ADG859:SPDTスイッチ(2:1 MUX)、シングル、1.3Ω、CMOS、1.8~5.5V、SOT-66パッケージ (Rev. 0) PDF

SOT-66パッケージ採用、1.3Ω CMOS、
1.8∼5.5VのシングルSPDTスイッチ/2:1 MUX
ADG859
機能ブロック図
特長
単電源動作:1.8∼5.5V
小型パッケージ:1.65mm×1.65mm
低オン抵抗値: 1.3Ω@5V電源
高い電流許容能力
連続電流:300mA
ピーク電流:500mA@5V電源
レールtoレール動作
消費電力:0.01µW未満(typ値)
TTL/CMOS互換入力
ADG859
S2
D
S1
スイッチの表示は
ロジック入力「1」時
05258-001
IN
図1
アプリケーション
携帯電話
PDA
MP3プレーヤ
バッテリ駆動のシステム
オーディオ/ビデオ信号のルーティング
モデム
PCMCIAカード
ハードディスク・ドライブ
リレーの置換え
概要
製品のハイライト
ADG859 は、 1.8 ∼ 5.5V の電源範囲で動作するモノリシック
CMOS SPDT(単極双投)スイッチで、−40∼+125℃の温度
変化に対し2.3Ω(max値)という低いオン抵抗値を実現します。
また、5V動作時に300mA(typ値)という大きな電流を扱うこ
とができます。このような特長により、ADG859は携帯電話機、
PDA 、 MP3 プレーヤなど、スペースに制約のあるアプリケー
1. 低オン抵抗値:−40∼+125℃の温度変化に対し
2.3Ω(max値)
2. 高い電流許容能力
3. 6ピン、1.65mm×1.65mmの小型SOT-66パッケージ
ションに最適です。
各スイッチは、オン時に双方向に等しく良好に導通します。デ
バイスはブレーク・ビフォア・メークのスイッチング動作を行
い、チャンネル切替え時の瞬間的な短絡を防ぎます。
ADG859は、小型の6ピンSOT-66パッケージを採用しています。
REV. 0
アナログ・デバイセズ株式会社
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せん。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するもので
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ADG859
目次
仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
ESDに関する注意 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
ピン配置と機能の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
代表的な性能特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
テスト回路 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
用語の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
外形寸法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
オーダー・ガイド . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
改訂履歴
2005年6月―リビジョン0:初版
―2―
REV. 0
ADG859
仕様
特に指定のない限り、VDD=5V±10%、GND=0V。1
表1
パラメータ
アナログ・スイッチ
アナログ信号範囲
オン抵抗(RON)
チャンネル間のオン抵抗の
マッチング(∆RON)
オン抵抗平坦性(RFLAT(ON))
25℃
−40∼
+85℃
−40∼
+125℃
0V∼VDD
1.3
2.1
0.01
0.093
0.32
0.45
2.2
2.3
0.163
0.163
0.6
0.65
リーク電流
ソース・オフ時リーク(IS (Off))
±0.02
チャンネル・オン時リーク(ID、IS (On)) ±0.02
デジタル入力
ハイレベル入力電圧(VINH)
ローレベル入力電圧(VINL)
入力電流(IINLまたはIINH)
2
0.8
0.005
±0.1
デジタル入力容量(CIN)
4
単位
テスト条件/備考
V
Ω(typ)
Ω(max)
Ω(typ)
Ω(max)
Ω(typ)
Ω(max)
VDD=4.5V、VS=0V∼VDD、
IS=−100mA、図16
VDD=4.5V、VS=4.5V、IS=−100mA、
図16
VDD=4.5V、VS=0V∼VDD、
IS=−100mA、図16
nA(typ)
nA(typ)
VDD=5.5V
VS=4.5V/1V、VD=1V/4.5V、図17
VS=VD=1Vまたは4.5V、図18
V(min)
V(max)
µA(typ)
µA(max)
pF(typ)
VIN=VINLまたはVINH
2
動的特性
tON
8
10
tOFF
4.5
6
ブレーク・ビフォア・メーク遅延時間(tBBM) 4
11
12
6.5
7
1
電荷注入
オフ・アイソレーション
±13
−78
チャンネル間クロストーク
−78
−3dB帯域幅
挿入損失
全高調波歪み(THD+N)
−0.11
CS (Off)
CD、CS (On)
18
45
125
0.062
ns(typ)
ns(max)
ns(typ)
ns(max)
ns(typ)
ns(min)
pC(typ)
dB(typ)
RL=50Ω、CL=35pF
VS=3V、図19
RL=50Ω、CL=35pF
VS=3V、図19
RL=50Ω、CL=35pF
VS1=VS2=1.5V、図20
VS=0V、RS=0Ω、CL=1nF、図21
RL=50Ω、CL=5pF、f=100kHz、
図22
dB(typ)
RL=50Ω、CL=5pF、f=100kHz、
図23
MHz(typ) RL=50Ω、CL=5pF、図24
dB(typ)
RL=50Ω、CL=5pF、図24
%
RL=32Ω、f=20Hz∼20kHz、
VS=3V p-p、図14
pF(typ)
f=1MHz
pF(typ)
f=1MHz
電源条件
IDD
1
2
VDD=5.5V
0.001
1
温度範囲は−40∼+125℃です。
これらの仕様については出荷テストを行っていませんが、設計により保証しています。
REV. 0
―3―
µA(typ)
µA(max)
デジタル入力=0Vまたは5.5V
ADG859
特に指定のない限り、VDD=2.7∼3.6V、GND=0V。1
表2
パラメータ
アナログ・スイッチ
アナログ信号範囲
オン抵抗(RON)
チャンネル間のオン抵抗の
マッチング(∆RON)
25℃
−40∼
+85℃
−40∼
+125℃
0V∼VDD
3
4.3
0.03
0.11
4.5
4.7
0.15
0.15
リーク電流
ソース・オフ時リーク(IS (Off))
±0.02
チャンネル・オン時リーク(ID、IS (On)) ±0.05
デジタル入力
ハイレベル入力電圧(VINH)
ローレベル入力電圧(VINL)
2.0
0.8
0.7
入力電流(IINLまたはIIN)
0.005
デジタル入力容量(CIN)
4
±0.1
±0.1
16
17
10
11
単位
テスト条件/備考
V
Ω(typ)
Ω(max)
Ω(typ)
Ω(max)
VDD=2.7V、VS=0V∼VDD、
IS=−100mA、図16
VDD=2.7V、VS=1.2V、IS=−100mA、
図16
nA(typ)
nA(typ)
VDD=3.6V
VS=3V/1V、VD=1V/3V、図17
VS=VD=1Vまたは3V、図18
V(min)
V(max)
V(max)
µA(typ)
µA(max)
pF(typ)
VDD=3∼3.6V
VDD=2.7V
VIN=VINLまたはVINH
動的特性2
tON
11
15
tOFF
6
9.5
ブレーク・ビフォア・メーク遅延時間(tBBM) 5
1
電荷注入
オフ・アイソレーション
±7
−78
チャンネル間クロストーク
−78
−3dB帯域幅
挿入損失
全高調波歪み(THD+N)
125
−0.11
0.1
CS (Off)
CD、CS (On)
18
46
ns(typ)
ns(max)
ns(typ)
ns(max)
ns(typ)
ns(min)
pC(typ)
dB(typ)
RL=50Ω、CL=35pF
VS=1.5V、図19
RL=50Ω、CL=35pF
VS=1.5V、図19
RL=50Ω、CL=35pF
VS1=VS2=1.5V、図20
VS=0V、RS=0Ω、CL=1nF、図21
RL=50Ω、CL=5pF、f=100kHz、
図22
dB(typ)
S1∼S2、RL=50Ω、CL=5pF、
f=100kHz、図23
MHz(typ) RL=50Ω、CL=5pF、図24
dB(typ)
RL=50Ω、CL=5pF、図24
%
RL=32Ω、f=20Hz∼20kHz、
VS=2V p-p、図14
pF(typ)
f=1MHz
pF(typ)
f=1MHz
電源条件
IDD
1
2
VDD=3.6V
0.001
1
µA(typ)
µA(max)
デジタル入力=0Vまたは3.6V
温度範囲は−40∼+125℃です。
これらの仕様については出荷テストを行っていませんが、設計により保証しています。
―4―
REV. 0
ADG859
絶対最大定格
特に指定のない限り、TA=25℃。
表3
パラメータ
定格値
GNDに対するVDD
−0.3+7.0V
−0.3V∼VDD+0.3Vまたは
30mAのうち最初に発生す
る方
−0.3V∼VDD+0.3Vまたは
30mAのうち最初に発生す
る方
アナログ入力1
デジタル入力1
ピーク電流(SまたはD)
5V動作時
3V動作時
連続電流(SまたはD)
5V動作時
3V動作時
動作温度範囲
自動車
保存温度範囲
ジャンクション温度
SOT-66パッケージ(4層ボード)
θJA熱抵抗
鉛フリー・リフロー
ピーク温度
ピーク温度の時間
1
左記の絶対最大定格を超えるストレスを加えると、デバイスに
恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定
格のみを指定するものであり、この仕様の動作セクションに記
載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ
ん。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くと、デバイスの
信頼性に影響を与えることがあります。1 つでもパラメータの
絶対最大定格を超えると、デバイスに影響を与える可能性があ
ります。
表4.
500mA
460mA
300mA
275mA
真理値表
ロジック(IN)
スイッチ2(S2)
スイッチ1(S1)
0
1
オフ
オン
オン
オフ
−40∼+85℃
−65∼+150℃
150℃
191℃/W
260(+0/−5)℃
10∼40秒
SまたはDでの過電圧は、内部ダイオードでクランプされます。電流は規定された
最大定格に制限してください。
注意
ESD(静電放電)の影響を受けやすいデバイスです。人体や試験機器には4000Vもの高圧の静
電気が容易に蓄積され、検知されないまま放電されることがあります。本製品は当社独自の
ESD保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被った場合、回復
不能の損傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣化や機能低下を防止するため、
ESDに対する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
REV. 0
―5―
ADG859
ピン配置と機能の説明
IN 1
GND 3
図2.
表5.
6 S2
ADG859
上面図
(実寸ではありません)
5 D
4 S1
05258-002
V DD 2
6ピンSOT-66のピン配置
ピン機能の説明
ピン番号
記号
機能
1
2
3
4
5
6
IN
VDD
GND
S1
D
S2
ロジック制御入力
正側電源電位
グラウンド・リファレンス(0V)
ソース端子。入力または出力
ドレイン端子。入力または出力
ソース端子。入力または出力
―6―
REV. 0
ADG859
代表的な性能特性
3.0
2.0
TA = 25°C
IDS = 100mA
1.8
1.6
2.5
+85°C
V DD = 5V
1.4
2.0
オン抵抗(Ω)
1.2
1.0
0.8
V DD = 5.5V
+25°C
1.5
–40°C
1.0
0.6
0.4
V DD = 3V
IDS = 100mA
05258-012
0.5
0.2
0
0
1
2
3
4
0
0
5
0.5
1.0
1.5
2.0
VS(VD)対 オン抵抗(VDD=5V±10%)
3.0
図6. さまざまな温度に対するソース電圧 対
オン抵抗(VDD=3V)
3.0
5
TA = 25°C
IDS = 100mA
V DD = 2.7V
V DD = 5V
2.5
4
V DD = 3V
1.5
リーク電流(nA)
2.0
V DD = 3.3V
V DD = 3.6V
1.0
ID, IS (ON)
3
2
1
IS (OFF)
0
05258-024
0.5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–1
–40
3.5
05258-016
RON(Ω)
2.5
ソース電圧(V)
VS/VD(V)
図3.
05258-013
RON(Ω)
+125°C
V DD = 4.5V
–20
0
20
VS/VD(V)
図4.
40
60
80
100
120
温度(℃)
VS(VD)対 オン抵抗(VDD=2.7∼3.6V)
図7.
リーク電流の温度特性(VDD=5V)
4.5
1.8
V DD = 3V
1.6
4.0
+125°C
+85°C
1.4
3.5
リーク電流(nA)
1.0
0.8
+25°C
–40°C
0.6
2.5
2.0
1.5
1.0
0.4
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
05258-014
0.5
V DD = 5V
IDS = 100mA
0.2
0
–0.5
–40
5.0
IS (OFF)
–20
20
40
60
80
100
温度(℃)
ソース電圧(V)
図5. さまざまな温度に対するソース電圧 対
オン抵抗(VDD=5V)
REV. 0
0
図8.
―7―
リーク電流の温度特性(VDD=3V)
120
05258-015
オン抵抗(Ω)
ID, IS (ON)
3.0
1.2
ADG859
30
0
TA = 25°C
TA = 25°C
V DD = 3V/5V
25
–20
–40
V DD = 5V
減衰量(dB)
15
V DD = 3V
10
–60
–80
5
05258-017
–100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
–120
100
5.0
05258-020
電荷注入(pC)
20
1k
10k
VD(V)
図9.
図12.
ソース電圧 対 電荷注入
1M
10M
100M
オフ・アイソレーションの周波数特性
0
14
TA = 25°C
V DD = 3V/5V
12
10
100k
周波数(Hz)
–20
V DD = 3.3V
減衰量(dB)
tON
V DD = 5V
6
V DD = 3.3V
tOFF
4
–80
V DD = 5V
–100
05258-018
2
0
–40
–60
–20
02
0
40
60
–120
100
80
05258-021
時間(ns)
–40
8
1k
10k
図10.
100k
1M
10M
100M
周波数(Hz)
温度(℃)
tON/tOFF時間の温度特性
図13.
クロストークの周波数特性
0.20
0
TA = 25°C
0.18
–2
0.16
TA = 25°C
V DD = 3V/5V
0.14
THD+N(%)
–6
–8
0.12
V DD = 3V, V S = 2V p-p
0.10
0.08
0.06
V DD = 5V, V S = 3V p-p
0.04
–12
100
1k
10k
100k
1M
10M
100M
05258-022
–10
05258-019
オン応答(dB)
–4
0.02
0
0
1G
5k
図11.
10k
15k
20k
周波数(Hz)
周波数(Hz)
図14.
帯域幅
―8―
全高調波歪み+ノイズ
REV. 0
ADG859
0
–20
TA = 25°C
V DD = 3V/5V
電源のデカップリングなし
PSRR(dB)
–40
–60
–80
–120
100
05258-023
–100
1k
10k
100k
1M
10M
100M
周波数(Hz)
図15.
REV. 0
PSRR
―9―
ADG859
テスト回路
V
D
VS
A
VS
VD
図17.
オン抵抗
ID (ON)
S
NC
D
A
VD
図18.
オフ時リーク
オン時リーク
V DD
0.1µF
V IN
50%
50%
V IN
50%
50%
V DD
V OUT
D
RL
50Ω
IN
V IN
CL
35pF
90%
GND
tON
図19.
90%
V OUT
tOFF
05258-006
S2
S1
VS
スイッチング時間(tON、tOFF)
V DD
0.1µF
V IN
V DD
S2
S1
VS
V OUT
D
80%
RL
IN
V OUT
CL
35pF
50Ω
tBBM
V IN
tBBM
05258-007
GND
図20.
ブレーク・ビフォア・メーク遅延時間(tBBM)
V DD
0.1µF
VIN(NC(ノーマル・
クローズ))
V DD
S2
VS
S1
V OUT
OFF
VIN(NO(ノーマル・
オープン))
CL
1nF
IN
V IN
NC
D
ON
GND
V OUT
∆V OUT
QINJ = CL × ∆V OUT
図21.
05258-008
図16.
05258-003
IDS
D
05258-004
S
ID (OFF)
S
A
05258-005
IS (OFF)
電荷注入
― 10 ―
REV. 0
ADG859
V DD
0.1µF
V DD
S1
IN
ネットワーク・
アナライザ
NC
S2
50Ω
50Ω
VS
D
RL
50Ω
V OUT
05258-009
V IN
GND
オフ・アイソレーション=20LOG
図22.
V OUT
VS
オフ・アイソレーション
V DD
0.1µF
ネットワーク・
アナライザ
V DD
S1
V OUT
RL
50Ω
D
S2
R
50Ω
50Ω
IN
VS
チャンネル間クロストーク= 20LOG
図23.
05258-010
GND
V OUT
VS
チャンネル間クロストーク
V DD
0.1µF
V DD
IN
S1
ネットワーク・
アナライザ
NC
50Ω
S2
VS
D
RL
50Ω
GND
挿入損失= 20LOG
図24.
REV. 0
スイッチありのVOUT
スイッチなしのVOUT
帯域幅
― 11 ―
V OUT
05258-011
V IN
ADG859
用語の説明
CS (Off)
VDD
CD (Off)
正側電源電位。
IDD
正側電源電流。
GND
グラウンド(0V)リファレンス。
S
ソース端子。入力または出力。
D
ドレイン端子。入力または出力。
IN
スイッチ「オフ」時のソース容量。グラウンドを基準にして測定。
スイッチ「オフ」時のドレイン容量。グラウンドを基準にして
測定。
CD、CS (On)
スイッチ「オン」時の容量。グラウンドを基準にして測定。
CIN
デジタル入力容量。
tON
デジタル入力の50%ポイントからスイッチ・オン時出力の90%
ポイントに到達するまでの遅延時間。
tOFF
ロジック制御入力。
デジタル入力の50%ポイントからスイッチ・オフ時出力の90%
ポイントに到達するまでの遅延時間。
VD (VS)
tBBM
D端子とS端子のアナログ電圧。
スイッチング時に両スイッチの80%ポイント間で測定した「オ
ン」時間または「オフ」時間。
RON
スイッチ「オン」時のD端子とS端子の間の抵抗。
電荷注入
RFLAT (ON)
オン/オフ・スイッチング時にデジタル入力からアナログ出力
へ伝達されるグリッチ・インパルスの大きさ。
平坦性は、オン抵抗の最大値と最小値の実測値の差です。
∆RON
任意の2チャンネル間のオン抵抗のミスマッチ。
IS (Off)
スイッチ「オフ」時のソース・リーク電流。
ID (Off)
スイッチ「オフ」時のドレイン・リーク電流。
ID、IS (On)
スイッチ「オン」時のチャンネル・リーク電流。
VINL
ロジック「0」の最大入力電圧。
VINH
ロジック「1」の最小入力電圧。
オフ・アイソレーション
「オフ」状態のスイッチを通過する不要信号の大きさ。
クロストーク
寄生容量により1 つのチャンネルから別のチャンネルに伝達さ
れる不要信号の大きさ。
−3dB帯域幅
出力振幅が3dB減衰するときの周波数。
オン応答
スイッチ「オン」時の周波数応答。
挿入損失
スイッチのオン抵抗にに起因する損失。
THD+N
高調波振幅と信号ノイズの和の基本波に対する比。
IINL (IINH)
デジタル入力の入力電流。
― 12 ―
REV. 0
ADG859
外形寸法
1.70
1.66
1.50
4
5
上面図
1.70
1.65
1.50
底面図
D05258-0-6/05(0)-J
6
1.30
1.20
1.10
0.20 MIN
0.26
0.19
0.11
1
2
3
0.10 NOM
0.05 MIN
1番ピン
12° MAX
0.60
0.57
0.53
0.18
0.17
0.13
0.50
BSC
0.30
0.23
0.10
0.25 MAX
0.17 MIN
実装面
0.34 MAX
0.27 NOM
図25.
6ピン・スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ[SOT-66]
(RY-6-1)
寸法単位:mm
オーダー・ガイド
1
2
モデル
温度範囲
パッケージ
パッケージ・オプション
マーキング1
ADG859YRYZ-REEL2
−40∼+125℃
RY-6-1
02
ADG859YRYZ-REEL72
−40∼+125℃
RY-6-1
02
ADG859BRYZ-REEL2
−40∼+125℃
RY-6-1
04
ADG859BRYZ-REEL72
−40∼+125℃
6ピン・スモール・アウトライン・
トランジスタ・パッケージ(SOT-66)
6ピン・スモール・アウトライン・
トランジスタ・パッケージ(SOT-66)
6ピン・スモール・アウトライン・
トランジスタ・パッケージ(SOT-66)
6ピン・スモール・アウトライン・
トランジスタ・パッケージ(SOT-66)
RY-6-1
04
このパッケージのマーキングは、スペースの制約から2文字に制限されています。
Z=鉛フリー製品
REV. 0
― 13 ―
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