GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 1 0.9 .1 (2.7) 4.05 3.45 Flat glass cap ø2.54 5.5 5.2 fmo06983 Cathode 1.1 .9 0 ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing ø0.45 14.5 12.5 GMO06983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil ● Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden ● Sehr hoher Wirkungsgrad ● Hohe Zuverlässigkeit ● Kurze Schaltzeiten Features ● Radiation without IR in the visible red range ● Cathode is electrically connected to the case ● Very high efficiency ● High reliability ● Short switching time Applications ● Photointerrupters ● Hermetically sealed package Anwendungen ● Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz ● Hermetisch dichtes Gehäuse Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 4860 Q62702-P5053 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), flat glass cap, lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: projection at package bottom Semiconductor Group 1 1998-08-25 SFH 4860 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 125 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 125 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 1 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 140 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Semiconductor Group 2 1998-08-25 SFH 4860 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA λpeak 660 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 50 m A ∆λ 25 nm Abstrahlwinkel Half angle ϕ ± 50 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.106 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.325 × 0.325 mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 50 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 50 mA, RL = 50 Ω tr, tf 100 ns Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Co 30 pF Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 ms Forward voltage VF 2 (≤ 2.8) V Sperrstrom, VR = 3 V Reverse current IR 0.01 (≤ 10) µA Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms Φe Total radiant flux 3 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.4 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV –3 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 50 mA Temperature coefficient of λ, IF = 50 mA TCλ + 0.16 nm/K Semiconductor Group 3 IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 50 mA 1998-08-25 SFH 4860 Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Strahlstärke Radiant intensity IF = 50 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Semiconductor Group Symbol Werte Values Einheit Unit Ie min Ie typ ≥ 0.63 1.3 mW/sr mW/sr Ie typ 15 mW/sr 4 1998-08-25 SFH 4860 Relative spectral emission Irel = f (λ) Radiant intensity Ie = f (IF) Ie 50 mA Max. permissible forward current IF = f (TC), RthJC = 160 K/W Single pulse, tp = 20 µs OHR01869 100 10 2 Ι rel % OHR01870 Ι F mA Ιe Ι e 50 mA 80 OHR00390 120 100 10 1 80 60 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 10 -2 0 600 650 700 nm λ 10 0 750 ΙF 10 2 10 3 mA ΙF Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter Forward current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs OHR01871 10 3 mA 10 1 ΙF OHR01872 10 4 mA tP D= ΙF 0.1 20 40 60 80 100 ˚C 130 TA Max. permissible forward current IF = f (TA), RthJA = 450 K/W OHR00391 120 Ι F mA 80 60 0.2 10 2 0.5 10 1 0 100 T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 10 3 10 2 tP T 0 40 DC 20 10 0 0 2 4 6 8 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 V 10 VF 10 1 s tP 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 130 TA Radiation characteristics Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHR00389 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 5 100 120 1998-08-25