SFH 206 K feo06647 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm ● Short switching time (typ. 20 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen ● Computer-Blitzlichtgeräte ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Applications ● Computer-controlled flashes ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 206 K Q62702-P129 Semiconductor Group 1 1998-03-17 SFH 206 K Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3 s) TS 230 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 80 (≥ 50) nA/Ix Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.00 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area L×B 2.65 × 2.65 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 1.2 ... 1.4 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Semiconductor Group 2 L×W 1998-03-17 SFH 206 K Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Spectral sensitivity Sλ 0.62 A/W Quantenausbeute, λ = 850 nm Quantum yield η 0.90 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 365 (≥ 310) mV Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 80 µA Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 ns Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV – 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, λ = 850 nm NEP 4.2 × 10– 14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 850 nm Detection limit D* 6.3 × 1012 cm · √Hz W Semiconductor Group 3 1998-03-17 SFH 206 K Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) OHF00078 100 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF00394 160 mW Ptot 140 S rel % 80 120 100 60 80 40 60 40 20 20 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ 0 Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00082 10 3 Ι R nA 10 2 10 1 10 0 10 -1 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1998-03-17