SFH 205 SFH 206 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 SFH 206 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm ● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet lieferbar Features ● Especially suitable for applications of 950 nm ● Short switching time (typ. 20 ns) ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape Anwendungen Applications ● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und ● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb tape recorders, dimmers, remote control of various equipment ● Light reflecting switches for steady and varying intensity SFH 205 SFH 206 Typ (* ab 4/95) Type (* as of 4/95) Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 205 (* SFH 205 F) Q62702-P102 SFH 206 (* SFH 206 F) Q62702-P128 10 A3 DIN 41868 (TO-92-ähnlich), schwarzes Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster (1/10), Kathodenkennzeichnung: Gehäusekerbe 10 A3 DIN 41 868 (similar to TO-92), black epoxy resin, solder tabs 2.54 (1/10) lead spacing, cathode marking: notch at package Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg –55 ... +80 oC Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t ≤ 3s) TS 230 oC Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Ptot 150 mW Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 0.5 mW/cm2 S 25 (≥ 15) µA Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 950 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax λ 800 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 7.00 mm2 Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics SFH 205 SFH 206 Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area LxB 2.65 x 2.65 mm H H 2.3 ... 2.5 1.2 ... 1.4 mm mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 (≤ 30) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Sλ 0.59 A/W Quantenausbeute Quantum yield η 0.77 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage VL 330 (≥ 250) mV Kurzschluβstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current IK 25 µA Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA tr, tf 20 ns Durchlaβspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL TCV –2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von IK, Temperature coefficient of IK TCI 0.18 %/K Rauschäquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V NEP 4.3 x 10–14 W √Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit D* 6.2 x 1012 cm · √Hz W Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip surface to case surface SFH 205 SFH 206 LxW SFH 205 SFH 206 Relative spectral sensitivity Srel = f (λ) Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ee) Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ)