INFINEON D8320N

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
VRRM
Tvj = -25°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
13300 A
8320 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 56 °C
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 10,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 4,0 kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
2500 A ≤ iF ≤ 35000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
iF
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
max.
max.
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
0,940 V
0,795 V
0,7 V
0,024 mΩ
iR
ThermischeKühlfläche
Eigenschaften
/ cooling surface
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
103000 A
95000 A
53000 10³A²s
45000 10³A²s
A=
B=
C=
D=
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
400 V
600 V
RthJC
RthCH
8,869E-01
2,664E-06
-4,856E-02
4,741E-03
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
100 mA
0,0125
0,0117
0,0232
0,0225
0,0250
0,0245
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
0,003 °C/W
180 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
-25...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-25...+150 °C
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revision:
approved by: M.Leifeld
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2008-04-10
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
40...80 kN
typ.
900 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
30 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000034
0,00057
0,000912
0,00274
0,00425
0,00320
-
τn [s]
0,000287
0,00298
0,013500
0,13400
0,44900
2,05000
-
Rthn [°C/W]
0,000035
0,00060
0,001050
0,00760
0,00850
0,00470
-
τn [s]
0,000287
0,00230
0,024000
0,31000
1,90000
6,10000
-
Rthn [°C/W]
0,000035
0,00060
0,002050
0,00805
0,00900
0,00477
-
τn [s]
0,000287
0,00300
0,057000
0,38000
2,05000
6,10000
-
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,030
Z thJC [°C/W]
0,025
c
a
0,020
0,015
b
0,010
0,005
0,000
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00105
0,00170
0,00218
0,00281
0,00376
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00080
0,00112
0,00154
0,00215
0,00315
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00090
0,00166
0,00220
0,00298
0,00422
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00064
0,00096
0,00140
0,00212
0,00345
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00090
0,00149
0,00193
0,00253
0,00345
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00066
0,00094
0,00132
0,00188
0,00285
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
45.000
Durchlasskennlinie
40.000
T vj = T vj max
35.000
iF [A]
30.000
25.000
20.000
15.000
10.000
5.000
0
0,7
0,8
0,9
1
1,1
V F [V]
1,2
1,3
1,4
1,5
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Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
16000
Durchlassverluste
14000
a
12000
PFAV [W]
b
c
10000
d
e
8000
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f
6000
4000
2000
0
0
2000
4000
6000
IFAV [A]
8000
10000
12000
14000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
160
140
T C [°C]
120
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
100
80
60
40
f
e
c
d
a
b
20
0
2000
4000
6000
I FAV [A]
8000
10000
12000
14000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Vorläufige Daten
preliminary data
D8320N
10000
IFM=
6200A
3200A
1600A
800A
400A
Qr [µAs]
Qr Diagramm
1000
100
0,1
1
10
100
-di/dt [A/µs]
1000
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
100
90
80
IF(OV)M [kA]
70
60
50
0-50V
40
0,33 VRRM
30
0,67 VRRM
20
10
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Rectifier Diode
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Vorläufige Daten
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