
40
AV = 10
AV = 1
–40
20
0
VSY = 18V
AV = 100
AV = 10
AV = 1
–20
–40
10k
100k
1M
–60
100
08804-022
1k
FREQUENCY (Hz)
1k
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
図 32.クローズド・ループ・ゲインの周波数特性
図 29.クローズド・ループ・ゲインの周波数特性
Rev. A
0
0
図 31.オープン・ループ・ゲインおよび位相の周波数特性
–20
–60
100
135
20
CLOSED-LOOP GAIN (dB)
CLOSED-LOOP GAIN (dB)
20
125
90
60
40
100
40
–40
–90
CL = 100pF
–60
1k
OPEN-LOOP GAIN (dB)
90
PHASE (Degrees)
40
–40
75
VSY = 18V
RL = 1MΩ
PHASE
08804-021
OPEN-LOOP GAIN (dB)
60
135
0
25
50
TEMPERATURE (°C)
図 30.電源電流の温度特性
60
PHASE
0
PHASE (Degrees)
3
08804-024
0
08804-020
0
08804-023
+85°C
－ 11/21 －
08804-025
ISY PER AMP (µA)
25
AD8657
1000
1000
AV = 100
AV = 100
AV = 10
AV = 10
100
100
AV = 1
ZOUT (Ω)
ZOUT (Ω)
AV = 1
10
10
VSY = 18V
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
08804-026
100
1
100
図 33.出力インピーダンスの周波数特性
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
08804-029
VSY = 2.7V
1
図 36.出力インピーダンスの周波数特性
140
140
120
120
VSY = 2.7V
VCM = 2.4V
VSY = 18V
VCM = VSY/2
100
CMRR (dB)
CMRR (dB)
100
80
60
80
60
40
40
20
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
0
100
1k
10k
100k
1M
08804-030
1k
08804-027
0
100
1M
08804-031
20
FREQUENCY (Hz)
図 37.CMRR の周波数特性
図 34.CMRR の周波数特性
100
100
VSY = 18V
VSY = 2.7V
80
PSRR (dB)
PSRR (dB)
80
60
PSRR+
PSRR–
40
60
PSRR+
PSRR–
40
20
20
0
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
08804-028
0
100
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
図 38.PSRR の周波数特性
図 35.PSRR の周波数特性
Rev. A
1k
－ 12/21 －
AD8657
70
70
VSY = 2.7V
VIN = 10mV p-p
RL = 1MΩ
OS+
OS–
60
40
30
40
30
20
20
10
10
1000
CAPACITANCE (pF)
0
10
08804-032
100
100
図 39.負荷容量対小信号オーバーシュート
図 42.負荷容量対小信号オーバーシュート
VSY = ±1.35V
AV = 1
RL = 1MΩ
CL = 100pF
08804-033
TIME (100µs/DIV)
図 43.大信号過渡応答
図 40.大信号過渡応答
VSY = ±9V
AV = 1
RL = 1MΩ
CL = 100pF
VOLTAGE (5mV/DIV)
VOLTAGE (5mV/DIV)
VSY = ±1.35V
AV = 1
RL = 1MΩ
CL = 100pF
TIME (100µs/DIV)
08804-034
TIME (100µs/DIV)
08804-036
VOLTAGE (5V/DIV)
VSY = ±9V
AV = 1
RL = 1MΩ
CL = 100pF
VOLTAGE (500mV/DIV)
TIME (100µs/DIV)
図 44.小信号過渡応答
図 41.小信号過渡応答
Rev. A
1000
CAPACITANCE (pF)
－ 13/21 －
08804-035
OVERSHOOT (%)
OVERSHOOT (%)
OS+
OS–
50
50
0
10
VSY = 18V
VIN = 10mV p-p
RL = 1MΩ
08804-037
60
AD8657
INPUT
INPUT
0
2
1
–1
–2
10
5
OUTPUT
OUTPUT
08804-039
0
TIME (40µs/DIV)
0
08804-042
–0.4
INPUT VOLTAGE (V)
VSY = ±1.35
AV = –10
RL = 1MΩ
OUTPUT VOLTAGE (V)
INPUT VOLTAGE (V)
–0.2
VSY = ±9V
AV = –10
RL = 1MΩ
OUTPUT VOLTAGE (V)
0
TIME (40µs/DIV)
図 45.正側過負荷回復
図 48.正側過負荷回復
VSY = ±9V
AV = –10
RL = 1MΩ
2
0.4
0
VSY = ±1.35V
AV = –10
RL = 1MΩ
–1
INPUT VOLTAGE (V)
OUTPUT
OUTPUT VOLTAGE (V)
INPUT VOLTAGE (V)
INPUT
0
INPUT
0
OUTPUT
0
–5
OUTPUT VOLTAGE (V)
1
0.2
–10
TIME (40µs/DIV)
TIME (40µs/DIV)
図 46.負側過負荷回復
図 49.負側過負荷回復
INPUT
VOLTAGE (500mV/DIV)
VSY = 2.7V
RL = 100kΩ
CL = 10pF
+5mV
0
VSY = 18V
RL = 100kΩ
CL = 10pF
+5mV
0
ERROR BAND
OUTPUT
OUTPUT
–5mV
TIME (10µs/DIV)
08804-040
–5mV
TIME (10µs/DIV)
図 50.0.1%への正セトリング・タイム
図 47.0.1%への正セトリング・タイム
Rev. A
－ 14/21 －
08804-043
VOLTAGE (500mV/DIV)
INPUT
ERROR BAND
08804-041
08804-038
–2
AD8657
VSY =18V
RL = 100kΩ
CL = 10pF
VOLTAGE (500mV/DIV)
INPUT
+5mV
OUTPUT
0
ERROR BAND
+5mV
OUTPUT
TIME (10µs/DIV)
0
ERROR BAND
–5mV
08804-044
–5mV
INPUT
08804-047
VOLTAGE (500mV/DIV)
VSY = 2.7V
RL = 100kΩ
CL = 10pF
TIME (10µs/DIV)
図 51.0.1%への負セトリング・タイム
図 54.0.1%への負セトリング・タイム
1000
1000
VSY = 18V
100
10
100
10
1
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
1M
図 55.電圧ノイズ密度の周波数特性
図 52.電圧ノイズ密度の周波数特性
VSY = 2.7V
VSY = 18V
08804-046
VOLTAGE (2µV/DIV)
VOLTAGE (2µV/DIV)
TIME (2s/DIV)
TIME (2s/DIV)
図 53. 0.1～10 Hz でのノイズ
Rev. A
100k
図 56. 0.1～10 Hz でのノイズ
－ 15/21 －
08804-049
10
08804-045
1
08804-048
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)
VSY = 2.7V
AD8657
20
3.0
VSY = 2.7V
VIN = 2.6V
RL = 1MΩ
AV = 1
VSY = 18V
VIN = 17.9V
RL = 1MΩ
AV = 1
18
16
OUTPUT SWING (V)
OUTPUT SWING (V)
2.5
2.0
1.5
1.0
14
12
10
8
6
4
0.5
10k
100k
1M
FREQUENCY (Hz)
10
100
1k
10k
100k
1M
08804-053
1k
100k
08804-054
0
100
08804-050
0
10
100k
08804-055
2
FREQUENCY (Hz)
図 60.出力振幅の周波数特性
図 57.出力振幅の周波数特性
100
100
VSY = 2.7V
VIN = 0.2V rms
RL = 1MΩ
AV = 1
10
THD + N (%)
THD + N (%)
10
VSY = 18V
VIN = 0.2V rms
RL = 1MΩ
AV = 1
1
1
0.1
0.1
0.01
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
10k
図 61.THD + N の周波数特性
0
0
1MΩ
VSY = 2.7V
RL = 1MΩ
AV = –100
RL
–40
–60
VIN = 0.5V p-p
–80
1MΩ
VIN = 1.5V p-p
VIN = 2.6V p-p
–100
10kΩ
VSY = 18V
RL = 1MΩ
AV = –100
–20
10kΩ
CHANNEL SEPARATION (dB)
–20
CHANNEL SEPARATION (dB)
1k
FREQUENCY (Hz)
図 58.THD + N の周波数特性
RL
–40
VIN = 1V p-p
VIN = 5V p-p
VIN = 10V p-p
VIN = 15V p-p
VIN = 17V p-p
–60
–80
–100
–120
–120
–140
–140
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
100
08804-052
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
図 59.チャンネル・セパレーションの周波数特性
Rev. A
100
08804-051
0.01
10
図 62.チャンネル・セパレーションの周波数特性
－ 16/21 －
AD8657
アプリケーション情報
AD8657 は、2.7 V～18 V の広い電源電圧範囲で動作する、低消
費電力、レール to レール入力/出力の高精度アンプです。このア
ンプは、アナログ・デバイセズの DigiTrim 技術を採用して、他
の CMOS アンプより高い精度を実現しています。DigiTrim 技術
は、組立後のアンプのオフセット電圧をトリミングする方法です。
パッケージ組み立て後のトリミングの利点は、組立時の機械的
ストレスから発生するオフセット電圧のシフトを補正することで
す。
また、AD8657 では独自の入力ステージと出力ステージを採用
して、非常に小さい電源電流でレール to レール入力/出力範囲を
実現しています。
入力ステージ
図 63 に、AD8657 の簡略化した回路図を示します。入力ステー
ジは、2 つの差動トランジスタ対、NMOS対(M1、M2)、PMOS対
(M3、M4)から構成されています。入力同相モード電圧により、
ターンオンして強くアクティブになる方の差動対が決定されま
す。
PMOS 差動対は入力電圧が低い方の電源レールに近付き到達し
たときにアクティブになります。NMOS 対は高い方の電源レー
ルに等しいか近い入力電圧のために必要です。この回路により、
アンプが入力電圧の広いダイナミックレンジを維持して、両電
源レールまで信号振幅を大きくすることができます。
入力同相モード電圧範囲の大部分で、PMOS差動対がアクティ
ブになります。差動対は一般に異なるオフセット電圧を持ちま
す。1 つの対から別の対への引き継ぎにより、VOS対VCMのグラ
フに現れるステップ状の特性が発生します(図 5 と 図 8 を参照)。
これは、2 つの差動対を使用するすべてのレールtoレール・アン
プに固有な現象です。このため、1 つの入力差動対から別の差動
対へ引き継ぐ領域を含まない同相モード電圧を常に選択する必
要があります。
入力同相モード電圧が電源レールに近付くと、VOS対VCMカーブ
にはさらに幾つかのステップが現れます。これらの変化は、ヘ
ッドルームが少なくなった負荷トランジスタ(M8、M9、M14、
M15)が原因となり発生します。負荷トランジスタがトライオー
ド動作領域に入ると、ドレイン・インピーダンスの不一致によ
りアンプのオフセット電圧が影響を受けるようになります。高温
では入力トランジスタのスレッショールド電圧が低くなるため、
この問題は悪化します(性能データについては、図 9、図 10、図
12、図 13 参照)。
Rev. A
電流源I1 はPMOSトランジスタ対を駆動します。入力同相モー
ド電圧が上側の電源レールに近付くと、I1 はPMOS差動対から
M5 トランジスタへ流れるように切り替られます。バイアス電圧
VB1 は、この切り替えが起こるポイントを制御します。M5 は、
M6 トランジスタとM7 トランジスタで構成される電流ミラーへ
テール電流を供給します。次に電流ミラーの出力はNMOS対を
駆動します。この電流ミラーの動作開始により、高い同相モー
ド電圧で電源電流が少し増えることに注意してください(詳細に
ついては、図 23 と 図 26 参照)。
AD8657 は、差動入力に低電圧MOSデバイスを使用することに
より高性能を実現しています。これらの低電圧MOSデバイスは、
単位電流あたりの優れたノイズと帯域幅を提供します。各差動
入力対は、当社独自のレギュレーション回路で保護されています
(簡略化した回路図では省略)。このレギュレーション回路は、
通常動作時に入力対に加わる電圧を適切に維持するアクティ
ブ・デバイスと、高速な過渡時にアンプを保護するパッシブ・ク
ランピング・デバイスとの組み合わせで構成されていますが、
これらのパッシブ・クランピング・デバイスは、同相モード電
圧がいずれかの電源レールに近付くと順方向バイアスされるよ
うになります。このため、入力バイアス電流が増えます(図 15
と 図 18 参照)。
また、入力デバイスはクランプ・ダイオード(D1 と D2)により大
きな差動入力電圧からも保護されています。これらのダイオー
ドは、2 本の 10 kΩ 抵抗(R1 と R2)により入力からバッファされ
ています。差動電圧が約 600 mV より高くなると、差動ダイオー
ドはターンオンします。この状態では、差動入力抵抗が 20 kΩ
まで低下します。
出力ステージ
AD8657 は、M16 トランジスタとM17 トランジスタで構成される
相補出力ステージを内蔵しています。これらのトランジスタは
クラスAB回路として構成され、電圧源VB2 からバイアスされて
います。この回路の使用により、出力電圧がミリボルト以内で
電源レールに近付くことができるため、レールtoレールの出力振
幅が可能になっています。出力電圧は、トランジスタ(低RON の
MOSデバイス)の出力インピーダンスにより制限されます。出力
電圧の振幅は負荷電流の関数であるため、電源レールに対する出
力電圧と負荷電流との関係を表す図から求めることができます(
図 16、図 17、図 19、図 20 参照)。
－ 17/21 －
AD8657
V+
VB1
I1
M5
+IN x
M3
R1
D1
–IN x
M8
M9
M10
M11
M4
M16
D2
VB2
R2
M1
OUT x
M2
M7
M6
M13
M14
M15
08804-056
M17
M12
V–
図 63.簡略化した回路図
レールtoレール
反転構成
AD8657は、2.7 V～18 Vの電源電圧でレールtoレールの入力と出
力を持っています。図 64に、AD8657の入力波形と出力波形を示
します(ユニティ・ゲイン・バッファとして構成、電源電圧= ±9
V、抵抗負荷= 1 MΩ)。入力電圧= ±9 Vで、AD8657の出力は両電
源レールの非常に近くまで変化することができます。さらに、
位相反転は発生しません。
図 65 に、出力に抵抗負荷RLを接続した、反転構成のAD8657 を
示します。アンプから見た実際の負荷は、帰還抵抗R2 と負荷RL
の並列接続になります。帰還抵抗= 1 kΩかつ負荷= 1 MΩとする
と、出力での等価負荷抵抗は 999 Ωになります。この条件では、
AD8657 はこのような重い負荷を駆動できないため、性能は大
幅に低下します。出力に負荷が加わることを防ぐためには、大
きな帰還抵抗値を使用してください。ただし、回路全体に対す
る抵抗サーマル・ノイズの影響を考慮する必要があります。
VSY = ±9V
RL = 1MΩ
R2
VOLTAGE (5V/DIV)
INPUT
OUTPUT
VIN
+VSY
R1
AD8657
VOUT
1/2
RL
08804-058
–VSY
RL, EFF = RL || R2
非反転構成
図 66 に、出力に抵抗負荷RLを接続した、非反転構成のAD8657
を示します。アンプから見た実際の負荷は、R1 + R2 とRLの並
列接続になります。
図 64.レール to レールの入力と出力
抵抗負荷
R2
帰還抵抗は、アンプから見た負荷抵抗値を変えます。このため、
AD8657 で使用する帰還抵抗の値を知っておくことは重要です。
AD8657 は、最小 100 kΩ の抵抗負荷を駆動することができます。
次の反転構成と非反転構成の 2 つの例に、アンプ出力から見た実
際の負荷抵抗が帰還抵抗により変化する様子を示します。
+VSY
R1
AD8657
VIN
1/2
VOUT
–VSY
RL, EFF = RL || (R1 + R2)
図 66.非反転オペアンプ
Rev. A
－ 18/21 －
RL
08804-059
TIME (200µs/DIV)
08804-057
図 65.反転オペアンプ
AD8657
コンパレータ動作
オペアンプは、出力から反転入力への帰還によるクローズド・
ループ構成で動作するようにデザインされています。 図 67 に、
一方の入力電圧を常に電源中点に固定した電圧フォロワとして
構成したAD8657 を示します。同じ構成を未使用チャンネルにも
使用します。A1 とA2 は、電源電流を測定する電流計の位置を
示します。ISY+は上側の電源レールからオペアンプへ流れる電
流を、ISY−はオペアンプから下側の電源レールへ流れる電流を、
それぞれ表します。図 68 に示すように、通常の動作条件では、
オペアンプへ流れる合計電流は、オペアンプから流出する合計電
流と等しくなります。ここで、2 つのAD8657 に対してISY+ = ISY−
= 36 μA、VSY = 18 V。
電源電流が増えます。図 71 に示すように、両構成から同じ結果
が得られます。電源電圧= 18 Vで、ISY+は 36 μAを維持しますが、
ISY−はアンプ 2 個あたり 140 μAに増えます。
+VSY
ISY+
A1
100kΩ
AD8657
VOUT
1/2
100kΩ
ISY–
A2
A1
08804-068
+VSY
–VSY
ISY+
図 69.コンパレータ A
100kΩ
+VSY
AD8657
VOUT
1/2
A2
100kΩ
A1
ISY–
ISY+
08804-066
100kΩ
–VSY
AD8657
VOUT
1/2
図 67.電圧フォロワ
100kΩ
A2
ISY–
–VSY
30
図 70.コンパレータ B
25
160
20
140
15
ISY pER DUAL AMPLIFIER (µA)
ISY PER DUAL AMPLIFIER (µA)
35
08804-069
40
ISY–
ISY+
10
0
0
2
4
6
8
10
VSY (V)
12
14
16
18
08804-067
5
図 68.電源電圧対電源電流(電圧フォロワ)
120
100
ISY–
ISY+
80
60
40
図 69 と 図 70 に、入力ピンに直列に 100 kΩ抵抗を接続した、コ
ンパレータとして構成したAD8657 を示します。未使用チャンネ
ルは、入力電圧を電源中点に接続したバッファとして構成してい
ます。AD8657 は、ダイオードD1 とダイオードD2 により大きな
差動入力電圧に対して保護された入力デバイスを内蔵していま
す(図 63 参照)。これらのダイオードはサブストレートPNPバイ
ポーラ・トランジスタから構成され、差動入力電圧が約 600 mV
を超えると導通しますが、これらのダイオードは入力から下側
の電源レールまでの電流パスを提供するため、システムの合計
Rev. A
0
0
2
4
6
8
10
VSY (V)
12
14
16
18
08804-070
20
オペアンプとは対照的に、コンパレータはオープン・ループ構
成で動作し、ロジック回路を駆動するようにデザインされてい
ます。オペアンプはコンパレータと異なりますが、ボード・ス
ペースとコストを節約するためデュアル・オペアンプの未使用
部分をコンパレータとして使用することがありますが、これは
推奨できません。
図 71.電源電圧対電源電流(AD8657 をコンパレータとして構成)
100 kΩの抵抗はオペアンプ入力に直列に接続することに注意して
ください。小さい抵抗値を使用すると、システムの電源電流が増
えます。オペアンプをコンパレータとして使用することの詳細
については、AN-849 アプリケーション・ノート「Using Op
Amps as Comparators」を参照してください。
－ 19/21 －
AD8657
EMI除去比
回路性能は高周波電磁干渉(EMI)から影響を受けることがありま
す。信号強度が低く、伝送線が長い場合には、オペアンプは入
力信号を正確に増幅する必要がありますが、すべてのオペアン
プ・ピン(非反転入力、反転入力、正電源、負電源、出力の各ピ
ン)は EMI 信号の影響を受け安くなっています。これらの高周
波信号は、伝導、近距離放射、長距離放射などの種々の方法で
オペアンプに混入します。例えば、配線と PCB パターンがアン
テナとして機能して高周波 EMI 信号を拾います。
AD8657 のような高精度オペアンプは比較的帯域が狭いため、
EMI 信号または RF 信号を増幅しませんが、入力デバイスの非直
線性のため、オペアンプはこれらの帯域外信号を整流すること
があります。これらの高周波信号が整流されると、出力に DC
オフセットとして現れます。
電磁エネルギーが存在する中でAD8657 が期待通りに動作する
能力を規定するため、非反転ピンの電磁干渉除去比(EMIRR)が、
仕様のセクションの 表 2、表 3、表 4 で規定されています。
EMIRR測定の数学的方法は、次のように定義されます。
ゼロスケール入力では、電流VREF/RNULLがR'を流れます。これに
より検出抵抗を流れる電流ISENSEが発生し、次の式で決定されま
す(詳細については、図 73 を参照)。
ISENSE、MIN = (VREF × R')/(RNULL × RSENSE)
フルスケール入力電圧では、R'を流れる電流は VIN/RSPAN のフル
スケール変化だけ増加します。これにより、検出抵抗を流れる
電流が増えます。
ISENSE、DELTA = (VIN × R'のフルスケール変化)/(RSPAN × RSENSE)
したがって、
ISENSE、MAX = ISENSE、MIN + ISENSE、DELTA
R' >> RSENSE のとき、レシーバ側の負荷抵抗を流れる電流は
ISENSE とほぼ等しくなります。
EMIRR = 20 log (VIN_PEAK/ΔVOS)
140
図 73 は、フルスケール入力電圧 = 5 V用にデザインされていま
す。入力= 0 Vでループ電流= 3.5 mAに、フルスケール= 5 Vで、
ループ電流= 21 mAに、それぞれなります。このため、ソフトウ
ェア・キャリブレーションを使って電流ループを 4 mA～20 mA
の範囲で微調整することができます。
120
100
AD8657 と ADR125 の静止電流は 160 µA と小さいため、3.34 mA
の電流はその他のシグナル・コンデショニング回路またはブリ
ッジ回路の電源として使うことができます。
80
60
ADR125
VREF
20
10M
VIN = 100mVPEAK
VSY = 2.7V TO 18V
100M
1G
FREQUENCY (Hz)
10G
RNULL
1MΩ
1%
08804-071
40
C2
C3
10µF 0.1µF
RSPAN
200kΩ
1%
VIN
0V TO 5V
図 72.EMIRR の周波数特性
R1
68kΩ
1%
4 mA～20 mAプロセス・コントロール電流ルー
プ・トランスミッタ
2 線式電流トランスミッタは、分散型制御システムとプロセ
ス・コントロール・アプリケーションでセンサーとプロセス・
コントローラの間のアナログ信号伝送によく使用されます。図
73 に、4 mA～20 mAの電流ループ・トランスミッタを示します。
トランスミッタの電源は制御ループ電源から直接供給され、ル
ープ電流により 4 mA～20 mA の信号が伝送されます。このため、
4 mA のベースライン電流(回路動作電流)が確保されています。
AD8657 は、全温度範囲と全電源電圧範囲でアンプあたり 33 μA
Rev. A
VOUT
R2
2kΩ
1%
VIN
GND
C5
C4
0.1µF 10µF
1/2
AD8657
Q1
R4
3.3kΩ
R3
1.2kΩ
VDD
18V
D1
C1
390pF
4mA
TO
20mA
RSENSE
100Ω
1%
NOTES
1. R1 + R2 = R´.
－ 20/21 －
図 73.4 mA～20 mA の電流ループ・トランスミッタ
RL
100Ω
08804-060
EMIRR (dB)
の低電源電流であるため、優れた選択肢になっています。電流
トランスミッタはループ電流を制御します。この場合、ゼロスケ
ール入力信号は 4 mA の電流で、フルスケール入力信号は 20
mA の電流で、それぞれ表されます。また、トランスミッタは
制御ループ電源 VDD から絶縁されており、信号グラウンドはレ
シーバ側を使います。ループ電流は、レシーバ側の負荷抵抗 RL
で測定されます。
AD8657
外形寸法
3.20
3.00
2.80
8
3.20
3.00
2.80
1
5
5.15
4.90
4.65
4
PIN 1
IDENTIFIER
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
15° MAX
1.10 MAX
0.80
0.55
0.40
0.23
0.09
6°
0°
0.40
0.25
100709-B
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
図 74.8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ[MSOP]
(RM-8)
寸法: mm
2.44
2.34
2.24
3.10
3.00 SQ
2.90
0.50 BSC
8
5
0.50
0.40
0.30
0.80
0.75
0.70
0.30
0.25
0.20
1
4
BOTTOM VIEW
TOP VIEW
SEATING
PLANE
1.70
1.60
1.50
EXPOSED
PAD
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.203 REF
PIN 1
INDICATOR
(R 0.15)
FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONS
SECTION OF THIS DATA SHEET.
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-229-WEED
01-24-2011-B
PIN 1 INDEX
AREA
図 75.8 ピン・リードフレーム・チップ・スケール・パッケージ [LFCSP_WD]
3 mm × 3 mm ボディ、極薄、デュアル・リード
(CP-8-11)
寸法: mm
オーダー・ガイド
Model1
Temperature Range
Package Description
Package Option
Branding
AD8657ARMZ
AD8657ARMZ-R7
AD8657ARMZ-RL
AD8657ACPZ-R7
AD8657ACPZ-RL
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
8-Lead Mini Small Outline Package [MSOP]
8-Lead Mini Small Outline Package [MSOP]
8-Lead Mini Small Outline Package [MSOP]
8-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP_WD]
8-Lead Lead Frame Chip Scale Package [LFCSP_WD]
RM-8
RM-8
RM-8
CP-8-11
CP-8-11
A2N
A2N
A2N
A2N
A2N
1
Z = RoHS 準拠製品
Rev. A
－ 21/21 －