D850N40T Data Sheet (231 KB, EN/DE)

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
VRRM
Tvj = -25°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
2800
3200
3600 V
4000 V
IFRMSM
1790 A
1)
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
IFAVM
850 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
1210 A
IFRMS
1900 A
15400 A
12800 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 3,5 kA
Tvj = Tvj max , iF = 850 A
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
200 A ≤ iF ≤ 4000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
vj
vj max
R
RRM
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
Tvj max
date of publication:
revision:
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
iR
RthJC
Lagertemperatur
storage temperature
1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request
A 49/08
2,62 V
1,28 V
0,84 V
0,485 mΩ
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
prepared by: H.Sandmann
max.
max.
A=
B=
C=
D=
iF
=T
,v =V
ThermischeT Eigenschaften
1186 10³A²s
819 10³A²s
1,127E-01
5,455E-04
1,541E-01
-1,097E-02
max.
50 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038
0,035
0,064
0,061
0,085
0,082
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
160 °C
Tc op
-40...+160 °C
Tstg
-40...+160 °C
2008-09-15
3.0
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
10...24 kN
typ.
285 g
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,00123
0,00397
0,0041
0,0153
0,0104
-
-
τn [s]
0,00152
0,00932
0,0708
0,2510
1,7900
-
-
Rthn [°C/W]
0,00134
0,00466
0,0174
0,0376
-
-
-
τn [s]
0,00159
0,01130
0,1770
6,2500
-
-
-
Rthn [°C/W]
0,00133
0,00457
0,0165
0,0596
-
-
-
τn [s]
0,00159
0,01110
0,1690
7,3100
-
-
-
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
Z
thJC
[°C/W]
0,10
0,08
c
0,06
a
0,04
b
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00380
0,00617
0,00795
0,01053
0,01464
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00272
0,00384
0,00534
0,00783
0,01249
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00378
0,00614
0,00795
0,01055
0,01467
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00271
0,00382
0,00533
0,00783
0,01253
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00378
0,00611
0,00793
0,01052
0,01462
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00271
0,00381
0,00532
0,00781
0,01250
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
4.500
Durchlasskennlinie
4.000
T vj = Tvj max
3.500
iF [A]
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
0,8
1,3
1,8
V F [V]
2,3
2,8
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
3500
Durchlassverluste
3000
b
c
2500
a
d
e
f
PFAV [W]
2000
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
1500
1000
500
0
0
200
400
600
800
1000
IFAV [A]
1200
1400
1600
1800
2000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
160
140
T C [°C]
120
100
80
60
40
f
e
c
d
a
b
20
0
200
400
600
800
1000
I FAV [A]
1200
1400
1600
1800
2000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
iFM =
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
10000
Qr [µAs]
Qr Diagramm
1000
100
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF
14
12
IF(OV)M [kA]
10
8
0-50V
6
0,33 VRRM
0,67 VRRM
4
2
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D850N
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